JP5351317B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 158
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000009347 mechanical transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description
2;チャンバ
3;載置台
5;基材
6;静電チャック
7;シールドリング
9;整流部材
9a;側壁
14;高周波電源
20;シャワーヘッド
28;処理ガス供給源
30;排気装置
33;覗き窓
41;セラミックス溶射皮膜
42;電極
44;直流電源
45;連結部材
47;回転軸
48;回転モータ
50;制御部
G;ガラス基板
62;抵抗部材
63:切り欠き部
67;クリアランス
80;回転ベローズ機構
82;フランジ部材
84;回転軸保持部材
85;回転軸47の屈曲部
86;ベローズ
88;回転軸
90;ハンドル部材
Claims (14)
- 基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の側壁に形成された基板を搬入出する基板搬入出部と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内で処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記載置台上に前記載置台上の基板を囲繞するように設けられた整流部材と
を具備し、
前記載置台上の基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって、
前記整流部材は、少なくとも前記基板搬入出部に対応する位置に、前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられた可動部材を有し、
前記整流部材は、4つの側板からなる角筒状をなし、これら側板のうち前記基板搬入出部に対応する位置にある側板が前記載置台に対する基板の搬入出が可能なように退避位置に移動可能な可動部材として機能し、
前記可動部材として機能する側板は、回転軸を回転駆動機構によって回転させることにより、処理の際の処理位置と前記退避位置との間で回動するように構成され、
前記回転軸と前記可動部材として機能する側板とが連結部材で結合され、前記連結部材の回転により前記可動部材として機能する側板を回動させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板搬入出部に対応する位置にある側板と対向する側板も退避可能な可動部材として機能することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、水平方向に延びる回転軸を回転させることにより、垂直方向に回動可能であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板に密着することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において隣接する側板との間に隙間が形成され、処理ガスが前記隙間を通過する経路は屈曲したラビリンス構造をとるように構成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台と密着していることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、前記処理位置において前記載置台との間に隙間が形成され、前記載置台における前記可動部材として機能する側板の近傍位置に、その側板の幅方向に沿って基板の搬入出を妨げない高さの抵抗部材が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらが折りたたみ可能に連結され、退避位置に回動される際に折りたたまれることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、上下方向に複数に分割され、これらがスライド可能に連結され、退避位置に回動される際に分割片がスライドして重ねられることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材として機能する側板は、前記退避位置から前記処理位置に回動される際に、隣接する側板との間に隙間が形成された状態まで駆動機構により駆動させ、その後自重により前記隣接する側板との間が密着されることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、請求項6、および請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記回転駆動機構は回転モータであり、
前記回転軸は、シール部材を介して前記処理容器の外側に延び、前記処理容器の外側に設けられた前記回転モータにより回転されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記シール部材は、Oリングシールまたはスプリング荷重式シールであることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記回転駆動機構はシリンダ機構であり、
前記回転軸は、前記処理容器の外側にベローズを介して設けられた前記シリンダ機構の駆動により、ラックアンドピニオン機構を介して回転されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬入出部は、前記処理容器に設けられた基板搬入出口と、該基板搬入口を開閉するゲートバルブとを有し、
前記ゲートバルブの開放と、前記可動部材の退避位置への移動とを同期して実行させる制御部をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012190890A JP5351317B2 (ja) | 2008-04-07 | 2012-08-31 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098930 | 2008-04-07 | ||
JP2008098930 | 2008-04-07 | ||
JP2012190890A JP5351317B2 (ja) | 2008-04-07 | 2012-08-31 | 基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275491A Division JP5113016B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-10-27 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012238911A JP2012238911A (ja) | 2012-12-06 |
JP5351317B2 true JP5351317B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=41174966
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275491A Active JP5113016B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-10-27 | 基板処理装置 |
JP2012190890A Active JP5351317B2 (ja) | 2008-04-07 | 2012-08-31 | 基板処理装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275491A Active JP5113016B2 (ja) | 2008-04-07 | 2008-10-27 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5113016B2 (ja) |
KR (2) | KR101063127B1 (ja) |
CN (1) | CN101556911B (ja) |
TW (1) | TWI467682B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5067279B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP5141520B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101544004B1 (ko) | 2014-07-10 | 2015-08-17 | 주식회사 나래나노텍 | 개선된 기판 열처리 챔버용 도어, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치 |
JP6710134B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス導入機構及び処理装置 |
CN108598023B (zh) * | 2018-05-16 | 2020-11-13 | 深圳市信展通电子有限公司 | 一种芯片加工方法 |
JP7437985B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7350907B2 (ja) * | 2022-01-24 | 2023-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 処理チャンバおよび基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6037139A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Ltd | ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構 |
JP3244344B2 (ja) * | 1993-05-28 | 2002-01-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JP2503879B2 (ja) * | 1993-06-16 | 1996-06-05 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
JP2638443B2 (ja) * | 1993-08-31 | 1997-08-06 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
JP3125831B2 (ja) * | 1993-09-24 | 2001-01-22 | 日立プラント建設株式会社 | 高気密メタルシートダンパ |
JPH10107009A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
JP2000028014A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Ckd Corp | ゲート式真空遮断弁 |
JP2003163206A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステム |
-
2008
- 2008-10-27 JP JP2008275491A patent/JP5113016B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-06 KR KR1020090029228A patent/KR101063127B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-07 TW TW98111511A patent/TWI467682B/zh active
- 2009-04-07 CN CN2009101333788A patent/CN101556911B/zh active Active
-
2011
- 2011-03-23 KR KR1020110025725A patent/KR20110040808A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-08-31 JP JP2012190890A patent/JP5351317B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201003816A (en) | 2010-01-16 |
CN101556911B (zh) | 2011-07-13 |
CN101556911A (zh) | 2009-10-14 |
JP2009272602A (ja) | 2009-11-19 |
KR20110040808A (ko) | 2011-04-20 |
JP5113016B2 (ja) | 2013-01-09 |
KR101063127B1 (ko) | 2011-09-07 |
JP2012238911A (ja) | 2012-12-06 |
TWI467682B (zh) | 2015-01-01 |
KR20090106997A (ko) | 2009-10-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120831 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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