JP5346348B2 - 磁気記録媒体、磁気記録装置 - Google Patents
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Description
図3は、本発明に係る磁気記録媒体10の断面構造を示す図である。磁気記録媒体10において、基板100上には、密着層110、導電性化合物層120、MgO下地層130、磁気記録層140、が順に堆積される。磁気記録層140の上面は保護層150で被覆され、保護層150の上面には潤滑層160が塗布される。なお、本発明は、この形態に限定されるものではなく、更に別の材料からなる層を基板100と密着層110の間、密着層110と導電性化合物層120との間、あるいは、磁気記録層140の上部に追加して堆積させて用いることもできる。
耐熱性ガラスを用いて形成した基板100上に、密着層110としてNi−Ta層100nm、導電性化合物層120としてチタン酸ストロンチウム層12nm、MgO下地層130を1nm、磁気記録層140として70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Ag)−30vol%C層6nm、保護層150として窒化炭素層4nmを順次製膜して、磁気記録媒体10を作製した。MgO下地層130を1nm製膜するために要した時間は2.0秒であった。
本発明の実施例2では、MgO下地層130の膜厚を様々に変化させた以外は実施例1と同様の方法で、複数の磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこれら磁気記録媒体10の諸特性を評価した。
本発明の実施例3では、密着層110と導電性化合物層120の間に配向制御層としてCr層7nmを追加して製膜した以外は実施例1と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体10の諸特性を評価した。
本発明の実施例4では、Cr層に替えてV層、Nb層、Mo層、Ta層、W層(それぞれ7nm)を代替的に用いて配向制御層を製膜した以外は実施例3と同様の方法で、複数の磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこれらの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
本発明の実施例5では、導電性化合物層120としてチタン酸ストロンチウム層に替えて酸化インジウムスズ層12nmを製膜した以外は実施例1と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体10の諸特性を評価した。本実施例5に係る磁気記録媒体10の諸特性値は、いずれも実施例1に係る磁気記録媒体10の諸特性とほぼ同等であった。すなわち、導電性化合物層120として、酸化インジウムスズ層はチタン酸ストロンチウム層と同等の効果をもつことがわかった。
本発明の実施例6では、導電性化合物層120としてチタン酸ストロンチウム層に替えて窒化チタン層12nmを製膜した以外は実施例1と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体10の諸特性を評価した。本実施例6に係る磁気記録媒体10の諸特性値は、いずれも実施例1に係る磁気記録媒体10の諸特性とほぼ同等であった。すなわち、導電性化合物層120として、窒化チタン層はチタン酸ストロンチウム層と同等の効果をもつことがわかった。
本発明の実施例7では、潤滑層160としてパーフルオロポリエーテルを保護層150の上面に塗布した以外は実施例3と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。この磁気記録媒体10に対して、熱アシスト磁気記録方式によって磁気信号を記録および再生した。この記録再生試験には静止記録再生実験装置を用いた。
本発明の実施例8では、密着層110であるNi−Ta層の膜厚を70nmとし、密着層110と配向制御層との間に軟磁性裏打ち層としてFe−Co−Ta−Zr層30nmを追加して製膜した以外は、実施例7と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。この磁気記録媒体に対して、実施例7と同様の方法で熱アシスト磁気記録方式によって磁気信号を記録および再生した。
本発明の実施例9では、密着層110であるNi−Ta層の膜厚を70nmとし、密着層110と配向制御層との間に熱吸収層としてCu−Zr層30nmを追加して製膜した以外は、実施例7と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。この磁気記録媒体10に対して、実施例7と同様の方法で熱アシスト磁気記録方式によって磁気信号を記録および再生した。
本発明の実施例10では、磁気記録層140として70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Ag)−30vol%C層に替えて70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Ag)−30vol%SiO2層6nmを製膜した以外は実施例1と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
本発明の実施例11では、磁気記録層140として70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Ag)−30vol%C層に替えて70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Au)−30vol%C層6nm、70vol%(45at%Fe−45at%Pt−10at%Cu)−30vol%C層6nm、もしくは70vol%(50at%Fe−50at%Pt)−30vol%C層6nmを製膜した以外は、実施例1と同様の方法で磁気記録媒体10を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
以下の比較例1〜4では、本発明の実施例に係る磁気記録媒体10と比較するための構成とその特性について説明する。
本比較例2では、MgO下地層130の膜厚を様々に変化させた以外は比較例1と同様の方法で複数の磁気記録媒体を作製した。また、実施例1と同様の方法でこれらの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
本比較例3では、導電性化合物層120を製膜せず、Cr層で形成した配向制御層を設けた以外は実施例1と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。また、実施例1と同様の方法でこの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
本比較例4では、MgO下地層130の膜厚を様々に変化させた以外は比較例3と同様の方法で複数の磁気記録媒体を作製した。また、実施例1と同様の方法でこれらの磁気記録媒体の諸特性を評価した。
100 基板
110 密着層
120 導電性化合物層
130 MgO下地層
140 磁気記録層
150 保護層
160 潤滑層
Claims (7)
- L10型構造を有する規則合金であって、FeおよびCoのいずれかと、PtおよびPdのいずれかとの合金である規則合金を含む磁気記録層と、
前記磁気記録層よりも基板に近い側に前記磁気記録層に接して配置されたMgO層と、
前記MgO層よりも基板に近い側に前記MgO層に接して配置され、立方晶系に属する結晶構造を有する導電性化合物層と、
を備え、
前記MgO層の膜厚は1nm以上3nm以下であり、
前記導電性化合物は、チタン酸ストロンチウム、酸化インジウムスズ、窒化チタン、のいずれかを用いて構成されている
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記導電性化合物層よりも基板に近い側に、体心立方構造を有する金属層であって、Cr、V、Nb、Mo、Ta、Wから選ばれる少なくとも1つの元素を含む金属層を有する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記磁気記録層は、酸化物または炭素を含むことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層は、Ag、Au、Cuから選ばれる少なくとも1つの元素を含む
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記導電性化合物層よりも基板に近い側に軟磁性裏打ち層を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 前記導電性化合物層よりも基板に近い側に熱吸収層を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 請求項1記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
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