JP5341685B2 - 圧電デバイス - Google Patents
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Description
第六の観点による圧電デバイスにおいて、所定の位置から一定の距離における下地層の幅が、スルーホール配線に接続される位置から所定の位置までの下地層の幅より広く形成されている。
第七の観点による圧電デバイスの封止材は、金と他の金属とを材料とする共晶金属である。
図1は、本実施例の音叉型水晶振動片30を備えた第一圧電デバイス100の概略を示す図面である。図1(a)は、分割した状態の第一圧電デバイス100を、リッド10のリッド部側からみた斜視図である。図1(b)は、(a)のA−A断面で第一圧電デバイス100の断面構成図である。
以下、第一引出電極31、第二引出電極32及び下地層領域50の構造及び作用について詳しく説明する。
また、第二外部電極46も下地層461と金属層462との2層からなる。下地層461として、クロム(Cr)層であり、金属層462は、金・ゲルマニューム合金(Au12Ge)層である。
以下、代表的な例として、共晶金属ボール70が金・ゲルマニューム(Au12Ge)合金が使用される例について説明する。
図6(a)は,下地層領域50の位置が示された第二圧電デバイス110の第二圧電フレーム20aの内面図である。図6(b)は、側面から見た図6(a)のE部の拡大斜視図である。第二圧電デバイス110は、第二圧電フレーム20aの下地層領域50の位置を除いて、第一圧電デバイス100の構造と同じである。図6(a)の符号は、図2(a)と同一であるので説明を省略する。
図7(a)は,下地層領域50が示された第三圧電デバイスの第三圧電フレーム20bの内面図である。図7(b)は、側面から見た図7(a)のF部の拡大斜視図である。第三圧電フレーム20bと第一圧電フレーム20との違いは3層と2層構造との違いである。つまり、第一圧電フレーム20の第一B引出電極31B及び第二B引出電極32Bは2層の構成であるのに対し、第三圧電フレーム20bの第一C引出電極31C及び第二C引出電極32Cは3層である。その他符号は、図5(a)と同一であるので説明を省略する。
17 … リッド側凹部
20 … 第一圧電フレーム、20a … 第二圧電フレーム
20b … 第三圧電フレーム
21 … 励振腕、22 … 空間部、23 … 基部
26 … 支持腕、28 … 錘部、29 … 外枠部
30 … 音叉型水晶振動片
31 … 第一引出電極(31A … 第一A引出電極、31B … 第一B引出電極、31C … 第一C引出電極)
32 … 第二引出電極(32A … 第二A引出電極、32B … 第二B引出電極、32C … 第二C引出電極)
33 … 第一励振電極、34 … 第二励振電極
35 … 第一接続端子、36 … 第二接続端子
40 … ベース
41 … 第一スルーホール、43 … 第二スルーホール
42 … 第一接続電極、 44 … 第二接続電極
45 … 第一外部電極、 46 … 第二外部電極
47 … ベース側凹部
49 … 段差部
50 … 下地層領域
70 … 共晶金属ボール
80 … パッケージ
100 … 第一圧電デバイス、110 … 第二圧電デバイス
Claims (7)
- 励振電極を有する振動片と、前記振動片の周囲に形成され且つ前記励振電極から伸びた引出電極が形成された外枠部とを有する圧電フレームと、
封止材が挿入される貫通孔と、前記引出電極と接続され前記貫通孔に形成されたスルーホール配線とを有するベースと、を備え、
前記引出電極は、前記圧電フレームに形成される下地層と該下地層とは異なる材料で前記下地層の上面に形成される第1金属層とを含み、前記第1金属層は前記スルーホール配線に接続される位置から所定の位置まで前記封止材と同じ材料で形成され、
前記所定の位置から一定の距離だけ前記下地層のみで形成され、前記一定の距離を隔てた位置から前記励振電極までは、前記下地層と前記第1金属層とは異なる材料の第2金属層で形成されている圧電デバイス。 - 前記下地層と前記第1金属層との間に、前記第2金属層が形成される請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記スルーホール配線は、前記下地層と前記第1金属層とを含む請求項1又は請求項2のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
- 前記所定の位置から一定の距離における前記下地層の幅が、前記スルーホール配線に接続される位置から所定の位置までの前記下地層の幅より広く形成されている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
- 前記封止材は、金と他の金属とを材料とする共晶金属である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
- 前記下地層は、クロム、ニッケル又はチタンからなることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
- 前記第2金属層は、金(Au)層である請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
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