JP5341389B2 - Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載するダイパッドと、前記半導体素子を封止する封止樹脂体と、外部と接続するための外部端子と、前記外部端子と前記半導体素子とをつなぐ内部リードとを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。   The present invention connects a semiconductor element, a die pad for mounting the semiconductor element, a sealing resin body for sealing the semiconductor element, an external terminal for connection to the outside, and the external terminal and the semiconductor element. The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having internal leads.

かかる樹脂封止型半導体装置は、特許文献１にも記載されている。特許文献１にも記載されるように、金属板であるダイパッドの上面に半導体素子がダイボンディングされ、半導体素子の下面電極がダイパッドに接続される。ダイパッドの下面は、封止樹脂体から露出している。
外部端子は、ダイパッドより高い位置でダイパッドと平行にして封止樹脂体から延出し、クランク状に曲成される。これにより、外部端子の外端部の下面がダイパッドの下面と略同一平面に配置される。かかる構造により、樹脂封止型半導体装置の面実装が可能となる。すなわち、ダイパッドの下面と外部端子外端部の下面とを電気回路基板の電極面に合わせて本樹脂封止型半導体装置を電気回路基板上に配置し、外部端子とダイパッドとをそれぞれ電気回路基板に半田付けして電気回路基板に実装することができる。 Such a resin-encapsulated semiconductor device is also described in Patent Document 1. As described in Patent Document 1, a semiconductor element is die-bonded on an upper surface of a die pad that is a metal plate, and a lower electrode of the semiconductor element is connected to the die pad. The lower surface of the die pad is exposed from the sealing resin body.
The external terminal extends from the sealing resin body in parallel with the die pad at a position higher than the die pad, and is bent into a crank shape. Thereby, the lower surface of the outer end portion of the external terminal is arranged in substantially the same plane as the lower surface of the die pad. Such a structure enables surface mounting of the resin-encapsulated semiconductor device. That is, the resin-encapsulated semiconductor device is arranged on the electric circuit board with the lower surface of the die pad and the lower surface of the outer terminal outer edge aligned with the electrode surface of the electric circuit board, and the external terminal and the die pad are respectively connected to the electric circuit board. It can be soldered to and mounted on an electric circuit board.

特許文献１に記載の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドに２つの半導体素子を搭載しており、外部端子は２本独立に設けられ、各外部端子が内部リードを介して各半導体素子の各上面電極に接続されている。
２つの半導体素子それぞれのカソード電極をダイパッドに接続することで、図１３(a)に示すように、カソードコモン型の樹脂封止型半導体装置が構成される。図１３(a)に示す樹脂封止型半導体装置１０１は、２つの半導体素子（ダイオード）ｃ１，ｃ２を封止樹脂体内に有しており、ダイパッドによるカソード電極Ｋと、２本独立の外部端子による各アノード電極Ａ１，Ａ２を半導体素子ｃ１，ｃ２の各アノードに対応して構成している。かかる樹脂封止型半導体装置１０１は、いわゆる２アーム回路構成に分類される。
一方、図１３(b)に示すように、２つのアノード電極Ａ１，Ａ２を電気回路基板上の共通の電極１０２に接続して実質的に１アーム回路構成のものとして使用する場合がある。この場合、図１３(c)に示す１アーム回路と回路的に等価である。もちろん、１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置についても需要がある。 In the resin-encapsulated semiconductor device described in Patent Document 1, two semiconductor elements are mounted on a die pad, two external terminals are provided independently, and each external terminal is connected to each semiconductor element via an internal lead. It is connected to each upper surface electrode.
By connecting the cathode electrodes of the two semiconductor elements to the die pad, a cathode common type resin-encapsulated semiconductor device is configured as shown in FIG. A resin-encapsulated semiconductor device 101 shown in FIG. 13 (a) has two semiconductor elements (diodes) c1 and c2 in the encapsulating resin body, a cathode electrode K formed by a die pad, and two independent external terminals. The anode electrodes A1 and A2 are configured to correspond to the anodes of the semiconductor elements c1 and c2. The resin-encapsulated semiconductor device 101 is classified into a so-called two-arm circuit configuration.
On the other hand, as shown in FIG. 13 (b), there are cases where two anode electrodes A1 and A2 are connected to a common electrode 102 on an electric circuit board and used as a substantially one-arm circuit configuration. In this case, the circuit is equivalent to the one-arm circuit shown in FIG. Of course, there is also a demand for a resin-encapsulated semiconductor device having a one-arm circuit configuration.

特許文献２には、樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成と２アーム回路構成とに造り分ける製造方法が記載されている。
特許文献２に記載の製造方法によれば、ダイパッドから延びる第１のリード片（同文献中符号２）の両側に、第２のリード片（３）、第３のリード片（４）を平行に配置し、第１のリード片（２）と第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）とがタイバー（８）で連結されたリードフレームを使用し、第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）のうちいずれか一方と第１のリード片（２）との連結タイバーを切除することで、１アーム回路構成を得、第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）の双方と第１のリード片（２）との連結タイバーを切除することで、２アーム回路構成を得る。
特開２００６−２０２９７６号公報 特開平６−５７５６号公報 Patent Document 2 describes a manufacturing method in which a resin-encapsulated semiconductor device is divided into a one-arm circuit configuration and a two-arm circuit configuration using a common lead frame.
According to the manufacturing method described in Patent Literature 2, the second lead piece (3) and the third lead piece (4) are arranged in parallel on both sides of the first lead piece (reference numeral 2 in the literature) extending from the die pad. And using a lead frame in which the first lead piece (2), the second lead piece (3) and the third lead piece (4) are connected by a tie bar (8), the second lead A one-arm circuit configuration is obtained by cutting a connecting tie bar between one of the piece (3) and the third lead piece (4) and the first lead piece (2), and the second lead piece ( A two-arm circuit configuration is obtained by cutting off the connecting tie bars of both the 3) and the third lead piece (4) and the first lead piece (2).
JP 2006-202976 A JP-A-6-5756

リードフレームを用いた製造方法においてタイバーの切除は、一般的にプレスカットにより行われる。タイバーのプレスカットはタイバーカットプレス金型にセットされた上金型と下金型とによって行われる。封止樹脂体が形成されたリードフレームのタイバーを切除するには、封止樹脂体が形成されたリードフレームを下金型に載置し、上金型をリードフレームに押圧して、パンチによってタイバーを切除する。 パンチは、切除位置に予め金型に付設される。
特許文献２に記載の製造方法によれば、１アーム回路構成を得るときに切除しないで残すタイバーであって２アーム回路構成を得るときには切除する部分があるだけでなく、２アーム回路構成を得るときに切除せずに残すタイバーであって１アーム回路構成を得るときには切除する部分もある。すなわち、１アーム回路構成を得るためのパンチ構成の全部が２アーム回路構成を得るためのパンチ構成に含まれない。
したがって、特許文献２に記載の製造方法によれば、１アーム回路構成を得るときと、２アーム回路構成を得るときとで、それぞれに合ったパンチ構成を用意しなければならず、そのために製造の設備及び作業の面で負担がある。 In a manufacturing method using a lead frame, the tie bar is generally cut by press cutting. The tie bar press cut is performed by an upper die and a lower die set in a tie bar cut press die. To cut the lead frame tie bar on which the sealing resin body is formed, the lead frame on which the sealing resin body is formed is placed on the lower mold, the upper mold is pressed against the lead frame, and the punch is Cut the tie bar. The punch is attached to the mold in advance at the cutting position.
According to the manufacturing method described in Patent Document 2, a tie bar that remains without being cut when obtaining a one-arm circuit configuration, and not only has a portion to be cut when obtaining a two-arm circuit configuration, but also obtains a two-arm circuit configuration. Sometimes there is a tie bar that is left without being cut and cut when obtaining a one-arm circuit configuration. That is, the entire punch configuration for obtaining the one-arm circuit configuration is not included in the punch configuration for obtaining the two-arm circuit configuration.
Therefore, according to the manufacturing method described in Patent Document 2, it is necessary to prepare punch configurations suitable for obtaining a one-arm circuit configuration and for obtaining a two-arm circuit configuration. There is a burden in terms of equipment and work.

本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成と２アーム回路構成とに造り分けるにあたり、切除するタイバーのプレスカットのために必要となるパンチ構成が多様化せず、製造の設備効率及び作業効率が良好な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems in the prior art, and separates a surface mount type resin-encapsulated semiconductor device into a 1-arm circuit configuration and a 2-arm circuit configuration using a common lead frame. In this regard, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that does not diversify the punch configuration necessary for press-cutting a tie bar to be cut and has good manufacturing equipment efficiency and work efficiency.

以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、ダイパッドと、内端部を１つの前記ダイパッドに臨ませ、前記ダイパッドから離れる方向に延在し、互いに並列配置され互いにタイバーによって連結された２本の外部端子とを連結支持したリードフレームであって、第１サイドバーと第２サイドバーとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、個々の製品に供される前記ダイパッド及び前記２本の外部端子を長手方向に並べて多数製品分連結支持し、前記ダイパッドが第１サイドバーに連結支持されて第２サイドバー側に延出し、前記外部端子が第２サイドバーに連結支持されて第１サイドバー側に延出し、隣り合う外部端子同士を多数製品分連続して連結するタイバーを備えたリードフレームを用い、
（１）前記ダイパッドの上面に半導体素子の下面電極を接続させて当該半導体素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、
前記半導体素子の上面電極と前記内端部とを内部リードで接続する内部接続工程と、
前記ダイパッドの下面、前記タイバー及び少なくともこれに結合する部分から外側の前記外部端子を露出して前記半導体素子、前記内部リード及び前記内端部を封止する封止樹脂体を形成する樹脂封止工程と、
隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離するタイバーカット工程とを備え、
（２）前記ダイボンディング工程において、少なくとも２つの半導体素子をダイボンディングし、前記内部接続工程において、２つの前記半導体素子の上面電極を異なる前記内端部に前記内部リードで接続し、かつ、
前記タイバーカット工程において、前記２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチ及び前記特定パンチと独立し前記隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離する他のパンチと、前記２本の外部端子間のタイバー及び隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーに対応した位置にパンチの抜き孔が形成されたダイとを付設したタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを切除して、２アーム回路構成を得、
（３）上記（２）により２アーム回路構成を得た後又は得る前に、前記タイバーカット工程において、前記特定パンチを前記タイバーカットプレス金型から除去し前記他のパンチ及び前記ダイを付設した状態の当該タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを残して、１アーム回路構成を得る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is directed to a die pad and an inner end facing one die pad, extending in a direction away from the die pad, arranged in parallel to each other, and connected to each other by a tie bar. A lead frame connecting and supporting two external terminals , the first side bar and the second side bar extending in parallel in the longitudinal direction at a distance from each other, and the die pad used for each product, The two external terminals are arranged and supported in the longitudinal direction for a large number of products, the die pad is connected and supported to the first side bar and extends to the second side bar, and the external terminals are connected and supported to the second side bar. Using a lead frame with a tie bar that extends to the first sidebar side and continuously connects adjacent external terminals for a number of products ,
(1) a die bonding step in which a lower surface electrode of a semiconductor element is connected to an upper surface of the die pad to die bond the semiconductor element;
An internal connection step of connecting the upper surface electrode of the semiconductor element and the inner end portion with an internal lead;
Resin sealing that forms the sealing resin body that seals the semiconductor element, the internal lead, and the inner end portion by exposing the external terminal outside from the lower surface of the die pad, the tie bar, and at least a portion coupled thereto. Process,
A tie bar cutting step of cutting and separating both ends of the tie bar disposed between adjacent product equivalent parts from the external terminal ,
(2) In the die bonding step, at least two semiconductor elements are die-bonded, and in the internal connection step, upper surface electrodes of the two semiconductor elements are connected to different inner end portions by the internal leads, and
In the tie bar cutting step, cutting the ends of the tie bars arranged between the particular punch及beauty before Symbol particular punch and separate the adjacent product corresponding portion of excising only tie bar between said two external terminals from the external terminal Tie bar cut press metal provided with other punches to be separated and a die having punch punch holes formed at positions corresponding to tie bars between the two external terminals and tie bars arranged between adjacent product equivalent parts By cutting with a mold, the tie bar between the two external terminals is cut off to obtain a two-arm circuit configuration,
(3) After or before obtaining the two-arm circuit configuration according to (2), in the tie bar cutting step, the specific punch is removed from the tie bar cut press mold, and the other punch and the die are attached. This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a one-arm circuit configuration is obtained by leaving a tie bar between the two external terminals by performing press-cutting using the tie-bar cut press mold in a state in which it has been cut.

請求項２記載の発明は、前記タイバーカットプレス金型の上金型に、前記特定パンチを付設して行う請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法である。   A second aspect of the present invention is the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the first aspect, wherein the specific punch is attached to an upper mold of the tie bar cut press mold.

請求項３記載の発明は、前記リードフレームは、前記外部端子の下面が前記ダイパッドの下面の存在面より上側に存在するものであり、
第２サイドバーを前記外部端子から切断分離する第２サイドバーカット工程と、
プレス成形により、前記外部端子の外端部の下面が前記ダイパッドの下面と略同一平面に存在するように、前記外部端子を曲成するフォーミング工程と、
第１サイドバーから製品固体を切断分離して、個々の樹脂封止型半導体装置を得る固体分離工程と、
をさらに備える請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法である。 Third aspect of the present invention, the lead frame is for the lower surface of the front Kigaibu terminal is present above the existing surface of the lower surface of the die pad,
A second sidebar cutting step of cutting and separating the second sidebar from the external terminal;
A forming step of bending the external terminal by press molding so that the lower surface of the outer end portion of the external terminal is substantially flush with the lower surface of the die pad;
A solid separation step of cutting and separating the product solid from the first sidebar to obtain individual resin-encapsulated semiconductor devices;
A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1 or 2, further comprising:

本発明によれば、２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチをタイバーカットプレス金型に付設するか、付設しないかを選択することによって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成（特定パンチ不使用時）と２アーム回路構成（特定パンチ使用時）とに造り分けることができ、１アーム回路構成を得るためのパンチ構成の全部が２アーム回路構成を得るためのパンチ構成に含まれるから、切除するタイバーのプレスカットのために必要となるパンチ構成が多様化せず、製造の設備効率及び作業効率が向上するという効果がある。   According to the present invention, a surface mount type resin-encapsulated semiconductor device is selected by selecting whether or not to attach a specific punch for cutting only a tie bar between two external terminals to a tie bar cut press die. Can be divided into a 1-arm circuit configuration (when a specific punch is not used) and a 2-arm circuit configuration (when a specific punch is used) using a common lead frame, and all punch configurations for obtaining a 1-arm circuit configuration Is included in the punch configuration for obtaining the two-arm circuit configuration, the punch configuration necessary for press cutting of the tie bar to be cut is not diversified, and the manufacturing equipment efficiency and work efficiency are improved. .

以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following is one embodiment of the present invention and does not limit the present invention.

ここで、図を参照して本樹脂封止型半導体装置の製造方法につき説明する。
図１(a)に示すリードフレーム１０を用いる。
リードフレーム１０は、Ｃｕを主成分とする導電性材料からなる。リードフレーム１０は、第１サイドバー１０ａと第２サイドバー１０ｂとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、その各端に連続するエンドバー１０ｃ，１０ｄにより長尺四辺形枠状に構成されている。リードフレーム１０は、その枠内にダイパッド１及び２本の外部端子３Ｌ，３Ｒを長手方向に並べて多数製品分連結支持している。 Here, a manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to the drawings.
A lead frame 10 shown in FIG.
The lead frame 10 is made of a conductive material mainly composed of Cu. The lead frame 10 is formed in a long quadrilateral frame shape with end bars 10c and 10d extending from the first side bar 10a and the second side bar 10b in parallel in the longitudinal direction with a space therebetween, and continuous at each end. ing. The lead frame 10 has a die pad 1 and two external terminals 3L and 3R arranged in the frame in the longitudinal direction and connected and supported for a number of products.

ダイパッド１，１，・・・は、第１サイドバー１０ａに連結支持されて第２サイドバー１０ｂ側に延出している。ダイパッド１は第１サイドバー１０ａから垂直方向内側に延びる支持リード１０ｅによって第１サイドバー１０ａに連結され支持されている。   The die pads 1, 1,... Are connected to and supported by the first side bar 10a and extend to the second side bar 10b side. The die pad 1 is connected to and supported by the first side bar 10a by support leads 10e extending inward in the vertical direction from the first side bar 10a.

外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、第２サイドバー１０ｂに連結支持されて第１サイドバー１０ａ側に延出している。１つのダイパッド１に対して２本の外部端子３Ｌ，３Ｒが対向するように延出している。外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、第２サイドバー１０ｂから垂直方向内側に延びる支持リード１０ｆによって第２サイドバー１０ｂに連結され支持されている。
また、外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、長手方向に延在するタイバー１１によって隣り合う外部端子同士が連続して連結されている。一番端の外部端子３Ｌ，３Ｒに関しては、タイバー１１により隣接するエンドバー１０ｃ，１０ｄに連結される。外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、これらのタイバー１１により、定位置に固定される。
外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａはパッドエリアを形成している。外部端子３Ｌ，３Ｒは、その内端部３ａをダイパッド１に臨ませ、ダイパッド１から離れる方向に延在し、互いに並列配置される。 The external terminals 3L, 3R, 3L, 3R,... Are connected and supported by the second side bar 10b and extend to the first side bar 10a side. Two external terminals 3L and 3R extend so as to face one die pad 1. The external terminals 3L, 3R, 3L, 3R,... Are connected to and supported by the second side bar 10b by support leads 10f extending inward in the vertical direction from the second side bar 10b.
Further, the external terminals 3L, 3R, 3L, 3R,... Are continuously connected to each other by the tie bars 11 extending in the longitudinal direction. The outermost external terminals 3L and 3R are connected to the adjacent end bars 10c and 10d by the tie bar 11. The external terminals 3L, 3R, 3L, 3R,... Are fixed in place by these tie bars 11.
The inner ends 3a of the external terminals 3L and 3R form a pad area. The external terminals 3L and 3R extend in a direction away from the die pad 1 with the inner end 3a facing the die pad 1, and are arranged in parallel to each other.

まず、図１(b)に示すように、ダイパッド１の上面パッドエリアに半田を塗布して２つの半導体素子ｃ１，ｃ２をダイボンディングする（ダイボンディング工程）。なお、１アーム回路構成を作製する場合には、図１(c)に示すように、１つのダイパッド１に１つの半導体素子ｃをボンディングしても良い。
本実施形態では、半導体素子ｃ１，ｃ２のカソード電極を下面にしてダイパッド１に接続する。図１(b)に示すように、ダイパッド１に搭載された半導体素子ｃ１，ｃ２の上面にアノード電極ｃＡが配置される。
半導体素子ｃ１，ｃ２としては、ショットキーバリアダイオード、高速、高耐圧ＰＮダイオード等を適用する。 First, as shown in FIG. 1B, solder is applied to the upper surface pad area of the die pad 1 to die-bond the two semiconductor elements c1 and c2 (die bonding step). In the case of manufacturing a one-arm circuit configuration, one semiconductor element c may be bonded to one die pad 1 as shown in FIG.
In the present embodiment, the cathode electrodes of the semiconductor elements c1 and c2 are connected to the die pad 1 with the lower surface thereof being the lower surface. As shown in FIG. 1B, the anode electrode cA is disposed on the upper surfaces of the semiconductor elements c1 and c2 mounted on the die pad 1.
As the semiconductor elements c1 and c2, a Schottky barrier diode, a high speed, high voltage PN diode or the like is applied.

次に、図２に示すように、半導体素子ｃ１，ｃ２と外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａとを内部リード４，４で接続する（内部接続工程）。
すわなわち、半導体素子ｃ１，ｃ２のアノード電極ｃＡと、外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａのパッドエリアとに半田を塗布し、これらの間に架け渡すように導電性の平板状の内部リード４，４，・・・を搭載する。
１半導体素子搭載の場合は、１つのアノード電極ｃＡに２つの内部リード４，４を接続しても良いし、内部リード４，４が互いに連結されたごとくの一体で任意の形状のものを使用しても良い。
もちろん、内部リードとしてＡｌワイヤ等のボンディングワイヤを用いてもよい。 Next, as shown in FIG. 2, the semiconductor elements c1 and c2 and the inner ends 3a of the external terminals 3L and 3R are connected by internal leads 4 and 4 (internal connection process).
That is, solder is applied to the anode electrode cA of the semiconductor elements c1 and c2 and the pad area of the inner end 3a of the external terminals 3L and 3R, and a conductive flat plate-like internal so as to be bridged between them. Leads 4, 4, ... are mounted.
In the case of mounting one semiconductor element, two internal leads 4 and 4 may be connected to one anode electrode cA, or one having an arbitrary shape is used as if the internal leads 4 and 4 are connected to each other. You may do it.
Of course, a bonding wire such as an Al wire may be used as the internal lead.

次に、図３に示すように、封止樹脂体２を形成する（樹脂封止工程）。すなわち、ダイパッド１の下面、タイバー１１及び少なくともこれ（タイバー１１）に結合する部分から外側の外部端子３Ｌ，３Ｒを露出して（すなわち、タイバー１１に結合する部分も露出する）、半導体素子ｃ１，ｃ２、内部リード４，４及び内端部３ａ，３ａを封止する封止樹脂体２を形成する。封止樹脂体２の形成は射出成形装置により行うことができる。内部リード４と内端部３ａとの接合部も封止するので、内端部３ａも封止樹脂体２内に封止される。なお、図３(c)に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１は、ダイパッド１より高い位置で、ダイパッド１と略平行に配置されている。この配置は、図１に示す状態からのものである。   Next, as shown in FIG. 3, the sealing resin body 2 is formed (resin sealing step). That is, the outer external terminals 3L and 3R are exposed from the lower surface of the die pad 1, the tie bar 11, and at least the portion coupled to the tie bar 11 (that is, the portion coupled to the tie bar 11 is also exposed), and the semiconductor elements c1, c2, the sealing resin body 2 that seals the inner leads 4 and 4 and the inner ends 3a and 3a is formed. The sealing resin body 2 can be formed by an injection molding apparatus. Since the joint between the internal lead 4 and the inner end 3 a is also sealed, the inner end 3 a is also sealed in the sealing resin body 2. As shown in FIG. 3C, the external terminals 3L and 3R and the tie bar 11 are disposed substantially parallel to the die pad 1 at a position higher than the die pad 1. This arrangement is from the state shown in FIG.

次に、タイバーカット工程を行う。タイバーカット工程は、タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより行う。上金型にパンチを付設する。パンチを、以下の切断するタイバーに対応した位置にそれぞれ付設する。下金型には、パンチの抜き孔が形成されたダイを付設する。そして、タイバーカットプレス金型に上金型と下金型とをセットする。その後、封止樹脂体２が形成されたリードフレーム１０を下金型に載置し、上金型をリードフレームに押圧して、上金型に付設されたパンチによってタイバーを切除する。
１アーム回路構成を得る場合は、図４(a)(b)に示すように、隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバー１１ｂの両端を一の製品相当部分の外部端子３Ｌとその隣の製品相当部分の外部端子３Ｒとから切断分離する（タイバーカット工程−１アーム時）。なお、エンドバー１０ｃ，１０ｄから延出するタイバー１１も外部端子３Ｌ，３Ｒから切断分離する。したがって、これらの切除するタイバーに対応した位置にパンチを付設し、２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ間のタイバー１１ａに対応した位置にはパンチを付設しない。タイバー１１ａを切除するパンチを除去した状態のタイバーカットプレス金型を用いる。しかし、上記ダイとしては、タイバー１１ａに対応した位置にもパンチの抜き孔が形成されたものを用いる。
図４(b)に示すように、一の製品相当部分内の外部端子３Ｌ，３Ｒ間に残存するタイバー１１aは製品の一部を構成する。すなわち、タイバー１１aは２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ同士を連結する連結バーとなって、外部端子３Ｌ，３Ｒとともに一体のアノード電極部品となる。 Next, a tie bar cutting process is performed. The tie bar cut process is performed by press cutting using a tie bar cut press mold. A punch is attached to the upper die. A punch is attached to each of the positions corresponding to the tie bars to be cut. A die having punch holes is attached to the lower die. Then, an upper die and a lower die are set on the tie bar cut press die. Thereafter, the lead frame 10 on which the sealing resin body 2 is formed is placed on the lower mold, the upper mold is pressed against the lead frame, and the tie bar is cut off by a punch attached to the upper mold.
When obtaining a one-arm circuit configuration, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), both ends of tie bars 11b arranged between adjacent product equivalent parts are connected to the external terminal 3L of one product equivalent part and the adjacent terminal. It is cut and separated from the external terminal 3R corresponding to the product (at the time of tie bar cutting step-1 arm). The tie bar 11 extending from the end bars 10c and 10d is also cut and separated from the external terminals 3L and 3R. Therefore, a punch is attached at a position corresponding to these tie bars to be cut, and no punch is attached at a position corresponding to the tie bar 11a between the two external terminals 3L, 3R. A tie bar cut press mold in a state where a punch for excising the tie bar 11a is removed is used. However, as the die, a die in which punch holes are formed at positions corresponding to the tie bars 11a is used.
As shown in FIG. 4B, the tie bar 11a remaining between the external terminals 3L and 3R in one product-corresponding portion constitutes a part of the product. In other words, the tie bar 11a serves as a connecting bar that connects the two external terminals 3L and 3R together with the external terminals 3L and 3R as an integral anode electrode component.

次に、図４(c)に示すように、支持リード１０ｆを切断して、第２サイドバー１０ｂから外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・を切断分離する（第２サイドバーカット工程）。   Next, as shown in FIG. 4 (c), the support lead 10f is cut and the external terminals 3L, 3R, 3L, 3R,... Are cut and separated from the second side bar 10b (second side bar cut). Process).

次に、図５に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aをフォーミング加工する（フォーミング工程）。フォーミング加工はプレス成型法の一つである。フォーミング装置の上型と下型とで、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aを挟み込み押圧して、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aを曲成する。曲成後の外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aの曲線形状は、図８に示したとおりである。２本の外部端子３Ｌ，３Ｒの間に残存するタイバー１１ａと結合する外部端子の部分を第１曲成部３ｂとして、当該タイバー１１ａもろとも曲成する。同時に、第１曲成部３ｂと逆折の第２曲成部３ｃを第１曲成部３ｂより外端側に形成する。これにより、外部端子の外端部３ｄの下面をダイパッド１の下面と略同一平面に存在させる。
次に、支持リード１０ｅを切断して、第１サイドバー１０ａから製品固体を切断分離し、１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置を得る（固体分離工程）。 Next, as shown in FIG. 5, the external terminals 3L and 3R and the tie bar 11a are formed (forming process). Forming is one of press molding methods. The external terminals 3L and 3R and the tie bar 11a are sandwiched and pressed between the upper mold and the lower mold of the forming apparatus to bend the external terminals 3L and 3R and the tie bar 11a. The curved shapes of the external terminals 3L and 3R and the tie bar 11a after being bent are as shown in FIG. The portion of the external terminal that is coupled to the tie bar 11a remaining between the two external terminals 3L and 3R is the first bent portion 3b, and is bent together with the tie bar 11a. At the same time, a second bent portion 3c opposite to the first bent portion 3b is formed on the outer end side from the first bent portion 3b. As a result, the lower surface of the outer end portion 3d of the external terminal is present in substantially the same plane as the lower surface of the die pad 1.
Next, the support lead 10e is cut, and the product solid is cut and separated from the first side bar 10a to obtain a resin-encapsulated semiconductor device having a one-arm circuit configuration (solid separation step).

以上のようにして得られた１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置は、図６〜図８に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒは２本で、１本１本３Ｌ，３Ｒがそれぞれ、ダイパッド１より高い位置でダイパッド１と略平行にして封止樹脂体２から延出している。その延出方向、すなわち、外端方向に沿って連なる上面が凸の第１曲成部３ｂ、下面が凸の第２曲成部３ｃを介してクランク状に曲成されることにより、第２曲成部３ｃに連なる外端部３ｄがダイパッド１と略平行に配置される。それとともに、外端部３ｄの下面がダイパッド１の下面と略同一平面に配置される。ここで、上下、高さの区別はダイパッドの下面を基準にしている。   As shown in FIGS. 6 to 8, the resin-encapsulated semiconductor device having a one-arm circuit configuration obtained as described above has two external terminals 3L and 3R and one each 3L and 3R. , And extending from the sealing resin body 2 at a position higher than the die pad 1 so as to be substantially parallel to the die pad 1. A second bent portion 3b is bent in the extending direction, that is, the first bent portion 3b having a convex upper surface continuous along the outer end direction, and a second bent portion 3c having a convex lower surface. An outer end portion 3d connected to the bent portion 3c is disposed substantially parallel to the die pad 1. At the same time, the lower surface of the outer end portion 3d is arranged in substantially the same plane as the lower surface of the die pad 1. Here, the distinction between the upper and lower sides and the height is based on the lower surface of the die pad.

２アーム回路構成を得る場合は、上記の１アーム回路構成製作時のタイバーカットプレス金型の上金型にタイバー１１ａを切除するパンチを加えて付設する。かかる状態のタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、図９(a)(b)に示すように、タイバー１１ｂ及びタイバー１１ａを切除する（タイバーカット工程−２アーム時）。なお、上記と同様にエンドバー１０ｃ，１０ｄから延出するタイバー１１も外部端子３Ｌ，３Ｒから切断分離する。上記ダイとしては、タイバー１１ａに対応した位置にもパンチの抜き孔が形成されたものを用いているから、このダイを変更する必要は無く、１アーム回路構成製作用から２アーム回路構成製作用にタイバーカットプレス金型を変更するためには、ただタイバー１１ａを切除するパンチを加えて付設するだけでよい。
その後、上記の第２サイドバーカット工程（図９(c)）、フォーミング工程（図１０）、固体分離工程を上述と同様に（但し、タイバー１１ａに関する部分を除く）実施して、２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置を得る。 When a two-arm circuit configuration is obtained, a punch for excising the tie bar 11a is added to the upper die of the tie bar cut press die at the time of manufacturing the one-arm circuit configuration. As shown in FIGS. 9A and 9B, the tie bar 11b and the tie bar 11a are cut out by performing a press cut using the tie bar cut press die in such a state (at the time of the tie bar cutting step-2 arm). Similarly to the above, the tie bar 11 extending from the end bars 10c and 10d is also cut and separated from the external terminals 3L and 3R. Since the die having punch punched holes formed at the position corresponding to the tie bar 11a is used, there is no need to change the die, and the 1-arm circuit configuration manufacturing operation is changed to the 2-arm circuit configuration manufacturing operation. In order to change the tie bar cut press die, it is only necessary to add a punch for cutting the tie bar 11a.
Thereafter, the second sidebar cutting step (FIG. 9C), the forming step (FIG. 10), and the solid separation step are performed in the same manner as described above (except for the portion related to the tie bar 11a), and the two-arm circuit A resin-encapsulated semiconductor device having the configuration is obtained.

以上のようにして得られた２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置は、図１１、図１２及び図８に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒは２本で、１本１本３Ｌ，３Ｒがそれぞれ、ダイパッド１より高い位置でダイパッド１と略平行にして封止樹脂体２から延出している。その延出方向、すなわち、外端方向に沿って連なる上面が凸の第１曲成部３ｂ、下面が凸の第２曲成部３ｃを介してクランク状に曲成されることにより、第２曲成部３ｃに連なる外端部３ｄがダイパッド１と略平行に配置される。それとともに、外端部３ｄの下面がダイパッド１の下面と略同一平面に配置される。ここで、上下、高さの区別はダイパッドの下面を基準にしている。   The resin-encapsulated semiconductor device having the two-arm circuit configuration obtained as described above has two external terminals 3L, 3R, one by one, 3L, as shown in FIGS. 3R extends from the sealing resin body 2 so as to be substantially parallel to the die pad 1 at a position higher than the die pad 1. A second bent portion 3b is bent in the extending direction, that is, the first bent portion 3b having a convex upper surface continuous along the outer end direction, and a second bent portion 3c having a convex lower surface. An outer end portion 3d connected to the bent portion 3c is disposed substantially parallel to the die pad 1. At the same time, the lower surface of the outer end portion 3d is arranged in substantially the same plane as the lower surface of the die pad 1. Here, the distinction between the upper and lower sides and the height is based on the lower surface of the die pad.

その後、１アーム回路構成を得るためには、タイバー１１ａを切除するパンチを上金型から取り外しの上実施すればよいし、さらにその後、２アーム回路構成を得るためには、タイバー１１ａを切除するパンチを上金型に取り付けた上で実施すればよい。したがって、他の変更を要さず、製造の設備効率及び作業効率が良好である。   Thereafter, in order to obtain a one-arm circuit configuration, the punch for cutting the tie bar 11a may be removed from the upper mold, and thereafter, in order to obtain a two-arm circuit configuration, the tie bar 11a is cut. What is necessary is just to implement after attaching a punch to an upper metal mold | die. Therefore, no other changes are required, and the manufacturing equipment efficiency and work efficiency are good.

以上のようにして得られた樹脂封止型半導体装置は、いずれも面実装が可能である。
以上の製造方法によれば、２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ間のタイバー１１ａのみを切除する特定パンチをタイバーカットプレス金型に付設するか、付設しないかを選択することによって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレーム１０を用いて１アーム回路構成（特定パンチ不使用時）と２アーム回路構成（特定パンチ使用時）とに造り分けることができる。 Any of the resin-encapsulated semiconductor devices obtained as described above can be surface-mounted.
According to the above manufacturing method, by selecting whether or not to attach a specific punch for cutting only the tie bar 11a between the two external terminals 3L and 3R to the tie bar cut press mold, A resin-encapsulated semiconductor device can be made separately into a one-arm circuit configuration (when a specific punch is not used) and a two-arm circuit configuration (when a specific punch is used) using a common lead frame 10.

本発明の一実施形態に係り、リードフレームの上面図(a)、１つのダイパッドに２つの半導体素子を搭載した状態のリードフレームの上面図(b)、及び１つのダイパッドに他の形態の１つの半導体素子を搭載した状態のリードフレームの上面図(c)である。According to one embodiment of the present invention, a top view of a lead frame (a), a top view of a lead frame in a state where two semiconductor elements are mounted on one die pad, and another form of 1 on one die pad. FIG. 6C is a top view (c) of the lead frame in a state where two semiconductor elements are mounted. 本発明の一実施形態に係り、１つのダイパッドに２つの半導体素子と外部端子とを内部リードで接続した状態のリードフレームの上面図である。1 is a top view of a lead frame in a state where two semiconductor elements and external terminals are connected to one die pad by internal leads according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係り、樹脂封止工程を終えた樹脂封止型半導体装置の半完成体の上面図(a)、下面図（ｂ）及び側断面図(c)である。FIG. 4 is a top view (a), a bottom view (b), and a side sectional view (c) of a semi-finished product of a resin-encapsulated semiconductor device after a resin encapsulation process according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係り、１アーム回路構成を得るためのタイバーカット工程の実施前(a)及び実施後(b)、外部端子切り離し状態(c)を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows the external terminal disconnection state (c) before implementation (a) and after implementation (b) of the tie bar cut process for obtaining 1 arm circuit structure concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係り、１アーム回路構成に対するフォーミング工程実施後の状態を示す上面図(a)及び下面図(b)である。FIG. 6 is a top view (a) and a bottom view (b) showing a state after the forming process is performed on the one-arm circuit configuration according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の上面図である。1 is a top view of a resin-encapsulated semiconductor device having a one-arm circuit configuration according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の下面図である。1 is a bottom view of a resin-encapsulated semiconductor device having a one-arm circuit configuration according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の側面図である（１アーム回路構成及び２アーム回路構成共通）。1 is a side view of a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention (common to a 1-arm circuit configuration and a 2-arm circuit configuration). 本発明の一実施形態に係り、２アーム回路構成を得るためのタイバーカット工程の実施前(a)及び実施後(b)、外部端子切り離し状態(c)を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows the external terminal disconnection state (c) before implementation (a) and after implementation (b) of the tie bar cut process for obtaining 2 arm circuit structure concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係り、２アーム回路構成に対するフォーミング工程実施後の状態を示す上面図(a)及び下面図(b)である。FIG. 6 is a top view (a) and a bottom view (b) showing a state after a forming process is performed on a two-arm circuit configuration according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の上面図である。1 is a top view of a resin-encapsulated semiconductor device having a two-arm circuit configuration according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の下面図である。1 is a bottom view of a resin-encapsulated semiconductor device having a two-arm circuit configuration according to an embodiment of the present invention. カソードコモン型の樹脂封止型半導体装置の構成図(a)、これを１アーム型として使用する場合の構成図(b)、及びその等価回路図(c)である。FIG. 2 is a configuration diagram (a) of a cathode common type resin-encapsulated semiconductor device, a configuration diagram (b) when this is used as a one-arm type, and an equivalent circuit diagram (c).

符号の説明Explanation of symbols

１ ダイパッド
２ 封止樹脂体
３Ｌ，３Ｒ 外部端子
４ 内部リード
１０ リードフレーム
１０ａ 第１サイドバー
１０ｂ 第２サイドバー
１１ タイバー
１１a タイバー
１１b タイバー
ｃ 半導体素子
ｃ１，ｃ２ 半導体素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Die pad 2 Sealing resin body 3L, 3R External terminal 4 Internal lead 10 Lead frame 10a First side bar 10b Second side bar 11 Tie bar 11a Tie bar 11b Tie bar c Semiconductor element c1, c2 Semiconductor element

Claims (3)

ダイパッドと、内端部を１つの前記ダイパッドに臨ませ、前記ダイパッドから離れる方向に延在し、互いに並列配置され互いにタイバーによって連結された２本の外部端子とを連結支持したリードフレームであって、第１サイドバーと第２サイドバーとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、個々の製品に供される前記ダイパッド及び前記２本の外部端子を長手方向に並べて多数製品分連結支持し、前記ダイパッドが第１サイドバーに連結支持されて第２サイドバー側に延出し、前記外部端子が第２サイドバーに連結支持されて第１サイドバー側に延出し、隣り合う外部端子同士を多数製品分連続して連結するタイバーを備えたリードフレームを用い、
（１）前記ダイパッドの上面に半導体素子の下面電極を接続させて当該半導体素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、
前記半導体素子の上面電極と前記内端部とを内部リードで接続する内部接続工程と、
前記ダイパッドの下面、前記タイバー及び少なくともこれに結合する部分から外側の前記外部端子を露出して前記半導体素子、前記内部リード及び前記内端部を封止する封止樹脂体を形成する樹脂封止工程と、
隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離するタイバーカット工程とを備え、
（２）前記ダイボンディング工程において、少なくとも２つの半導体素子をダイボンディングし、前記内部接続工程において、２つの前記半導体素子の上面電極を異なる前記内端部に前記内部リードで接続し、かつ、
前記タイバーカット工程において、前記２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチ及び前記特定パンチと独立し前記隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離する他のパンチと、前記２本の外部端子間のタイバー及び隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーに対応した位置にパンチの抜き孔が形成されたダイとを付設したタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを切除して、２アーム回路構成を得、
（３）上記（２）により２アーム回路構成を得た後又は得る前に、前記タイバーカット工程において、前記特定パンチを前記タイバーカットプレス金型から除去し前記他のパンチ及び前記ダイを付設した状態の当該タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを残して、１アーム回路構成を得る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 And the die pad, the inner end portion to face the one of the die pad, extending in a direction away from the die pad, a lead frame connected to and supported the two external terminals which are connected by tie bars to each other are arranged in parallel with each other The first side bar and the second side bar are extended in parallel in the longitudinal direction with a space therebetween, and the die pad and the two external terminals provided for each product are arranged in the longitudinal direction and connected to support a large number of products. The die pad is connected to and supported by the first side bar and extends to the second side bar, and the external terminal is connected to and supported by the second side bar and extends to the first side bar. Using a lead frame with a tie bar that connects multiple products in succession ,
(1) a die bonding step in which a lower surface electrode of a semiconductor element is connected to an upper surface of the die pad to die bond the semiconductor element;
An internal connection step of connecting the upper surface electrode of the semiconductor element and the inner end portion with an internal lead;
Resin sealing that forms the sealing resin body that seals the semiconductor element, the internal lead, and the inner end portion by exposing the external terminal outside from the lower surface of the die pad, the tie bar, and at least a portion coupled thereto. Process,
A tie bar cutting step of cutting and separating both ends of the tie bar disposed between adjacent product equivalent parts from the external terminal ,
(2) In the die bonding step, at least two semiconductor elements are die-bonded, and in the internal connection step, upper surface electrodes of the two semiconductor elements are connected to different inner end portions by the internal leads, and
In the tie bar cutting step, cutting the ends of the tie bars arranged between the particular punch及beauty before Symbol particular punch and separate the adjacent product corresponding portion of excising only tie bar between said two external terminals from the external terminal Tie bar cut press metal provided with other punches to be separated and a die having punch punch holes formed at positions corresponding to tie bars between the two external terminals and tie bars arranged between adjacent product equivalent parts By cutting with a mold, the tie bar between the two external terminals is cut off to obtain a two-arm circuit configuration,
(3) After or before obtaining the two-arm circuit configuration according to (2), in the tie bar cutting step, the specific punch is removed from the tie bar cut press mold, and the other punch and the die are attached. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, in which a one-arm circuit configuration is obtained by leaving a tie bar between the two external terminals by performing a press cut using the tie bar cut press die in a state in which it has been cut. 前記タイバーカットプレス金型の上金型に、前記特定パンチを付設して行う請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the specific punch is attached to an upper die of the tie bar cut press die. 前記リードフレームは、前記外部端子の下面が前記ダイパッドの下面の存在面より上側に存在するものであり、
第２サイドバーを前記外部端子から切断分離する第２サイドバーカット工程と、
プレス成形により、前記外部端子の外端部の下面が前記ダイパッドの下面と略同一平面に存在するように、前記外部端子を曲成するフォーミング工程と、
第１サイドバーから製品固体を切断分離して、個々の樹脂封止型半導体装置を得る固体分離工程と、
をさらに備える請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 The lead frame is for the lower surface of the front Kigaibu terminal is present above the existing surface of the lower surface of the die pad,
A second sidebar cutting step of cutting and separating the second sidebar from the external terminal;
A forming step of bending the external terminal by press molding so that the lower surface of the outer end portion of the external terminal is substantially flush with the lower surface of the die pad;
A solid separation step of cutting and separating the product solid from the first sidebar to obtain individual resin-encapsulated semiconductor devices;
The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1 or 2, further comprising:
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