JP5340730B2 - 干渉分光法における非周期性の非線形誤差を軽減するための装置および方法 - Google Patents
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Description
無限焦点系は、第1のビームが干渉計から出る際に、該第1のビームの寸法を相対的に変化させることができる。無限焦点系は、第1のビームが干渉計から出る際に、該第1のビームの直径を相対的に変化させることができる。
干渉計は高安定性平面ミラー干渉計とすることができる。測定物体は平面ミラーまたは逆反射器を含み得る。
他の態様において、本発明は、ウェハ上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィ・システムを特徴とする。リソグラフィ・システムは、ウェハを支持するためのステージと、空間的にパターニングされた放射をウェハ上に像化するための照射システムと、像化された放射に対するステージの位置を調整するための位置決めシステムと、像化された放射に対するウェハの位置をモニタするための前述の態様の干渉分光システムと、を含む。
さらなる態様において、本発明は、リソグラフィ・マスクを製造するための方法を特徴とする。この方法は、基板をパターニングするために基板に書き込みビームを差向けること、書き込みビームに対して基板を位置決めすること、前述の態様の干渉分光システムを使用して書き込みビームに対する基板の位置をモニタすること、を含む。
他の長所は、非周期性非線形誤差のサイズを増大させずに、干渉計のサイズが低減され得ることである。この長所は、例えば、干渉計の測定経路に沿った干渉計測定ビームのビーム径を増大させるためのビーム拡張無限焦点系を使用した結果である。ビーム無限焦点系は、反射された測定ビームが干渉計に再進入する前に測定ビームの本来の寸法にビームを戻すように構成されている。したがって、所望のサイズを有するビームが干渉分光システムにより測定物体に提供され得る一方、ビーム・サイズは干渉計自体内で低減される。
本発明の他の長所は、温度勾配の影響への干渉計の感度が、非周期性非線形誤差のサイズを増大させずに低減され得ることである。
ビーム・シア、ならびに、コモン・モード型および差分モード型の波面誤差の影響は、成分偏光状態に関する出力ビームの成分を混合するために使用される手順、および、電気干渉信号を発生するべく、混合された出力ビームを検出するために使用される手順に依存する。混合された出力ビームは、例えば、検出器上への混合ビームのいかなる合焦もなしに、検出器により該検出器上に合焦されたビームとして混合出力ビームを検出することにより、または、シングル・モードまたはマルチ・モードの光ファイバ内に混合出力ビームを射出して、光ファイバにより伝送される混合出力ビームの一部を検出することにより、検出される。ビーム・シア、ならびに、コモン・モード型および差分モード型の波面誤差の影響は、混合出力ビームを検出する手順でビーム・ストップが使用されていれば、ビーム・ストップの特性にも依存する。
混合出力ビームの第1ビーム成分および第2ビーム成分が、ガウス強度分布を有し、かつ、それぞれ波面誤差関数Δφ1およびΔφ2を有する差分モード型の波面誤差の実施例を考える。波面誤差関数Δφ1およびΔφ2は、差分モード型の実施例では、同じ関数の形および逆の符号を有する。波面誤差関数Δφ1およびΔφ2は以下のように表し得る。
Claims (30)
- 干渉分光システムであって、
共通の光源から導出された第1のビームおよび第2のビームを異なった経路に沿って差向け、該2つのビームを結合して前記異なった経路間の光路差に関する位相を有する出力ビームを形成するように構成された干渉計であって、前記第1のビームの経路が測定物体と接触する、前記干渉計と、
前記第1のビームの経路内に位置決めされ、前記第1のビームが前記測定物体に接触した後で前記干渉計内を伝播する際に、前記干渉計に対する前記測定物体の向きの変化により引き起こされる前記第1のビームのシアを低減するように構成された組立体と、
を備え、
前記組立体は、前記干渉計と前記測定物体との間に位置決めされ、
前記組立体は、前記干渉計と前記測定物体との間に伝播する前記第1のビームのサイズを低減する無限焦点系を有することを特徴とする干渉分光システム。 - 前記組立体は、前記第1のビームが前記干渉計から出る際に前記第1のビームを増大するように構成される、請求項1に記載の干渉分光システム。
- 前記組立体は、前記第1のビームが前記干渉計から出る際に前記第1のビームの直径を相対的に増大するように構成される、請求項1に記載の干渉分光システム。
- 前記出力ビームの成分の強度をモニタするように構成された検出器をさらに備える請求項1に記載の干渉分光システム。
- 前記干渉分光システムの動作中に、前記出力ビームの位相に基づき、前記干渉計に対する前記測定物体の位置の変化をモニタするように構成された電子制御器をさらに備える請求項1または4に記載の干渉分光システム。
- 前記組立体による前記第1のビームのシアの低減は、前記出力ビームの位相に関連する関連非周期性非線形誤差を低減するものである、請求項5に記載の干渉分光システム。
- 前記第1のビームの経路は、前記測定物体に2回以上接触する、請求項1または4に記載の干渉分光システム。
- 前記組立体は、前記測定物体への前記第1のビームの各通過に対して、前記第1のビームの経路内に位置決めされている請求項1または4に記載の干渉分光システム。
- 前記干渉計は、高安定性平面ミラー干渉計である、請求項1または4に記載の干渉分光システム。
- 前記測定物体は、平面ミラーを含む、請求項1または4に記載の干渉分光システム。
- ウェハ上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィ・システムであって、
前記ウェハを支持するステージと、
空間的にパターニングされた放射を前記ウェハ上に像化する照射システムと、
前記像化された放射に対する前記ステージの位置を調整する位置決めシステムと、
前記像化された放射に対する前記ウェハの位置をモニタする請求項1に記載の干渉分光システムと、
を備えるリソグラフィ・システム。 - ウェハ上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィ・システムであって、
前記ウェハを支持するステージと、
放射源、マスク、位置決めシステム、レンズ組立体、及び請求項1に記載の干渉分光システムを含む照射システムであって、動作時、前記放射源は前記マスクを介して放射を差向けて空間的にパターニングされた放射を生成し、前記位置決めシステムは前記放射源からの放射に対する前記マスクの位置を調整し、前記レンズ組立体は前記空間的にパターニングされた放射を前記ウェハ上に像化し、多軸の前記干渉分光システムは前記放射源からの放射に対する前記マスクの位置をモニタする、照射システムと、
を備えるリソグラフィ・システム。 - リソグラフィ・マスクの製造に使用されるビーム書き込みシステムであって、
基板をパターニングするための書き込みビームを供給する放射源と、
前記基板を支持するステージと、
前記基板に前記書き込みビームを送るためのビーム差向け組立体と、
前記ステージおよび前記ビーム差向け組立体を相対的に位置決めする位置決めシステムと、
前記ビーム差向け組立体に対する前記ステージの位置をモニタする請求項1に記載の干渉分光システムと、
を備えるビーム書き込みシステム。 - ウェハ上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィ方法であって、
可動ステージ上に前記ウェハを支持すること、
空間的にパターニングされた放射を前記ウェハ上に像化すること、
前記ステージの位置を調整すること、
請求項1に記載の干渉分光システムを使用して前記ステージの位置をモニタすること、を備えるリソグラフィ方法。 - 集積回路の製造に使用されるリソグラフィ方法であって、
マスクを介して入力放射を差向けて、空間的にパターニングされた放射を生成すること、
前記入力放射に対して前記マスクを位置決めすること、
請求項1に記載の干渉分光システムを使用して、前記入力放射に対する前記マスクの位置をモニタすること、
前記空間的にパターニングされた放射をウェハ上に像化すること、
を備えるリソグラフィ方法。 - ウェハ上に集積回路を製造するためのリソグラフィ方法であって、
リソグラフィ・システムの第1の構成部分をリソグラフィ・システムの第2の構成部分に対して位置決めして、前記ウェハを空間的にパターニングされた放射に晒すこと、
請求項1に記載の干渉分光システムを使用して、前記第2の構成部分に対する前記第1の構成部分の位置をモニタすること、
を備えるリソグラフィ方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、
ウェハにレジストを塗布すること、
請求項14に記載のリソグラフィ方法を使用して前記ウェハを放射に晒すことにより、前記レジスト内にマスクのパターンを形成すること、
前記ウェハから集積回路を製造すること、
を備える方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、
ウェハにレジストを塗布すること、
請求項15に記載のリソグラフィ方法を使用して前記ウェハを放射に晒すことにより、前記レジスト内にマスクのパターンを形成すること、
前記ウェハから集積回路を製造すること、
を備える方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、
ウェハにレジストを塗布すること、
請求項16に記載のリソグラフィ方法を使用して前記ウェハを放射に晒すことにより、前記レジスト内にマスクのパターンを形成すること、
前記ウェハから集積回路を製造すること、
を備える方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、
ウェハにレジストを塗布すること、
請求項11に記載のリソグラフィ・システムを使用して前記ウェハを放射に晒すことにより、前記レジスト内にマスクのパターンを形成すること、
前記ウェハから集積回路を製造すること、
を備える方法。 - 集積回路を製造するための方法であって、
ウェハにレジストを塗布すること、
請求項12に記載のリソグラフィ・システムを使用して前記ウェハを放射に晒すことにより、前記レジスト内にマスクのパターンを形成すること、
前記ウェハから集積回路を製造すること、
を備える方法。 - リソグラフィ・マスクを製造するための方法であって、
基板に書き込みビームを差向けて前記基板をパターニングすること、
前記書き込みビームに対して前記基板を位置決めすること、
請求項1に記載の干渉分光システムを使用して、前記書き込みビームに対する前記基板の位置をモニタすること、
を備える方法。 - 干渉分光システムであって、
共通の光源から導出された第1のビームおよび第2のビームを異なった経路に沿って差向け、該2つのビームを結合して前記異なった経路間の光路差に関する情報を含む出力ビームを形成するように構成された干渉計であって、前記第1のビームの経路が測定物体と接触する、干渉計と、
前記第1のビームの経路内に位置決めされ、前記第1のビームが前記干渉計から前記測定物体に向かって伝播する際に前記第1のビームのサイズを増大させ、前記第1のビームが前記測定物体から前記干渉計に向かって戻る際に前記第1のビームのサイズを低減させるように構成された無限焦点系と、
を備え、前記無限焦点系は、前記第1のビームが前記測定物体と接触する前の前記第1のビームの経路内に位置決めされていることを特徴とする干渉分光システム。 - 前記無限焦点系は、前記第1のビームが前記測定物体に接触した後で前記干渉計によって前記第1のビームに導入された情報に対する波面誤差の寄与を低減する、請求項23に記載の干渉分光システム。
- 前記第1のビームの経路は、前記測定物体に2回以上接触する、請求項23または24に記載の干渉分光システム。
- 前記第1のビームが前記測定物体に対して第2の通過を行う際に伝播する前記第1のビームの経路内に位置決めされた第2の無限焦点系をさらに備える請求項25に記載の干渉分光システム。
- 前記第2の無限焦点系は、第1のビームが2回目に前記干渉計から前記測定物体に向かって伝播する際に前記第1のビームのサイズを増大させるとともに、前記第1のビームが前記測定物体から戻って前記干渉計に向かって伝播する際に前記第1のビームのサイズを低減させるように構成されている、請求項26に記載の干渉分光システム。
- 前記無限焦点系および前記第2の無限焦点系は、実質的に同じ量だけ前記第1のビームのサイズを低減させる、請求項27に記載の干渉分光システム。
- 前記サイズは、1つの軸に沿ったビーム半径である、請求項23または24に記載の干渉分光システム。
- 前記サイズは、2つの直交する軸に沿ったビーム半径である、請求項23または24に記載の干渉分光システム。
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