JP5339859B2 - 研磨終了時点の検出方法及び検出装置 - Google Patents
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Description
スラリーの介在によって、多少の周期波形の乱れによっても、波形の周期成分を見誤ることなく、
短い周期性の波形が長周期の波形と合わさって、その周期性が混在する場合においても正確にずれることなく、周期性を抽出でき、
リアルタイムに測定した波数周期とリファレンス波数周期とを照合する際、スラリーやウィンドウの曇りなどの要因で、互いの信号強度が大きく異なり、所定の照合度合いが設定できない状況であっても正確に照合度合いを判定し、
研磨終了時点での感度が弱い状態であっても、研磨終了時点の予測を精度よく行うことができ、
所定の研磨終了時点で、正確に研磨を終了することができる方法、装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
前記研磨装置におけるパッド内に形成されたウィンドウを介して前記ウェーハ表面に光を照射するための光照射手段と
前記ウェーハ表面から反射され、前記分光手段で分光された結果を解析するステップを有するとともに、
該解析ステップは、研磨時点の分光波形をリアルタイムにフーリエ変換を行い、
酸化膜SiO 2 の周期成分とSi層の周期成分とに分かれたスペクトルを得て、そのうち、
研磨除去されるSi層の膜厚に対応するリアルタイムの波数周期を抽出する第1のステップと、
前記研磨時点のリアルタイムの波数周期と研磨途中の所定膜厚において予め取得したリファレンス波数周期との二つを照合判断する時点を前記研磨終了時点より前に設定した前記リアルタイムの波数周期と前記リファレンス波数周期との二つを照合状態の変化を逐次モニタする第2のステップと、
前記照合状態が極大となった時点を経た直後に該極大となった時点を割り出す第3のステップとを有し、
前記照合状態が極大となった時点から研磨終了までの予め設定された猶予時間を基に残りの時間を研磨して研磨終了する
研磨終了時点の検出方法を提供する。
2 プラテン
3 パッド
4 ウェーハヘッド
5 スラリー供給ノズル
6 制御部
7 観測孔
8 ウィンドウ
9 研磨終了時点検出装置
10 照射・受光光学系
11 2分岐ライトガイド
11A 照射側ライトガイド
11B 受光側ライトガイド
12 光源ユニット(光照射手段)
13 分光器(分光手段)
14 コンピュータ
W ウェーハ(SOIウェーハ)
Claims (1)
- Si/SiO2/SiのSOI構造を有するウェーハ表面を研磨する研磨装置において、研磨中リアルタイムにウェーハ表層の膜厚をモニタし、研磨終了時点を予測及び検出する方法であって、
前記研磨装置におけるパッド内に形成されたウィンドウを介して前記ウェーハ表面に光を照射するための光照射手段と
前記ウェーハ表面から反射され、前記分光手段で分光された結果を解析するステップを有するとともに、
該解析ステップは、研磨時点の分光波形をリアルタイムにフーリエ変換を行い、
酸化膜SiO 2 の周期成分とSi層の周期成分とに分かれたスペクトルを得て、そのうち、
研磨除去されるSi層の膜厚に対応するリアルタイムの波数周期を抽出する第1のステップと、
前記研磨時点のリアルタイムの波数周期と研磨途中の所定膜厚において予め取得したリファレンス波数周期との二つを照合判断する時点を前記研磨終了時点より前に設定した前記リアルタイムの波数周期と前記リファレンス波数周期との二つを照合状態の変化を逐次モニタする第2のステップと、
前記照合状態が極大となった時点を経た直後に該極大となった時点を割り出す第3のステップとを有し、
前記照合状態が極大となった時点から研磨終了までの予め設定された猶予時間を基に残りの時間を研磨して研磨終了することを特徴とする
研磨終了時点の検出方法。
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2008
- 2008-11-07 JP JP2008287084A patent/JP5339859B2/ja active Active
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