JP5333890B2 - Surface inspection device - Google Patents
Surface inspection device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5333890B2 JP5333890B2 JP2008086017A JP2008086017A JP5333890B2 JP 5333890 B2 JP5333890 B2 JP 5333890B2 JP 2008086017 A JP2008086017 A JP 2008086017A JP 2008086017 A JP2008086017 A JP 2008086017A JP 5333890 B2 JP5333890 B2 JP 5333890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- quarter
- polarized light
- pattern
- wave plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
本発明は、半導体ウェハや液晶基板等の表面を検査する表面検査装置に関する。 The present invention relates to a surface inspection apparatus for inspecting the surface of a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate or the like.
半導体装置の製造工程において、微細な繰り返しパターンが形成された基板の表面を検査する表面検査装置として、例えば、パターンが有する構造性複屈折による偏光状態の変化であるクロスニコル光学系からの通過光量に基づいてパターンの形状誤差を検出する方法が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。この方法によれば、パターンが照明波長に対して回折光が発生しないような微細周期のパターンであっても、正反射光(0次回折光)の偏光状態変化を捕らえることによりパターンの形状誤差を検出できるため、検査に使用する光を短波長化することなくパターンの形状誤差を検出することが可能となる。
しかしながら、このような検査装置においては、照明光として直線偏光を使用しているため、例えば図13および図14に示すように、直線偏光L′の振動方向がパターン12′の繰り返し方向に対して平行または垂直である場合、パターンの構造性複屈折による偏光状態変化が生じないためにパターンの形状誤差を検出できないという問題があった。
However, in such an inspection apparatus, since linearly polarized light is used as illumination light, for example, as shown in FIGS. 13 and 14, the vibration direction of the linearly polarized light L ′ is relative to the repeating direction of the
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、パターンの方向に依存しない表面検査が可能な表面検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a surface inspection apparatus capable of surface inspection independent of the direction of a pattern.
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、光源から射出された紫外線を含む発散光の光路上に配置され、単板で該発散光に対して1/4波長の光路差を有する1/4波長板もしくは、共にフォトニック結晶からなる直線偏光フィルタおよび1/4波長板を、含み、前記光源からの前記発散光を円偏光または楕円偏光にして通過させる第1の偏光部材と、前記第1の偏光部材を通過した発散光を平行光にして、前記円偏光または前記楕円偏光の照明光として被検基板に導く第1の光学部材と、前記被検基板で反射した反射光を収束光にする第2の光学部材と、前記収束光の光路上に配置され、単板で該収束光に対して1/4波長の光路差を有する1/4波長板もしくは、共にフォトニック結晶からなる直線偏光フィルタおよび1/4波長板を、含み、前記収束光のうち前記照明光に対する前記反射光の偏光状態変化に応じた偏光成分を通過させる第2の偏光部材と、前記第2の偏光部材を通過した光により得られる前記被検基板の表面像を検出する検出部と、前記検出部により検出された前記表面像の強度分布に基づいて、前記被検基板の表面に形成された繰り返しパターンにおける異常の有無を検査する検査部とを備えている。 In order to achieve such an object, the surface inspection apparatus according to the present invention is disposed on an optical path of divergent light including ultraviolet rays emitted from a light source, and is a single plate with an optical path difference of ¼ wavelength with respect to the divergent light. quarter-wave plate or having, a linear polarization filter and a quarter-wave plate made of photonic crystal together, seen including, a first polarization to pass by the divergent light from the light source into circularly polarized light or elliptically polarized light A member, a first optical member that converts the divergent light that has passed through the first polarizing member into parallel light and guides the light to the test substrate as the circularly polarized light or the elliptically polarized illumination light, and is reflected by the test substrate A second optical member that converts reflected light into convergent light, and a quarter- wave plate that is disposed on the optical path of the convergent light and has a quarter- wave optical path difference with respect to the convergent light, or both linearly polarizing filter and made of photonic crystals / 4 wavelength plate, was passed through the unrealized, the second polarizing member for passing polarized light component corresponding to the polarization state change of the reflected light to the illumination light of the convergent light, the second polarizing member light A detection unit for detecting a surface image of the test substrate obtained by the step, and whether there is an abnormality in a repetitive pattern formed on the surface of the test substrate based on the intensity distribution of the surface image detected by the detection unit And an inspection unit for inspecting.
本発明によれば、パターンの方向に依存しない表面検査を行うことができる。 According to the present invention, surface inspection independent of the pattern direction can be performed.
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。第1実施形態の表面検査装置1は、図1に示すように、被検基板である半導体ウェハ10(以下、ウェハ10と称する)を支持するウェハホルダ20と、レンズ25を含む照明系30と、レンズ25を含む受光系50とを備えて構成されている。また、表面検査装置1は、受光系50で検出された画像信号等の信号処理を行う信号処理ユニット60と、信号処理ユニット60による処理結果を表示するモニター61と、ウェハホルダ20等の各部の作動を制御する制御部62とを備えている。表面検査装置1は、半導体装置の製造工程において、ウェハ10の表面の検査を自動的に行う装置である。ウェハ10は、最上層のレジスト膜への露光・現像後、不図示の搬送系により、不図示のウェハカセットまたは現像装置から運ばれ、ウェハホルダ20に吸着保持される。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the surface inspection apparatus 1 according to the first embodiment includes a
ウェハ10の表面10aには、図3に示すように、複数の露光ショット11がXY方向に配列され、各露光ショット11の中に所定の繰り返しパターン(ライン・アンド・スペースパターン)12が形成されている。なお、本実施形態において、図3における横方向をX方向とし、縦方向をY方向とし、X方向およびY方向(図3における紙面)と垂直な方向をZ方向とする。繰り返しパターン12は、図4に示すように、複数のライン部2Aがその短手方向(X方向)に沿って一定のピッチで配列されたレジストパターン(例えば、配線パターン)である。隣り合うライン部2A同士の間はスペース部2Bであり、ライン・アンド・スペースパターンを構成している。なお、ライン部2Aの配列方向(図3の場合はX方向)を「繰り返しパターン12の繰り返し方向」と称する。
As shown in FIG. 3, a plurality of
また、本実施形態においては、繰り返しパターン12に対する照明光(後述)の波長と比較して繰り返しパターン12のピッチが十分小さいものとする。このため、繰り返しパターン12から回折光が発生することはなく、繰り返しパターン12の欠陥検査を回折光により行うことはできない。本実施形態における検査の原理は、以降、表面検査装置の構成(図1)とともに順に説明する。
In the present embodiment, it is assumed that the pitch of the repeating
表面検査装置1のウェハホルダ20は、ウェハ10を上面で支持して、例えば真空吸着により固定保持する。さらに、ウェハホルダ20は、ウェハホルダ20上面の中心を通る法線を中心軸として回転可能である。ウェハホルダ20の回転作動は制御部62により制御され、制御部62は、図示しないアライメント系を用いてウェハ10の外縁部に設けられた外形基準(例えばノッチやオリエンタルフラット等)の回転方向位置を検出し、所定位置でステージ20を停止させる。
The
照明系30は、光源31と、右回り円偏光子41とを有して構成される。光源31は、図2に示すように、楕円鏡32aを備えた水銀ランプ32と、コリメータレンズ33と、波長選択フィルタ34と、減光フィルタ35と、集光レンズ36と、ランダムファイバー37とを有して構成される。そして、水銀ランプ32から発せられた光は、楕円鏡32aで集光されたのちコリメータレンズ33でコリメートされ、波長選択フィルタ34と減光フィルタ35を通過した後、集光レンズ36で集光されてランダムファイバー37に入射し、ランダムファイバー37の射出端37aより右回り円偏光子41に向けて発散光が射出される。なお、水銀ランプ32は、248nm付近の波長の光を発することのできるDEEP−UVランプであり、水銀だけでなくキセノンが混合されているタイプのものである。
The
ここで、波長選択フィルタ34は、水銀ランプ32の輝線を選択できるよう切り替え式になっており、e線、g線、h線、i線、波長λ=313nmおよび、波長λ=248nmのフィルタを選択できるようになっている。構造性複屈折は波長が短いほど偏光状態の変化が大きいことから、なるべく短い波長を用いることが好ましいが、短波長側では、水銀ランプ32のスペクトル分布や光学素子(減光フィルタ35等)の透過率等の影響により光量が低下する点で好ましくない要素もあり、パターンの状況により各種波長を使い分けることができるようにしている。また、減光フィルタ35も、状況に応じて各種透過率を切り替えられるようになっている。
Here, the
右回り円偏光子41は、光源31側から順に、第1の直線偏光子42と、第1の1/4波長板43とを有して構成される。第1の直線偏光子42の透過軸と第1の1/4波長板43の進相軸とは、光軸方向から見て45度の角度をなすように配置されており、光源31から射出された発散光は、第1の直線偏光子42により直線偏光に変換され、さらに、第1の1/4波長板43により右回り円偏光(例えば、図5(a)を参照)に変換される。右回り円偏光子41により変換された右回り円偏光の発散光束は、レンズ25によりほぼ平行光にコリメートされ、被検基板であるウェハ10の表面10aの全体または一部を照射する。
The clockwise
受光系50は、検光子51と、結像レンズ55と、2次元撮像素子56とを有して構成される。また、検光子51は、レンズ25側から順に、第2の1/4波長板52と、第2の直線偏光子53とを有して構成される。そして、右回り円偏光が照射されたウェハ10からの正反射光は、レンズ25により収束光となって第2の1/4波長板52および第2の直線偏光子53を通過し、結像レンズ55を介して2次元撮像素子56上にウェハ10の表面像を形成する。このとき、レンズ25と結像レンズ55とが共働してウェハ10と2次元撮像素子56とを共役に結んでいる。
The
ここで、第2の1/4波長板52の進相軸と第2の直線偏光子53の透過軸とは、光軸方向から見て45度の角度をなすように配置されており、左回り円偏光のみを通過させるように構成されている。すなわち、検光子51は、左回り円偏光成分のみを通過させる検光子である。
Here, the fast axis of the second quarter-
また、1/4波長板は、一般に、複屈折性結晶板を結晶軸が互いに直交するように2枚張り合わせて、その厚みの差によって1/4波長の光路差を作り出すタイプのものがよく用いられている(例えば、鶴田匡夫著「応用光学II−培風館」184ページを参照)。しかしながら、このようなタイプの波長板は、入射光束が垂直入射のときは1/4波長板として作用するが、光が斜入射になると光路差が大きく変化し1/4波長板として作用しないという問題がある。 In general, a quarter-wave plate is often used in which two birefringent crystal plates are laminated so that the crystal axes are orthogonal to each other, and a quarter-wavelength optical path difference is created by the difference in thickness. (See, for example, page 184 of "Applied Optics II-Baifukan" written by Tatsuo Tsuruta.) However, this type of wave plate acts as a quarter wave plate when the incident light beam is perpendicularly incident, but when the light is obliquely incident, the optical path difference changes greatly and does not act as a quarter wave plate. There's a problem.
そこで、本実施形態ではその問題を回避するため、第1および第2の1/4波長板43,52に、単板で1/4波長の光路差を発生させるべく非常に薄い複屈折物質を用いている。例えば、波長546nm用の1/4波長板を単板の水晶で作成した場合、その厚みは約15μmとなる。この場合、波長板が非常に薄くて強度的に弱くなるため、この波長板を複屈折性がない基板に対し接着もしくはオプティカルコンタクトさせることが好ましい。
Therefore, in this embodiment, in order to avoid this problem, a very thin birefringent material is used for the first and second quarter-
また、同様の効果を持つものとして、非複屈折性基板上に複屈折性を有する薄いポリマーを形成したものを用いてもよい(例えば、エドモンド オプティクス・ジャパン株式会社 2007年度版光学部品・製品総合カタログ(カタログコードNo.J074A)79ページに掲載された「ポリマー波長板 トゥルーゼロオーダータイプ」等が知られている)。また、正結晶と負結晶とを(例えば、結晶石英(水晶)とサファイアとを)組み合わせて入射角依存性を低減した波長板(例えば、O plus E Vol.29,No.9(2007年9月)927〜928ページを参照)を用いることも有効である。 In addition, as a material having the same effect, a thin polymer having a birefringence formed on a non-birefringent substrate may be used (for example, Edmund Optics Japan Co., Ltd. 2007 optical component / product synthesis). “Polymer wave plate, true zero order type” etc. published on page 79 of catalog (catalog code No. J074A) is known). In addition, a wavelength plate (for example, O plus E Vol. 29, No. 9 (2007 9) in which incident angle dependency is reduced by combining a positive crystal and a negative crystal (for example, crystal quartz (crystal) and sapphire). Month) (see pages 927-928) is also effective.
なお、光源31において照明波長を変更した場合には、1/4波長板が1/4波長からずれることになるので、波長に応じて1/4波長板を交換可能としてもよい。また例えば、水晶波長板とMgF2波長板とを組み合わせた広帯域波長板を使用して、交換不要なシステムとしてもよい。
When the illumination wavelength is changed in the
ところで、2次元撮像素子56からの画像信号は信号処理ユニット60により画像化され、モニター61上にウェハ10の表面10aの画像が表示される。このとき、ウェハ10上にパターンが無く、ウェハ10を反射する光に偏光状態の変化が無く右回り円偏光のままであれば、ウェハ10からの光は検光子51を通過することができず、2次元撮像素子56によって撮像されたウェハ10の表面10aの画像は全面が真っ暗となる。
Incidentally, the image signal from the two-
すなわち、図1に示す光学系の配置は、「広義でのクロスニコル系」を構成している。ここで、本実施形態における「広義でのクロスニコル系」の意味を説明する。一般的に、クロスニコル系とは、二つの直線偏光子を直交させて配置して光が透過しないよう配置した光学系を指すことが多い。また、後ろ側の直線偏光子は検光子とも呼ばれる。これを換言すれば、クロスニコル系とは、直線偏光子を通過した直線偏光に対して直交する直線偏光成分のみを通過させる検光子を備えた光学系といえる。 That is, the arrangement of the optical system shown in FIG. 1 constitutes a “crossed Nicol system in a broad sense”. Here, the meaning of “cross Nicol system in a broad sense” in the present embodiment will be described. In general, a crossed Nicol system often refers to an optical system in which two linear polarizers are arranged orthogonally so as not to transmit light. The rear linear polarizer is also called an analyzer. In other words, the crossed Nicol system can be said to be an optical system including an analyzer that allows only a linearly polarized component orthogonal to the linearly polarized light that has passed through the linear polarizer to pass.
本実施形態で言うところの「広義でのクロスニコル系」とは、この概念を直線偏光だけではなく楕円偏光に拡張した概念であり、楕円偏光子を通過した楕円偏光に対して直交する楕円偏光成分のみを通過させる検光子を備えた光学系を意味する。ここで、直交する偏光とは、偏光状態をポアンカレ球上の座標で表したときに、ポアンカレ球上で互いに対蹠点に位置する偏光である。換言すれば、S0=1に規格化されたストークスパラメータのS1、S2、S3の各成分の絶対値が同じで符号が逆となるような偏光の組である(詳細は、鶴田匡夫著「応用光学II−培風館」197ページから206ページを参照)。 In this embodiment, “cross-Nicol system in a broad sense” is a concept that extends this concept to elliptical polarization as well as linear polarization, and elliptical polarization that is orthogonal to the elliptical polarization that has passed through the elliptical polarizer. It means an optical system having an analyzer that allows only components to pass. Here, orthogonally polarized light is polarized light that is positioned at opposite points on the Poincare sphere when the polarization state is expressed by coordinates on the Poincare sphere. In other words, it is a set of polarized lights in which the absolute values of the respective components of the Stokes parameters S1, S2, and S3 normalized to S0 = 1 are the same and the signs are reversed (for details, see “Tatsuo Tsuruta” “Applied Optics II—Baifukan”, pages 197 to 206).
例えば、ある楕円偏光のストークスパラメータの成分(S0,S1,S2,S3)が次の(1)式のように表わされるとする。 For example, it is assumed that Stokes parameter components (S0, S1, S2, S3) of a certain elliptically polarized light are expressed as the following equation (1).
(S0,S1,S2,S3)=(1,0.5,−0.5,0.7071) …(1) (S0, S1, S2, S3) = (1, 0.5, −0.5, 0.7071) (1)
このとき、直交する楕円偏光のストークスパラメータは、次の(2)式のように表わされる。 At this time, the Stokes parameters of orthogonal elliptically polarized light are expressed by the following equation (2).
(S0,S1,S2,S3)=(1,−0.5,0.5,−0.7071) …(2) (S0, S1, S2, S3) = (1, -0.5, 0.5, -0.7071) (2)
なお、円偏光は楕円偏光の特殊な場合であることは言うまでもない。右回り円偏光と左回り円偏光は、ポアンカレ球を地球に例えるとそれぞれ北極と南極に位置し、互いに対蹠点に位置している。従って、右回り円偏光と左回り円偏光とは互いに直交する偏光であり、図1に示した光学系は、「広義でのクロスニコル系」を構成することになる。また、本実施形態において、直線偏光は楕円偏光に含まれないものとする。 Needless to say, circularly polarized light is a special case of elliptically polarized light. Right-handed circularly polarized light and left-handed circularly polarized light are located at the north and south poles of the Poincare sphere, and are located at opposite points. Therefore, the clockwise circularly polarized light and the counterclockwise circularly polarized light are orthogonal to each other, and the optical system shown in FIG. 1 constitutes a “crossed Nicol system in a broad sense”. In the present embodiment, linearly polarized light is not included in elliptically polarized light.
次に、図1の光学系の構成を理解しやすいよう非常に簡素化したモデルを図6に示す。図6は、図1の光学系が「広義でのクロスニコル系」を構成していることを簡単に説明する図であり、図1では被検基板(ウェハ10)からの反射光を検出しているが、理解しやすくするために透過光学系に置き換えて説明している。図1と図6で同じ役割を果たす構成部品には同じ番号を付している。 Next, FIG. 6 shows a very simplified model so that the configuration of the optical system in FIG. 1 can be easily understood. FIG. 6 is a diagram for simply explaining that the optical system of FIG. 1 constitutes a “cross Nicol system in a broad sense”. In FIG. 1, reflected light from the substrate to be tested (wafer 10) is detected. However, in order to make it easier to understand, the explanation is made by replacing with a transmission optical system. The same number is attached | subjected to the component which plays the same role in FIG. 1 and FIG.
図6の光学系においては左側から光が入射する。第1の直線偏光子42の透過軸t1は光軸A方向から見て水平方向を基準に45度傾いており、第1の直線偏光子42を通過した光は45度傾いた直線偏光となる。次に、直線偏光は第1の1/4波長板43を通過するが、この波長板43の進相軸f1は縦方向となっているため、第1の1/4波長板43を通過した光は右回りの円偏光となる。次に、右回りの円偏光は被検基板(ウェハ10)を通過するが、このとき、被検基板に複屈折性が無ければ偏光状態は変化せず右回り円偏光のままである。次に、進相軸f2が水平方向に配置された第2の1/4波長板52を右回り円偏光が通過すると、第1の直線偏光子42を通過直後の直線偏光と同じ角度の直線偏光となる。次に、透過軸t2が−45度傾いた第2の直線偏光子53を直線偏光が通過する際には、第2の直線偏光子53の透過軸t2が第2の1/4波長板52を通過してきた直線偏光の向きと直交しているため、第2の直線偏光子53を透過することができない。この系において、第1の直線偏光子および1/4波長板42,43の組が一体として右回り円偏光子41を構成し、第2の1/4波長板および直線偏光子52,53の組が一体として左回り円偏光成分のみを通過させる検光子51を構成している。
In the optical system of FIG. 6, light enters from the left side. The transmission axis t1 of the first
ここで、被検基板が複屈折性を有すると、右回り円偏光が被検基板を通過する際に偏光状態の変化を受け楕円偏光となる(例えば、図5(b)を参照)。この楕円偏光には左回り円偏光成分が含まれるため検光子51を通過する光が発生し、被検基板が複屈折性を有することを検出することができ、また、検光子51を通過する光量から被検基板が有する複屈折性の大きさを知ることができる。また、円偏光であるが故に複屈折性の方向(屈折率楕円体の主軸の方向)に依存して検光子51の通過光量が変わることも無い。
Here, if the test substrate has birefringence, clockwise circular polarized light undergoes a change in polarization state when passing through the test substrate and becomes elliptically polarized light (see, for example, FIG. 5B). Since the elliptically polarized light includes a counterclockwise circularly polarized light component, light passing through the
なお、図6において、右回り円偏光子41は、第1の直線偏光子42と第1の1/4波長板43との相対角度が維持されていれば、光軸回りに任意の角度に回転して配置しても右回り円偏光子として機能する。また、検光子51は、第2の1/4波長板52と第2の直線偏光子53との相対角度が維持されていれば、光軸回りに任意の角度に回転して配置しても左回り円偏光成分のみを通過させる検光子として機能する。
In FIG. 6, the clockwise
なお、以上に述べた図6の説明に近い内容が、鶴田匡夫著「応用光学II−培風館」の210ページから212ページにかけて記載されている。この記載は、光弾性実験の例として説明されているが、光弾性とは応力によって発生した複屈折性のことであるから、実質的には上述の図6の説明と同様のことを述べていることになる。 The contents close to the description of FIG. 6 described above are described from page 210 to page 212 of “Applied Optics II-Baifukan” by Tatsuta Tatsuo. This description is explained as an example of a photoelasticity experiment. However, since photoelasticity is a birefringence generated by stress, it is substantially the same as the explanation of FIG. 6 described above. Will be.
次に、図1の表面検査装置1を用いたパターンの形状誤差の検出方法について述べる。前述したように、被検基板であるウェハ10の表面10aには、検査時において複数の露光ショット11(図3を参照)が並んでおり、各露光ショット11の中に微細な周期の繰り返しパターン(ライン・アンド・スペースパターン)12が並んでいる。
Next, a pattern shape error detection method using the surface inspection apparatus 1 of FIG. 1 will be described. As described above, a plurality of exposure shots 11 (see FIG. 3) are arranged at the time of inspection on the
特開2006−343102号公報においては、図4に示す繰り返しパターン12に対して45度傾いた直線偏光で照明すると、繰り返しパターン12が有する構造性複屈折の作用により反射光が直線偏光から楕円偏光に変化し、その結果クロスニコル系からの通過光が発生し、その通過光の光強度により繰り返しパターン12の形状誤差を検出できるとしている。しかしながら、図13および図14に示すように、パターン12′の繰り返し方向に対して平行または垂直な直線偏光L′では、偏光状態の変化が起こらず漏れ光が発生しない。従って、図7に示すように、縦横パターン12a,12bと45度パターン12c,12dとが混在している場合には、45度傾いた直線偏光で照明しても、縦横パターン12a,12bの部分からの光強度信号は得られるが、45度パターン12c,12dの部分からは光強度信号を得ることができず、45度パターン12c,12dの部分にパターンの形状誤差があってもそれを検出することはできない。
In Japanese Patent Laid-Open No. 2006-343102, when illumination is performed with linearly polarized light inclined by 45 degrees with respect to the
一方、本実施形態においては、右回り円偏光により照明しているため、図7に示す各パターン12a,12b,12c,12dの全てから光強度信号を得ることができる。その理由について説明する。まず、ライン部が縦方向(Y方向)に延びる繰り返しパターン12(図4を参照)に対して、図5(a)に示すような右回り円偏光を照射すると、パターンが有する構造性複屈折の作用により、正反射光は図5(b)に示すように長軸が横方向(X方向に対応した方向)に対し45度だけ傾いた右回り楕円偏光に変化し、左回り円偏光成分を含むようになる。
On the other hand, in this embodiment, since illumination is performed with clockwise circularly polarized light, light intensity signals can be obtained from all the
なお、パターンが有する構造性複屈折量が非常に大きい場合には、これが左回り楕円偏光になったり、−45度だけ傾いた楕円偏光になったりする場合もあるが、それは本質的な事柄ではなく、重要なのは、図4に示すような構造性複屈折を有する繰り返しパターン12を右回り円偏光で照明するとその偏光状態が変化し、左回り円偏光成分が発生するということである。ここで、誤解を避けるために付け加えると、右回り楕円偏光は右回りであっても楕円であるが故に左回り円偏光成分を含んでいるのである。
In addition, when the amount of structural birefringence of the pattern is very large, this may become left-handed elliptically polarized light or elliptically polarized light tilted by −45 degrees, but this is essential. What is important is that when the
図7に示すような、縦横パターンと45度パターンとが混在しているパターン12a,12b,12c,12dに対して右回り円偏光を照射すると、ライン部が縦方向に延びる縦パターン12aからの正反射光は、図8(a)に示すような長軸が横方向(X方向に対応した方向)に対し45度だけ傾いた右回り楕円偏光Laに変化する。同様に、ライン部が横方向に延びる横パターン12bからの正反射光は、図8(b)に示すような長軸が横方向に対し−45度だけ傾いた右回り楕円偏光Lbに変化する。また同様に、ライン部が45度方向に延びる第1の45度パターン12cからの正反射光は、図8(c)に示すような長軸が横方向に延びる右回り楕円偏光Lcに変化する。また同様に、ライン部が−45度方向に延びる第2の45度パターン12dからの正反射光は、図8(d)に示すような長軸が縦方向(Y方向に対応した方向)に延びる右回り楕円偏光Ldに変化する。
As shown in FIG. 7, when clockwise circularly polarized light is irradiated to the
これらはいずれも楕円偏光であるが故に左回り円偏光成分を含んでいるため、左回り円偏光成分のみを通過させる検光子51を通過して光信号強度が得られる。このように、本実施形態によれば、繰り返しパターン12の方向がどちらを向いていても、繰り返しパターン12からの正反射光がパターンの構造性複屈折による偏光状態変化を受けて検光子51を通過するため、繰り返しパターン12の方向を特に意識することなく、繰り返しパターン12の形状誤差を検出することが可能になる。すなわち、繰り返しパターン12の方向に依存しない表面検査を行うことが可能になる。
Since both of these are elliptically polarized light, they contain a left-handed circularly polarized light component, so that an optical signal intensity is obtained through the
なお、第1実施形態に係る表面検査装置1は、検査するパターンが形状誤差を持つと構造性複屈折が変化することを利用し、「広義でのクロスニコル系」からの通過光量の差に基づいて形状誤差の有無を検査するものであるから、偏光状態を変化させる要因はパターンのみであることが好ましい。従って、レンズの内部歪やレンズのホールド方法による応力歪などにより、レンズ25が複屈折性を持たないよう十分に留意している。また、図1において、ウェハ10に対する照明光の入射角θi(および正反射光の出射角θr)が大きいと、ウェハ10での反射によって偏光状態が変化してしまうため、本実施形態においては、入射角θi(出射角θr)を15度以内に構成している。
Note that the surface inspection apparatus 1 according to the first embodiment uses the fact that structural birefringence changes when the pattern to be inspected has a shape error, so that the difference in the amount of light passing from the “crossed Nicol system in a broad sense” is detected. Since the presence or absence of a shape error is inspected based on this, it is preferable that the factor that changes the polarization state is only the pattern. Therefore, sufficient attention is paid so that the
次に、繰り返しパターン12の形状誤差を検出する具体的方法について述べる。これまで述べてきたように、例えば図4に示すような繰り返しパターン12は構造性複屈折を有するわけであるが、構造性複屈折の大きさはパターンの形状によって変化する。例えば、図3に示される各露光ショット11の中に、露光時のフォーカスが適正でなかったり、露光量が適正でなかったりしたこと等による不良の露光ショットがあった場合には、その露光ショット内のパターンの太さや、断面の形、エッジのラフネスなどが変化するなどしてパターンの形状誤差が発生する。形状誤差が発生すると、構造性複屈折の量が変化するため反射光の偏光状態が異なってくる。偏光状態が異なれば、反射光に含まれる左回り円偏光成分の量が変化するため検光子51を通過できる光量が異なる。
Next, a specific method for detecting the shape error of the repeated
従って、図3に並んでいる各露光ショット11の中に正常な露光ショットと不良な露光ショットがあった場合には、モニター61上に映し出されたウェハ10の表面10aの画像の中で、正常な露光ショットと不良な露光ショットでは明るさ(信号強度)が違って見えることになる。このとき、予めSEM(走査型電子顕微鏡)等の測定時間は長くかかるが精密な測定ができる装置において正常であると判断された露光ショットの画像情報を記録しておき、信号処理ユニット60が所定の処理を行うことにより、正常である場合の画像の信号強度と検査対象となる画像の信号強度とを比較することによって各露光ショットの正常、不良を判断することができる。また、露光ショット単位ではなく、一つの露光ショットの中に部分的に欠陥がある場合でも、欠陥のある部分だけ明るさ(信号強度)が違って見える。これにより、例えば、レジストの塗布ムラや、ゴミ、キズのような欠陥も検出可能である。
Therefore, when there are normal exposure shots and defective exposure shots in the
なお、上述の第1実施形態において、レンズ25を介して照明と受光を行っているが、これに限られるものではなく、例えば特開2006−343102号公報に開示されているように、ミラーを用いた光学系としても構わない。但し、その場合はミラーの反射によって偏光状態が変化しないようにミラーに対する光線の入射角を十分に小さくする必要がある。
In the first embodiment described above, illumination and light reception are performed via the
また、上述の第1実施形態において、右回り円偏光子41および検光子51を、直線偏光子と1/4波長板との組み合わせとして構成しているが、これに限られるものではない。例えば、特開2007−33187号公報において、フォトニック結晶で直線偏光子や波長板が作成可能であることが開示されており、この技術を利用して右回り円偏光子41や検光子51に相当するフォトニック結晶を作成して用いることも可能である。フォトニック結晶を用いる場合、右回り円偏光子41や検光子51の機能を1枚の基板上に構成することも可能である。
In the first embodiment described above, the clockwise
また、上述の第1実施形態において、非偏光の光源31から右回り円偏光子41を用いて右回り円偏光を作り出しているが、これに限られるものではなく、光源から発せられる光が偏光している場合には、右回り円偏光子41の一部または全部を省略することができる。例えば、光源として直線偏光レーザーを用いれば、第1の直線偏光子42を省略することができる。また、光源として円偏光レーザーを用いれば、第1の直線偏光子42と1/4波長板43の両方、すなわち、右回り円偏光子41の全部を省略することが可能である。
In the first embodiment described above, clockwise circularly polarized light is generated from the non-polarized
また、上述の第1実施形態において、照明光を右回り円偏光とし、検光子51において左回り円偏光成分を通過させるよう構成しているが、これに限られるものではなく、照明光を左回り円偏光とし、検光子において右回り円偏光成分と通過させるよう構成しても、同様の効果を得ることができる。
In the first embodiment described above, the illumination light is configured to be clockwise circularly polarized light, and the
さらに、照明光は完全な円偏光でなくてもよい。例えば、照明光が図8(a)に示すような長軸が45度傾いた楕円偏光であっても、パターンの構造性複屈折により偏光状態は変化するので、検光子をこの照明光と直交する楕円偏光成分のみを通すような構成とすれば、パターンの形状誤差や欠陥を検出することができる。但し、楕円偏光を照明する場合には、楕円の長軸がパターンの繰り返し方向に対して45度の角度をなすときに偏光状態の変化が最も大きくなるため、図8(a)のような長軸が45度傾いた楕円偏光を照明光として用いた場合、図7に示すようなパターンの角度が複数混在した露光ショットにおいては、縦横パターン12a,12bで反射する光は偏光状態の変化が大きいが、45度パターン12c,12dで反射する光は偏光状態の変化が小さくなる。そのため、パターンに形状誤差があったときの検出精度は縦横パターン12a,12bで高く、45度パターン12c,12dでは低くなる。すなわち、パターンの形状誤差の有り無しによる検光子51を通過する光量の変化は、縦横パターン12a,12bでは大きいが45度パターン12c,12dでは小さい。
Furthermore, the illumination light may not be completely circularly polarized light. For example, even if the illumination light is elliptically polarized light whose major axis is inclined by 45 degrees as shown in FIG. 8A, the polarization state changes due to the structural birefringence of the pattern, so the analyzer is orthogonal to the illumination light. If the configuration allows only the elliptically polarized light component to pass through, it is possible to detect pattern shape errors and defects. However, in the case of illuminating elliptically polarized light, the change in polarization state becomes the largest when the major axis of the ellipse makes an angle of 45 degrees with respect to the pattern repeat direction. When elliptically polarized light whose axis is inclined by 45 degrees is used as illumination light, the light reflected by the vertical and
そして、楕円度が大きくなり、45度傾いた直線偏光になってしまうと、前述のように45度パターン12c,12dからの光は偏光状態の変化を起こさなくなってしまう。換言すれば、直線偏光でない限り、パターンの角度がいかなる向きでも偏光状態の変化は起こると言える。
When the ellipticity increases and the linearly polarized light is inclined by 45 degrees, the light from the 45-
図9は、前記の説明を補足する図であり、照明光が45度直線偏光、45度楕円偏光、および円偏光で、検光子が照明光に直交する偏光成分のみを通過させるように構成されているとき、すなわち前述の「広義でのクロスニコル系」を構成している状況において、パターンの角度を変えたときの検光子通過光量を示している。 FIG. 9 is a diagram that supplements the above description and is configured so that the illumination light is 45-degree linearly polarized light, 45-degree elliptically polarized light, and circularly polarized light, and the analyzer passes only the polarization component orthogonal to the illumination light. In other words, the amount of light passing through the analyzer when the angle of the pattern is changed in the above-described “cross-nicole system in a broad sense” is shown.
図9に示すように、45度の角度の直線偏光でクロスニコル系を構成したときには、パターンの角度が0度、90度、および180度(=0度)の時には検光子通過光量が大きくなるが、45度および135度の時には検光子通過光量が零になるためパターンの形状誤差による検光子通過光量の差を見ることはできない。一方、長軸が45度傾いた楕円偏光の場合には、0度、90度、および180度(=0度)の時には45度の角度の直線偏光の場合と同じ検光子通過光量が得られる。また、45度および135度では通過光量が小さくなるが零にはならない。従って、パターンが45度および135度の角度でもパターンの形状誤差による検光子通過光量の差を見ることができるので検査が可能となる。また、円偏光の場合には、パターンの角度に依存することなく検光子通過光量が得られるのでパターンの角度に依存しない検査が可能となる。 As shown in FIG. 9, when a crossed Nicol system is configured with linearly polarized light at an angle of 45 degrees, the amount of light passing through the analyzer increases when the pattern angles are 0 degrees, 90 degrees, and 180 degrees (= 0 degrees). However, when the angle is 45 degrees and 135 degrees, the analyzer passing light amount becomes zero, and thus the difference in the analyzer passing light amount due to the pattern shape error cannot be seen. On the other hand, in the case of elliptically polarized light whose major axis is inclined by 45 degrees, the same amount of light passing through the analyzer as in the case of linearly polarized light at an angle of 45 degrees is obtained at 0 degrees, 90 degrees, and 180 degrees (= 0 degrees). . At 45 degrees and 135 degrees, the amount of light passing through is small but not zero. Therefore, even when the pattern is at an angle of 45 degrees and 135 degrees, the difference in the amount of light passing through the analyzer due to the pattern shape error can be seen, so that the inspection can be performed. In the case of circularly polarized light, the amount of light passing through the analyzer can be obtained without depending on the angle of the pattern, so that inspection independent of the angle of the pattern is possible.
なお、楕円偏光を作り出すことは、例えば、図6において光軸A方向から見た第1の直線偏光子42と第1の1/4波長板43との相対角度を45度からずらすことにより可能である。また、相対角度を45度のままにして1/4波長板の移相角を変える(例えば、1.5/4波長板にする)ことによっても可能である。さらに、相対角度と移相角の両方を変えても構わない。同じ要領で、直交する楕円偏光成分のみを通過させる検光子を構成することができる。
It is possible to create elliptically polarized light, for example, by shifting the relative angle between the first
続いて、表面検査装置の第2実施形態について図10を参照しながら説明する。第2実施形態の表面検査装置101は、光源31と、第1の直線偏光子142と、ハーフミラー126と、レンズ125と、1/4波長板143と、第2の直線偏光子153と、結像レンズ55と、2次元撮像素子56とを備えて構成されている。また、第2実施形態の表面検査装置101は、ウェハ10を支持するウェハホルダ20と、信号処理ユニット60と、モニター61と、制御部62とを備えているが、これらは第1実施形態の場合と同様の構成であるので、同一の番号を付して詳細な説明を省略する。なお、光源31、結像レンズ55、および2次元撮像素子56も、第1実施形態の場合と同様の構成であるので、同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
Next, a second embodiment of the surface inspection apparatus will be described with reference to FIG. The
第2実施形態の表面検査装置101において、光源31から水平方向に発せられた光束は、第1の直線偏光子142により紙面と垂直な方向の振動方向を有する直線偏光となり、ハーフミラー126で下方(ウェハホルダ20の方)に向けて反射される。このとき、ハーフミラー126にとって入射光はS偏光であるため、ハーフミラー126による偏光状態の変化は起きない。ハーフミラー126で反射された光束はレンズ125によりほぼ平行な光束となり、1/4波長板143により右回り円偏光に変換された後、ウェハ10に照射される。このとき、ウェハ10の表面にパターンがなければ、ウェハ10からの正反射光は右回り円偏光のままであるので、再び1/4波長板143を通過して紙面と平行な方向の振動方向を有する直線偏光となる。
In the
その後、直線偏光はレンズ125を通過して収束光束となり、ハーフミラー126を通過する。ハーフミラー126を通過した光束は、第2の直線偏光子153を通過し、結像レンズ55を介して2次元撮像素子56上にウェハ10の表面像を形成するが、第2の直線偏光子153は、紙面と垂直な方向の振動方向を有する偏光成分だけを通過させるように配置されている。これにより、ウェハ10の表面にパターンがない場合、光束は第2の直線偏光子153を通過することができないため、モニター61で表示されるウェハ10の画像は全面が真っ暗になる。すなわち、図10に示す光学系は前述した「広義でのクロスニコル系」を構成している。
Thereafter, the linearly polarized light passes through the
一方、ウェハ10の表面に構造性複屈折を有するパターンが形成されていると、第1実施形態の場合と同様の理由により、正反射光は完全な右回り円偏光ではなくなり、左回り円偏光成分が発生する。そのため、ウェハ10からの正反射光は、再び1/4波長板143を通過すると直線偏光にはならず楕円偏光となり、第2の直線偏光子153を通過できる偏光成分が発生する。
On the other hand, when a pattern having structural birefringence is formed on the surface of the
これにより、第1実施形態と同様の方法により、パターンが有する構造性複屈折の違いからパターンの正常、不良を判断することができる。なお、第1実施形態に対する第2実施形態の最大の違いは、ハーフミラー126を有することにより照明光の入射角度をウェハ10に対して垂直にできる点である。このようにすれば、ウェハ10での反射による偏光状態の変化が起きないためより好ましい。
Thereby, it is possible to determine whether the pattern is normal or defective from the difference in structural birefringence of the pattern by the same method as in the first embodiment. The biggest difference between the second embodiment and the first embodiment is that the incident angle of the illumination light can be made perpendicular to the
次に、表面検査装置の第3実施形態について図11を参照しながら説明する。第3実施形態の表面検査装置201は、第2実施形態の表面検査装置101と比較して、1/4波長板243をレンズ225とハーフミラー226との間に配置した点が異なる。なお、他の構成は、第2実施形態の表面検査装置101と同様の構成であるため、第2実施形態の場合と同一の番号を付してある。このようにしても、第2実施形態の場合と同様の効果を得ることができ、さらに、第2実施形態と比較して、1/4波長板243がレンズ225よりも光源31(および2次元撮像素子56)側に位置するため、1/4波長板243を小さくすることが可能である。
Next, a third embodiment of the surface inspection apparatus will be described with reference to FIG. The
続いて、表面検査装置の第4実施形態について図12を参照しながら説明する。第4実施形態の表面検査装置301は、光源31と、レンズ341と、第1の直線偏光子342と、ハーフミラー326と、1/4波長板343と、第2の直線偏光子353と、レンズ354と、結像レンズ55と、2次元撮像素子56とを備えて構成されている。また、第4実施形態の表面検査装置301は、ウェハ10を支持するウェハホルダ20と、信号処理ユニット60と、モニター61と、制御部62とを備えているが、これらは第1実施形態の場合と同様の構成であるので、同一の番号を付して詳細な説明を省略する。なお、光源31、結像レンズ55、および2次元撮像素子56も、第1実施形態の場合と同様の構成であるので、同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
Next, a fourth embodiment of the surface inspection apparatus will be described with reference to FIG. The
第4実施形態の表面検査装置301において、光源31から水平方向に発せられた光束は、レンズ341によりほぼ平行な光束となり、第1の直線偏光子342により紙面と垂直な方向の振動方向を有する直線偏光に変換された後、ハーフミラー326で下方(ウェハホルダ20の方)に向けて反射される。このとき、ハーフミラー326にとって入射光はS偏光であるため、ハーフミラー326による偏光状態の変化は起きない。ハーフミラー326で反射された光束は、1/4波長板343により右回り円偏光に変換された後、ウェハ10に照射される。このとき、ウェハ10の表面にパターンがなければ、ウェハ10からの正反射光は右回り円偏光のままであるので、再び1/4波長板343を通過して紙面と平行な方向の振動方向を有する直線偏光となる。
In the
その後、直線偏光はハーフミラー326および第2の直線偏光子353を通過するが、第2の直線偏光子353は、紙面と垂直な方向の振動方向を有する偏光成分だけを通過させるように配置されている。これにより、ウェハ10の表面にパターンがない場合、光束は第2の直線偏光子353を通過することができないため、モニター61で表示されるウェハ10の画像は全面が真っ暗になる。すなわち、図12に示す光学系は前述した「広義でのクロスニコル系」を構成している。
Thereafter, the linearly polarized light passes through the
一方、ウェハ10の表面に構造性複屈折を有するパターンが形成されていると、第1実施形態の場合と同様の理由により、正反射光は完全な右回り円偏光ではなくなり、左回り円偏光成分が発生する。そのため、ウェハ10からの正反射光は、再び1/4波長板343を通過すると直線偏光にはならず楕円偏光となり、第2の直線偏光子353を通過できる偏光成分が発生する。そして、ハーフミラー326および第2の直線偏光子353を通過した光束は、レンズ354を通過して収束光束となり、結像レンズ55を介して2次元撮像素子56上にウェハ10の表面像を形成する。
On the other hand, when a pattern having structural birefringence is formed on the surface of the
これにより、第1実施形態と同様の方法により、パターンが有する構造性複屈折の違いからパターンの正常、不良を判断することができる。なお、第1実施形態に対する第4実施形態の最大の違いは、ハーフミラー326を有することにより照明光の入射角度をウェハ10に対して垂直にできる点である。このようにすれば、ウェハ10での反射による偏光状態の変化が起きないためより好ましい。また、第1〜第3実施形態と比較して、第1の直線偏光子342よりも光源31側にレンズ341を配置するとともに、第2の直線偏光子353よりも2次元撮像素子56側にレンズ354を配置した点が異なる。このようにすれば、各直線偏光子342,353および1/4波長板343とウェハ10との間にレンズが無くなるため、各レンズ341,354の歪による偏光状態の変化を気にする必要がなく、検査の精度を向上させることができる。
Thereby, it is possible to determine whether the pattern is normal or defective from the difference in structural birefringence of the pattern by the same method as in the first embodiment. The greatest difference between the first embodiment and the fourth embodiment is that the incident angle of the illumination light can be made perpendicular to the
なお、上述の第2〜第4実施形態において、各直線偏光子は、紙面と垂直な方向の振動方向を有する偏光成分だけを通過させるように配置されているが、これに限られるものではなく、紙面と平行な方向の振動方向を有する偏光成分だけを通過させるように配置されてもよい。 In the above-described second to fourth embodiments, each linear polarizer is disposed so as to pass only a polarization component having a vibration direction perpendicular to the paper surface. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, it may be arranged so that only a polarized light component having a vibration direction parallel to the paper surface is allowed to pass.
1 表面検査装置(第1実施形態)
10 ウェハ(被検基板) 12 繰り返しパターン
30 照明系(照明部)
31 光源 41 右回り円偏光子
42 第1の直線偏光子 43 第1の1/4波長板
50 受光系 51 検光子
52 第2の1/4波長板 53 第2の直線偏光子
56 2次元撮像素子(検出部) 60 信号処理ユニット(検査部)
101 表面検査装置(第2実施形態)
142 第1の直線偏光子(照明部) 143 1/4波長板(照明部及び検光子)
153 第2の直線偏光子(検光子)
201 表面検査装置(第3実施形態)
243 1/4波長板(照明部及び検光子)
301 表面検査装置(第4実施形態)
342 第1の直線偏光子(照明部) 343 1/4波長板(照明部及び検光子)
353 第2の直線偏光子(検光子)
1 Surface inspection device (first embodiment)
10 wafer (test substrate) 12
101 Surface Inspection Device (Second Embodiment)
142 1st linear polarizer (illumination part) 143 1/4 wavelength plate (illumination part and analyzer)
153 Second linear polarizer (analyzer)
201 Surface Inspection Device (Third Embodiment)
243 quarter wave plate (illumination unit and analyzer)
301 Surface Inspection Device (Fourth Embodiment)
342 First linear polarizer (illumination unit) 343 1/4 wavelength plate (illumination unit and analyzer)
353 Second linear polarizer (analyzer)
Claims (5)
前記第1の偏光部材を通過した発散光を平行光にして、前記円偏光または前記楕円偏光の照明光として被検基板に導く第1の光学部材と、
前記被検基板で反射した反射光を収束光にする第2の光学部材と、
前記収束光の光路上に配置され、単板で該収束光に対して1/4波長の光路差を有する1/4波長板もしくは、共にフォトニック結晶からなる直線偏光フィルタおよび1/4波長板を、含み、前記収束光のうち前記照明光に対する前記反射光の偏光状態変化に応じた偏光成分を通過させる第2の偏光部材と、
前記第2の偏光部材を通過した光により得られる前記被検基板の表面像を検出する検出部と、
前記検出部により検出された前記表面像の強度分布に基づいて、前記被検基板の表面に形成された繰り返しパターンにおける異常の有無を検査する検査部とを備えたことを特徴とする表面検査装置。 Linearly polarized light that is arranged on the optical path of divergent light including ultraviolet rays emitted from a light source and has a quarter wavelength optical path difference with respect to the divergent light, or a photonic crystal. the filter and the quarter-wave plate, and unrealized, first polarizing member passing by the divergent light from the light source into circularly polarized light or elliptically polarized light,
A first optical member that converts the divergent light that has passed through the first polarizing member into parallel light and guides the light to the test substrate as the circularly polarized light or the elliptically polarized illumination light;
A second optical member that converts reflected light reflected by the test substrate into convergent light;
A quarter-wave plate disposed on the optical path of the convergent light and having a quarter- wave optical path difference with respect to the convergent light, or a linearly polarizing filter and a quarter-wave plate both made of a photonic crystal and a unrealized, the second polarizing member for passing polarized light component corresponding to the polarization state change of the reflected light to the illumination light of the convergent light,
A detection unit for detecting a surface image of the test substrate obtained by light passing through the second polarizing member;
A surface inspection apparatus comprising: an inspection unit that inspects whether there is an abnormality in a repetitive pattern formed on the surface of the substrate to be tested based on the intensity distribution of the surface image detected by the detection unit .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008086017A JP5333890B2 (en) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | Surface inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008086017A JP5333890B2 (en) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | Surface inspection device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009236839A JP2009236839A (en) | 2009-10-15 |
JP5333890B2 true JP5333890B2 (en) | 2013-11-06 |
Family
ID=41250953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008086017A Active JP5333890B2 (en) | 2008-03-28 | 2008-03-28 | Surface inspection device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5333890B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5594254B2 (en) * | 2011-08-09 | 2014-09-24 | 三菱電機株式会社 | Silicon substrate inspection apparatus and inspection method |
DE102012200368A1 (en) * | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-influencing optical arrangement, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus |
JP7185913B2 (en) * | 2018-12-19 | 2022-12-08 | シンクロア株式会社 | optical unit |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4853758B2 (en) * | 2004-06-16 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | Surface inspection apparatus and surface inspection method |
JP2006078263A (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | Wiring pattern inspecting apparatus and wiring pattern inspecting method |
JP5068422B2 (en) * | 2004-10-05 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Microstructure observation method and defect inspection apparatus |
JP4548385B2 (en) * | 2006-05-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | Surface inspection device |
JP4225343B2 (en) * | 2006-11-20 | 2009-02-18 | 日本電気株式会社 | Method for measuring birefringence characteristics |
-
2008
- 2008-03-28 JP JP2008086017A patent/JP5333890B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009236839A (en) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4552859B2 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
JP4548385B2 (en) | Surface inspection device | |
TWI591322B (en) | Birefringence measurement apparatus, birefringence measurement method, film inspection apparatus, and film inspection method | |
JP5451832B2 (en) | Pattern inspection device | |
JP2009192520A (en) | Surface inspection device | |
JP4853758B2 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
JP5333890B2 (en) | Surface inspection device | |
JP4462232B2 (en) | Surface inspection device | |
JP5370155B2 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
JP4506723B2 (en) | Surface inspection device | |
JP4605089B2 (en) | Surface inspection device | |
JP4696607B2 (en) | Surface inspection device | |
JP2010096596A (en) | Evaluation device | |
JP2010271186A (en) | Defect inspection apparatus | |
JP4462222B2 (en) | Surface inspection device | |
JP2012018096A (en) | Defect inspection device | |
JP4487042B2 (en) | Optical apparatus, inspection apparatus, and inspection method | |
JP4635939B2 (en) | Surface inspection device | |
JP2008008777A (en) | Surface inspection system | |
JP2013167652A (en) | Evaluation device | |
JP2010217071A (en) | Surface inspection device | |
KR102260167B1 (en) | Method and system for inspecting defect of boundary surface in multi-layer of display panel | |
JP2006266817A (en) | Surface inspection apparatus | |
JP2008111916A (en) | Objective lens for polarization observation and microscope having the same | |
JP2011149951A (en) | Device and method for surface inspection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5333890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |