JP5324808B2

JP5324808B2 - Chip ID marking method, chip ID marking device, and semiconductor chip

Info

Publication number: JP5324808B2
Application number: JP2008093714A
Authority: JP
Inventors: 千草井中; 浩志川口; 隆則田原
Original assignee: Toray Engineering Co Ltd
Current assignee: Toray Engineering Co Ltd
Priority date: 2008-03-31
Filing date: 2008-03-31
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2028-03-31
Also published as: JP2009246267A

Description

本発明はチップＩＤマーキング方法、チップＩＤマーキング装置及び半導体チップに関する。より詳しくは、半導体チップに、この半導体チップに関する情報をコード化してマーキングする方法及び装置、並びにこの方法または装置を用いてマーキングされた半導体チップに関する。 The present invention relates to a chip ID marking method, a chip ID marking device, and a semiconductor chip. More specifically, the present invention relates to a method and apparatus for coding and marking information on a semiconductor chip on the semiconductor chip, and a semiconductor chip marked using the method or apparatus.

近年、電子機器の製造業界においては、半導体チップのトレーサビリティを確保することが重要になっている。トレーサビリティ確保のための一つの手法として、半導体チップ毎に固有の識別子（以降、チップＩＤとよぶ）をマーキングするものがある。チップＩＤは、当該半導体チップの製造工場、型名、ウエハ上の位置情報、ウエハのロット番号、各種検査項目とその結果情報などをコード化したものであり、半導体チップの所定箇所にパターン形状にて形成する。製品の不良発生時に、適当な読取り手段によりこのチップＩＤを読み取ることによってその不良原因を特定したり、製造上の問題点を改善したりするために利用している。 In recent years, in the electronic equipment manufacturing industry, it has become important to ensure traceability of semiconductor chips. One technique for ensuring traceability is to mark a unique identifier (hereinafter referred to as a chip ID) for each semiconductor chip. The chip ID is obtained by encoding the manufacturing factory, model name, position information on the wafer, wafer lot number, various inspection items and the result information, and the like in a pattern shape at a predetermined portion of the semiconductor chip. Form. When a product defect occurs, this chip ID is read by an appropriate reading means to identify the cause of the defect or to improve manufacturing problems.

半導体チップにチップＩＤをマーキングする手法にはいくつかある。例えば下記特許文献１には、レーザビームの照射によりドットマークを形成する技術が開示されている。下記特許文献２には、ヒューズやメモリセルによる電気的なＩＤ付加方法が開示されている。 There are several techniques for marking a chip ID on a semiconductor chip. For example, Patent Document 1 below discloses a technique for forming dot marks by laser beam irradiation. Patent Document 2 below discloses an electrical ID adding method using a fuse or a memory cell.

しかし、これらの手法を適用するためには、半導体チップの回路部内にＩＤエリアやヒューズまたはメモリセルのためのエリアを設ける必要があり、チップサイズの拡大化、あるいはＩＤマーキングサイズを小さくするためにＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上が必要となり、技術的困難さや装置のコストアップの要因となっていた。 However, in order to apply these methods, it is necessary to provide an ID area, an area for a fuse or a memory cell in the circuit portion of the semiconductor chip, and to increase the chip size or reduce the ID marking size. It is necessary to refine the ID dots and improve the accuracy of the marking device, which is a technical difficulty and increases the cost of the device.

一方、下記特許文献３には、インクジェット装置等のマーカ装置により、Ｘ線を透過しにくい顔料を含むインクを用いて、各々の前記良品の半導体チップの表面または裏面に、当該半導体チップに関する情報をコード化してマーキングする方法が開示されている。この方法によると、特許文献１または特許文献２に比べて、チップ面積の増加、ＩＣパッケージへの個別捺印の追加などによるコストアップが無く、非破壊で半導体装置のチップトレーサビリティを向上させることができる。
特開２０００−２５２１７６号公報特開平７−３０７２５７号公報特開２００２−２８０２７６号公報 On the other hand, in Patent Document 3 below, information relating to a semiconductor chip is provided on the front or back surface of each non-defective semiconductor chip using an ink containing a pigment that is difficult to transmit X-rays by a marker device such as an inkjet device. A method of encoding and marking is disclosed. According to this method, the chip traceability of the semiconductor device can be improved non-destructively without increasing the cost due to the increase in chip area and the addition of individual markings on the IC package as compared with Patent Document 1 or Patent Document 2. .
JP 2000-252176 A Japanese Patent Laid-Open No. 7-307257 JP 2002-280276 A

特許文献３の手法のように、Ｘ線を透過しにくい材料、つまりＸ線難透過材を用いて、半導体チップの表面に当該半導体チップに関する情報をコード化しチップＩＤとしてマーキングした場合、一般にはチップＩＤの読取りは、半導体チップの一面側に配設されたＸ線照射源と、半導体チップの他面側に配設された撮像カメラとの間に、半導体チップを位置させた状態で行う。この状態でＸ線照射源から半導体チップを照射したときに、チップＩＤの形成領域はＸ線を透過しないが、チップＩＤの非形成領域はＸ線を透過する。撮像カメラは、このとき得られるコントラストの差に基づいて、チップＩＤの読取りを行う。この場合、Ｘ線難透過材の厚さが薄いと、チップＩＤの読取り時に、Ｘ線の一部はこれを透過してしまう。その結果、チップＩＤの形成領域と非形成領域とのコントラストの差が小さくなり、撮像カメラが捉えるＩＤ像が不鮮明になり、チップＩＤの読取りが正確にできなくなる。 When the information on the semiconductor chip is coded on the surface of the semiconductor chip and marked as a chip ID using a material that does not easily transmit X-rays, that is, a material that hardly transmits X-rays, as in the technique of Patent Document 3, generally the chip ID reading is performed with the semiconductor chip positioned between an X-ray irradiation source disposed on one side of the semiconductor chip and an imaging camera disposed on the other side of the semiconductor chip. In this state, when the semiconductor chip is irradiated from the X-ray irradiation source, the chip ID formation region does not transmit X-rays, but the chip ID non-formation region transmits X-rays. The imaging camera reads the chip ID based on the contrast difference obtained at this time. In this case, if the X-ray hardly transmitting material is thin, a part of the X-rays pass through when reading the chip ID. As a result, the difference in contrast between the chip ID formation region and the non-formation region becomes small, the ID image captured by the imaging camera becomes unclear, and the chip ID cannot be read accurately.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材を用いて、半導体チップの表面にチップＩＤをマーキングするチップＩＤマーキング方法及びチップＩＤマーキング装置において、読取り手段によるチップＩＤの読取りが正確にできるチップＩＤを形成することのできる方法及び装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and a chip ID marking method and a chip ID marking for marking a chip ID on the surface of a semiconductor chip using an X-ray hardly transmissive material that does not transmit X-rays. It is a main object of the present invention to provide a method and apparatus capable of forming a chip ID that can accurately read a chip ID by a reading means.

上記目的は、下記の本発明により達成される。なお、特許請求の範囲及び本欄（「課題を解決するための手段」の欄）において各構成要素に付した括弧書きの符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。また、本明細書において、ベース部材原料の符号「５０」については、説明上、他の実施形態との間で区別する必要のあるときは例えば「５０ａ」「５０ｂ」などと数字の末尾にａ〜ｅのアルファベットを付すが、特に区別する必要のないときは、単に「５０」と記す。ベース部材の符号「５」などについても同様とする。また、紫外線は「ＵＶ」と略記する。 The above object is achieved by the present invention described below. In addition, the reference numerals in parentheses attached to each component in the claims and in this column (“Means for Solving the Problems”) indicate the correspondence with the specific means described in the embodiments described later. It is shown. In the present specification, the reference numeral “50” of the base member raw material is “50a”, “50b”, etc. -E is attached, but when it is not necessary to distinguish between them, it is simply written as “50”. The same applies to the reference numeral “5” of the base member. Ultraviolet rays are abbreviated as “UV”.

方法に係る本発明は、インクジェット装置等のマーカ装置（１５）により、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材（６０）を用いて、半導体チップ（２）の表面に当該半導体チップ（２）に関する情報をコード化しチップＩＤ（６）としてマーキングするチップＩＤマーキング方法であって、Ｘ線難透過材（６０）の厚さが１μｍ以上確保されるようにマーキングを行うことを特徴とする。 The present invention according to the method uses a marker device (15) such as an ink jet device and the like on the surface of the semiconductor chip (2) using an X-ray hardly transmissive material (60) that hardly transmits X-rays. Is a chip ID marking method in which information regarding the above is encoded and marked as a chip ID (6), wherein marking is performed so that the thickness of the X-ray hardly transmissive material (60) is 1 μm or more.

装置に係る本発明は、インクジェット装置等のマーカ装置（１５）により、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材（６０）を用いて、半導体チップ（２）の表面に当該半導体チップ（２）に関する情報をコード化しチップＩＤ（６）としてマーキングするチップＩＤマーキング装置であって、Ｘ線難透過材（６０）の厚さが１μｍ以上確保されるようにマーキングを行うように構成されたことを特徴とする。 The present invention relating to the device uses the marker device (15) such as an ink jet device to use the X-ray hardly transmissive material (60) which is difficult to transmit X-rays on the surface of the semiconductor chip (2). It is a chip ID marking device that encodes information about and marks as chip ID (6), and is configured to perform marking so that the thickness of the X-ray hardly transmissive material (60) is 1 μm or more. Features.

本発明によると、Ｘ線難透過材（６０）の厚さが１μｍ以上確保されるので、チップＩＤ（６）の読取り時に照射されるＸ線は、チップＩＤ（６）の形成領域で一部透過すること無くほぼ完全に遮蔽される。このため、読取り手段によるチップＩＤの読取りが正確にできるようになる。 According to the present invention, since the thickness of the X-ray hardly transmissive material (60) is secured to 1 μm or more, X-rays irradiated when reading the chip ID (6) are partially in the formation region of the chip ID (6). Almost completely shielded without penetrating. For this reason, the chip ID can be accurately read by the reading means.

インクジェット装置等のマーカ装置（１５）によりＸ線難透過材（６０）を吐出した場合、１回の吐出で塗布される厚さは、数百ｎｍ程度であり、この厚さはＸ線を遮蔽するのには十分でない。本発明では、この厚さが１μｍ以上確保されるようにＸ線難透過材（６０）を塗布することで、Ｘ線に対する遮蔽作用を強め、十分に識別可能なコントラストを得るようにしている。１μｍ以上確保することの理由は、この厚さのときに遮蔽作用が極めて効果的であったという実験データに基づく。 When the X-ray hardly transmissive material (60) is discharged by a marker device (15) such as an ink jet device, the thickness applied by one discharge is about several hundred nm, and this thickness blocks X-rays. Not enough to do. In the present invention, the X-ray hardly transmissive material (60) is applied so that the thickness is 1 μm or more, thereby enhancing the shielding action against X-rays and obtaining a sufficiently distinguishable contrast. The reason for ensuring 1 μm or more is based on experimental data that the shielding action was extremely effective at this thickness.

なお、Ｘ線が透過しないようにＸ線難透過材（６０）を上記厚さに厚くするためには、Ｘ線難透過材（６０）を複数回重ね塗りすることが考えられるが、この場合はＸ線難透過材（６０）の厚さを増すに従って当該Ｘ線難透過材（６０）が横方向に濡れ広がってしまう。その結果、隣り合う同士のピッチ、つまりドット間ピッチが狭くなり、Ｘ線検出による十分なコントラスト差が得られなくなる。そこで、濡れ広がりを防ぐため、塗布毎にＩＤドットを硬化又は仮硬化させることも考えられるが、この場合はチップＩＤ（６）の塗布に必要な時間が長くなり、マーカ装置（１５）のタクトタイムが長くなる。 In order to increase the thickness of the X-ray hardly transmissive material (60) to the above-mentioned thickness so that X-rays do not pass through, it is conceivable to apply the X-ray refractory material (60) multiple times. As the thickness of the X-ray hardly permeable material (60) increases, the X-ray hardly permeable material (60) spreads in the lateral direction. As a result, the pitch between adjacent dots, that is, the pitch between dots becomes narrow, and a sufficient contrast difference cannot be obtained by X-ray detection. Therefore, in order to prevent wetting and spreading, it may be possible to cure or temporarily cure the ID dots for each application, but in this case, the time required for the application of the chip ID (6) becomes longer and the tact of the marker device (15) becomes longer. The time becomes longer.

これに対して、本発明では、まず、半導体チップ（２）の表面にＸ線可透過材（５０）によりベース部材（５）を形成し、次いで、ベース部材（５）にＸ線難透過材（６０）をＩＤ材料としてマーキングする。前者工程は、ナノインプリント技術を用いてベース部材（５ａ，５ｂ）を形成する。或いは、スクリーン印刷等の印刷技術を用いてベース部材（５ｃ）を形成する。或いは、予めメッシュ形状とされたメッシュ形状体を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｄ）を形成する。或いは、Ｘ線難透過材（６０）が表面に濡れ広がること無く且つ内部孔に浸透するような多孔質材を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｅ）を形成するなど、様々な形態を用いることにより、Ｘ線難透過材（６０）の濡れ広がりを防ぐことができる。その結果、チップＩＤ（６）の形成領域と非形成領域とのコントラストの差を大きくすることができ、撮像カメラが捉えるＩＤ像が鮮明になり、チップＩＤ（６）の読取りが正確になる。なお、Ｘ線難透過材（６０）とＸ線可透過材（５０）とは、これらを組み合わせたときに、Ｘ線で識別可能なコントラストが得られるものであればよい。 In contrast, in the present invention, first, the base member (5) is formed on the surface of the semiconductor chip (2) by the X-ray permeable material (50), and then the X-ray hardly transmissive material is formed on the base member (5). Mark (60) as ID material. In the former process, the base member (5a, 5b) is formed using a nanoimprint technique. Alternatively, the base member (5c) is formed using a printing technique such as screen printing. Alternatively, the base member (5d) is formed by providing a mesh-shaped body having a mesh shape in advance on the surface of the semiconductor chip (2). Alternatively, the base member (5e) is formed by providing a porous material on the surface of the semiconductor chip (2) such that the X-ray hardly permeable material (60) does not spread over the surface and penetrates into the internal holes. By using various forms, wetting and spreading of the X-ray hardly permeable material (60) can be prevented. As a result, the difference in contrast between the formation area and the non-formation area of the chip ID (6) can be increased, the ID image captured by the imaging camera becomes clear, and the reading of the chip ID (6) becomes accurate. The X-ray hardly transmissive material (60) and the X-ray transmissive material (50) may be any material that can be distinguished by X-rays when they are combined.

本発明によると、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材を用いて、半導体チップの表面にチップＩＤをマーキングするチップＩＤマーキング方法及びＩＤマーキング装置において、読取り手段によるチップＩＤの読取りが正確にできるようになる。 According to the present invention, in a chip ID marking method and an ID marking apparatus for marking a chip ID on the surface of a semiconductor chip using an X-ray hardly transmissive material that does not easily transmit X-rays, the chip ID can be accurately read by the reading means. become able to.

以下、添付図面を用いて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。各構成図において直交座標系の３軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、ＸＹ平面は水平面、Ｚ方向は鉛直方向である。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In each configuration diagram, the three axes of the orthogonal coordinate system are X, Y, and Z, the XY plane is the horizontal plane, and the Z direction is the vertical direction.

図１はＩＤマーキング工程Ｓ３０を含むウエハ工程Ｓ１を示すフローチャートである。
このＩＤマーキング工程Ｓ３０において、本発明のチップＩＤマーキング方法が取り入れられている。図２はウエハ１の状態をＩＤマーキング工程Ｓ３０前とＩＤマーキング工程Ｓ３０後とで比較する平面図であり、図２（Ａ）はＩＤマーキング工程Ｓ３０前の状態を示し、図２（Ｂ）はＩＤマーキング工程Ｓ３０後の状態を示す。図３は半導体チップ２の状態をＩＤマーキング工程Ｓ３０前とＩＤマーキング工程Ｓ３０後とで比較する正面断面図であり、図３（Ａ）はＩＤマーキング工程Ｓ３０前の状態を示し、図３（Ｂ）はＩＤマーキング工程Ｓ３０後の状態を示す。図３における１点鎖線は、ウエハ１をダイシングするときの分断予定線を示す。 FIG. 1 is a flowchart showing a wafer process S1 including an ID marking process S30.
In this ID marking step S30, the chip ID marking method of the present invention is adopted. 2 is a plan view for comparing the state of the wafer 1 before the ID marking step S30 and after the ID marking step S30. FIG. 2A shows the state before the ID marking step S30, and FIG. The state after ID marking process S30 is shown. 3 is a front cross-sectional view comparing the state of the semiconductor chip 2 before the ID marking step S30 and after the ID marking step S30. FIG. 3A shows the state before the ID marking step S30, and FIG. ) Shows the state after the ID marking step S30. A one-dot chain line in FIG. 3 indicates a planned dividing line when the wafer 1 is diced.

図２（Ａ）及び図３（Ａ）に示す保護膜形成直後のウエハ１は、図１に示すウエハ工程Ｓ１にて、図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）に示すように、各半導体チップ２にチップＩＤ６がマーキングされる。図２及び図３において、保護膜形成直後のウエハ１は、回路部３の形成された半導体チップ２を複数有し、ＩＤマーキング工程Ｓ３０を経た後のウエハ１は、保護膜４の上にベース部材５及びチップＩＤ６が形成される。 As shown in FIGS. 2B and 3B, the wafer 1 immediately after the formation of the protective film shown in FIGS. 2A and 3A is processed in the wafer process S1 shown in FIG. Chip ID 6 is marked on chip 2. 2 and 3, the wafer 1 immediately after the formation of the protective film has a plurality of semiconductor chips 2 on which the circuit portions 3 are formed, and the wafer 1 after the ID marking step S <b> 30 is formed on the protective film 4. The member 5 and the chip ID 6 are formed.

図１に示すように、ウエハ工程Ｓ１は、第１外観検査工程Ｓ１０、保護膜形成工程Ｓ２０、ＩＤマーキング工程Ｓ３０、プローブテスト工程Ｓ４０、ダイシング工程Ｓ５０及び第２外観検査工程Ｓ６０からなる。ＩＤマーキング工程Ｓ３０は保護膜形成工程Ｓ２０の後工程であり、ダイシング工程Ｓ５０の前工程であればよい。その理由については後述する。 As shown in FIG. 1, the wafer process S1 includes a first appearance inspection process S10, a protective film formation process S20, an ID marking process S30, a probe test process S40, a dicing process S50, and a second appearance inspection process S60. ID marking process S30 is a post process of protective film formation process S20, and should just be a pre process of dicing process S50. The reason will be described later.

第１外観検査工程Ｓ１０は、製造後のウエハ１に含まれる各半導体チップ２に傷や剥がれ等の表面欠陥が有るか無いかを検査する工程である。この検査は、専用の自動外観検査装置によりウエハ１の状態（ダイシング前の状態）で行う。自動外観検査装置は、図示は省略するが、ウエハ保持ステージ、撮像カメラ付き金属顕微鏡、画像処理装置（コンピュータ）などを備え、撮像カメラ付き金属顕微鏡で捉えた半導体チップ２の表面画像と予め作成した良品画像との比較処理などに基づいて、半導体チップ２における表面欠陥の有無を判定するように構成される。表面欠陥が有る半導体チップ２は、欠陥の種類や大きさなどの検査データとその半導体チップ２のウエハ１上の位置情報とを関連付けてコンピュータのメモリにデータベースとして記憶しておく。 The first appearance inspection step S10 is a step of inspecting whether or not each semiconductor chip 2 included in the manufactured wafer 1 has surface defects such as scratches and peeling. This inspection is performed in a state of the wafer 1 (a state before dicing) by a dedicated automatic visual inspection apparatus. Although not shown, the automatic visual inspection apparatus includes a wafer holding stage, a metal microscope with an imaging camera, an image processing apparatus (computer), and the like, and is created in advance with a surface image of the semiconductor chip 2 captured by the metal microscope with an imaging camera. The semiconductor chip 2 is configured to determine the presence or absence of surface defects based on a comparison process with a non-defective image. The semiconductor chip 2 having a surface defect is stored as a database in a memory of a computer in association with inspection data such as the type and size of the defect and position information of the semiconductor chip 2 on the wafer 1.

保護膜形成工程Ｓ２０は、上記第１外観検査工程Ｓ１０を終えたウエハ１の表面に保護膜４を形成する工程である。保護膜４の形成は、例えばウエハ１の表面に保護膜原料を塗布し、パッド部分など露出の必要な部分をエッチング工程などによって形成する。 The protective film forming step S20 is a step of forming the protective film 4 on the surface of the wafer 1 after the first appearance inspection step S10. The protective film 4 is formed by, for example, applying a protective film raw material to the surface of the wafer 1 and forming an exposed portion such as a pad portion by an etching process or the like.

ＩＤマーキング工程Ｓ３０は、半導体チップ２毎に固有の識別子（以降、チップＩＤとよぶ）６をマーキングする工程である。チップＩＤ６は、当該半導体チップ２の製造工場、型名、ウエハ１上の位置情報、ウエハ１のロット番号、及び各種検査項目とその結果情報などをコード化したものである。ＩＤマーキング工程Ｓ３０は本発明の特徴部分であり、後述する第１から第５の実施形態により実現される。なお、チップＩＤ６は、半導体チップ２の表面において、次述するプローブテスト工程Ｓ４０でのパッド部分を避ける位置にマーキングされる。 The ID marking step S30 is a step of marking a unique identifier (hereinafter referred to as a chip ID) 6 for each semiconductor chip 2. The chip ID 6 is obtained by coding the manufacturing factory, model name, position information on the wafer 1, lot number of the wafer 1, various inspection items and the result information, and the like. The ID marking step S30 is a characteristic part of the present invention and is realized by first to fifth embodiments described later. Note that the chip ID 6 is marked on the surface of the semiconductor chip 2 at a position that avoids the pad portion in the probe test step S40 described below.

プローブテスト工程Ｓ４０は、上記ＩＤマーキング工程Ｓ３０を終えたウエハ１に対し、各々の半導体チップ２に電気的特性の異常が有るか無いかを検査する工程である。この検査は、専用のプローブ検査装置により行う。プローブ検査装置は、通電用の探針を複数本備え、これらの探針により、各半導体チップ２に通電することでその通電状態を測定し、所定の基準データと比較することで電気的特性異常の有無を判定するように構成される。プローブテストのなされた全ての半導体チップ２は、異常の有無及び異常の種類や程度などの検査データと、その半導体チップ２に上記ＩＤマーキング工程Ｓ３０でマーキングしたチップＩＤ６とを関連付けてコンピュータのメモリにデータベースとして記憶しておく。 The probe test step S40 is a step for inspecting whether or not each semiconductor chip 2 has an abnormality in electrical characteristics with respect to the wafer 1 after the ID marking step S30. This inspection is performed by a dedicated probe inspection apparatus. The probe inspection apparatus includes a plurality of energization probes. By using these probes, each semiconductor chip 2 is energized to measure its energization state and compared with predetermined reference data to detect abnormal electrical characteristics. It is comprised so that the presence or absence of may be determined. All the semiconductor chips 2 subjected to the probe test associate the inspection data such as the presence / absence of abnormality and the type and degree of abnormality with the chip ID 6 marked in the ID marking step S30 on the semiconductor chip 2 in the memory of the computer. Store it as a database.

ダイシング工程Ｓ５０は、複数の半導体チップ２を配列したウエハ１を切断ラインに沿って個々の半導体チップ２に分離する工程である。ダイシングは、高速回転するダイシングブレード、またはウエハ１に対してレーザ光を集光移動させる機構などを備えたダイシング装置により行う。 The dicing step S50 is a step of separating the wafer 1 on which a plurality of semiconductor chips 2 are arranged into individual semiconductor chips 2 along a cutting line. Dicing is performed using a dicing blade that rotates at high speed or a dicing apparatus that includes a mechanism for condensing and moving the laser beam with respect to the wafer 1.

第２外観検査工程Ｓ６０は、ダイシング後の個々の半導体チップ２に傷や剥がれ等の表面欠陥が有るか無いかを検査する工程である。この検査は、専用の自動外観検査装置により個々の半導体チップ２の状態（ダイシング後の状態）で行う。この自動外観検査装置は、図示は省略するが、チップ保持ステージ、撮像カメラ付き金属顕微鏡、画像処理装置（コンピュータ）などを備え、撮像カメラ付き金属顕微鏡で捉えた半導体チップ２の表面画像と予め作成した良品画像との比較処理などに基づいて、半導体チップ２における表面欠陥の有無を判定するように構成される。表面欠陥が有る半導体チップ２は、欠陥の種類や大きさなどの検査データと、その半導体チップ２に上記ＩＤマーキング工程Ｓ３０でマーキングしたチップＩＤ６とを関連付けてコンピュータのメモリにデータベースとして記憶しておく。第２外観検査工程Ｓ６０の検査結果に基づき、表面欠陥のない半導体チップ２のみが組立工程へと送られる。 The second appearance inspection step S60 is a step of inspecting whether or not each semiconductor chip 2 after dicing has a surface defect such as a scratch or peeling. This inspection is performed in the state of each semiconductor chip 2 (the state after dicing) by a dedicated automatic visual inspection apparatus. Although not shown, this automatic visual inspection apparatus includes a chip holding stage, a metal microscope with an imaging camera, an image processing device (computer), and the like, and is created in advance with a surface image of the semiconductor chip 2 captured by the metal microscope with an imaging camera. The semiconductor chip 2 is configured to determine the presence / absence of a surface defect based on a comparison process with the non-defective image. The semiconductor chip 2 having a surface defect is associated with inspection data such as the type and size of the defect and the chip ID 6 marked on the semiconductor chip 2 in the ID marking step S30, and is stored as a database in a computer memory. . Based on the inspection result of the second appearance inspection step S60, only the semiconductor chip 2 having no surface defect is sent to the assembly step.

以上の各工程を経た段階で、全ての検査データ、工程情報、チップＩＤ６がデータベースに集まる。これにより、情報が途切れること無く、チップレベルでのトレーサビリティが可能となる。例えば、半導体チップ出荷後に不具合が発生した場合であっても、チップＩＤ６を検出し、上記データベースと照合することで、どのウエハのどの座標にあった半導体チップであるか、製造時のウエハ検査結果はどうか、チップ検査結果はどうか、と云うように追って解析することができる。 At the stage where the above processes are performed, all inspection data, process information, and chip ID 6 are collected in the database. Thereby, traceability at the chip level is possible without interruption of information. For example, even when a defect occurs after shipment of a semiconductor chip, by detecting the chip ID 6 and collating it with the database, it is possible to determine which semiconductor chip is at which coordinate of which wafer. Whether or not the chip test result can be analyzed later.

次に、ＩＤマーキング工程Ｓ３０について詳述する。ＩＤマーキング工程Ｓ３０は、基本的には、図４に示すように、ベース部材形成工程Ｓ３とＩＤ材料塗布工程Ｓ８とからなる。ここではＩＤマーキング工程Ｓ３０について、第１から第５の実施形態について説明する。
〔第１実施形態〕 Next, the ID marking step S30 will be described in detail. The ID marking step S30 basically includes a base member forming step S3 and an ID material applying step S8 as shown in FIG. Here, the first to fifth embodiments of the ID marking step S30 will be described.
[First Embodiment]

第１実施形態では、まず、ナノインプリント法により、複数の凹部５１ａを有するベース部材５ａを形成し、次いで、インクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ａにおける凹部５１ａにＩＤ材料６０を吐出してチップＩＤ６をマーキングする。なお、吐出はチップＩＤ６が所望のパターンとなるように行う。 In the first embodiment, first, a base member 5a having a plurality of recesses 51a is formed by nanoimprinting, and then an ID material 60 is ejected to the recesses 51a in the base member 5a using an inkjet head 151 to obtain a chip ID6. Mark. The ejection is performed so that the chip ID 6 has a desired pattern.

図５は第１実施形態で用いるベース部材形成装置１０の概略図、図６は第１実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャート、図７は第１実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図、図８は第１実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。 FIG. 5 is a schematic diagram of the base member forming apparatus 10 used in the first embodiment, FIG. 6 is a flowchart showing a base member forming procedure in the first embodiment, and FIG. 7 shows a base member forming procedure in the first embodiment. FIG. 8 is a schematic view showing a procedure for applying an ID material in the first embodiment.

図５に示すように、ベース部材形成装置１０は、ウエハ保持ステージ１１、石英型１２、ＵＶ光照射部１３及びベース部材原料塗布部１４などを備える。 As shown in FIG. 5, the base member forming apparatus 10 includes a wafer holding stage 11, a quartz mold 12, a UV light irradiation unit 13, a base member material application unit 14, and the like.

ウエハ保持ステージ１１は、ウエハ１を真空吸着などにより保持可能な保持面を有する。 The wafer holding stage 11 has a holding surface capable of holding the wafer 1 by vacuum suction or the like.

石英型１２は、石英を材質とし、表面に複数の突部１２１を備える。これら突部１２１は、平面視配置形状が格子状となるように設けられ、それぞれの高さは１μｍ〜１００μｍ程度とされる。石英を材質としているので、ＵＶ光を透過する。この石英型１２は、ウエハ１の表面に対向した配置とされると共にこの対向方向に上下駆動可能とされる。 The quartz mold 12 is made of quartz and includes a plurality of protrusions 121 on the surface. These protrusions 121 are provided so that the arrangement shape in plan view is a lattice shape, and each height is set to about 1 μm to 100 μm. Because it is made of quartz, it transmits UV light. The quartz mold 12 is disposed so as to face the surface of the wafer 1 and can be driven up and down in the facing direction.

ＵＶ光照射部１３は、例えば低圧水銀灯、キセノンランプ、またはエキシマレーザなどのレーザを光源とし、石英型１２の上方に配設される。 The UV light irradiation unit 13 is disposed above the quartz mold 12 using a laser such as a low-pressure mercury lamp, a xenon lamp, or an excimer laser as a light source.

ベース部材原料塗布部１４は、塗布ノズル１４１、塗布ノズル駆動部１４２、原料タンク１４３及びポンプ１４４などを備える。塗布ノズル１４１は、ベース部材原料５０ａを吐出可能な吐出口１４１Ｎを先端に備える。原料タンク１４３は、ベース部材原料５０ａを貯留している。ベース部材原料５０ａは、Ｘ線を透過しやすいＸ線可透過材であり且つＵＶ光により硬化する性質を備える。 The base member raw material application unit 14 includes an application nozzle 141, an application nozzle drive unit 142, a raw material tank 143, a pump 144, and the like. The coating nozzle 141 includes a discharge port 141N that can discharge the base member raw material 50a at the tip. The raw material tank 143 stores the base member raw material 50a. The base member raw material 50a is an X-ray transmissive material that easily transmits X-rays and has a property of being cured by UV light.

以上のように構成されたベース部材形成装置１０は、ベース部材形成工程Ｓ３ａにおいて、次のようにしてベース部材５ａを形成する。まず、塗布ノズル１４１の吐出口１４１Ｎとウエハ１の表面とを近接保持させた状態で塗布ノズル１４１の吐出口１４１Ｎからベース部材原料５０ａを吐出させながら、塗布ノズル１４１とウエハ１とを相対移動させることで塗布を行う。その際、ウエハ１の表面に塗布されるベース部材原料５０ａが厚さ１μｍ〜１００μｍ程度になるように行う（図６のステップＳ３１ａ）。 The base member forming apparatus 10 configured as described above forms the base member 5a as follows in the base member forming step S3a. First, the application nozzle 141 and the wafer 1 are moved relative to each other while the base member material 50a is being discharged from the discharge port 141N of the application nozzle 141 in a state where the discharge port 141N of the application nozzle 141 and the surface of the wafer 1 are held close to each other. To apply. At this time, the base member raw material 50a applied to the surface of the wafer 1 is made to have a thickness of about 1 μm to 100 μm (step S31a in FIG. 6).

次いで、塗布されたベース部材原料５０ａに向けて石英型１２を降下させ加圧する（ステップＳ３２ａ）。これによりベース部材原料５０ａの表面には、深さ１μｍ〜１００μｍ程度の複数の凹部５１ａが、平面視配置形状が格子状となるように形成される。次いで、ＵＶ光照射部１３からＵＶ光を石英型１２に向けて照射する。ＵＶ光は石英型１２を透過して、ベース部材原料５０ａを照射する（ステップＳ３３ａ）。これによりベース部材原料５０ａが硬化し、上記凹部５１ａを有するベース部材５ａが完成する。その後、石英型１２を上昇させる（ステップＳ３４ａ）。 Next, the quartz mold 12 is lowered and pressurized toward the applied base member raw material 50a (step S32a). Thus, a plurality of recesses 51a having a depth of about 1 μm to 100 μm are formed on the surface of the base member raw material 50a so that the arrangement in plan view is a lattice shape. Next, UV light is irradiated from the UV light irradiation unit 13 toward the quartz mold 12. The UV light passes through the quartz mold 12 and irradiates the base member raw material 50a (step S33a). Thereby, the base member raw material 50a is cured, and the base member 5a having the concave portion 51a is completed. Thereafter, the quartz mold 12 is raised (step S34a).

次に、ＩＤ材料塗布工程Ｓ８（図４参照）において、チップＩＤ６のマーキングは、図８（Ａ）に示すマーカ装置１５により行う。マーカ装置１５は、インクジェットヘッド１５１、ヘッド駆動部１５２及びＩＤ材料タンク１５３などを備える。ＩＤ材料タンク１５３はＩＤ材料６０を貯留している。ＩＤ材料６０は、Ｘ線を透過しにくい性質を持ち、例えば金や銀などを含むことが好ましい。このＩＤ材料６０をインクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ａにおける凹部５１ａに、所望のパターンとなるようにＩＤ材料６０を選択的に充填する。その際、図８に示すように、厚さ１μｍ以上のチップＩＤ６がマーキングされるように充填する。 Next, in ID material application process S8 (refer FIG. 4), marking of chip ID6 is performed by the marker apparatus 15 shown to FIG. 8 (A). The marker device 15 includes an inkjet head 151, a head driving unit 152, an ID material tank 153, and the like. The ID material tank 153 stores the ID material 60. The ID material 60 has a property of hardly transmitting X-rays, and preferably includes, for example, gold or silver. The ID material 60 is selectively filled into the recess 51a of the base member 5a using the inkjet head 151 so as to form a desired pattern. In that case, as shown in FIG. 8, it fills so that chip | tip ID6 with a thickness of 1 micrometer or more may be marked.

〔第２実施形態〕
第２実施形態では、第１実施形態と同様に、まずナノインプリント法により、複数の凹部を有するベース部材５ｂを形成し、次いでインクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｂにおける凹部にＩＤ材料６０を吐出してチップＩＤ６をマーキングする。 [Second Embodiment]
In the second embodiment, as in the first embodiment, first, the base member 5b having a plurality of recesses is formed by the nanoimprint method, and then the ID material 60 is discharged to the recesses in the base member 5b using the inkjet head 151. To mark chip ID6.

図９は第２実施形態で用いるベース部材形成装置２０の概略図、図１０は第２実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャートである。図９に示すように、ベース部材形成装置２０は、第１実施形態で用いるベース部材形成装置１０における石英型１２及びＵＶ光照射部１３に代えて、金属型１６を有する点が異なる。また、ベース部材原料塗布部１４で用いるベース部材原料５０ｂが、Ｘ線を透過しやすいＸ線可透過材であり且つ熱により硬化する性質を備える点が異なる。その他の構成は、第１実施形態で用いるベース部材形成装置１０における構成と同様である。 FIG. 9 is a schematic view of a base member forming apparatus 20 used in the second embodiment, and FIG. 10 is a flowchart showing a base member forming procedure in the second embodiment. As shown in FIG. 9, the base member forming apparatus 20 is different in that it has a metal mold 16 instead of the quartz mold 12 and the UV light irradiation unit 13 in the base member forming apparatus 10 used in the first embodiment. Moreover, the base member raw material 50b used in the base member raw material application unit 14 is an X-ray permeable material that easily transmits X-rays and has a property of being cured by heat. Other configurations are the same as those in the base member forming apparatus 10 used in the first embodiment.

金属型１６は、ステンレス鋼等の金属を材質とし、表面に複数の突部１６１を備える。これら突部１６１は、平面視配置形状が格子状となるように設けられ、それぞれの高さは１μｍ〜１００μｍ程度とされる。金属型１６は、内部にヒータ１６２を内蔵している。また、ウエハ１の表面に対向した配置とされると共にこの対向方向に上下駆動可能とされる。 The metal mold 16 is made of a metal such as stainless steel and includes a plurality of protrusions 161 on the surface. These protrusions 161 are provided so that the plan view arrangement shape is a lattice shape, and each height is set to about 1 μm to 100 μm. The metal mold 16 includes a heater 162 therein. Further, it is arranged to face the surface of the wafer 1 and can be driven up and down in this facing direction.

以上のように構成されたベース部材形成装置２０は、ベース部材形成工程Ｓ３ｂにおいて、次のようにしてベース部材５ｂを形成する。まず、塗布ノズル１４１の吐出口１４１Ｎとウエハ１の表面とを近接保持させた状態で塗布ノズル１４１の吐出口１４１Ｎからベース部材原料５０ｂを吐出させながら、塗布ノズル１４１とウエハ１とを相対移動させることで塗布を行う。その際、ウエハ１の表面に塗布されるベース部材原料５０ｂが厚さ１μｍ〜１００μｍ程度になるように行う（図１０のステップＳ３１ｂ）。 The base member forming apparatus 20 configured as described above forms the base member 5b in the base member forming step S3b as follows. First, the application nozzle 141 and the wafer 1 are relatively moved while discharging the base member material 50b from the discharge port 141N of the application nozzle 141 in a state where the discharge port 141N of the application nozzle 141 and the surface of the wafer 1 are held close to each other. To apply. At this time, the base member raw material 50b applied to the surface of the wafer 1 is performed to have a thickness of about 1 μm to 100 μm (step S31b in FIG. 10).

次いで、塗布されたベース部材原料５０ｂに向けて金属型１６を降下させ加圧する（ステップＳ３２ｂ）。これによりベース部材原料５０ｂの表面には、深さ１μｍ〜１００μｍ程度の複数の凹部（図示せず）が、平面視配置形状が格子状となるように形成される。次いで、ヒータ１６２を加熱する（ステップＳ３３ｂ）。これによりベース部材原料５０ｂが硬化し、上記凹部ｂを有するベース部材５ｂが完成する。その後、金属型１６を上昇させる（ステップＳ３４ｂ）。 Next, the metal mold 16 is lowered and pressurized toward the applied base member raw material 50b (step S32b). Accordingly, a plurality of recesses (not shown) having a depth of about 1 μm to 100 μm are formed on the surface of the base member raw material 50 b so that the arrangement shape in a plan view is a lattice shape. Next, the heater 162 is heated (step S33b). Thereby, the base member raw material 50b is cured, and the base member 5b having the concave portion b is completed. Thereafter, the metal mold 16 is raised (step S34b).

次に、ＩＤ材料塗布工程Ｓ８（図４参照）において、チップＩＤ６のマーキングは、次のようにして行う。インクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｂにおける凹部に、所望のパターンとなるようにＩＤ材料６０を選択的に充填する。その際、厚さ１μｍ以上のチップＩＤ６がマーキングされるように充填する。
〔第３実施形態〕 Next, in the ID material application step S8 (see FIG. 4), the marking of the chip ID 6 is performed as follows. The ID material 60 is selectively filled into the recesses in the base member 5b using the inkjet head 151 so as to form a desired pattern. In that case, it fills so that chip | tip ID6 with a thickness of 1 micrometer or more may be marked.
[Third Embodiment]

第３実施形態では、まずスクリーン印刷法により、複数の孔部を有するベース部材５ｃを形成し、次いでインクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｃにおける孔部にＩＤ材料６０を吐出してチップＩＤ６をマーキングする。 In the third embodiment, a base member 5c having a plurality of holes is first formed by screen printing, and then an ID material 60 is ejected into the holes in the base member 5c using an inkjet head 151 to mark the chip ID6. To do.

図１１は第３実施形態で用いるベース部材形成装置３０の概略図、図１２は第３実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャート、図１３は第３実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図、図１４は第３実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。 FIG. 11 is a schematic diagram of a base member forming apparatus 30 used in the third embodiment, FIG. 12 is a flowchart showing a base member forming procedure in the third embodiment, and FIG. 13 shows a base member forming procedure in the third embodiment. FIG. 14 is a schematic view showing a procedure for applying an ID material in the third embodiment.

図１１に示すように、ベース部材形成装置３０は、ウエハ保持ステージ１１、スクリーンマスク３１、スキージ３２及びベース部材原料塗布部１４などを備える。ウエハ保持ステージ１１及びベース部材原料塗布部１４は、第１または第２の実施形態のものと同様である。なお、ベース部材原料塗布部１４で用いるベース部材原料５０ｃは、Ｘ線を透過しやすいＸ線可透過材である。 As shown in FIG. 11, the base member forming apparatus 30 includes a wafer holding stage 11, a screen mask 31, a squeegee 32, a base member raw material application unit 14, and the like. The wafer holding stage 11 and the base member material application unit 14 are the same as those in the first or second embodiment. The base member raw material 50c used in the base member raw material application unit 14 is an X-ray permeable material that easily transmits X-rays.

スクリーンマスク３１は、厚さ１００μｍ程度以下のステンレス鋼等の金属を材質とし、表面に複数の開口３１１を備える。これら開口３１１は、平面視配置形状が格子状となるように形成される。スクリーンマスク３１は、ウエハ１の表面に対向した配置とされると共にこの対向方向に上下駆動可能とされる。スキージ３２は、スクリーンマスク３１の表面に対向した配置とされる。また、スクリーンマスク３１との対向方向に上下駆動可能とされると共にスクリーンマスク３１の表面に沿うＸ方向に水平駆動可能とされる。 The screen mask 31 is made of a metal such as stainless steel having a thickness of about 100 μm or less, and includes a plurality of openings 311 on the surface. These openings 311 are formed so that the arrangement in plan view is a lattice. The screen mask 31 is disposed to face the surface of the wafer 1 and can be driven up and down in the facing direction. The squeegee 32 is disposed so as to face the surface of the screen mask 31. Further, it can be driven up and down in the direction facing the screen mask 31 and can be driven horizontally in the X direction along the surface of the screen mask 31.

以上のように構成されたベース部材形成装置３０は、ベース部材形成工程Ｓ３ｃにおいて、次のようにしてベース部材５ｃを形成する。まず、図１３（Ａ）のように、スクリーンマスク３１をウエハ１の表面に向けて降下させ、スクリーンマスク３１とウエハ１の表面とが近接保持した状態にセットする（図１２のステップＳ３１ｃ）。次いで、スクリーンマスク３１の上に塗布ノズル１４１の吐出口１４１Ｎからベース部材原料５０ｃを供給する（ステップＳ３２ｃ）。次いで、スキージ３２をスクリーンマスク３１に押し付け、擦りつけながらＸ方向に移動させる（ステップＳ３３ｃ）。その後、スクリーンマスク３１及びスキージ３２を退避させる（ステップＳ３４ｃ）。これにより、図１３（Ｃ）のように、半導体チップ２の表面には深さ１μｍ〜１００μｍ程度の格子状の孔部を有したベース部材５ｃが形成される。 The base member forming apparatus 30 configured as described above forms the base member 5c as follows in the base member forming step S3c. First, as shown in FIG. 13A, the screen mask 31 is lowered toward the surface of the wafer 1 and set so that the screen mask 31 and the surface of the wafer 1 are held close to each other (step S31c in FIG. 12). Next, the base member material 50c is supplied onto the screen mask 31 from the discharge port 141N of the coating nozzle 141 (step S32c). Next, the squeegee 32 is pressed against the screen mask 31 and moved in the X direction while being rubbed (step S33c). Thereafter, the screen mask 31 and the squeegee 32 are retracted (step S34c). As a result, as shown in FIG. 13C, a base member 5c having a lattice-like hole having a depth of about 1 μm to 100 μm is formed on the surface of the semiconductor chip 2.

次に、ＩＤ材料塗布工程Ｓ８（図４参照）において、チップＩＤ６のマーキングは、次のようにして行う。インクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｃにおける孔部に、所望のパターンとなるようにＩＤ材料６０を選択的に充填する。その際、厚さ１μｍ以上のチップＩＤ６がマーキングされるように充填する。
〔第４実施形態〕 Next, in the ID material application step S8 (see FIG. 4), the marking of the chip ID 6 is performed as follows. The ID material 60 is selectively filled into the hole in the base member 5c using the inkjet head 151 so as to form a desired pattern. In that case, it fills so that chip | tip ID6 with a thickness of 1 micrometer or more may be marked.
[Fourth Embodiment]

第４実施形態では、まず、予めメッシュ形状とされたベース部材５ｄ（図１５（Ａ）参照）をウエハ１または半導体チップ２の表面に貼り付け（図１５（Ｂ）参照）、次いで、インクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｄにおける孔部にＩＤ材料６０を吐出してチップＩＤ６をマーキングする（図１６参照）。その際、図１６（Ａ）に示すように、厚さが１μｍ以上のチップＩＤ６がマーキングされるように吐出させる。ベース部材５ｄの貼り付けは、例えば、ベース部材５ｄを真空吸着する真空吸着手段と、ウエハ１の表面に接着剤を塗布する接着剤塗布手段と、真空吸着手段を上下方向及び水平方向に駆動する駆動手段などにより自動的に行う。
〔第５実施形態〕 In the fourth embodiment, first, a base member 5d (see FIG. 15A) having a mesh shape is attached to the surface of the wafer 1 or the semiconductor chip 2 (see FIG. 15B), and then an inkjet head. 151 is used to mark the chip ID6 by discharging the ID material 60 into the hole in the base member 5d (see FIG. 16). At that time, as shown in FIG. 16A, the discharge is performed so that the chip ID 6 having a thickness of 1 μm or more is marked. The base member 5d is attached by, for example, a vacuum suction unit that vacuum-sucks the base member 5d, an adhesive application unit that applies an adhesive to the surface of the wafer 1, and a vacuum suction unit that is driven vertically and horizontally. This is done automatically by driving means.
[Fifth Embodiment]

第５実施形態では、まず、ＩＤ材料６０が濡れ広がること無く且つ内部孔に浸透するような多孔質材からなるベース部材５ｅ（図１７（Ａ）参照）をウエハ１または半導体チップ２の表面に貼り付け（図１７（Ｂ）参照）、次いで、インクジェットヘッド１５１を用いてベース部材５ｅにＩＤ材料６０を吐出してチップＩＤ６をマーキングする（図１８参照）。その際、図１８（Ａ）に示すように、厚さ１μｍ以上のチップＩＤ６がマーキングされるように吐出させる。ベース部材５ｅの貼り付けは、例えば、ベース部材５ｅを真空吸着する真空吸着手段と、ウエハ１の表面に接着剤を塗布する接着剤塗布手段と、真空吸着手段を上下方向及び水平方向に駆動する駆動手段などにより自動的に行う。 In the fifth embodiment, first, a base member 5e (see FIG. 17A) made of a porous material that does not allow the ID material 60 to spread and penetrate into the internal holes is provided on the surface of the wafer 1 or the semiconductor chip 2. Next, the chip ID 6 is marked by discharging the ID material 60 onto the base member 5e using the inkjet head 151 (see FIG. 18). At that time, as shown in FIG. 18A, the discharge is performed so that the chip ID 6 having a thickness of 1 μm or more is marked. The base member 5e is attached by, for example, a vacuum suction unit that vacuum-sucks the base member 5e, an adhesive application unit that applies an adhesive to the surface of the wafer 1, and a vacuum suction unit that is driven vertically and horizontally. This is done automatically by driving means.

以上の５つの実施形態によると、ＩＤ材料６０の厚さが１μｍ以上確保されるようにマーキングを行うので、チップＩＤ６の読取り時に照射されるＸ線は、チップＩＤ６の形成領域で一部透過すること無くほぼ完全に遮蔽される。このため、読取り手段によるチップＩＤの読取りが正確にできるようになる。なお、これら各実施形態では、ＩＤ材料６０の厚みが１μｍ以上あればよく、ベース部材５や、ナノインプリントなどで用いる石英型１２や金属型１６の厚みは重要ではない。例えばベース部材５が薄くても、ベース部材５の凹部または孔部にＩＤ材料６０が塗布されることで表面張力で厚みが１μｍ以上あればよいことになる。また、逆にベース部材５がかなり厚くても、その凹部または孔部の中にＸ線で十分検出できる１μｍ以上のＩＤ材料の厚みが塗布できればよいことになる。 According to the above five embodiments, since the marking is performed so that the thickness of the ID material 60 is 1 μm or more, X-rays irradiated when reading the chip ID 6 are partially transmitted through the formation region of the chip ID 6. Almost completely shielded. For this reason, the chip ID can be accurately read by the reading means. In each of these embodiments, the ID material 60 may have a thickness of 1 μm or more, and the thickness of the base member 5, the quartz mold 12 or the metal mold 16 used in nanoimprinting is not important. For example, even if the base member 5 is thin, the ID material 60 is applied to the recess or hole of the base member 5 so that the thickness of the base member 5 is 1 μm or more due to surface tension. On the other hand, even if the base member 5 is considerably thick, it is sufficient that the ID material having a thickness of 1 μm or more that can be sufficiently detected by X-rays can be applied in the recess or hole.

また、ベース部材形成工程Ｓ３において、半導体チップ２の表面にＸ線可透過材であるベース部材原料５０によりベース部材５を形成し、ＩＤ材料塗布工程Ｓ８において、ベース部材５にＸ線難透過材であるＩＤ材料６０を用いてマーキングする。前者工程Ｓ３は、ナノインプリント技術を用いてベース部材５ａ，５ｂを形成する。或いは、スクリーン印刷等の印刷技術を用いてベース部材５ｃを形成する。或いは、予めメッシュ形状とされたメッシュ形状体を半導体チップ２の表面に設けることでベース部材５ｄを形成する。或いは、Ｘ線難透過材であるＩＤ材料６０が表面に濡れ広がること無く且つ内部孔に浸透するような多孔質材を半導体チップ２の表面に設けることでベース部材５ｅを形成するなど、様々な形態を用いることにより、ＩＤ材料６０の濡れ広がりを防ぐことができる。その結果、チップＩＤ６の形成領域と非形成領域とのコントラストの差を大きくすることができ、撮像カメラが捉えるＩＤ像が鮮明になり、チップＩＤ６の読取りが正確になる。 Further, in the base member forming step S3, the base member 5 is formed on the surface of the semiconductor chip 2 with the base member raw material 50 which is an X-ray permeable material, and in the ID material applying step S8, the base member 5 is made of the X-ray hardly transmissive material The ID material 60 is used for marking. In the former step S3, the base members 5a and 5b are formed using a nanoimprint technique. Alternatively, the base member 5c is formed using a printing technique such as screen printing. Alternatively, the base member 5d is formed by providing a mesh-shaped body having a mesh shape in advance on the surface of the semiconductor chip 2. Alternatively, the base material 5e is formed by providing a porous material on the surface of the semiconductor chip 2 so that the ID material 60 which is a hardly X-ray permeable material does not spread on the surface and penetrates into the internal holes. By using the form, wetting and spreading of the ID material 60 can be prevented. As a result, the difference in contrast between the formation area and the non-formation area of the chip ID 6 can be increased, the ID image captured by the imaging camera becomes clear, and the reading of the chip ID 6 becomes accurate.

また、チップＩＤ６の読取りは、半導体チップ２の一面側に配設されたＸ線照射源と、半導体チップ２の他面側に配設された撮像カメラとの間に、半導体チップ２を位置させた状態で、Ｘ線照射源から照射されたＸ線の透過光を撮像カメラが撮像することで行うことができるので、チップサイズの拡大化や、ＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上をさせること無く、且つ非破壊でトレーサビリティの向上を図ることができ、半導体チップ２の製造工程への迅速なフィードバックが可能になる。 Further, reading of the chip ID 6 is performed by positioning the semiconductor chip 2 between the X-ray irradiation source disposed on one surface side of the semiconductor chip 2 and the imaging camera disposed on the other surface side of the semiconductor chip 2. In this state, the imaging camera can capture the X-ray transmitted light emitted from the X-ray irradiation source, so that the chip size can be increased, the ID dots can be miniaturized, and the marking device can be improved in accuracy. Therefore, it is possible to improve traceability without causing breakage, and quick feedback to the manufacturing process of the semiconductor chip 2 becomes possible.

また、プローブテスト工程Ｓ４０は、ウエハ工程Ｓ１においてＩＤマーキング工程Ｓ３０の後段に設けられているため、プローブテストの結果によらず全ての半導体チップ２にチップＩＤ６をマーキングする。従って、不良品の発生率や不良品のレベルを正確に識別することができ、不良品の不具合の原因解析やその後の工程の検査結果との比較ができる。 Further, since the probe test step S40 is provided after the ID marking step S30 in the wafer step S1, the chip ID 6 is marked on all the semiconductor chips 2 regardless of the result of the probe test. Therefore, it is possible to accurately identify the occurrence rate of defective products and the level of defective products, and to analyze the cause of defects of defective products and compare with inspection results in subsequent processes.

以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, embodiment disclosed above is an illustration to the last, Comprising: The scope of the present invention is not limited to these embodiment. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

ＩＤマーキング工程を含むウエハ工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the wafer process including an ID marking process. ウエハの状態をＩＤマーキング工程前とＩＤマーキング工程後とで比較する平面図である。It is a top view which compares the state of a wafer before an ID marking process, and after an ID marking process. 半導体チップの状態をＩＤマーキング工程前とＩＤマーキング工程後とで比較する正面断面図である。It is front sectional drawing which compares the state of a semiconductor chip with an ID marking process before and after an ID marking process. ＩＤマーキング工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an ID marking process. 第１実施形態で用いるベース部材形成装置の概略図である。It is the schematic of the base member formation apparatus used in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of base member formation in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of base member formation in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of ID material application | coating in 1st Embodiment. 第２実施形態で用いるベース部材形成装置の概略図である。It is the schematic of the base member formation apparatus used in 2nd Embodiment. 第２実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of base member formation in 2nd Embodiment. 第３実施形態で用いるベース部材形成装置の概略図である。It is the schematic of the base member formation apparatus used in 3rd Embodiment. 第３実施形態におけるベース部材形成の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of base member formation in 3rd Embodiment. 第３実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of base member formation in 3rd Embodiment. 第３実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of ID material application | coating in 3rd Embodiment. 第４実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of base member formation in 4th Embodiment. 第４実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of ID material application | coating in 4th Embodiment. 第５実施形態におけるベース部材形成の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of base member formation in 5th Embodiment. 第５実施形態におけるＩＤ材料塗布の手順を示す概略図である。It is the schematic which shows the procedure of ID material application | coating in 5th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

２半導体チップ
５ベース部材
５ａベース部材
５ｂベース部材
５ｃベース部材
５ｄベース部材
５ｅベース部材
６チップＩＤ
１０ベース部材形成装置（ベース部材形成手段、ナノインプリント手段）
１５マーカ装置
２０ベース部材形成装置（ベース部材形成手段、ナノインプリント手段）
３０ベース部材形成装置（ベース部材形成手段、印刷手段）
５０ベース部材原料（Ｘ線可透過材）
６０ＩＤ材料（Ｘ線難透過材） 2 Semiconductor chip 5 Base member 5a Base member 5b Base member 5c Base member 5d Base member 5e Base member 6 Chip ID
10 Base member forming device (base member forming means, nanoimprint means)
15 Marker device 20 Base member forming device (base member forming means, nanoimprint means)
30 Base member forming apparatus (base member forming means, printing means)
50 Base material (X-ray transparent material)
60 ID material (X-ray transmission material)

Claims

インクジェット装置等のマーカ装置（１５）により、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材（６０）を用いて、半導体チップ（２）の表面に当該半導体チップ（２）に関する情報をコード化しチップＩＤ（６）としてマーキングするチップＩＤマーキング方法であって、
Ｘ線難透過材（６０）の厚さが１μｍ以上確保されるようにマーキングを行うチップＩＤマーキング方法であって、
まず、半導体チップ（２）の表面にＸ線可透過材（５０）によりベース部材（５）を形成し、次いで、ベース部材（５）にＸ線難透過材（６０）をＩＤ材料としてマーキングするチップＩＤマーキング方法。 Using a marker device (15) such as an ink jet device, the information on the semiconductor chip (2) is coded on the surface of the semiconductor chip (2) by using a hardly X-ray transmissive material (60) that hardly transmits X-rays, and a chip ID A chip ID marking method for marking as (6),
A chip ID marking method for performing marking so that the thickness of the X-ray hardly permeable material (60) is secured to 1 μm or more ,
First, the base member (5) is formed on the surface of the semiconductor chip (2) with the X-ray permeable material (50), and then the X-ray hardly transmissive material (60) is marked on the base member (5) as an ID material. Chip ID marking method.

ナノインプリント技術を用いてベース部材（５ａ，５ｂ）を形成する請求項１に記載のチップＩＤマーキング方法。 The chip ID marking method according to claim 1 , wherein the base member (5a, 5b) is formed using a nanoimprint technique .

スクリーン印刷等の印刷技術を用いてベース部材（５ｃ）を形成する請求項１に記載のチップＩＤマーキング方法。 The chip ID marking method according to claim 1, wherein the base member (5c) is formed using a printing technique such as screen printing .

予めメッシュ形状とされたメッシュ形状体を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｄ）を形成する請求項１に記載のチップＩＤマーキング方法。 The chip ID marking method according to claim 1 , wherein the base member (5d) is formed by providing a mesh-shaped body having a mesh shape in advance on the surface of the semiconductor chip (2) .

Ｘ線難透過材（６０）が表面に濡れ広がること無く且つ内部孔に浸透するような多孔質材を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｅ）を形成する請求項１に記載のチップＩＤマーキング方法。 The base member (5e) is formed by providing a porous material on the surface of the semiconductor chip (2) so that the X-ray hardly permeable material (60) does not spread over the surface and penetrates into the internal holes. The chip ID marking method as described.

インクジェット装置等のマーカ装置（１５）により、Ｘ線を透過しにくいＸ線難透過材（６０）を用いて、半導体チップ（２）の表面に当該半導体チップ（２）に関する情報をコード化しチップＩＤ（６）としてマーキングするチップＩＤマーキング装置であって、Using a marker device (15) such as an ink jet device, the information on the semiconductor chip (2) is coded on the surface of the semiconductor chip (2) by using a hardly X-ray transmissive material (60) that hardly transmits X-rays, and a chip ID A chip ID marking device for marking as (6),
Ｘ線難透過材（６０）の厚さが１μｍ以上確保されるようにマーキングを行うように構成されたことを特徴とするチップＩＤマーキング装置であって、A chip ID marking device configured to perform marking so that the thickness of the X-ray hardly permeable material (60) is secured to 1 μm or more,
半導体チップ（２）の表面にＸ線可透過材（５０）によりベース部材（５）を形成するベース部材形成手段（１０，２０，３０）と、Base member forming means (10, 20, 30) for forming a base member (5) with a X-ray transparent material (50) on the surface of the semiconductor chip (2);
ベース部材（５）にＸ線難透過材（６０）をＩＤ材料としてマーキングするマーカ装置（１５）とを備えるチップＩＤマーキング装置。A chip ID marking device comprising a marker device (15) for marking the base member (5) with an X-ray hardly permeable material (60) as an ID material.

ナノインプリント技術を用いてベース部材（５ａ，５ｂ）を形成するナノインプリント手段（１０，２０）を備える請求項６に記載のチップＩＤマーキング装置。The chip ID marking device according to claim 6, further comprising nanoimprint means (10, 20) for forming the base member (5a, 5b) using the nanoimprint technology.

スクリーン印刷等の印刷技術を用いてベース部材（５ｃ）を形成する印刷手段（３０）を備える請求項６に記載のチップＩＤマーキング装置。The chip ID marking device according to claim 6, further comprising printing means (30) for forming the base member (5c) using a printing technique such as screen printing.

予めメッシュ形状とされたメッシュ形状体を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｄ）を形成する手段を備える請求項６に記載のチップＩＤマーキング装置。The chip ID marking device according to claim 6, comprising means for forming a base member (5d) by providing a mesh-shaped body having a mesh shape in advance on the surface of the semiconductor chip (2).

Ｘ線難透過材（６０）が表面に濡れ広がること無く且つ内部孔に浸透するような多孔質材を半導体チップ（２）の表面に設けることでベース部材（５ｅ）を形成する手段を備える請求項６に記載のチップＩＤマーキング装置。A means for forming the base member (5e) by providing a porous material on the surface of the semiconductor chip (2) so that the X-ray hardly permeable material (60) does not spread on the surface and penetrates into the internal holes. Item 7. The chip ID marking device according to Item 6.

請求項１から請求項５のいずれかに記載のチップＩＤマーキング方法を用いてマーキングされた半導体チップ。A semiconductor chip marked using the chip ID marking method according to claim 1.

請求項６から請求項１０のいずれかに記載のチップＩＤマーキング装置を用いてマーキングされた半導体チップ。A semiconductor chip marked with the chip ID marking device according to claim 6.