JP5320842B2 - Substrate for liquid crystal device and method for manufacturing the same, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Substrate for liquid crystal device and method for manufacturing the same, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a liquid crystal device and a method for manufacturing the substrate for preventing chips generated during a rubbing process from entering a display area, and to provide an electro-optic apparatus and electronic equipment using the substrate. <P>SOLUTION: A counter substrate array 71 as a substrate for a liquid crystal device includes, on a mother substrate 81 as a substrate, a display area 10b subjected to an alignment process by rubbing, light-shielding films 23 and 53 segmenting pixels as well as segmenting a display area 10b, an interlayer insulating film 82 formed to cover the light-shielding films 23 and 53, a band-shaped projection 74 provided in a peripheral area outside the display area 10b to intersect the rubbing direction and extend along the display area, and an ITO film 83 as an electrode film provided so as to cover the surface where the band-shaped projection 74 is formed. The band-shaped projection 74 is formed to the height higher than the surface of the ITO film 83 in the display area 10b, so as to trap foreign substances generating during a rubbing process and to prevent foreign substances from entering other display area 10b. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、液晶装置の画質向上に好適な液晶装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器に関する。   The present invention relates to a substrate for a liquid crystal device suitable for improving the image quality of the liquid crystal device, a method for manufacturing the same, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

電気光学装置である液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置としては、各画素毎にＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等の非線形素子を設け、この非線形素子を介して信号電極と画素電極とを電気的に接続したアクティブ方式のものがある。   A liquid crystal device that is an electro-optical device is configured by sealing liquid crystal between two substrates such as a glass substrate and a quartz substrate. As a liquid crystal device, a non-linear element such as a TFT (Thin Film Transistor) or a TFD (Thin Film Diode) is provided for each pixel, and a signal electrode and a pixel electrode are electrically connected via the non-linear element. There is a connected active method.

アクティブ方式の液晶装置は、一方の基板に、上記非線形素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向する電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。   In an active liquid crystal device, the above nonlinear elements are arranged in a matrix on one substrate and an electrode facing the other substrate is arranged, and the optical characteristics of the liquid crystal layer sealed between the two substrates are used as image signals. By changing it accordingly, it is possible to display an image.

ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。   The TFT substrate on which the TFT is disposed and the counter substrate disposed to face the TFT substrate are manufactured separately. Both substrates are bonded together with high accuracy in the panel assembling process, and then liquid crystal is sealed therein.

パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。   In the panel assembly process, first, an alignment film is formed on the opposing surfaces of the TFT substrate and the counter substrate manufactured in each substrate process, that is, on the surface in contact with the liquid crystal layer of the counter substrate and the TFT substrate, and then the rubbing process. Is done. Next, a seal portion serving as an adhesive is formed on the edge of one substrate. The TFT substrate and the counter substrate are bonded together using a seal portion, and are cured by pressure bonding while performing alignment. A part of the seal part is provided with a notch, and the liquid crystal is sealed through the notch.

配向膜を形成してラビング処理を施すことで、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで塗布することにより形成される。液晶層に対向する両基板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。ラビング処理は、配向膜表面に細かい溝を形成して配向異方性の膜にするものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、液晶分子の配列を規定することができる。   By forming an alignment film and performing a rubbing treatment, the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied is determined. The alignment film is formed, for example, by applying polyimide with a thickness of about several tens of nanometers. By forming an alignment film on the surfaces of both substrates facing the liquid crystal layer, the liquid crystal molecules can be aligned along the substrate surface. In the rubbing process, fine grooves are formed on the surface of the alignment film to form an alignment anisotropic film, and the alignment of liquid crystal molecules can be defined by performing a rubbing process in a certain direction on the alignment film.

なお、生産性を考慮して、１枚のマザーガラス基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰り返して、複数のＴＦＴ基板用の各素子をマザーガラス基板上に同時に形成するアレイ製造が採用されることがある。   In consideration of productivity, there is an array manufacturing in which each element for a plurality of TFT substrates is simultaneously formed on the mother glass substrate by repeating the film formation and photolithography processes without dividing one mother glass substrate. May be adopted.

特開２００４−２４００５３号公報JP 2004-240053 A

ラビング処理では、ラビングローラを回転させながら基板表面を摺動させる。ラビング処理によって発生した異物、例えば配向膜などの削り滓は、ラビングローラの移動に従って移動して基板の外部に掃き出される。しかしながら、アレイ製造においては、各素子毎に段差が生じることから、この段差によって、ラビング処理時に発生する削り滓が隣接する素子上に残ることがある。   In the rubbing process, the substrate surface is slid while rotating the rubbing roller. Foreign matter generated by the rubbing process, for example, shavings such as an alignment film, moves along with the movement of the rubbing roller and is swept out of the substrate. However, in array manufacturing, a step is generated for each element, and this step may cause shavings generated during the rubbing process to remain on adjacent elements.

そこで、特許文献１においては、ＴＦＴアレイ基板上の周辺領域に突部を形成することによって、ラビング処理時に発生する削り滓の表示領域内の進入を阻止する技術が開示されている。   Therefore, Patent Document 1 discloses a technique for preventing the entry of shavings generated during the rubbing process into the display area by forming protrusions in the peripheral area on the TFT array substrate.

しかしながら、特許文献１では、アレイ製造された対向基板については何らの開示もなく、特許文献１の技術を用いたとしても、対向基板上にはラビングの削り滓が残ってしまう。この削り滓が有効表示領域内に進入した場合には、削り滓が付着した部分において液晶分子の配向が乱れ画質が劣化してしまうという問題点があった。   However, in Patent Document 1, there is no disclosure of the counter substrate manufactured in an array, and even if the technique of Patent Document 1 is used, rubbing shavings remain on the counter substrate. When the shavings enter the effective display area, there is a problem that the orientation of the liquid crystal molecules is disturbed in the portion where the shavings are attached and the image quality is deteriorated.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例の液晶装置用基板は、基板上の少なくとも表示領域に設けられた電極膜と、少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され、ラビングによって配向処理が施される配向膜と、前記表示領域の外側において、少なくともラビング方向に対して交差し、前記表示領域に沿って設けられ、前記表示領域における前記配向膜の膜厚よりも膜厚が大きい帯状の凸部とを具備し、前記電極膜及び前記配向膜は、それぞれ前記表示領域に設けられると共に、前記帯状の凸部を覆うように設けられていることを特徴とする。
Application Example 1 A substrate for a liquid crystal device according to this application example is formed such that an electrode film provided on at least a display region on the substrate and at least the display region cover the electrode film, and alignment treatment is performed by rubbing. An alignment film to be applied, and at least outside the display area, intersecting at least the rubbing direction, is provided along the display area, and has a strip-like shape having a thickness larger than the thickness of the alignment film in the display area The electrode film and the alignment film are each provided in the display region, and are provided so as to cover the belt-like convex part.

このような構成によれば、基板上の表示領域に沿って設けられた帯状の凸部の高さは、表示領域に設けられた電極膜の表面の高さよりも高いため障壁として機能し、ラビング時に表示領域の外部から表示領域に入り込む異物例えばラビングによる配向膜や基板の削り滓の進入を防止することができる。   According to such a configuration, the height of the belt-like convex portion provided along the display region on the substrate is higher than the height of the surface of the electrode film provided in the display region, so that it functions as a barrier and is rubbed. In some cases, it is possible to prevent foreign matter entering the display area from the outside of the display area, for example, the intrusion of an alignment film or a substrate shaving due to rubbing.

［適用例２］上記適用例の液晶装置用基板において、前記基板上における前記凸部の突出量は、前記電極膜の表面に対して、少なくとも前記表示領域を覆う配向膜の膜厚よりも大きくなるように設定されていることが好ましい。
ラビング時の配向膜の削り滓は、少なくとも配向膜の膜厚程度の大きさを有する。この構成によれば、帯状の凸部の突出量は、電極膜の表面に対して、少なくとも配向膜の膜厚よりも大きいので、配向膜の削り滓が再び表示領域に進入し、配向膜上に重なり合って付着することを防止することができる。すなわち、配向膜の再付着による液晶分子の配向の乱れを防止することができる。 Application Example 2 In the substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the protrusion amount of the convex portion on the substrate is larger than the thickness of the alignment film covering at least the display region with respect to the surface of the electrode film. It is preferable to set so as to be.
The shaving of the alignment film at the time of rubbing has a size at least about the thickness of the alignment film. According to this configuration, since the protrusion amount of the belt-shaped convex portion is at least larger than the thickness of the alignment film with respect to the surface of the electrode film, the shavings of the alignment film enter the display area again, and Can be prevented from overlapping and adhering. That is, the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules due to the reattachment of the alignment film can be prevented.

［適用例３］上記適用例の液晶装置用基板において、前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されていることを特徴とする。   Application Example 3 In the substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the substrate is a mother substrate, and the plurality of display regions are arranged in a matrix.

このような構成によれば、複数の表示領域間においてもラビング時の異物の進入と付着を防止することができる。   According to such a configuration, it is possible to prevent foreign matter from entering and adhering during rubbing even between a plurality of display areas.

［適用例４］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記マザー基板の外縁付近まで延在して設けられていることが好ましい。   Application Example 4 In the liquid crystal device substrate according to the application example described above, it is preferable that the belt-shaped convex portion is provided to extend to the vicinity of the outer edge of the mother substrate.

このような構成によれば、より広い範囲に亘って帯状の凸部が設けられているので、異物としてのラビングの削り滓が表示領域内に進入することを確実に防止することができる。   According to such a configuration, since the belt-like convex portion is provided over a wider range, it is possible to reliably prevent the rubbing shavings as foreign matter from entering the display area.

［適用例５］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記表示領域に沿って複数条設けられていることが好ましい。   Application Example 5 In the substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, it is preferable that a plurality of the strip-shaped convex portions are provided along the display area.

このような構成によれば、ラビング時に発生する異物は、複数条の凸部を乗り越えないと表示領域に進入できない。すなわち、異物の進入をより確実に阻止することができる。   According to such a configuration, the foreign matter generated at the time of rubbing cannot enter the display area unless it gets over a plurality of protrusions. That is, entry of foreign matter can be more reliably prevented.

［適用例６］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記電極膜と同じ材料からなるとしてもよい。
この構成によれば、帯状の凸部を形成するための新たな成膜工程を設けなくてもよい。 Application Example 6 In the substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the belt-shaped convex portion may be made of the same material as the electrode film.
According to this configuration, it is not necessary to provide a new film forming process for forming the belt-like convex portion.

［適用例７］上記適用例の液晶装置用基板において、前記電極膜は、前記表示領域と前記帯状の凸部とを覆うように設けられているとしてもよい。
この構成によれば、電極膜と同じ材料で構成された帯状の凸部を覆って電極膜が形成されるので、当該凸部における電極膜の密着性を高めることができる。
また、帯状の凸部を液晶装置内に収まるように設けた場合には、実質的に帯状の凸部における電極膜の膜厚が厚くなるため、電極膜の低抵抗化を図ることができる。 Application Example 7 In the liquid crystal device substrate of the application example described above, the electrode film may be provided so as to cover the display region and the belt-shaped convex portion.
According to this configuration, since the electrode film is formed so as to cover the belt-shaped convex portion made of the same material as the electrode film, the adhesion of the electrode film at the convex portion can be improved.
Further, in the case where the belt-like convex portions are provided so as to be accommodated in the liquid crystal device, the electrode film substantially increases in thickness in the belt-like convex portions, so that the resistance of the electrode film can be reduced.

［適用例８］本適用例の液晶装置用基板の製造方法は、基板上にラビングによって配向処理が施される表示領域を有する液晶装置用基板の製造方法であって、前記表示領域の外側に、少なくともラビング方向に対して交差すると共に、前記表示領域に沿って帯状の凸部を形成する凸部形成工程と、少なくとも前記表示領域に、電極膜を形成する電極膜形成工程と、少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され配向膜を形成する配向膜形成工程とを具備し、前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部は、前記表示領域における前記配向膜よりも膜厚が大きくなるように形成され、前記電極膜形成工程において、前記電極膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成され、前記配向膜形成工程において、前記配向膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成されることを特徴とする。

Application Example 8 A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to this application example is a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device having a display region that is subjected to alignment treatment by rubbing on the substrate, outside the display region. A step of forming a convex portion that intersects at least the rubbing direction and forms a belt-like convex portion along the display region; an electrode film formation step of forming an electrode film in at least the display region; and at least the display And an alignment film forming step of forming an alignment film so as to cover the electrode film in the region, wherein in the protrusion forming step, the belt-like protrusion is a film that is more film than the alignment film in the display region. It is formed so that the thickness increases in the electrode film forming step, the electrode film is formed in the display region, is formed so as to cover the strip-shaped protrusions, the alignment film formation step Stomach, the alignment layer is formed in the display area, characterized by being formed so as to cover the strip-shaped convex portions.

このような方法によれば、凸部形成工程では、表示領域に沿うと共に表示領域における電極膜の表面の高さよりも高くなるように帯状の凸部を形成する。したがって、形成された帯状の凸部は、ラビング時に表示領域への異物進入を阻む障壁になる。言い換えれば、ラビング時に異物が表示領域に進入し難い液晶装置用基板を製造することができる。   According to such a method, in the convex portion forming step, the strip-shaped convex portion is formed so as to be along the display region and higher than the height of the surface of the electrode film in the display region. Therefore, the formed belt-like convex portion becomes a barrier that prevents foreign matter from entering the display area during rubbing. In other words, it is possible to manufacture a liquid crystal device substrate in which foreign matter hardly enters the display area during rubbing.

［適用例９］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記基板上における前記帯状の凸部の突出量が、前記電極膜の表面に対して、少なくとも前記表示領域を覆う配向膜の膜厚よりも大きくなるように前記帯状の凸部を形成することが好ましい。
この方法によれば、帯状の凸部の突出量が、電極膜の表面に対して、少なくとも配向膜の膜厚よりも大きいので、ラビング時に配向膜の削り滓が再び表示領域に進入し、配向膜上に重なり合って付着することを防止することができる。すなわち、配向膜の再付着による液晶分子の配向の乱れを防止することができる。 [Application Example 9] In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, in the protrusion formation step, the protrusion amount of the belt-shaped protrusion on the substrate is at least the surface of the electrode film. It is preferable to form the band-shaped convex portion so as to be larger than the film thickness of the alignment film covering the display region.
According to this method, since the protrusion amount of the belt-like convex portion is at least larger than the thickness of the alignment film with respect to the surface of the electrode film, the shavings of the alignment film enter the display area again during rubbing, and the alignment It is possible to prevent the film from overlapping and adhering to the film. That is, the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules due to the reattachment of the alignment film can be prevented.

［適用例１０］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されており、前記凸部形成工程は、前記帯状の凸部を前記マザー基板の外縁付近まで延在して形成することを特徴とする。
この方法によれば、より広い範囲に亘って帯状の凸部が形成されるので、マザー基板の複数の表示領域間においてラビング時の異物進入を防ぐことが可能な液晶装置用基板を製造することができる。 Application Example 10 In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the substrate is a mother substrate, and the plurality of display regions are arranged in a matrix, and the projecting portion forming step includes: A belt-like convex portion is formed to extend to the vicinity of the outer edge of the mother substrate.
According to this method, since the belt-like convex portion is formed over a wider range, a liquid crystal device substrate capable of preventing entry of foreign matter during rubbing between a plurality of display areas of the mother substrate is manufactured. Can do.

［適用例１１］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記帯状の凸部を前記表示領域に沿って複数条形成することが好ましい。
この方法によれば、凸部形成工程では、異物進入障壁である帯状の凸部を複数条形成するので、ラビング時の異物進入をより確実に防ぐことが可能な液晶装置用基板を製造することができる。 Application Example 11 In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, it is preferable that the protrusion forming step forms a plurality of strip-shaped protrusions along the display area.
According to this method, since a plurality of strip-shaped convex portions, which are foreign matter entry barriers, are formed in the convex portion forming step, a liquid crystal device substrate capable of more reliably preventing foreign matter entry during rubbing is manufactured. Can do.

［適用例１２］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記電極膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、前記電極膜形成工程は、前記帯状の凸部を覆うように前記電極膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、帯状の凸部は表示領域における電極膜の表面の高さよりも高く形成される一方で、電極膜と同じ材料で形成されるので、相互の密着性が確保される。
また、帯状の凸部を液晶装置内に収容されるように形成した場合、帯状の凸部が形成された領域において、実質的に電極膜の膜厚が厚くなり、電極膜の低抵抗化を図ることができる。 [Application Example 12] In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the projecting portion forming step forms the belt-shaped projecting portion using the same material as the electrode film, and the electrode film forming step includes: It is preferable to form the electrode film so as to cover the belt-like convex portion.
According to this method, the belt-like convex portions are formed higher than the height of the surface of the electrode film in the display region, while being formed of the same material as the electrode film, mutual adhesion is ensured.
In addition, when the band-shaped convex portion is formed so as to be accommodated in the liquid crystal device, the thickness of the electrode film is substantially increased in the region where the band-shaped convex portion is formed, thereby reducing the resistance of the electrode film. Can be planned.

［適用例１３］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、少なくとも前記表示領域を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を備え、前記凸部形成工程は、前記絶縁膜形成工程の後に前記絶縁膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、前記電極膜形成工程は、前記凸部形成工程の後に前記絶縁膜上に前記電極膜を形成するとしてもよい。
この方法によれば、基板表面と絶縁膜との間に導電性の遮光膜などを形成したとしても、遮光膜と電極膜とが絶縁膜によって電気的に絶縁される。言い換えれば、電極膜の下層に別の機能を有する膜を配することが可能となる。
また、その表面が平坦となるように絶縁膜を形成すれば、別の機能を有する膜が絶縁膜下に配されていても、表面が平坦な電極膜を形成することができる。
すなわち、高機能な薄膜を有すると共に、ラビング時の異物が表示領域に進入して付着し難い液晶装置用基板を製造することができる。 Application Example 13 In the method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the application example described above, the method includes an insulating film forming step of forming an insulating film so as to cover at least the display region, and the projecting portion forming step includes Thereafter, the band-shaped convex portion may be formed using the same material as the insulating film, and the electrode film forming step may include forming the electrode film on the insulating film after the convex portion forming step.
According to this method, even if a conductive light shielding film or the like is formed between the substrate surface and the insulating film, the light shielding film and the electrode film are electrically insulated by the insulating film. In other words, it becomes possible to arrange a film having another function under the electrode film.
In addition, when the insulating film is formed so as to have a flat surface, an electrode film having a flat surface can be formed even if a film having another function is provided under the insulating film.
That is, it is possible to manufacture a substrate for a liquid crystal device that has a thin film with high function and is difficult to cause foreign matters at the time of rubbing to enter and adhere to the display region.

［適用例１４］本適用例の電気光学装置は、対向配置された第１及び第２の基板の間に電気光学物質を介在させて構成される電気光学装置であって、前記第１及び第２の基板の一方が上記適用例の液晶装置用基板によって構成されたことを特徴とする。   Application Example 14 An electro-optical device according to this application example is an electro-optical device configured by interposing an electro-optical material between a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other. One of the two substrates is constituted by the liquid crystal device substrate of the above application example.

このような構成によれば、上記適用例の液晶装置用基板を用いて電気光学装置を構成しているので、ラビング時の異物による表示不具合の少ない電気光学装置としての液晶装置を提供することができる。   According to such a configuration, since the electro-optical device is configured using the liquid crystal device substrate of the above application example, it is possible to provide a liquid crystal device as an electro-optical device with few display problems due to foreign matters during rubbing. it can.

［適用例１５］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を具備したことを特徴とする。   Application Example 15 An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.

このような構成によれば、異物に起因する表示不具合が少ない電気光学装置としての液晶装置を備えているので、高い表示品質を有する電子機器を提供することができる。   According to such a configuration, since the liquid crystal device as an electro-optical device with few display problems due to foreign matters is provided, an electronic apparatus having high display quality can be provided.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、説明に使用する図面は、各部を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、縮尺を異ならしめて図示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the drawings used for the description are illustrated with different scales in order to make each part recognizable on the drawings.

（第１の実施形態）
まず、本実施形態の液晶装置用基板を用いた電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は液晶装置の構成を示す概略正面図、図２は図１のＨ−Ｈ'線で切った断面図である。 (First embodiment)
First, a liquid crystal device as an electro-optical device using the substrate for a liquid crystal device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic front view showing the configuration of the liquid crystal device, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた第１の基板としてのＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた第２の基板としての対向基板２０との間に電気光学物質としての液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 of the present embodiment is disposed so as to face a TFT substrate 10 as a first substrate using, for example, a quartz substrate, a glass substrate, and a silicon substrate. For example, a liquid crystal 50 as an electro-optical material is sealed between a counter substrate 20 as a second substrate using a glass substrate or a quartz substrate. The TFT substrate 10 and the counter substrate 20 that are arranged to face each other are bonded together by a sealing material 52.

ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に電極膜としての対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上には、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。
一方、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。 On the TFT substrate 10, pixel electrodes (ITO) 9a constituting pixels are arranged in a matrix. A counter electrode (ITO) 21 as an electrode film is provided on the entire surface of the counter substrate 20. On the pixel electrode 9 a of the TFT substrate 10, an alignment film 16 that has been subjected to a rubbing process is provided.
On the other hand, an alignment film 22 subjected to a rubbing process is also provided on the counter electrode 21 formed over the entire surface of the counter substrate 20. The alignment films 16 and 22 are made of a transparent organic film such as a polyimide film, for example.

ＴＦＴ基板１０において画素が構成される画素領域の中央部分に有効表示領域（以下、単に表示領域ともいう）１０ａが設けられ、画素領域の周辺には無効表示領域が設けられる。無効表示領域及び画素領域以外の領域が非表示領域である。   An effective display area (hereinafter also simply referred to as a display area) 10a is provided at the center of the pixel area in which pixels are formed on the TFT substrate 10, and an invalid display area is provided around the pixel area. An area other than the invalid display area and the pixel area is a non-display area.

画素領域においては、図示しない複数本の走査線と複数本のデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線の各交差部分に対応してＴＦＴ（図示省略）が設けられ、このＴＦＴに画素電極９ａが電気的に接続される。   In the pixel area, a plurality of scanning lines (not shown) and a plurality of data lines are wired so as to intersect with each other, and pixel electrodes 9a are arranged in a matrix in an area partitioned by the scanning lines and the data lines. A TFT (not shown) is provided corresponding to each intersection of the scanning line and the data line, and the pixel electrode 9a is electrically connected to the TFT.

ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。   The TFT is turned on by the ON signal of the scanning line, whereby the image signal supplied to the data line is supplied to the pixel electrode 9a. A voltage between the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21 provided on the counter substrate 20 is applied to the liquid crystal 50.

ＴＦＴに光が入射することを防止するために、対向基板２０には、画素領域において、走査線及びデータ線の形成領域に対向する領域に遮光膜２３が格子状に形成されている。また、対向基板２０には有効表示領域１０ａを区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。   In order to prevent light from entering the TFT, a light shielding film 23 is formed on the counter substrate 20 in a grid pattern in the pixel region in a region facing the scan line and data line formation region. Further, the counter substrate 20 is provided with a light shielding film 53 as a frame for partitioning the effective display area 10a.

シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の一辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成される。貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口１０８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止するようになっている。   The sealing material 52 is missing in a part of one side of the TFT substrate 10, and a liquid crystal injection port 108 for injecting the liquid crystal 50 is formed. Liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port 108 into the gap between the bonded TFT substrate 10 and counter substrate 20. After the liquid crystal injection, the liquid crystal injection port 108 is sealed with a sealing material 109.

シール材５２の外側の領域には、データ線に画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線及び図示しないゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の三辺に対向して設けられている。   In the area outside the sealing material 52, a data line driving circuit 101 for driving the data line by supplying an image signal to the data line at a predetermined timing and an external connection terminal 102 for connection to an external circuit are TFTs. It is provided along one side of the substrate 10. A scanning line driving circuit 104 that drives the gate electrode by supplying scanning signals to the scanning line and a gate electrode (not shown) at a predetermined timing is provided along two sides adjacent to the one side. The scanning line driving circuit 104 is formed on the TFT substrate 10 at a position facing the light shielding film 53 inside the sealing material 52. Further, on the TFT substrate 10, a wiring 105 that connects the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the external connection terminal 102, and the vertical conduction terminal 107 is provided to face the three sides of the light shielding film 53. Yes.

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。   The vertical conduction terminals 107 are formed on the four TFT substrates 10 at the corners of the sealing material 52. Further, between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 disposed so as to face each other, a vertical conductive material 106 whose lower end is in contact with the vertical conductive terminal 107 and whose upper end is in contact with the counter electrode 21 is provided. By means of 106, electrical conduction is established between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20.

本実施形態は生産性に優れたアレイ製造方式によって対向基板２０を製造する場合に適用した例を示している。アレイ製造方式においては、１枚のマザー基板から複数の対向基板２０を切り出す。すなわち、製造時に投入したマザー基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰り返す。こうして、複数の対向基板用の各素子をマザー基板上に形成した液晶装置用基板としての対向基板アレイを得る。そして、対向基板アレイを分断することで、各対向基板２０を得る。   This embodiment shows an example applied when the counter substrate 20 is manufactured by an array manufacturing method having excellent productivity. In the array manufacturing method, a plurality of counter substrates 20 are cut out from one mother substrate. That is, the film formation and photolithography processes are repeated without dividing the mother substrate that is input at the time of manufacture. Thus, a counter substrate array is obtained as a substrate for a liquid crystal device in which a plurality of elements for the counter substrate are formed on the mother substrate. Then, each counter substrate 20 is obtained by dividing the counter substrate array.

本実施形態においては、後述するように、製造工程途中で、マザー基板上に凸部を形成するものである。この凸部は、対向基板アレイの分断後において、各対向基板２０に残る場合と残らない場合とがある。
なお、ＴＦＴ基板１０も同様にアレイ製造方式によって製造される。したがって、対向基板２０と同様な方法で凸部を形成しておくことが望ましい。 In the present embodiment, as will be described later, convex portions are formed on the mother substrate during the manufacturing process. This convex portion may or may not remain on each counter substrate 20 after the counter substrate array is divided.
The TFT substrate 10 is similarly manufactured by an array manufacturing method. Therefore, it is desirable to form the convex portion by the same method as the counter substrate 20.

図３は対向基板アレイを示す概略平面図である。対向基板２０は例えば図３に示すウェハ状の対向基板アレイ７１を分断することにより得られる。対向基板アレイ７１には複数の対向基板用の素子７２が形成されている。各素子７２は有効表示領域１０ａに相当する表示領域１０ｂに図３では図示を省略する遮光膜２３が形成されている。また、表示領域１０ｂを囲み平面的に規定する遮光膜５３も形成されている。なお、対向基板アレイ７１は、ウェハ状に限定されず、例えば四角形や多角形でもよい。   FIG. 3 is a schematic plan view showing the counter substrate array. The counter substrate 20 is obtained, for example, by dividing the wafer-like counter substrate array 71 shown in FIG. In the counter substrate array 71, a plurality of elements 72 for the counter substrate are formed. In each element 72, a light shielding film 23 (not shown in FIG. 3) is formed in a display area 10b corresponding to the effective display area 10a. Further, a light shielding film 53 that surrounds the display region 10b and defines in a planar manner is also formed. The counter substrate array 71 is not limited to a wafer shape, and may be, for example, a rectangle or a polygon.

図４は図３中の１つの素子７２の具体的な構成を示す概略平面図である。図４に示すように、各素子７２は、表示領域１０ｂを区画する遮光膜５３が形成されている。また、表示領域１０ｂ内には格子状に遮光膜２３が形成されている。また、表示領域１０ｂの外側領域の４カ所には、素子７２を切出して得られる対向基板２０をＴＦＴ基板１０に貼り合わせる場合のアライメント用に、アライメントマーク７５も形成されている。   FIG. 4 is a schematic plan view showing a specific configuration of one element 72 in FIG. As shown in FIG. 4, each element 72 is formed with a light shielding film 53 that partitions the display region 10 b. A light shielding film 23 is formed in a lattice pattern in the display area 10b. In addition, alignment marks 75 are also formed at four locations in the outer region of the display region 10b for alignment when the counter substrate 20 obtained by cutting out the element 72 is bonded to the TFT substrate 10.

本実施形態においては、対向基板アレイ７１上の各素子７２の表示領域１０ｂ以外の部分には、少なくとも一部において、帯状の凸部７４が形成されている。図４の例では、凸部７４は、表示領域１０ｂ以外の部分において、平面的には矩形状であり、表示領域１０ｂのラビング方向に直交する二辺に沿って表示領域１０ｂの範囲よりも広範囲に形成される。即ち、凸部７４は、少なくともラビング方向については、表示領域１０ｂへの異物の進入を阻止する障壁となるように形成される。   In the present embodiment, a belt-like convex portion 74 is formed at least in a part other than the display area 10 b of each element 72 on the counter substrate array 71. In the example of FIG. 4, the convex portion 74 has a rectangular shape in a plane other than the display region 10 b and is wider than the range of the display region 10 b along two sides orthogonal to the rubbing direction of the display region 10 b. Formed. That is, the convex portion 74 is formed to be a barrier that prevents foreign matter from entering the display region 10b at least in the rubbing direction.

また、図４の例では、凸部７４はラビング方向と同一方向に短辺を有しており、ラビング方向と同一方向に、複数条（３つ）の凸部７４が所定ピッチで並列して配設されている。   Further, in the example of FIG. 4, the convex portion 74 has a short side in the same direction as the rubbing direction, and a plurality of (three) convex portions 74 are arranged in parallel at a predetermined pitch in the same direction as the rubbing direction. It is arranged.

図５は図４のＡ−Ａ'線における各部材の構成を示す概略断面図である。また、図６は図５のＢ部を示す図、図７は図５のＣ部を示す図である。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of each member taken along line AA ′ of FIG. FIG. 6 is a view showing a portion B in FIG. 5, and FIG. 7 is a view showing a portion C in FIG.

図５及び図６に示すように、対向基板アレイ７１は、透明なガラスからなる基板としてのマザー基板８１を有し、マザー基板８１上に、遮光膜２３，５３がパターン形成されている。
遮光膜２３は、２層構造を有し、下層はＴｉＮ（チタンナイトライド）膜２３ａであり、上層はＡＬ（アルミニウム）膜２３ｂである。また、遮光膜５３も、下層がＴｉＮ膜、上層がＡＬ膜の２層構造である。
これらの遮光膜２３，５３を覆うように、層間絶縁膜８２が形成されている。層間絶縁膜８２は例えばＳｉＯ2膜である。層間絶縁膜８２上に凸部７４が形成され、凸部７４が形成された表面を覆うように透明電極であるＩＴＯ膜８３が形成されている。表示領域１０ｂにおけるＩＴＯ膜８３は、電極膜（対向電極２１）として機能する。 As shown in FIGS. 5 and 6, the counter substrate array 71 includes a mother substrate 81 as a substrate made of transparent glass, and the light shielding films 23 and 53 are patterned on the mother substrate 81.
The light shielding film 23 has a two-layer structure, the lower layer is a TiN (titanium nitride) film 23a, and the upper layer is an AL (aluminum) film 23b. The light shielding film 53 also has a two-layer structure in which the lower layer is a TiN film and the upper layer is an AL film.
An interlayer insulating film 82 is formed so as to cover these light shielding films 23 and 53. The interlayer insulating film 82 is, for example, a SiO 2 film. A convex portion 74 is formed on the interlayer insulating film 82, and an ITO film 83 which is a transparent electrode is formed so as to cover the surface on which the convex portion 74 is formed. The ITO film 83 in the display region 10b functions as an electrode film (counter electrode 21).

遮光膜２３，５３の膜厚は、例えば、ＴｉＮ膜が５０ｎｍ、ＡＬ膜が１００ｎｍで、合わせて１５０ｎｍ程度であり、ＩＴＯ膜８３の膜厚は約１４０ｎｍである。層間絶縁膜８２はＮＳＧ（Nondoped Silicate Glass）膜、ＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）膜等によって形成され、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が施されている。   The thicknesses of the light shielding films 23 and 53 are, for example, 50 nm for the TiN film and 100 nm for the AL film, about 150 nm in total, and the thickness of the ITO film 83 is about 140 nm. The interlayer insulating film 82 is formed of an NSG (Nondoped Silicate Glass) film, a TEOS (TetraEthOxySilane) film, or the like, and is subjected to a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process.

図５及び図７の例では層間絶縁膜８２上に、凸部７４が形成されている。凸部７４は、例えば透明導電材料であるＩＴＯ膜を用いて形成することができる。なお、ＩＴＯ膜８３を覆うように、配向膜２２が形成される。   In the example of FIGS. 5 and 7, a protrusion 74 is formed on the interlayer insulating film 82. The convex portion 74 can be formed using, for example, an ITO film that is a transparent conductive material. The alignment film 22 is formed so as to cover the ITO film 83.

本実施形態においては、凸部７４は、表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面よりも突出して形成されている。言い換えれば、凸部７４の高さは表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面の高さよりも高い。従って、一群の凸部７４の形成領域においては、凸部７４上の配向膜２２は、表示領域１０ｂ内の配向膜２２よりも突出することになる。   In the present embodiment, the convex portion 74 is formed so as to protrude from the surface of the ITO film 83 in the display region 10b. In other words, the height of the convex portion 74 is higher than the height of the surface of the ITO film 83 in the display region 10b. Accordingly, in the formation region of the group of convex portions 74, the alignment film 22 on the convex portions 74 protrudes more than the alignment film 22 in the display region 10b.

ゆえに、ラビング処理時に、画素の表示領域１０ｂにおいて発生する削り滓は、当該画素のラビング方向後端側に設けられた凸部７４においてトラップされて、当該画素に隣接する画素の表示領域１０ｂに進入することが防止される。すなわち、表示領域１０ｂ間において、ラビング処理時に発生する削り滓は、３つの凸部７４を越えて互の表示領域１０ｂに進入できない。
例えば、配向膜２２の膜厚が５０ｎｍであれば、凸部７４が表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面よりも５０ｎｍ以上高くなるように形成することが好ましい。すなわち、凸部７４の突出量がＩＴＯ膜８３の表面に対して配向膜２２の膜厚以上の大きさとなるように帯状の凸部７４を形成することにより、少なくとも配向膜２２の削り滓が表示領域１０ｂに進入することを防ぐことができる。 Therefore, shavings generated in the display area 10b of the pixel during the rubbing process are trapped by the convex portion 74 provided on the rear end side in the rubbing direction of the pixel and enter the display area 10b of the pixel adjacent to the pixel. Is prevented. That is, the shavings generated during the rubbing process between the display areas 10 b cannot enter the display areas 10 b beyond the three convex portions 74.
For example, if the thickness of the alignment film 22 is 50 nm, it is preferable that the convex portion 74 is formed to be 50 nm or more higher than the surface of the ITO film 83 in the display region 10b. That is, by forming the band-like convex portion 74 so that the protruding amount of the convex portion 74 is larger than the thickness of the alignment film 22 with respect to the surface of the ITO film 83, at least shavings of the alignment film 22 are displayed. The entry into the region 10b can be prevented.

また、本実施形態においては、凸部７４は所定の間隔で設けられている。例えば、図７に示すように、凸部７４の短辺方向の長さは１５〜２０μｍであり、高さは１００〜１４０ｎｍであり、凸部７４相互の間隔は１５〜２０μｍである。凸部７４がラビング方向に所定間隔で設けられているので、ラビング処理時に発生する削り滓は、凸部７４同士の間にトラップされやすく、削り滓が所定ピッチで配列された一群の凸部７４を超えて移動することを確実に防止することができる。
なお、凸部７４の寸法は、これに限定されるものではない。例えば、高さは、後に液晶装置１００内に収容されなければ、適宜設定が可能である。液晶装置１００内に収容する場合には、液晶５０の厚みを越えないように考慮して設定すればよい。 In the present embodiment, the convex portions 74 are provided at a predetermined interval. For example, as shown in FIG. 7, the length of the convex portions 74 in the short side direction is 15 to 20 μm, the height is 100 to 140 nm, and the interval between the convex portions 74 is 15 to 20 μm. Since the convex portions 74 are provided at a predetermined interval in the rubbing direction, the shavings generated during the rubbing process are easily trapped between the convex portions 74, and a group of convex portions 74 in which the shavings are arranged at a predetermined pitch. It is possible to reliably prevent movement beyond the range.
In addition, the dimension of the convex part 74 is not limited to this. For example, the height can be appropriately set if it is not accommodated in the liquid crystal device 100 later. When accommodated in the liquid crystal device 100, the thickness may be set so as not to exceed the thickness of the liquid crystal 50.

（製造プロセス）
図８及び図９は本実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャートである。図１０は液晶装置用基板の製造方法を示す概略断面図である。図８は対向基板アレイ７１のＩＴＯ膜８３の形成までの工程を示している。 (Manufacturing process)
8 and 9 are flowcharts showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to this embodiment. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device. FIG. 8 shows steps up to the formation of the ITO film 83 of the counter substrate array 71.

図８のステップＳ１において、マザー基板８１が投入される。投入されたマザー基板８１は、各種の薄膜が形成される表面をクリーニングする洗浄等の処理が施される。ステップＳ２では、遮光膜２３，５３の材料を形成する。例えば、ＴｉＮ及びＡＬ或いはＡＬのみをスパッタリングして、所定厚さに形成する。次にステップＳ３，Ｓ４において、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、形成したＴｉＮ及びＡＬを遮光膜２３，５３の形状にパターン形成する。次にステップＳ５において、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストを剥離する。   In step S1 of FIG. 8, the mother substrate 81 is loaded. The introduced mother substrate 81 is subjected to processing such as cleaning for cleaning the surface on which various thin films are formed. In step S2, the material of the light shielding films 23 and 53 is formed. For example, only TiN and AL or AL are sputtered to form a predetermined thickness. Next, in steps S3 and S4, a photolithography process and an etching process are performed, and the formed TiN and AL are patterned in the shape of the light shielding films 23 and 53. Next, in step S5, the resist formed in the photolithography process is removed.

次のステップＳ６では、層間絶縁膜８２の材料として例えばＮＳＧ膜を堆積させる。次にステップＳ７において、堆積したＮＳＧ膜を所定膜厚までＣＭＰにより研磨する。ステップＳ８では、凸部７４を形成する。最後に、ステップＳ９において、対向電極２１となるＩＴＯ膜８３をスパッタリングにより形成する。   In the next step S6, for example, an NSG film is deposited as a material of the interlayer insulating film 82. Next, in step S7, the deposited NSG film is polished to a predetermined thickness by CMP. In step S8, the convex portion 74 is formed. Finally, in step S9, an ITO film 83 to be the counter electrode 21 is formed by sputtering.

本実施形態においては、層間絶縁膜８２上に凸部７４を形成する。図９はこの凸部形成工程を示している。図９のステップＳ１１では、図１０（ａ）に示すように、凸部７４の材料となるＩＴＯ膜９１をスパッタリングによって形成する。次に、図９のステップＳ１２のフォトリソグラフィ工程において、全面にレジスト９２を形成し、凸部７４の平面形状に応じたマスクパターン９０ａを有するマスク９０を用いてレジスト９２を露光し、レジスト９２の露光部分を除去し、パターン化されたレジスト９３を得る（図１０（ｂ）参照）。   In the present embodiment, the convex portion 74 is formed on the interlayer insulating film 82. FIG. 9 shows this convex portion forming step. In step S11 of FIG. 9, as shown in FIG. 10A, an ITO film 91 serving as a material for the convex portions 74 is formed by sputtering. Next, in the photolithography process in step S12 of FIG. 9, a resist 92 is formed on the entire surface, and the resist 92 is exposed using the mask 90 having the mask pattern 90a corresponding to the planar shape of the convex portion 74. The exposed portion is removed to obtain a patterned resist 93 (see FIG. 10B).

次に、図９のステップＳ１３のエッチング工程において、図１０（ｃ）に示すように、レジスト９３をマスクにしてエッチングを行い、ＩＴＯ膜９１をパターニングして凸部７４を得る。最後に、図９のステップＳ１４において、図１０（ｄ）に示すように、レジスト９３を剥離液を用いて除去し、ＩＴＯ膜からなる凸部７４を形成する。   Next, in the etching process of step S13 in FIG. 9, as shown in FIG. 10C, etching is performed using the resist 93 as a mask, and the ITO film 91 is patterned to obtain the convex portions 74. Finally, in step S14 of FIG. 9, as shown in FIG. 10 (d), the resist 93 is removed using a stripping solution to form a convex portion 74 made of an ITO film.

このように、層間絶縁膜８２上に、ＩＴＯ膜をパターン形成することで凸部７４を形成している。さらに、凸部７４が形成された表面を覆うように対向電極２１となるＩＴＯ膜８３を成膜する。したがって、凸部７４を形成するための新たな材料を用いる成膜プロセスを必要とせず、対向基板アレイ７１上に形成する膜材料を利用して凸部７４を形成しており、製造設備並びに製造工程の増加を抑制することができる。   As described above, the convex portion 74 is formed on the interlayer insulating film 82 by patterning the ITO film. Further, an ITO film 83 to be the counter electrode 21 is formed so as to cover the surface on which the convex portions 74 are formed. Therefore, a film forming process using a new material for forming the convex portion 74 is not required, and the convex portion 74 is formed by using a film material formed on the counter substrate array 71. An increase in the number of steps can be suppressed.

このように本実施形態においては、表示領域１０ｂの周辺の少なくとも一部に、表示領域１０ｂのＩＴＯ膜８３の表面よりも突出した凸部７４を形成している。また、凸部７４の突出量が表示領域１０ｂのＩＴＯ膜８３の表面に対して配向膜２２の膜厚よりも大きくなるように帯状の凸部７４を形成している。これにより、複数の対向基板用の素子７２が配列されている対向基板アレイ７１に対してラビング処理を行う場合でも、帯状の凸部７４によってラビング時の削り滓が隣接する対向基板２０の表示領域１０ｂに進入することを防止することができる。これにより、削り滓が再付着して画質が劣化することを防止することができ、画質の向上を図ることができる。   Thus, in this embodiment, the convex part 74 which protruded from the surface of the ITO film | membrane 83 of the display area 10b is formed in at least one part of the periphery of the display area 10b. Further, the belt-like convex portion 74 is formed so that the protruding amount of the convex portion 74 is larger than the film thickness of the alignment film 22 with respect to the surface of the ITO film 83 in the display region 10b. Accordingly, even when the rubbing process is performed on the counter substrate array 71 in which a plurality of elements 72 for the counter substrate are arranged, the display region of the counter substrate 20 on which the shavings at the time of rubbing are adjacent by the band-shaped convex portions 74. It is possible to prevent entry into 10b. As a result, it is possible to prevent the shavings from reattaching and deteriorating the image quality, and to improve the image quality.

また、本実施形態においては、ラビング用部材が捲回されたラビングローラが表示領域１０ｂに進入する部分の全域近傍に帯状の凸部７４を形成しており、隣接する対向基板用の素子７２の削り滓が当該対向基板用の素子７２の表示領域１０ｂに進入することを確実に防止することができる。更に、帯状の凸部７４の側面は、ラビングローラの進行方向に対して直角に設けられており、削り滓の表示領域１０ｂ内への進入を効果的に阻止することができる。また更に、帯状の凸部７４は所定間隔で複数設けられており、削り滓の表示領域１０ｂ内への進入を一層効果的に阻止することができる。   Further, in the present embodiment, a belt-like convex portion 74 is formed in the vicinity of the entire area where the rubbing roller around which the rubbing member is wound enters the display area 10b, and the element 72 for the adjacent counter substrate is adjacent. It is possible to reliably prevent the shavings from entering the display area 10 b of the counter substrate element 72. Further, the side surface of the belt-like convex portion 74 is provided at a right angle to the traveling direction of the rubbing roller, and can effectively prevent the shaving rod from entering the display area 10b. Furthermore, a plurality of belt-like convex portions 74 are provided at a predetermined interval, and it is possible to more effectively prevent the shaving rod from entering the display area 10b.

また、本実施形態においては、ＩＴＯ膜を利用して帯状の凸部７４を形成している。ＩＴＯ膜は透明であるので、凸部７４を介して対向基板２０上のアライメントマーク７５を観察可能である。従って、アライメントマーク７５等の配置を考慮することなく凸部７４を形成することができ、設計の自由度が大きい。
さらには、ＩＴＯ膜からなる凸部７４を覆うように対向電極２１となるＩＴＯ膜８３が形成される。同じ材料を用いているので凸部７４とＩＴＯ膜８３との密着性を確保することができる。凸部７４を液晶装置１００内に収容する場合には、対向電極２１の低抵抗化を図ることができる。
なお、アライメントマーク７５上に凸部７４を形成する場合には、対向基板アレイ７１から分断された対向基板２０上には、凸部７４が残存することになる。 Further, in the present embodiment, the belt-like convex portion 74 is formed using an ITO film. Since the ITO film is transparent, the alignment mark 75 on the counter substrate 20 can be observed through the convex portion 74. Accordingly, the convex portions 74 can be formed without considering the arrangement of the alignment marks 75 and the like, and the degree of freedom in design is great.
Furthermore, an ITO film 83 to be the counter electrode 21 is formed so as to cover the convex portion 74 made of the ITO film. Since the same material is used, it is possible to ensure the adhesion between the projection 74 and the ITO film 83. When the convex portion 74 is accommodated in the liquid crystal device 100, the resistance of the counter electrode 21 can be reduced.
In the case where the convex portion 74 is formed on the alignment mark 75, the convex portion 74 remains on the counter substrate 20 separated from the counter substrate array 71.

また、表示領域１０ｂ近傍の凸部７４の配置及び形状は、第１の実施形態に限定されるものではなく、任意の位置、形状で凸部７４を構成することができる。例えば、凸部７４の数は１つ以上であればよく、平面形状も矩形でなくてもよい。また、均等なピッチで複数条の凸部７４を配置しなくてもよく、複数条の凸部７４の形状及び大きさは同一でなくてもよい。   Further, the arrangement and shape of the convex portions 74 in the vicinity of the display region 10b are not limited to those in the first embodiment, and the convex portions 74 can be configured at arbitrary positions and shapes. For example, the number of the convex parts 74 should just be one or more, and a planar shape may not be a rectangle. Further, the plurality of protrusions 74 may not be arranged at an equal pitch, and the shape and size of the plurality of protrusions 74 may not be the same.

（第２の実施形態）
図１１は第２の実施形態に係る液晶装置用基板の凸部形成方法を示すフローチャートである。本実施形態は凸部７４を層間絶縁膜８２と同一の酸化シリコン等によって形成する例である。 (Second Embodiment)
FIG. 11 is a flowchart showing a method for forming a convex portion of the substrate for a liquid crystal device according to the second embodiment. This embodiment is an example in which the convex portion 74 is formed of the same silicon oxide as the interlayer insulating film 82.

本実施形態においては、図８のステップＳ８の凸部形成工程において、図１１のステップＳ２１以降の処理を実施する。即ち、図１１のステップＳ２１においては、層間絶縁膜８２（図５及び図６参照）上に凸部７４となる層間絶縁膜８２と同一材料であるＮＳＧ膜を堆積させる。次に、図１１のステップＳ２２のフォトリソグラフィ工程において、全面にレジストを形成し、露光装置によって、凸部７４の平面形状に応じたマスクを用いてレジストを露光し、レジストの露光部分を除去し、パターン化されたレジストを得る。   In this embodiment, in the convex part formation process of step S8 of FIG. 8, the process after step S21 of FIG. 11 is implemented. That is, in step S21 of FIG. 11, an NSG film that is the same material as the interlayer insulating film 82 that becomes the convex portion 74 is deposited on the interlayer insulating film 82 (see FIGS. 5 and 6). Next, in the photolithography process of step S22 of FIG. 11, a resist is formed on the entire surface, and the resist is exposed using a mask corresponding to the planar shape of the convex portion 74 by an exposure apparatus, and the exposed portion of the resist is removed. To obtain a patterned resist.

次に、図１１のステップＳ２３のエッチング工程において、パターン化されたレジストをマスクにしてエッチングを行い、ＮＳＧ膜をパターニングして凸部７４を得る。最後に、図１１のステップＳ２４において、レジストを剥離液を用いて除去し、ＮＳＧ膜による凸部７４を形成する。ＳｉＯ2凸部形成工程の後、ＩＴＯ膜８３及び配向膜２２の形成工程を実施する。他の製造方法は第１の実施形態と同様である。 Next, in the etching process of step S23 in FIG. 11, etching is performed using the patterned resist as a mask, and the NSG film is patterned to obtain the convex portions 74. Finally, in step S24 of FIG. 11, the resist is removed using a stripping solution, and a convex portion 74 made of an NSG film is formed. After the SiO 2 protrusion forming step, the ITO film 83 and the alignment film 22 are formed. Other manufacturing methods are the same as those in the first embodiment.

本実施形態においては、帯状の凸部７４をＩＴＯ膜でなく層間絶縁膜８２と同じ材料を用いて形成した点が第１の実施形態と異なるのみであり、凸部７４の形状、サイズ、配置等は第１の実施形態と同様である。ＮＳＧ膜も透明性を有するため、その効果も第１の実施形態と同様な効果を奏する。すなわち、アライメントマーク７５上に凸部７４を形成しても視認することができる。   This embodiment is different from the first embodiment only in that the belt-like convex portions 74 are formed using the same material as the interlayer insulating film 82 instead of the ITO film. The shape, size, and arrangement of the convex portions 74 are different. Etc. are the same as in the first embodiment. Since the NSG film also has transparency, the effect is the same as that of the first embodiment. That is, even if the convex portion 74 is formed on the alignment mark 75, it can be visually recognized.

なお、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、帯状の凸部７４をＩＴＯ膜８３及び層間絶縁膜８２以外の他の膜を利用して形成してもよい。例えば、遮光膜５３が挙げられる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the belt-like convex portion 74 may be formed using a film other than the ITO film 83 and the interlayer insulating film 82. For example, the light shielding film 53 is mentioned.

（第３の実施形態）
次に、上記第１の実施形態または第２の実施形態の液晶装置用基板が用いられた電気光学装置を備えた電子機器について、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタを例に説明する。図１２は電子機器としてのプロジェクタの構成を示す概略図である。 (Third embodiment)
Next, an electronic apparatus including an electro-optical device using the liquid crystal device substrate according to the first embodiment or the second embodiment will be described using a projection display device, specifically, a projector as an example. . FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projector as an electronic apparatus.

同図に示すように、プロジェクタ１１００は、ＲＧＢ用のライトバルブとして、３つの電気光学装置としての液晶装置１００（１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'）を有している。   As shown in the figure, the projector 1100 includes three liquid crystal devices 100 (100R ′, 100G ′, 100B ′) as electro-optical devices as RGB light valves.

プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応する液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'に各々導かれる。   In the projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. The liquid crystal devices are divided into B and guided to the liquid crystal devices 100R ′, 100G ′, and 100B ′ corresponding to the respective colors.

この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。   At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path.

そして、液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'により各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。   The light components corresponding to the three primary colors modulated by the liquid crystal devices 100R ′, 100G ′, and 100B ′ are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114. The

本実施形態のプロジェクタ１１００によれば、ラビング処理時に発生する異物が表示領域１０ｂに進入することを防いだ液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'を搭載しているため、異物による表示不具合が低減され、見映えのよいカラー画像を投写することができる。   According to the projector 1100 of the present embodiment, since the liquid crystal devices 100R ′, 100G ′, and 100B ′ that prevent foreign matters generated during the rubbing process from entering the display area 10b are mounted, display defects due to foreign matters are reduced. Therefore, it is possible to project a color image that looks good.

上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。   Various modifications other than the above embodiment are conceivable. Hereinafter, a modification will be described.

（変形例１）上記第１の実施形態および第２の実施形態の対向基板アレイ７１において、帯状の凸部７４の配置は、これに限定されない。図１３は変形例の対向基板アレイを示す概略平面図である。例えば、図１３に示すように、マトリクス状の配置された対向基板用の各素子７２の間に、且つ対向基板アレイ７１の外縁付近まで延在するように凸部７４を設けても良い。これによれば、ラビング方向が多少斜めでも、あるいはバイアスを掛けてラビングを行う場合においても、広い領域に亘って凸部７４が設けられているので、表示領域１０ｂへの異物の進入を防止することができる。なお、図１３では、素子７２間に１本の帯状の凸部７４が形成されているが、上記実施形態にて説明したように、複数条形成しても良い。   (Modification 1) In the counter substrate array 71 of the first embodiment and the second embodiment, the arrangement of the belt-like convex portions 74 is not limited to this. FIG. 13 is a schematic plan view showing a counter substrate array according to a modification. For example, as shown in FIG. 13, convex portions 74 may be provided so as to extend between the respective elements 72 for the counter substrate arranged in a matrix and to the vicinity of the outer edge of the counter substrate array 71. According to this, even when the rubbing direction is slightly slanted or when rubbing is performed with a bias applied, the protrusion 74 is provided over a wide area, thus preventing foreign matter from entering the display area 10b. be able to. In FIG. 13, one band-like convex portion 74 is formed between the elements 72, but a plurality of strips may be formed as described in the above embodiment.

（変形例２）上記第１の実施形態および第２の実施形態における配向膜２２の形成状態は、これに限定されない。例えば、図３において、配向膜２２は、対向基板アレイ７１の表面全体に形成する必要はなく、少なくとも表示領域１０ｂを覆うように形成すればよい。そのような配向膜２２の形成方法としては、オフセット法に代表される印刷法や、配向膜形成材料を含む液状体をノズルから液滴として吐出する液滴吐出法などを採用することができる。   (Modification 2) The formation state of the alignment film 22 in the first embodiment and the second embodiment is not limited to this. For example, in FIG. 3, the alignment film 22 does not need to be formed on the entire surface of the counter substrate array 71, and may be formed so as to cover at least the display region 10b. As a method for forming such an alignment film 22, a printing method typified by an offset method, a droplet discharge method in which a liquid containing an alignment film forming material is discharged as a droplet from a nozzle, or the like can be employed.

（変形例３）上記第１の実施形態において電気光学装置としての液晶装置１００の構成は、これに限定されない。例えば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。   (Modification 3) The configuration of the liquid crystal device 100 as the electro-optical device in the first embodiment is not limited to this. For example, an active matrix type liquid crystal display module using an active element (active element) such as TFD (thin film diode) may be used.

また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。   The electro-optical device may be a display device that forms elements on a semiconductor substrate, for example, LCOS (Liquid Crystal On Silicon). In LCOS, a single crystal silicon substrate is used as an element substrate, and a transistor is formed on a single crystal silicon substrate as a switching element used for a pixel or a peripheral circuit. In addition, a reflective pixel electrode is used for the pixel, and each element of the pixel is formed below the pixel electrode.

（変形例４）上記第３の実施形態において、電気光学装置としての液晶装置１００を搭載する電子機器は、プロジェクタ１１００に限定されない。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ビューワーなどが挙げられる。   (Modification 4) In the third embodiment, the electronic apparatus on which the liquid crystal device 100 as an electro-optical device is mounted is not limited to the projector 1100. For example, a head mounted display, a viewer, etc. are mentioned.

液晶装置の構成を示す概略正面図。The schematic front view which shows the structure of a liquid crystal device. 図１のＨ−Ｈ'線で切った液晶装置の断面図。Sectional drawing of the liquid crystal device cut | disconnected by the HH 'line | wire of FIG. 対向基板アレイを示す概略平面図。The schematic plan view which shows a counter substrate array. 図３中の１つの素子の具体的な構成を示す概略平面図。FIG. 4 is a schematic plan view showing a specific configuration of one element in FIG. 3. 図４のＡ−Ａ'線における各部材の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of each member in the AA 'line of FIG. 図５のＢ部を示す図。The figure which shows the B section of FIG. 図５のＣ部を示す図。The figure which shows the C section of FIG. 第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャート。5 is a flowchart showing a method for manufacturing the substrate for a liquid crystal device according to the first embodiment. 第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャート。5 is a flowchart showing a method for manufacturing the substrate for a liquid crystal device according to the first embodiment. 第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示す概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the method for manufacturing the substrate for liquid crystal device according to the first embodiment. 第２の実施形態に係る液晶装置用基板の凸部形成方法を示すフローチャート。6 is a flowchart showing a method for forming a convex portion of a substrate for a liquid crystal device according to a second embodiment. 電子機器としてのプロジェクタの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the projector as an electronic device. 変形例の対向基板アレイの構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the counter substrate array of a modification.

符号の説明Explanation of symbols

１０…第１の基板としてのＴＦＴ基板、１０ｂ…表示領域、２０…第２の基板としての対向基板、２１…電極膜としての対向電極、２２…配向膜、２３，５３…遮光膜、５０…電気光学物質としての液晶、７１…液晶装置用基板としての対向基板アレイ、７４…凸部、８１…基板としてのマザー基板、１００…電気光学装置としての液晶装置、１１００…電子機器としてのプロジェクタ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT substrate as a first substrate, 10b ... Display region, 20 ... Counter substrate as a second substrate, 21 ... Counter electrode as an electrode film, 22 ... Alignment film, 23, 53 ... Light shielding film, 50 ... Liquid crystal as an electro-optical material, 71... Opposite substrate array as a substrate for a liquid crystal device, 74 .. Projection, 81... Mother board as a substrate, 100 ... Liquid crystal device as an electro-optical device, 1100.

Claims (12)

基板上の少なくとも表示領域に設けられた電極膜と、
少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され、ラビングによって配向処理が施される配向膜と、
前記表示領域の外側において、少なくともラビング方向に対して交差し、前記表示領域に沿って設けられ、前記表示領域における前記配向膜の膜厚よりも膜厚が大きい帯状の凸部とを具備し、
前記電極膜及び前記配向膜は、それぞれ前記表示領域に設けられると共に、前記帯状の凸部を覆うように設けられていることを特徴とする液晶装置用基板。 An electrode film provided at least in a display region on the substrate;
An alignment film that is formed so as to cover the electrode film at least in the display region and is subjected to an alignment treatment by rubbing;
Outside the display area, at least intersecting the rubbing direction, provided along the display area, and having a belt-like convex part having a film thickness larger than the film thickness of the alignment film in the display area,
The electrode film and the alignment film are each provided in the display region, and are provided so as to cover the belt-like projections. 前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置用基板。   The liquid crystal device substrate according to claim 1, wherein the substrate is a mother substrate, and the plurality of display regions are arranged in a matrix. 前記帯状の凸部は、前記マザー基板の外縁付近まで延在して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置用基板。   The substrate for a liquid crystal device according to claim 2, wherein the belt-like convex portion is provided to extend to the vicinity of an outer edge of the mother substrate. 前記帯状の凸部は、前記表示領域に沿って複数条設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。   4. The liquid crystal device substrate according to claim 1, wherein a plurality of strip-shaped convex portions are provided along the display region. 5. 前記帯状の凸部は、前記電極膜と同じ材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。   5. The substrate for a liquid crystal device according to claim 1, wherein the belt-like convex portion is made of the same material as the electrode film. 基板上にラビングによって配向処理が施される表示領域を有する液晶装置用基板の製造方法であって、
前記表示領域の外側に、少なくともラビング方向に対して交差すると共に、前記表示領域に沿って帯状の凸部を形成する凸部形成工程と、
少なくとも前記表示領域に、電極膜を形成する電極膜形成工程と、
少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され配向膜を形成する配向膜形成工程とを具備し、
前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部は、前記表示領域における前記配向膜よりも膜厚が大きくなるように形成され、
前記電極膜形成工程において、前記電極膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成され、
前記配向膜形成工程において、前記配向膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成されることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。 A method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device having a display region on which the alignment treatment is performed by rubbing,
A convex portion forming step that crosses at least the rubbing direction outside the display region and forms a belt-shaped convex portion along the display region;
An electrode film forming step of forming an electrode film in at least the display region;
An alignment film forming step of forming an alignment film so as to cover the electrode film at least in the display region;
In the projecting portion forming step, the strip-shaped projecting portion is formed to have a film thickness larger than the alignment film in the display region,
In the electrode film forming step, the electrode film is formed in the display region and is formed so as to cover the belt-shaped protrusion.
In the alignment film forming step, the alignment film is formed in the display region and is formed so as to cover the belt-shaped convex portion. 前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されており、
前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部を前記マザー基板の外縁付近まで延在して形成することを特徴とする請求項６に記載の液晶装置用基板の製造方法。 The substrate is a mother substrate, and a plurality of the display areas are arranged in a matrix,
The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to claim 6 , wherein, in the projecting portion forming step, the strip-shaped projecting portion is formed to extend to the vicinity of an outer edge of the mother substrate. 前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部を前記表示領域に沿って複数条形成することを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置用基板の製造方法。 In the convex portion forming step, the manufacturing method of the liquid crystal device substrate according to claim 6 or 7, characterized in that plural rows formed along the strip-shaped convex portion in the display area. 前記凸部形成工程においては、前記電極膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、
前記電極膜形成工程において、前記帯状の凸部を覆うように前記電極膜を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。 In the projecting portion forming step, the band-shaped projecting portion is formed using the same material as the electrode film,
In the electrode film forming step, the method of manufacturing the liquid crystal device substrate according to any one of claims 6 to 8, characterized by forming the electrode films to cover said strip-shaped protrusions. 少なくとも前記表示領域を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を備え、
前記凸部形成工程において、前記絶縁膜形成工程の後に前記絶縁膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、
前記電極膜形成工程において、前記凸部形成工程の後に前記絶縁膜上に前記電極膜を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。 Comprising an insulating film forming step of forming an insulating film so as to cover at least the display region;
In the convex portion forming step, the band-shaped convex portion is formed using the same material as the insulating film after the insulating film forming step,
In the electrode film forming step, the method of manufacturing the liquid crystal device substrate according to any one of claims 6 to 8, characterized by forming the electrode layer on the insulating film after the convex forming step . 対向配置された第１及び第２の基板の間に電気光学物質を介在させて構成される電気光学装置であって、
前記第１及び第２の基板の一方が請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置用基板を用いて構成されたことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device configured by interposing an electro-optical material between a first substrate and a second substrate arranged to face each other,
Electro-optical apparatus characterized by being constituted by using the liquid crystal device substrate of according to any one of one the claims 1 to 5 of the first and second board. 請求項１１に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11 .
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