JP5309622B2 - 表面処理剤 - Google Patents

Description

本発明は、潤滑剤等の表面処理剤に関する。

外部記憶装置としては、記録媒体層を有するハードディスクを高速回転させて記録・再生用素子（ヘッド）が作動する方式（ＣＳＳ方式）の外部記憶装置が一般的に用いられる。ハードディスクとしては、固定式磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等があり、最も普及しているハードディスクは固定式磁気ディスクである。

外部記憶装置を大容量化するには、記録媒体層の面記録密度を増加する必要がある。そのためには、ビットサイズを小さくするためにヘッドとハードディスクとの間隔を狭くする必要がある。それに伴いハードディスクの表面の平滑性を上げる必要がある。しかし、ハードディスクの表面の平滑性を上げると、ハードディスクの表面にヘッドが吸着しやすくなる。
また、高速応答性を得るために、ハードディスクの回転速度を上げる必要もある。しかし、回転速度を上げると、ハードディスクとヘッドとの接触確率、摩耗等が増加する。

該問題を解決するために、ハードディスクの表面に表面処理剤の１種である潤滑剤を塗布することが行われている。該潤滑剤としては、下記のものが知られている。
（１）末端に２つの水酸基を有するポリフルオロ化されたポリエーテル化合物（以下、ポリフルオロ化されたポリエーテル化合物をＰＦＰＥと記す。）。

しかし、（１）のＰＦＰＥは、ハードディスクの表面への定着性が低いため、ハードディスクの回転速度をさらに上げると、遠心力で潤滑剤がハードディスクの表面から移動、消失してしまう。該問題を解決するには、潤滑剤の塗布量を多くする方法が考えられる。
しかし、塗布量が多くなると、ハードディスクの表面の摺動抵抗が大きくなり、ハードディスクの表面へのヘッドの吸着力が増大して、ハードディスクがヘッドと接触し、破損する。

また、ハードディスクの表面への潤滑剤の塗布工程においては、ハードディスクの表面に潤滑剤を塗布した後、潤滑油の末端基を配向させる処理が行われる。該処理としては、紫外線照射処理または熱処理が知られている。紫外線照射処理は、工程所要時間が短い点で熱処理より有利である。
しかし、（１）のＰＦＰＥは、紫外線領域の波長に吸収を有さないため、（１）のＰＦＰＥのみを塗布した場合、紫外線照射処理を採用することができない。

該問題を解決する潤滑剤としては、下記のものが提案されている。
（２）末端に２つの水酸基を有するＰＦＰＥの水酸基の１つに、紫外線領域に吸収波長を有する基を結合させたＰＦＰＥ（特許文献１）。
しかし、（２）に分類されるＰＦＰＥでも、化学的安定性の低さ、塗布後の塗膜自己修復性能が低い問題は解決できていない。

特開２００２−２９３７８７号公報

本発明は、高い化学的安定性、塗膜自己修復性を有しながら、基材への定着性が高く、かつ基材への塗布工程において、紫外線照射による末端基の配向処理が可能な表面処理剤を提供する。

本発明の表面処理剤は、下式（Ａ）で表わされる化合物を含むことを特徴とする。
（Ｘ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ）。
ただし、Ｘは、下式（Ｘ）で表される基であり、Ｗは、下式（Ｗ）で表される基であり、Ｚは、下式（Ｚ）で表わされる基であり、Ｙは、（ｘ＋ｗ＋ｚ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、ｘは、１以上の整数であり、ｗは、０以上の整数であり、ｚは、０以上の整数であり、（ｘ＋ｗ＋ｚ）は、３〜５の整数である。
Ｕ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ａ−（ＣＨ_２）_ｂ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ）、
Ｒ^Ｗ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｄ−（ＣＨ_２）_ｅ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ）、
Ｒ^ＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ）。
ただし、Ｕは、下式（Ｕ１）で表される基、下式（Ｕ２１）で表される基、下式（Ｕ３１）で表される基、下式（Ｕ３２）で表される基、下式（Ｕ３３）で表される基、下式（Ｕ４１）で表される基、下式（Ｕ５１）で表される基のいずれかであり、ａは、０〜１００の整数であり、ｂは、０〜１００の整数であり、ｃは、１〜２００の整数であり、Ｒ^Ｗは、ＨＯ−であり、ｄは、０〜１００の整数であり、ｅは、０〜１００の整数であり、ｆは、１〜２００の整数であり、Ｒ^Ｆは、炭素数が１〜２０の直鎖のペルフルオロアルキル基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、ｇは、３〜２００の整数である。

Ｐｈ−Ｏ− ・・・（Ｕ２１）、
ＣＨ _２ ＝ＣＨ（ＣＨ _２ ） _ｎ ＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３１）、
ＨＯ（ＣＨ _２ ） _ｎ ＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３２）、
（ＨＯ（ＣＨ _２ ） _ｎ −） _２ ＮＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３３）、
Ｒ ^ｃ ＯＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ４１）、
ＣＨ _２ ＝ＣＨ（ＣＨ _２ ） _ｑ Ｏ− ・・・（Ｕ５１）。
ただし、Ｒは、水素原子、塩素原子、−ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _３ 、−ＮＨ _２ 、−ＯＰｈ、−ＯＣＨ _２ （ＣＦ _２ ） _ｐ Ｈまたは−ＯＣＨ _２ ＣＦ _２ ＣＦ _３ で表される基であり、Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニル基であり、ｐは、１〜８の整数であり、Ｒは、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよく、ｎは、１〜３の整数であり、Ｒ ^ｃ は、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数が１〜４のハロゲン化アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールオキシ基または置換アリールオキシ基であり、ｑは、１〜３の整数である。

式（Ａ）で表わされる化合物は、−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことが好ましい。
（ｘ＋ｗ＋ｚ）は、３または４であることが好ましい。
Ｙは、下式（Ｙ^３−１）で表される基〜下式（Ｙ^３−４）で表される基、下式（Ｙ^４−１）で表される基〜下式（Ｙ^４−５）で表される基、下式（Ｙ^５−１）で表される基のいずれかであることが好ましい。ただし、式（Ｙ^３−４）は、ペルフルオロシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を示す。

式（Ｘ）で表される基は、下式（Ｘ１）で表される基または下式（Ｘ２）で表される基であることが好ましい。
Ｕ^１−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ１）、
Ｕ^２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ２）。
ただし、Ｕ^１は、式（Ｕ１）で表される基、式（Ｕ２１）で表される基または式（Ｕ５１）で表される基であり、Ｕ^２は、式（Ｕ３１）で表される基、式（Ｕ３２）で表される基、式（Ｕ３３）で表される基、式（Ｕ４１）で表される基または式（Ｕ５１）で表される基であり、ｃは、１〜２００の整数である。

式（Ｗ）で表される基は、下式（Ｗ１）で表される基であることが好ましい。
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ１）。
ただし、ｆは、１〜２００の整数である。

式（Ｚ）で表される基は、下式（Ｚ１）で表される基であることが好ましい。
ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｍ−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１）。
ただし、ｍは、０〜１９の整数であり、ｇは、３〜２００の整数である。
本発明の表面処理剤は、溶媒を含むことが好ましい。

本発明の化合物は、下式（Ａ３−１）で表される化合物である。

ただし、ｃ１〜ｃ３は、それぞれ１〜２００の整数である。

本発明の化合物は、下式（Ａ４−１）で表される化合物である。

ただし、ｃ１〜ｃ３は、それぞれ１〜２００の整数である。

本発明の表面処理剤は、高い化学的安定性、塗膜自己修復性を有しながら、基材への定着性が高く、かつ基材への塗布工程において、紫外線照射による末端基の配向処理が可能である。

本明細書においては、式（Ａ）で表される化合物を化合物（Ａ）と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。
また、式（Ｘ）で表される基を基（Ｘ）と記す。他の式で表される基も同様に記す。

本発明の表面処理剤は、化合物（Ａ）を含む。
（Ｘ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ）。
化合物（Ａ）は、Ｙにｘ個のＸ、ｗ個のＷおよびｚ個のＺが結合した化合物である。ｘは１以上の整数であり、ｗは０以上の整数であり、ｚは０以上の整数であり、（ｘ＋ｗ＋ｚ）は３以上の整数である。すなわち、化合物（Ａ）は、Ｙで表される３価以上の基に、１個以上のＸが結合する。ＺおよびＷは任意に結合する基である。

Ｘは、基（Ｘ）である。
Ｕ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ａ−（ＣＨ_２）_ｂ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ）。

ａは、０〜１００の整数であり、０〜１０の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０または１が特に好ましい。
ｂは、０〜１００の整数であり、Ｕが結合末端に酸素原子を有する場合、１〜１０の整数が好ましく、１または２が特に好ましく、Ｕが結合末端にカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を有する場合、０が好ましい。
ｃは、１〜２００の整数であり、３〜１００の整数が好ましく、５〜５０の整数がより好ましい。

Ｕは、紫外線領域に吸収波長を有する１価の基である。
Ｕとしては、シクロホスファゼン環、ベンゼン環、アミド結合、エステル結合、およびビニル基から選ばれる１種以上の構造を有する基が好ましく、アミド結合を有する基が特に好ましい。

Ｕがシクロホスファゼン環を有する基である場合のＵとしては、基（Ｕ１）が挙げられる。

ただし、Ｒは、水素原子、塩素原子、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＮＨ_２、−ＯＰｈ、−ＯＣＨ_２（ＣＦ_２）_ｐＨまたは−ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_３で表される基であり、Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニル基であり、ｐは、１〜８の整数である。Ｒは、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよく、すべて同一であるのが好ましい。
基（Ｕ１）としては、基（Ｕ１１）が好ましい。

ただし、Ｒ^ｂは、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数が１〜４のアルコキシ基、炭素数が１〜４のハロゲン化アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールオキシ基または置換アリールオキシ基である。

Ｕがベンゼン環を有する基である場合のＵとしては、基（Ｕ２１）または基（Ｕ２２）が挙げられる。
Ｐｈ−Ｏ− ・・・（Ｕ２１）。
ただし、Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニル基である。

Ｕがアミド結合を有する基である場合のＵとしては、基（Ｕ３１）〜基（Ｕ３３）が挙げられる。なお、基（Ｕ３１）は、ビニル基を有する基にも含めうる。
ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３１）、
ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３２）、
（ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎ−）_２ＮＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３３）。
ただし、ｎは、１〜３の整数である。

Ｕがエステル結合を有する基である場合のＵとしては、基（Ｕ４１）が挙げられる。
Ｒ^ｃＯＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ４１）。
ただし、Ｒ^ｃは、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数が１〜４のハロゲン化アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールオキシ基または置換アリールオキシ基である。

Ｕがビニル基を有する基である場合のＵとしては、基（Ｕ５１）が挙げられる。
ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｑＯ− ・・・（Ｕ５１）。
ただし、ｑは１〜３の整数である。

基（Ｘ）としては、基（Ｘ１）または基（Ｘ２）が好ましい。
Ｕ^１−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ１）、
Ｕ^２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ２）。
ただし、Ｕ^１は、シクロホスファゼン環、ベンゼン環またはビニル基を有する１価の基であり、Ｕ^２は、アミド結合、エステル結合またはビニル基を有する１価の基である。
基（Ｘ）としては、化合物の入手のしやすさの点から、Ｕがアミド結合を有する基が好ましい。

Ｗは、基（Ｗ）である。
Ｒ^Ｗ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｄ−（ＣＨ_２）_ｅ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ）。

Ｒ^Ｗは、ＨＯ−、ＨＯＣ（Ｏ）−またはＲ^ａＯＣ（Ｏ）−である。
Ｒ^ａは、アルキル基であり、炭素数１〜６の低級アルキル基が好ましい。

ｄは、０〜１００の整数であり、０〜１０の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０または１が特に好ましい。
ｅは、０〜１００の整数であり、Ｒ^Ｗが−ＯＨである場合、１または２が好ましく、Ｒ^Ｗが−Ｃ（Ｏ）ＯＨまたは−Ｃ（Ｏ）ＯＲ^ａである場合、０が好ましい。
ｆは、１〜２００の整数であり、３〜１００の整数が好ましく、５〜５０の整数がより好ましい。

基（Ｗ）としては、基（Ｗ１）〜基（Ｗ３）が好ましい。
ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ１）、
ＨＯＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ２）、
Ｒ^ａＯＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ３）。

Ｚは、基（Ｚ）である。
Ｒ^ＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ）。

Ｒ^Ｆは、炭素数が１〜２０の直鎖のペルフルオロアルキル基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基である。
ｇは、３〜２００の整数であり、３〜１００の整数が好ましく、３〜７０の整数がより好ましく、５〜５０の整数が特に好ましい。

基（Ｚ）は、末端に−ＣＦ_３を有する基であり、摩擦係数の低下に寄与しうる基である。基（Ｚ）は、分子中における−ＣＦ_３の自由度が高くなる点から、ある程度の鎖長を有することが好ましい。
基（Ｚ）としては、基（Ｚ１）が好ましく、基（Ｚ１１）〜基（Ｚ１３）がより好ましい。
ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｍ−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１）、
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１１）、
ＣＦ_３（ＣＦ_２）_２−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１２）、
ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１３）。
ただし、ｍは、０〜１９の整数である。

ｘは、１以上の整数であり、１〜（ｘ＋ｗ＋ｚ）が好ましく、１〜３がより好ましい。
ｗは、０以上の整数であり、０〜１が好ましい。
ｚは、０以上の整数であり、０〜１が好ましい。
（ｘ＋ｗ＋ｚ）は、３または４が好ましい。すなわち、Ｙは、３価または４価の基が好ましい。

Ｙは、（ｘ＋ｗ＋ｚ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基である。Ｙは、−ＣＦ_３を有さないことが好ましい。Ｙが−ＣＦ_３を有する場合、−ＣＦ_３は４級炭素原子に結合することが好ましい。４級炭素原子とは、フッ素原子が結合していない炭素原子を意味する。
Ｙが、炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基である場合、エーテル性酸素原子の数は、１〜３が好ましい。エーテル性酸素原子は炭素−炭素原子間に存在することから、Ｘ、Ｚ、Ｗに結合するＹの末端にはエーテル性酸素原子は存在しない。

Ｙが３価の基である場合のＹとしては、基（Ｙ^３−１）〜基（Ｙ^３−４）が挙げられる。ただし、基（Ｙ^３−４）は、ペルフルオロシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を示す。

Ｙが４価の基である場合のＹとしては、基（Ｙ^４−１）〜基（Ｙ^４−５）が挙げられる。

Ｙが５価の基である場合のＹとしては、基（Ｙ^５−１）が挙げられる。

Ｙが３価の基である場合の化合物（Ａ）としては、化合物（Ａ^３−１）〜化合物（Ａ^３−４）が好ましく、化合物（Ａ^３−４）が特に好ましい。

Ｙが４価の基である場合の化合物（Ａ）としては、化合物（Ａ^４−１）〜化合物（Ａ^４−４）が好ましく、化合物（Ａ^４−４）が特に好ましい。

化合物（Ａ）は、化学的安定性の点から、−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことが好ましい。−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さない化合物とは、通常の分析手法（^１９Ｆ−ＮＭＲ等。）では該構造の存在が検出できない化合物を意味する。

化合物（Ａ）としては、化合物（Ａ３−１）または化合物（Ａ４−１）が好ましい。

ただし、ｃ１〜ｃ３は、それぞれ１〜２００の整数である。

化合物（Ａ）の数平均分子量（以下、Ｍｎと記す。）は、５００〜１０万が好ましく、１０００〜２万がより好ましい。
化合物（Ａ）の分子量分布（以下、Ｍｗ／Ｍｎと記す。）は、１．０〜１．５が好ましく、１．０〜１．２５がより好ましい。
ＭｎおよびＭｗ／Ｍｎが該範囲にあれば、粘度が低く、蒸発成分が少なく、溶媒に溶解した際の均一性に優れる。
Ｍｎは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（以下、ＧＰＣと記す。）により測定される。Ｍｗ／Ｍｎは、ＧＰＣにより測定されたＭｎおよびＭｗ（質量平均分子量）から求める。

化合物（Ａ）の製造方法としては、国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットに記載の方法により、化合物（Ａ１）または化合物（Ｂ１）を製造し、該化合物の末端を、公知の手法により変換することにより製造するのが好ましい。
（Ｒ^ｄＯＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ１）、
（ＨＯ−（ＣＨ_２）_ｂ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ｂ１）。
ただし、Ｒ^ｄは、低級アルキル基である。

化合物（Ａ１）および化合物（Ｂ１）を、国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットに記載の液相フッ素化反応を経る方法により製造する場合で、かつ液相フッ素化反応の条件が厳しい場合、分子の末端の切断反応が起こりやすい。よって、液相フッ素化反応において、液相に吹き込むガスに含まれるフッ素濃度は、５．０〜５０体積％が好ましく、１０〜３０体積％がより好ましい。

たとえば、化合物（Ａ）の製造方法としては、次の方法が例示できる。
（ｉ）Ｕが基（Ｕ３１）である化合物（Ａ４）は、化合物（Ａ１）に化合物（Ｕ３１Ｈ）を反応させることにより製造できる。ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ_２ ・・・（Ｕ３１Ｈ）、
（ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｎＮＨＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ４）。

（ｉｉ）Ｕが基（Ｕ３２）である化合物（Ａ３）は、化合物（Ａ１）に化合物（Ｕ３２Ｈ）を反応させることにより製造できる。ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎＮＨ_２ ・・・（Ｕ３２Ｈ）、
（ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎＮＨＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ３）。

（ｉｉｉ）Ｕが基（Ｕ３３）である化合物（Ａ５）は、化合物（Ａ１）に化合物（Ｕ３３Ｈ）を反応させることにより製造できる。ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
（ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎ−）_２ＮＨ ・・・（Ｕ３３Ｈ）、
（（ＨＯ（ＣＨ_２）_ｎ−）_２ＮＣ（Ｏ）−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ５）。

（ｉｖ）Ｕが基（Ｕ５１）である化合物（Ａ６）は、化合物（Ｂ１）に化合物（Ｕ５１Ｈ）を反応させることにより製造できる。ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｑＢｒ ・・・（Ｕ５１Ｈ）、
（ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_２）_ｑＯ−（ＣＨ_２）_ｂ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ６）。

（ｉ）〜（ｉｉｉ）の反応は、アミド化反応の手法を適用することにより実施できる。
該反応は室温程度で反応が完遂するため、極めて高収率で目的物を得ることができる。
化合物（Ａ）は、必要に応じて、精製されることが好ましい。精製方法としては、イオン吸着ポリマーによって金属不純物、陰イオン不純物等を除去する方法、超臨界抽出法、カラムクロマトグラフィ法が挙げられ、これらを組み合わせた方法が好ましい。

本発明の表面処理剤は、化合物（Ａ）を含む。該化合物（Ａ）は、１種であってもよく、２種以上の化合物の混合物であってもよい。
２種以上の化合物とは、Ｙの種類が異なる２種以上の化合物、またはＹが同一であってもＸ、ＷおよびＺの結合数（ｘ、ｗおよびｚ）がそれぞれ異なる２種以上の化合物を意味する。なお、Ｙが同一であり、ｘ、ｗおよびｚが同一であり、ａ〜ｇの数が同一または異なる化合物は、同一の化合物とする。

表面処理剤に含ませる化合物（Ａ）は、１種の化合物が好ましい。また該１種の化合物は、通常はａ〜ｇの数が異なる化合物からなり、ａ〜ｇの数は、モル平均値として表される。

本発明の表面処理剤は、他の化合物を含んでいてもよい。
他の化合物としては、化合物（Ａ）以外のＰＦＰＥ（以下、他のＰＦＰＥと記す。）が挙げられる。他のＰＦＰＥは、製造工程、塗布後の使用条件を考慮して適宜選択しうる。
他のＰＦＰＥとして末端に紫外線吸収基を有さないＰＦＰＥとしては、ソルベイ社製のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤｉＯＬ、Ｚ−ＴｅｔｒａＯＬ、ダイキン社製のＤＥＭＮＵＭ ＳＡが挙げられる。また、国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットに記載されるＰＦＰＥ等も好ましく用いうる。
他のＰＦＰＥとして末端に紫外線吸収基を有するＰＦＰＥとしては、ソルベイ社製のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＩＡＣ、Ｚ−ＤＥＡＬ、ＡＭ２００１、Ｚ−ＤＩＳＯＣ、ダイキン社製のＤＥＭＮＵＭ ＳＨ、ＳＰ、ＳＹ、松村石油社製のＭｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈが挙げられる。
他のＰＦＰＥを含ませる場合の化合物（Ａ）量は、化合物（Ａ）と他のＰＦＰＥとの総質量に対して、０．０１〜９９．９質量％が好ましく、０．５〜６０質量％が特に好ましく、１〜２５質量％がとりわけ好ましい。

本発明の表面処理剤は、溶媒を含む液状組成物として用いることが好ましい。
溶媒としては、ペルフルオロアミン類（ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等。）、ペルフルオロアルカン類（バートレルＸＦ（デュポン社製）等。）またはヒドロフルオロエーテル類（ＡＥ−３０００（旭硝子社製）等。）が好ましく、ヒドロフルオロエーテル類がより好ましい。溶媒は、塗布工程に適した沸点を有する溶媒から選択するのが好ましい。

液状組成物は、溶液、懸濁液または乳化液のいずれであってもよく、溶液が好ましい。
液状組成物中の化合物（Ａ）の濃度は、０．００１〜５０質量％が好ましく、０．０１〜２０質量％がより好ましい。

液状組成物は、本発明の表面処理剤および溶媒以外の成分（以下、他の成分と記す。）を含んでいてもよい。
他の成分としては、ラジカルスカベンジャー（たとえば、Ｘ−１ｐ（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製）等。）等が挙げられる。

液状組成物を潤滑剤として用いる場合、液状組成物は、金属イオン類、陰イオン類、水分、低分子極性化合物、可塑剤等を含まないことが好ましい。
金属イオン類（Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ等。）は、陰イオンと結合してルイス酸触媒を生じ、ＰＦＰＥの分解反応を促進する場合がある。
陰イオン類（Ｆ、Ｃｌ、ＮＯ_２、ＮＯ_３、ＰＯ_４、ＳＯ_４、Ｃ_２Ｏ_４等。）は、基材の表面を腐食させる場合がある。
液状組成物の含水率は、２０００ｐｐｍ以下が好ましい。

本発明の表面処理剤からなる薄膜は、液状組成物を基材の表面に塗布し、乾燥し、ついで紫外線または短波長紫外線を照射することによって形成される。

塗布方法としては、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法（浸漬法）、スピンコート法、水上キャスト法、ダイコート法、ラングミュア・プロジェット法、真空蒸着法等が挙げられ、薄膜の均一性、生産性の点から、浸漬法が好ましい。

紫外線の波長は、１８４ｎｍ、２５３ｎｍ、またはこれらの混合波長が好ましい。
照射時間は、１〜１２０秒が好ましく、３〜６０秒がより好ましく、５〜３０秒が特に好ましい。
紫外線照射後の基材を、付着物の除去、余剰の表面処理剤の除去を目的に、フッ素系溶媒に洗浄してもよい。

紫外線照射を行うことにより、基材の表面において化合物（Ａ）の末端基のＸを配向させることができ、基材の表面への化合物（Ａ）の吸着性を高めることができる。
また、化合物（Ａ）の末端基が配向した表面処理剤からなる薄膜は、高い撥水性および高い撥油性を有する。よって、基材表面から水分等が基材内部へ侵入することが防止されるために、基材の腐食や劣化が防止される。また、薄膜が形成した表面は低表面エネルギーとなり、摩擦係数が低くなる利点も有する。
紫外線照射後の薄膜の表面における水接触角（室温）は、７０°以上が好ましく、８０°以上がより好ましく、８５°以上が特に好ましい。

本発明の表面処理剤からなる薄膜は、透明であり、屈折率が低く、耐熱性もしくは耐薬品性に優れる。また、該薄膜は、高い潤滑性を保持し、かつ自己修復性をも有する。
該薄膜の厚さは、０．００１〜５０μｍが好ましい。

本発明の表面処理剤は、磁気ディスクのダイヤモンド状炭素保護膜（ＤＬＣ膜）上に潤滑性を付与するための潤滑剤として用いられる。
また、本発明の表面処理剤の他の用途としては、表面改質剤、界面活性剤、電線被覆材、撥インク剤（塗装用撥インク剤、印刷機器（インクジェット等。用撥インク剤等。）、半導体素子用接着剤（ＬＯＣ（リードオンチップ）テープ用接着剤等。）、半導体用保護コート（防湿コート剤、半田用這い上がり防止剤等。）、光学分野に用いる薄膜（ペリクル膜等。）への添加剤、ディスプレイ用反射防止膜の表面処理剤、レジスト用反射防止膜等が挙げられる。
本発明の表面処理剤を該用途に用いた場合、長期にわたり安定した性能を維持できる。

以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されない。実施例において、
テトラメチルシランをＴＭＳ、
ＣＣｌ_２ＦＣＣｌＦ_２をＲ−１１３、
ジクロロペンタフルオロプロパンをＲ−２２５、
ＣＣｌＦ_２ＣＣｌＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＣｌＦ_２をＣＦＥ−４１９、
ヘキサフルオロイソプロピルアルコールをＨＦＩＰ、
イソプロピルアルコールをＩＰＡと記す。

（ＮＭＲ分析）
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ）の基準物質としては、ＴＭＳを用いた。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ）の基準物質としては、ＣＦＣｌ_３を用いた。
溶媒としては、特に記載しない限り、Ｒ−１１３を用いた。

（ＧＰＣ分析）
特開２００１−２０８７３６号公報に記載の方法にしたがって、下記の条件にてＧＰＣによりＭｎおよびＭｗを測定し、Ｍｗ／Ｍｎを求めた。
移動相：Ｒ−２２５（旭硝子社製、アサヒクリンＡＫ−２２５ＳＥＣグレード１）とＨＦＩＰとの混合溶媒（Ｒ−２５５／ＨＦＩＰ＝９９／１体積比）、
分析カラム：ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｅカラム（ポリマーラボラトリーズ社製）を２本直列に連結したもの、
分子量測定用標準試料：Ｍｗ／Ｍｎが１．１未満であり、分子量が２０００〜１００００のペルフルオロポリエーテルの４種およびＭｗ／Ｍｎが１．１以上であり、分子量が１３００のペルフルオロポリエーテルの１種、
移動相流速：１．０ｍＬ／分、
カラム温度：３７℃、
検出器：蒸発光散乱検出器。

〔例１〕
国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットの実施例の例１に記載の方法と同様に、ポリオキシエチレングリセロールエーテル（日本油脂社製、ユニオックスＧ１２００）に、ＦＣ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３Ｆを反応させ、室温で液体の化合物（Ｃ１−１）を得た。ＮＭＲ分析の結果、化合物（Ｃ１−１）の（ｃ１＋ｃ２＋ｃ３）の平均値は２０．５であり、Ｒ^ｆは−ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ（ＣＦ_２）_３Ｆであった。ＧＰＣ分析の結果、化合物（Ｃ１−１）のＭｎは２６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１５であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：３．４〜３．８，４．５。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：−７６．０〜−８１．０，−８１．０〜−８２．０，−８２．０〜−８２．５，−８２．５〜−８５．０，−１２８．０〜−１２９．２，−１３１．１，−１４４．７。

〔例２〕
国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットの実施例の例２−１に記載の方法において、Ｒ−１１３をＣＦＥ−４１９に変更し、化合物（Ｄ３−１）を化合物（Ｃ１−１）に変更した以外は同様に液相フッ素化反応を行い、化合物（Ｃ１−１）の水素原子の９９．９モル％以上をフッ素原子に置換した。生成物は、化合物（Ｄ１−１）を主成分とする組成物（ｄ１−１）であった。化合物（Ｄ１−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：５．９〜６．４。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：−５４．０，−７７．５〜−８６．０，−８８．２〜−９２．０，−１２０．０〜−１３９．０，−１４２．０〜−１４６．０。

〔例３〕
国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットの実施例の例３に記載の方法において、化合物（Ｄ５−１）を組成物（ｄ１−１）に変更した以外は同様に熱分解反応を行い、化合物（Ｄ１−１）のエステル基の９９．９モル％以上を熱分解して酸フルオリド基（−ＣＯＦ）に誘導した。生成物は、化合物（Ｅ１−１）を主成分とする組成物（ｅ１−１）であった。化合物（Ｅ１−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：５．９〜６．４。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：１２．７，−５４．０，−７８．１，−８８．２〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。

〔例４〕
国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットの実施例の例４−１に記載の方法において、化合物（Ｄ５−１）を組成物（ｅ１−１）に変更し、メタノールをエタノールに変更した以外は同様にして、化合物（Ｅ１−１）中の酸フルオリド基の９９．９モル％以上をエチルエステル基に誘導した。生成物は、化合物（Ａ１−１）を主成分とする組成物（ａ１−１）であった。ＧＰＣ分析の結果、化合物（Ａ１−１）のＭｎは２８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１４であった。また、化合物（Ａ１−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：１．３３，４．２７。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：−５４．０，−７８．３，−８８．２〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。

〔例５〕
スターラーチップを投入した２００ｍＬの丸底フラスコを充分に窒素置換した。組成物（ａ１−１）の２０．０ｇ、Ｒ−２２５の２０ｇ、メタノールの２０ｇを入れ、５０℃に昇温して激しく撹拌した。１時間後、丸底フラスコの上部に設置した滴下漏斗より０．２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液の０．１Ｌを０．５時間かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、５０℃で６時間撹拌を継続して室温まで冷却した。

０．０５Ｎ塩化水素水溶液の０．１Ｌに粗液をクエンチし、分液漏斗に移液した。有機相を回収して、０．０５Ｎ塩化水素水溶液の０．１Ｌで水洗する操作を４回実施した後、分液した有機相をエバポレーターで濃縮して、室温で無色液体である組成物（ａ２−１）の１７．５ｇを得た。化合物（Ａ１−１）のエチルエステル基の９９．９モル％以上がカルボキシル基にケン化された。組成物（ａ２−１）は化合物（Ａ２−１）が主成分であった。ＧＰＣ分析の結果、化合物（Ａ２−１）のＭｎは２５００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１９であった。また、化合物（Ａ２−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：１０．４。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：−５４．０，−７７．４，−８８．２〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。

〔例６〕
スターラーチップを投入した１００ｍＬの丸底フラスコを充分に窒素置換する。組成物（ａ１−１）の２０．０ｇ、Ｒ−２２５の２０ｇを入れ、激しく撹拌する。１時間後、丸底フラスコの上部に設置した滴下漏斗より化合物（Ｕ３２Ｈ−１）の１．５ｇとＲ−２２５の２０ｇの混合物を０．５時間かけてゆっくりと滴下する。滴下終了後、５０℃に昇温して６時間撹拌を継続して室温まで冷却する。
ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２ ・・・（Ｕ３２Ｈ−１）。

粗液をエバポレーターで濃縮し、残渣をｎ−ヘキサンの０．１Ｌで２回洗浄して、室温で無色液体である組成物（ａ３−１）の１８．５ｇを得る。化合物（Ａ１−１）の−Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_２ＣＨ_３の９９モル％以上が−Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨに誘導化されている。組成物（ａ３−１）の主成分は化合物（Ａ３−１）である。化合物（Ａ３−１）のＭｎは３０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１７である。また、化合物（Ａ３−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認する。

〔例７〕
スターラーチップを投入した１００ｍＬの丸底フラスコを充分に窒素置換した。組成物（ａ１−１）の２０．０ｇ、Ｒ−２２５の２０ｇを入れ、激しく撹拌した。１時間後、丸底フラスコの上部に設置した滴下漏斗より化合物（Ｕ３１Ｈ−１）の１．５ｇとＲ−２２５の２０ｇの混合物を０．５時間かけてゆっくりと滴下した。滴下終了後、５０℃に昇温して６時間撹拌を継続して室温まで冷却した。
ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＮＨ_２ ・・・（Ｕ３１Ｈ−１）。

粗液をエバポレーターで濃縮し、残渣をｎ−ヘキサンの０．１Ｌで２回洗浄して室温で無色液体である組成物（ａ４−１）の１８．８ｇを得た。化合物（Ａ１−１）の−Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_２ＣＨ_３の９９．９モル％以上が−Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２に誘導された。組成物（ａ４−１）は化合物（Ａ４−１）が主成分であった。ＧＰＣ分析の結果、化合物（Ａ４−１）のＭｎは２９００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１４であった。また、化合物（Ａ４−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：７．０９，５．９２，５．３８〜５．２０，３．７２。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：−５４．０，−７７．６，−８８．２〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。

〔例８〕
国際公開第２００５／０６８５３４号パンフレットの実施例の例５に記載の方法において、化合物（Ｄ７−１）を組成物（ａ１−１）に変更した以外は同様にして、組成物（ｂ１−１）を得た。化合物（Ａ１−１）のエチルエステル基の９９．９モル％以上が還元された。組成物（ｂ１−１）は化合物（Ｂ１−１）を主成分であった。ＧＰＣ分析の結果、化合物（Ｂ１−１）のＭｎは２９００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．１３であった。また、化合物（Ｂ１−１）が−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さないことを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：３．９４。
^１９Ｆ−ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：−５４．０，−８０．１，−８８．２〜−９０．５，−１３５．０〜−１３９．０。

〔例９〕
例４〜８で得た組成物は、Ｃ−Ｃ結合の開裂で生じた低極性成分を含む。よって、例４〜８で得た組成物を、下記のカラムクロマトグラフィ法により精製した。
粒状シリカゲル（エスアイテック社製、ＭＳ−Ｇｅｌ Ｄ７５−１２０Ａ）をＲ−２２５で希釈したものを、直径１５０ｍｍ、長さ５００ｍｍのカラムに充填し、高さ１００ｍｍのシリカゲル充填相を形成した。
例４〜８で得た組成物をシリカゲル充填相に投入した後、抽出溶媒としてＲ−２２５のみを流通して組成物中の低極性成分を溶出させる。ついで、抽出溶媒（Ｒ−２２５とＨＦＩＰまたはＩＰＡとの混合溶媒）を用い、抽出溶媒中のＨＦＩＰまたはＩＰＡの濃度を末端基の極性に応じて１０〜１００％へと徐々に高めながら目的物を溶出させた。

〔例１０〕
〔例１０−１〕
精製後の組成物（ａ１−１）〜組成物（ａ４−１）のそれぞれと、精製後の組成物（ｂ１−１）とを、主成分の化合物の量比換算で１／１質量比で混合し、溶媒（Ｄｕｐｏｎｔ社製、Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ）で０．０１質量％に希釈して、４種の液状組成物を調製する。

〔例１０−２〕
精製後の組成物（ａ１−１）〜組成物（ａ４−１）と、精製後の組成物（ｂ１−１）とを、主成分の化合物の量比換算で１／１００質量比で混合すること以外は例１０−１と同様にして４種の液状組成物を調製した。

〔例１１〕
カーボンをターゲットとして用い、Ａｒ雰囲気中で高周波マグネトロンスパッタにより、磁気ディスク用ガラスブランクス（旭硝子社製、２．５”ブランクス）にＤＬＣを蒸着させてＤＬＣ膜を製膜し、模擬ディスクを作製した。Ａｒのガス圧は、０．００３Ｔｏｒｒであり、スパッタ中の投入電力密度は、ターゲット面積あたり３Ｗ／ｃｍ^２である。ＤＬＣ膜の厚さは、３０ｎｍとした。ＤＬＣ膜の表面の水接触角は４０度であった。

〔例１１−１〕
例１０−１で得た液状組成物に模擬ディスクを３０秒間浸漬し、６ｍｍ／秒の一定速度で引き上げる。紫外線照射装置（ＵＶＰ社製、ＵＶクロスリンカー ＣＸ−２０００）を用い、液状組成物が塗布された模擬ディスクに紫外線を照射し、薄膜を形成する。紫外線の波長は、１８４ｎｍ、２５３ｎｍの混合波長であり、照射時間は１５秒とする。

紫外線照射処理で得たディスクを溶媒（Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ）に３０秒浸漬して洗浄する。洗浄の前後において薄膜の厚さをエリプソメーターにて測定する。定着性は、洗浄前の厚さに対する洗浄後の厚さを百分率で表す。定着性は７０％以上である。
紫外線照射処理で得たディスクの薄膜の表面における水接触角およびヘキサデカン接触角は８０゜以上である。
紫外線照射処理で得たディスクの薄膜の表面の摩擦係数は、薄膜形成前に比べ小さくなる。

〔例１１−２〕
例１０−２で得た４種の液状組成物、および組成物（ｂ１−１）（比較例）をＶｅｒｔｒｅｌ−ＸＦで０．０１質量％に希釈した液状組成物（ｂ１−１）について例１１−１と同様にディスクを作製し、紫外線処理前、紫外線照射後の定着率およびヘキサデカン接触角を測定した。結果を表１に示す。
さらに、液状組成物（ｂ１−１）が処理された別のディスクを、恒温炉にて１００℃で１時間熱処理した後に、同様の評価を行った結果、定着率は７５％であり、ヘキサデカン接触角は７２度であった。

本発明の表面処理剤は、記録媒体（ハードディスク、８ミリビデオテープレコーダー用メタル蒸着テープ、デジタルビデオカセット用メタル蒸着テープ等。）等の表面に潤滑性を付与する潤滑剤として有用である。

Claims (10)

1. 下式（Ａ）で表わされる化合物を含む、表面処理剤。
   （Ｘ−）_ｘ（Ｗ−）_ｗ（Ｚ−）_ｚＹ ・・・（Ａ）。
   ただし、Ｘは、下式（Ｘ）で表される基であり、
   Ｗは、下式（Ｗ）で表される基であり、
   Ｚは、下式（Ｚ）で表わされる基であり、
   Ｙは、（ｘ＋ｗ＋ｚ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、
   ｘは、１以上の整数であり、
   ｗは、０以上の整数であり、
   ｚは、０以上の整数であり、
   （ｘ＋ｗ＋ｚ）は、３〜５の整数である。
   Ｕ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ａ−（ＣＨ_２）_ｂ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ）、
   Ｒ^Ｗ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｄ−（ＣＨ_２）_ｅ−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ）、
   Ｒ^ＦＯ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ）。
   ただし、Ｕは、下式（Ｕ１）で表される基、下式（Ｕ２１）で表される基、下式（Ｕ３１）で表される基、下式（Ｕ３２）で表される基、下式（Ｕ３３）で表される基、下式（Ｕ４１）で表される基、下式（Ｕ５１）で表される基のいずれかであり、ａは、０〜１００の整数であり、ｂは、０〜１００の整数であり、ｃは、１〜２００の整数であり、
   Ｒ^Ｗは、ＨＯ−であり、ｄは、０〜１００の整数であり、ｅは、０〜１００の整数であり、ｆは、１〜２００の整数であり、
   Ｒ^Ｆは、炭素数が１〜２０の直鎖のペルフルオロアルキル基または該基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、ｇは、３〜２００の整数である。
   

   

   Ｐｈ−Ｏ− ・・・（Ｕ２１）、
   ＣＨ _２ ＝ＣＨ（ＣＨ _２ ） _ｎ ＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３１）、
   ＨＯ（ＣＨ _２ ） _ｎ ＮＨＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３２）、
   （ＨＯ（ＣＨ _２ ） _ｎ −） _２ ＮＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ３３）、
   Ｒ ^ｃ ＯＣ（Ｏ）− ・・・（Ｕ４１）、
   ＣＨ _２ ＝ＣＨ（ＣＨ _２ ） _ｑ Ｏ− ・・・（Ｕ５１）。
   ただし、Ｒは、水素原子、塩素原子、−ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _３ 、−ＮＨ _２ 、−ＯＰｈ、−ＯＣＨ _２ （ＣＦ _２ ） _ｐ Ｈまたは−ＯＣＨ _２ ＣＦ _２ ＣＦ _３ で表される基であり、Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニル基であり、ｐは、１〜８の整数であり、Ｒは、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよく、
   ｎは、１〜３の整数であり、
   Ｒ ^ｃ は、水素原子、炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数が１〜４のハロゲン化アルキル基、アリール基、置換アリール基、アリールオキシ基または置換アリールオキシ基であり、
   ｑは、１〜３の整数である。
2. 式（Ａ）で表わされる化合物が、−ＯＣＦ_２Ｏ−構造を有さない、請求項１に記載の表面処理剤。
3. （ｘ＋ｗ＋ｚ）が、３または４である、請求項１または２に記載の表面処理剤。
4. Ｙが、下式（Ｙ^３−１）で表される基〜下式（Ｙ^３−４）で表される基、下式（Ｙ^４−１）で表される基〜下式（Ｙ^４−５）で表される基、下式（Ｙ^５−１）で表される基のいずれかである、請求項１または２に記載の表面処理剤。ただし、式（Ｙ３−４）は、ペルフルオロシクロヘキサン−１，３，５−トリイル基を示す。
   

   
5. 式（Ｘ）で表される基が、下式（Ｘ１）で表される基または下式（Ｘ２）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理剤。
   Ｕ^１−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ１）、
   Ｕ^２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｃ− ・・・（Ｘ２）。
   ただし、Ｕ^１は、式（Ｕ１）で表される基、式（Ｕ２１）で表される基または式（Ｕ５１）で表される基であり、Ｕ^２は、式（Ｕ３１）で表される基、式（Ｕ３２）で表される基、式（Ｕ３３）で表される基、式（Ｕ４１）で表される基または式（Ｕ５１）で表される基であり、ｃは、１〜２００の整数である。
6. 式（Ｗ）で表される基が、下式（Ｗ１）で表される基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表面処理剤。
   ＨＯ−ＣＨ_２−ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｆ− ・・・（Ｗ１）。
   ただし、ｆは、１〜２００の整数である。
7. 式（Ｚ）で表される基が、下式（Ｚ１）で表される基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の表面処理剤。
   ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｍ−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｇ− ・・・（Ｚ１）。
   ただし、ｍは、０〜１９の整数であり、ｇは、３〜２００の整数である。
8. 溶媒を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面処理剤。
9. 下式（Ａ３−１）で表される化合物。
   

   

   ただし、ｃ１〜ｃ３は、それぞれ１〜２００の整数である。
10. 下式（Ａ４−１）で表される化合物。
    

    

    ただし、ｃ１〜ｃ３は、それぞれ１〜２００の整数である。