JP5298056B2 - 超電導磁石装置及び磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents
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Description
本発明は、超電導磁石装置及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置に関する。
磁気共鳴イメージング装置(Magnetic Resonance Imaging System、以下、MRI装置)は、生体の大部分を構成する水素原子核の核磁気共鳴(NMR)現象が組織によって異なることを利用して、生体組織を画像化するものであり、共鳴の強さや、共鳴の時間的変化の速さが画像のコントラストとして現われるようになっている。MRI装置は、撮像領域に静磁場を生成する静磁場磁石と、被検体に高周波パルスを照射するRFコイルと、被検体からの核磁気共鳴信号を受信する受信コイルと、断層像に撮像領域の位置情報を付与する傾斜磁場コイルを備える。
MRI装置において高画質な画像を得るためには、撮像領域に高磁場且つ高均一で時間的に安定した磁場を生成する必要がある。このため、MRI装置の静磁場磁石には、超電導磁石装置が必須となっている。超電導磁石装置としては、冷媒(液体ヘリウム)で極低温に保持される超電導コイルを用いる。超電導コイル及び液体ヘリウムは、冷媒容器内に配置される。冷媒容器は、熱伝導が良くかつ電気抵抗の低いアルミニウム等で構成される輻射シールドに覆われている。冷媒容器を輻射シールドで覆うことによって、冷媒容器内にある液体ヘリウムの蒸発を抑えることができる。他方で、輻射シールドを構成するアルミニウムは、電気抵抗が低いため、超電導コイルを急速消磁させた場合に、誘導電流による電磁力が輻射シールドに働いてしまう。このような電磁力が働くことによって、輻射シールドが破損又は変形して断熱性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
また、MRI装置を使って被検診者を撮像する時には、傾斜磁場コイルにパルス状又はステップ状の電流が流されるため、輻射シールドに対して誘導電流による電磁力が発生し、輻射シールドが振動してしまう。この振動は撮像領域に誤差磁場を生じ、画像劣化を引き起こしてしまう。
特許文献1には、輻射シールドに対する電磁力による変形や振動を抑制し、断熱性能と高画質を得る方法として、輻射シールドの軸方向に複数のスリットを設け、内,外周面の一方又は双方にスリットが覆われるようにFRP層を形成したMRI装置が開示されている。
特許文献1では、急速消磁時の輻射シールドの電磁力及び撮像時の輻射シールドの振動による誤差磁場を低減することができる。しかし、このMRI装置は、輻射シールドに対して複数のスリットを設けているため、輻射シールドの内部への磁気遮蔽効果が弱まってしまう。したがって、傾斜磁場コイルからの漏れ磁場によって超電導コイルに電磁力が働き、振動による誤差磁場が生じる可能性がある。
本発明の課題は、超電導コイルの急速消磁時の輻射シールドの電磁力変形及び傾斜磁場コイルの漏れ磁場に起因する輻射シールド及び超電導磁石の振動を同時に抑制することにある。
前記した課題を解決する本発明の特徴は、超電導線を巻回した超電導コイルと、超電導コイルを少なくとも1つ内包する冷媒容器と、冷媒容器を覆う輻射シールドと、輻射シールドを覆う真空容器と、撮像空間に傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルを備える超電導磁石装置において、輻射シールドの周方向の一部を、第1部材とこの第1部材よりも高い抵抗値を有する第2部材の複合材で構成し、第2部材の位置が傾斜磁場コイルからの漏れ磁場が少ないX方向傾斜磁場軸とY方向傾斜磁場軸の中間方向とすることにある。
本発明によれば、超電導コイルの急速消磁時の電磁力による輻射シールドの変形と、撮像時の電磁力による輻射シールド及び超電導コイルの振動を同時に抑制し、装置の信頼性と画質を向上することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
〔実施例1〕
本発明の好適な一実施形態である磁気共鳴イメージング装置(MRI装置)について、図1〜図4を用いて説明する。
本発明の好適な一実施形態である磁気共鳴イメージング装置(MRI装置)について、図1〜図4を用いて説明する。
図2に示すように、本実施例のMRI装置100は、垂直磁場方式のオープン型MRI装置である。このMRI装置100は、核磁気共鳴現象を利用して被検体の断層画像を得るものであり、被検体にNMR現象を誘起してNMR信号を受信するための各種装置を収容するガントリ1、被検体を載せるベッド装置2、被検体を撮像領域へ搬送する搬送手段2a、ガントリ1内の各種装置を制御する電源や各種制御装置を収納した制御装置3、検出された核磁気共鳴信号を処理して被検体の断層画像を生成するコンピュータを有する処理装置4、生成された被検体の断層画像を表示する表示装置5を備える。ガントリ1,ベッド装置2,搬送手段2a,制御装置3,処理装置4及び表示装置5は、それぞれ電源・信号線6で接続される。ガントリ1,ベッド装置2及び搬送手段2aは、高周波電磁波と静磁場を遮蔽するシールドルーム(図示せず)内に配置される。また、制御装置3,処理装置4及び表示装置5は、シールドルーム外のオペレータ室(図示せず)に配置される。
オープン型MRI装置100のガントリ1は、上部ガントリ1A,下部ガントリ1B及び連結部材1Cを備える。本実施例では、二つの連結部材1Cを用いて上部ガントリ1Aと下部ガントリ1Bを支持する。上部ガントリ1Aと下部ガントリ1Bは、撮像領域7を挟んで対向して配置される。
図3に示すように、上部ガントリ1Aは、内部を真空に保持する真空容器11、電気的な抵抗値が異なる複数の部材で構成される輻射シールド12(詳細は後述)、冷媒(液体ヘリウム)を収容する冷媒容器13、超電導線を巻回して構成されて撮像領域7に静磁場8を生成する超電導主コイル14、超電導主コイル14と逆向きの電流を流して漏れ磁場を抑制する超電導シールドコイル15、撮像領域7にX,Y,Z軸方向に傾斜した磁場を生成する傾斜磁場コイル21、及び冷媒と輻射シールドを冷却する冷凍機(図示せず)を備える。
超電導主コイル14,超電導シールドコイル15及び液体ヘリウムは、リング状(円環状)の冷媒容器13内に収納され、4.2Kの温度に保持される。超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15は、それぞれリング状(円環状)の形状を有し、中心軸がZ軸で一致するように配置される。このような超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15は、電磁力,漏洩磁場,最大経験磁場,磁場均一度、および磁場強度を許容範囲内に抑えるように、位置,形状が決定され、巻き枠(図示せず)に支持される。本実施例では、一つの超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15が上部ガントリ1Aに配置される例を示したが、複数個の超電導コイルを備えてもよい。また、撮像領域7に生成される磁場の均一度を高めるために、磁場補正用の磁性体を配置してもよい。
輻射シールド12は、リング状(円環状)の形成を有し、冷媒容器13を覆うように設置される。輻射シールド12,冷媒容器13,超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15は、中心軸がZ軸で一致するように配置される。冷媒容器13を支持する支持部材34及び輻射シールド12を支持する支持部材35は、外部からの熱侵入を防ぐために低熱伝導の材料、例えばFRP(繊維強化プラスチック)で構成される。
真空容器11は、非磁性の構造材(例えば、ステンレス鋼など)で構成され、円盤状の形状を有する。この真空容器11は、内部を真空に保持し、冷媒容器13および輻射シールド12を覆うように配置される。
傾斜磁場コイル21は、上部ガントリ1Aと下部ガントリ1Bが対向する面であって、真空容器11の表面に形成された凹部に設置される。この傾斜磁場コイル21は、撮像領域7に対して、X,Y,Z軸方向に傾斜した磁場を生成する。ここで、Z軸は静磁場の方向、X軸はX方向の傾斜磁場の方向、Y軸はY方向傾斜磁場の方向とする。X軸,Y軸及びZ軸はそれぞれ直交する軸である。
下部ガントリ1Bは、内部を真空に保持する真空容器11、電気的な抵抗値が異なる複数の部材で構成される輻射シールド12、液体ヘリウムを収容する冷媒容器13、超電導線を巻回して構成されて撮像領域7に静磁場8を生成する超電導主コイル14、超電導主コイル14と逆向きの電流を流して漏れ磁場を抑制する超電導シールドコイル15、撮像領域7にX,Y,Z軸方向に傾斜した磁場を生成する傾斜磁場コイル21を備えるが、これらの機器が配置される位置が上部ガントリ1Aと異なる。具体的には、下部ガントリ1Bの内部構成は、図3に示すX軸を中心として、上部ガントリ1Aを180度回転させた構成と類似する。なお、下部のガントリ1Bの真空容器11の上に2本の支持部材(図示せず)が立てられ、これらの支持部材によって上部ガントリ1Aの真空容器11が支持されている。この支持部材は、連結部材1C内部に位置する。この支持部材が、上部ガントリ1Aの真空容器11と下部ガントリ1Bの真空容器11を互いに連結する。つまり、上部ガントリ1Aの真空容器11、下部ガントリ1Bの真空容器11及び支持部材の内部が真空に保持される。また、上下の真空容器11内のそれぞれに収容されている輻射シールド12も、連結部材1C内で互いに連結される。さらに、上下の輻射シールド12内のそれぞれに収容されている冷媒容器13も、連結部材1C内で互いに連結される。連結部材1Cによって離間された上部ガントリ1Aと下部ガントリ1Bの間に、被検体を載せたベッド装置2が配置される。
以下、本実施例のMRI装置100の特徴的な構成とその効果を、図1及び図4を用いて説明する。図1は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12及びX軸傾斜磁場主コイル22のみを示すXY断面図である。図4は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12の内部及び傾斜磁場コイル21のみを示す斜視図である。
(1)本実施例の輻射シールド12は、抵抗の異なる複数の部材で構成される。具体的には、リング状の輻射シールド12の周方向の一部の領域(以下、第1領域)を非磁性の第1部材31で構成(例えば、アルミニウムなどで構成)し、他の領域(第2領域)を非磁性であって第1部材31よりも高い抵抗値を有する第2部材32で構成する。第2部材32は、輻射シールド12の内周面,上面部,外周面,下面部に帯状に形成される。ここで、輻射シールド12の内周面とは傾斜磁場コイルに最も近い位置にある面(Z軸から最も近い位置にある面)を示し、外周面とは輻射シールドに最も遠い位置になる面(Z軸から最も遠い位置にある面)を示す。第2部材32は、従来の輻射シールド12の構成部材として使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材であり、例えば、第1部材31よりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム,ステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。このように、本実施例は、抵抗値の異なる複数の部材を用いて輻射シールド12を構成しているため、急速消磁時に輻射シールド12に流れる周回方向の誘導電流を低減し、電磁力による輻射シールドの変形や破損を抑制し、伝熱性能を確保することができる。
(2)さらに、輻射シールド12において第2部材32を配置する位置を、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場10が小さいX方向傾斜磁場軸とY方向傾斜磁場軸の中間、つまり図1ではX軸から45度,135度,225度,315度の位置とする。具体的には、第2部材32は、X軸から45度,135度,225度,315度の位置を含む領域の、輻射シールド12の内周面,上面部,外周面,下面部に配置する。このような構成によって、撮像時の誘導電流による輻射シールドの発熱を低減できる。さらに、漏れ磁場が大きい0度,90度,180度,270度の位置を含む領域には、低い抵抗を有する第1部材31を配置することによって、スリットを配置した従来の場合に比べて、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場を輻射シールド12で遮蔽する効果を高くできる。したがって、輻射シールド12内の超電導主コイル14に働く電磁力を低減し、さらに振動による誤差磁場で引き起こされる画像劣化を抑制できる。
(3)本実施例では、第1部材31と第2部材32を溶接等によって接合した複合材で輻射シールド12を構成する。このような複合材で構成することによって、輻射シールド12の強度を向上させることができ、撮像時の輻射シールド12の振動による誤差磁場を低減し、高画質を得ることができようになる。ここで、輻射シールド12の振動は、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場と超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15の静磁場によって生じる電磁力が原因である。
(4)さらに、輻射シールド12の第2部材32を覆うようなカバー33を設置しても良い。このカバー33を、輻射シールド12の第1部材31と同じ抵抗値を有する部材(アルミニウムなど)で構成することによって、第2部材32を設置した第2領域の断熱性能を改善することができる。さらに、輻射シールド12とカバー33を電気的に絶縁して配置することによって、急速消磁時の周回電流がカバー33を介して流れることを防止できる。
(1)本実施例の輻射シールド12は、抵抗の異なる複数の部材で構成される。具体的には、リング状の輻射シールド12の周方向の一部の領域(以下、第1領域)を非磁性の第1部材31で構成(例えば、アルミニウムなどで構成)し、他の領域(第2領域)を非磁性であって第1部材31よりも高い抵抗値を有する第2部材32で構成する。第2部材32は、輻射シールド12の内周面,上面部,外周面,下面部に帯状に形成される。ここで、輻射シールド12の内周面とは傾斜磁場コイルに最も近い位置にある面(Z軸から最も近い位置にある面)を示し、外周面とは輻射シールドに最も遠い位置になる面(Z軸から最も遠い位置にある面)を示す。第2部材32は、従来の輻射シールド12の構成部材として使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材であり、例えば、第1部材31よりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム,ステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。このように、本実施例は、抵抗値の異なる複数の部材を用いて輻射シールド12を構成しているため、急速消磁時に輻射シールド12に流れる周回方向の誘導電流を低減し、電磁力による輻射シールドの変形や破損を抑制し、伝熱性能を確保することができる。
(2)さらに、輻射シールド12において第2部材32を配置する位置を、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場10が小さいX方向傾斜磁場軸とY方向傾斜磁場軸の中間、つまり図1ではX軸から45度,135度,225度,315度の位置とする。具体的には、第2部材32は、X軸から45度,135度,225度,315度の位置を含む領域の、輻射シールド12の内周面,上面部,外周面,下面部に配置する。このような構成によって、撮像時の誘導電流による輻射シールドの発熱を低減できる。さらに、漏れ磁場が大きい0度,90度,180度,270度の位置を含む領域には、低い抵抗を有する第1部材31を配置することによって、スリットを配置した従来の場合に比べて、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場を輻射シールド12で遮蔽する効果を高くできる。したがって、輻射シールド12内の超電導主コイル14に働く電磁力を低減し、さらに振動による誤差磁場で引き起こされる画像劣化を抑制できる。
(3)本実施例では、第1部材31と第2部材32を溶接等によって接合した複合材で輻射シールド12を構成する。このような複合材で構成することによって、輻射シールド12の強度を向上させることができ、撮像時の輻射シールド12の振動による誤差磁場を低減し、高画質を得ることができようになる。ここで、輻射シールド12の振動は、傾斜磁場コイル21からの漏れ磁場と超電導主コイル14及び超電導シールドコイル15の静磁場によって生じる電磁力が原因である。
(4)さらに、輻射シールド12の第2部材32を覆うようなカバー33を設置しても良い。このカバー33を、輻射シールド12の第1部材31と同じ抵抗値を有する部材(アルミニウムなど)で構成することによって、第2部材32を設置した第2領域の断熱性能を改善することができる。さらに、輻射シールド12とカバー33を電気的に絶縁して配置することによって、急速消磁時の周回電流がカバー33を介して流れることを防止できる。
〔実施例2〕
以下に、本発明の第2の実施例のMRI装置を、図5を用いて説明する。本実施例のMRI装置100Aは、実施例1のMRI装置100において輻射シールド12を輻射シールド12Aに替えた構成を有する。図5は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12Aの内部及び外部磁界発生源である傾斜磁場コイル21のみを示す斜視図である。
以下に、本発明の第2の実施例のMRI装置を、図5を用いて説明する。本実施例のMRI装置100Aは、実施例1のMRI装置100において輻射シールド12を輻射シールド12Aに替えた構成を有する。図5は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12Aの内部及び外部磁界発生源である傾斜磁場コイル21のみを示す斜視図である。
本実施例のMRI装置100Aの構成とそれによる効果は、以下に示す点を除いて、実施例1のMRI装置100と同様である。括弧内の数字は実施例1と対応している。
(1)本実施例の輻射シールド12Aは、抵抗の異なる複数の部材で構成するが、図5に示すように、リング状の輻射シールド12Aのうち内周面の一部の領域のみを、その他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する部材(第2部材32A)で構成する。つまり、輻射シールド12Aの上面部,下面部及び外周面(径が最も大きい面)は、非磁性の第1部材(アルミニウムなど)で構成し、輻射シールド12Aの内周面(径が最も小さい面)を抵抗の異なる複数の部材で構成する。輻射シールド12Aの内周面は、周方向の一部の領域を第1部材で構成し、他の領域(第2領域)を第1部材31Aよりも高い抵抗値を有する第2部材32Aで構成する。第2部材32Aは、従来の輻射シールドの構成部材とて使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材とし、例えば、第1部材31Aよりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム又はステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。超電導主コイル14が輻射シールド12Aの内周面に近い位置に配置される構成の場合、急速消磁時の誘導電流は主に輻射シールド12Aの内周面に流れる。そこで、本実施例のように輻射シールド12Aの内周面の一部(第2領域)を、周囲よりも高い抵抗値を有する第2部材32Aで構成することによって、周回方向の誘導電流を低減することができ、電磁力による輻射シールド12Aの変形や破損を抑制し、伝熱性能を確保することができる。
(1)本実施例の輻射シールド12Aは、抵抗の異なる複数の部材で構成するが、図5に示すように、リング状の輻射シールド12Aのうち内周面の一部の領域のみを、その他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する部材(第2部材32A)で構成する。つまり、輻射シールド12Aの上面部,下面部及び外周面(径が最も大きい面)は、非磁性の第1部材(アルミニウムなど)で構成し、輻射シールド12Aの内周面(径が最も小さい面)を抵抗の異なる複数の部材で構成する。輻射シールド12Aの内周面は、周方向の一部の領域を第1部材で構成し、他の領域(第2領域)を第1部材31Aよりも高い抵抗値を有する第2部材32Aで構成する。第2部材32Aは、従来の輻射シールドの構成部材とて使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材とし、例えば、第1部材31Aよりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム又はステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。超電導主コイル14が輻射シールド12Aの内周面に近い位置に配置される構成の場合、急速消磁時の誘導電流は主に輻射シールド12Aの内周面に流れる。そこで、本実施例のように輻射シールド12Aの内周面の一部(第2領域)を、周囲よりも高い抵抗値を有する第2部材32Aで構成することによって、周回方向の誘導電流を低減することができ、電磁力による輻射シールド12Aの変形や破損を抑制し、伝熱性能を確保することができる。
本実施例でも、実施例1の(2)(3)(4)に記載される特徴的な構成を備えることで、同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施例によれば、第2部材32Aの領域を輻射シールドの内周面のみに限定することによって、製作コストと撮像時の誘導発熱を低減することができる。
〔第3の実施例〕
以下に、本発明の第3の実施例のMRI装置を、図6を用いて説明する。本実施例のMRI装置100Bは、実施例1のMRI装置100において輻射シールド12を輻射シールド12Bに替えた構成を有する。図6は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12Bの内部及び外部磁界発生源である傾斜磁場コイル21のみを示す斜視図である。
以下に、本発明の第3の実施例のMRI装置を、図6を用いて説明する。本実施例のMRI装置100Bは、実施例1のMRI装置100において輻射シールド12を輻射シールド12Bに替えた構成を有する。図6は、上部ガントリ1Aのうち、輻射シールド12Bの内部及び外部磁界発生源である傾斜磁場コイル21のみを示す斜視図である。
本実施例のMRI装置100Bの構成とそれによる効果は、以下に示す点を除いて、実施例1のMRI装置100と同様である。括弧内の数字は第1の実施例と対応している。
(1)本実施例の輻射シールド12Bは、抵抗の異なる複数の部材で構成するが、図6に示すように、他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する第2部材32Bの面積が、実施例1の第2部材32と異なる。具体的には、本実施例の第2部材32Bの周方向の角度幅を、傾斜磁場コイル21に近い位置にある内周面側に比べて、傾斜磁場コイル21から遠い位置の外周面側を長くする。輻射シールド12Bの内周面,上面部,外周面,下面部の一部を、非磁性であって輻射シールド12Bの他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する第2部材32Bで構成する。第2部材32は、従来の輻射シールドの構成部材とて使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材であり、例えば、第1部材31Bよりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム,ステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。なお、輻射シールド12Bの第1部材31Bはアルミニウムなどで構成する。
(1)本実施例の輻射シールド12Bは、抵抗の異なる複数の部材で構成するが、図6に示すように、他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する第2部材32Bの面積が、実施例1の第2部材32と異なる。具体的には、本実施例の第2部材32Bの周方向の角度幅を、傾斜磁場コイル21に近い位置にある内周面側に比べて、傾斜磁場コイル21から遠い位置の外周面側を長くする。輻射シールド12Bの内周面,上面部,外周面,下面部の一部を、非磁性であって輻射シールド12Bの他の領域(第1領域)よりも高い抵抗値を有する第2部材32Bで構成する。第2部材32は、従来の輻射シールドの構成部材とて使用されるアルミニウムよりも高い抵抗値を有する部材であり、例えば、第1部材31Bよりも純度が低いアルミニウム,構造材用アルミニウム,ステンレス鋼などを適切に選択することが可能である。なお、輻射シールド12Bの第1部材31Bはアルミニウムなどで構成する。
本実施例でも、実施例1の(2)(3)(4)に記載される特徴的な構成を備えることで、同様の効果を得ることができる。
本実施例のように、内周面と外周面の第2部材32Bの角度幅及び第2部材32Bの材質をパラメータとして、最適な組合せを探索することによって、急速消磁時の電磁力による輻射シールドの変形と、撮像時の電磁力による輻射シールド及び超電導コイルの振動を同時に抑制し、装置の信頼性と画質を向上した超電導磁石装置及びそれを用いたMRI装置を提供できる。
1 ガントリ
2 ベッド装置
2a 搬送手段
3 制御装置
4 処理装置
5 表示装置
6 信号線
7 撮像領域
8 静磁場
9 傾斜磁場
10 傾斜磁場コイルからの漏れ磁場
11 真空容器
12,12A,12B 輻射シールド
13 冷媒容器
14 超電導主コイル
15 超電導シールドコイル
16 超電導コイル
21 傾斜磁場コイル
22 X軸傾斜磁場主コイル
31,31A,31B 第1部材
32,32A,32B 第2部材
33 カバー
34,35 支持部材
2 ベッド装置
2a 搬送手段
3 制御装置
4 処理装置
5 表示装置
6 信号線
7 撮像領域
8 静磁場
9 傾斜磁場
10 傾斜磁場コイルからの漏れ磁場
11 真空容器
12,12A,12B 輻射シールド
13 冷媒容器
14 超電導主コイル
15 超電導シールドコイル
16 超電導コイル
21 傾斜磁場コイル
22 X軸傾斜磁場主コイル
31,31A,31B 第1部材
32,32A,32B 第2部材
33 カバー
34,35 支持部材
Claims (4)
- 超電導線を巻回したリング状の超電導コイルと、
前記超電導コイルと冷媒を内包するリング状の冷媒容器と、
前記冷媒容器を覆うように配置されるリング状の輻射シールドと、
前記輻射シールドを覆うように配置され、内部を真空に保持する真空容器と、
傾斜磁場を生成する傾斜磁場コイルを備え、
前記輻射シールドは、第1部材及び周方向の一部を前記第1部材よりも高い抵抗値を有する第2部材で構成し、第2部材の位置が傾斜磁場コイルからの漏れ磁場が少ないX方向傾斜磁場軸とY方向傾斜磁場軸の中間方向であることを特徴とする超電導磁石装置。 - 請求項1に記載の超電導磁石装置において、
前記第2部材の外側を覆うカバーを備え、
前記輻射シールドと前記カバーを電気的に絶縁して配置することを特徴とする超電導磁石装置。 - 請求項1に記載の超電導磁石装置において、
前記輻射シールドは、前記傾斜磁場コイルから最も遠い位置にある面の周方向の前記第2部材の角度幅が、前記傾斜磁場コイルから最も近い位置にある面の周方向の前記第2部材の角度幅より長いことを特徴とする超電導磁石装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の超電導磁石装置を用いたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
Priority Applications (1)
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