JP5296995B2 - 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子 - Google Patents
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Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 7, No. 3, June 2005, p. 1421 - 1427
岩塩型の結晶構造を有する金属窒化物として、4族金属と窒化物が知られている。本発明によれば、金属窒化物が4族窒化物であることとしたので、バッファ層上に成長させる半導体の結晶構造と整合性が高くなる。このため、結晶性に優れた半導体層を得ることができる。
4族窒化物の中でも、ハーフニウムナイトライド(HfN)又はジルコニウムナイトライド(ZrN)は、特に化学的に安定であり、かつ製造が容易であることが知られている。そこで、本発明では、金属窒化物が、ハーフニウムナイトライド又はジルコニウムナイトライドであることとしたので、結晶性に優れた半導体層を有する半導体素子を得ることができる。
鉄や銅は、金属の中でも安価であり、また高い柔軟性を有している。本発明によれば、基板が鉄又は銅を主成分とするので、幅広い用途に対応することができ、低コストで大面積化することができる半導体素子を得ることができる。
電磁鋼板は、鉄を主成分とし、3%のシリコンを含んだ基板である。電磁鋼板はフレキシブル性が高く、安価である。本発明によれば、基板が電磁鋼板であるため、幅広い用途に対応することができ、低コストで大面積化することができる半導体素子を得ることができる。
13族窒化物は金属との反応性が特に高いため、金属基板上に直接形成した場合、界面反応が生じやすい。本発明によれば、当半導体層をバッファ層上に設ける構成になっているため、半導体層が13族窒化物からなる場合であっても、半導体層を高温で十分に成長させることができる。
シリコンについても、金属基板上に直接形成した場合、界面反応が生じる虞がある。本発明によれば、当半導体層をバッファ層上に設ける構成になっているため、半導体層がシリコンからなる場合であっても、半導体層を高温で十分に成長させることができる。
本発明によれば、半導体層が13族窒化物からなり、半導体層を形成する工程では、バッファ層を構成する金属窒化物の(111)面に13族窒化物の(0001)面を成長させることとしたので、金属窒化物と13族窒化物との間で結晶整合性を保つことができる。
本発明によれば、半導体層がシリコンからなり、半導体層を形成する工程では、バッファ層を構成する金属窒化物の(100)面にシリコンの(100)面を成長させて半導体層を形成することとしたので、金属窒化物とシリコンとの間で結晶整合性を保つことができる。
基板を構成する金属とバッファ層を構成する金属窒化物とでは化学的・物理的性質が全く異なるため、容易に剥離することができる。本発明によれば、上記の半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子のうち、半導体層を基材表面に接着し、基板をバッファ層から容易に剥離することができる。
本発明によれば、幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能であり、高い結晶性を有する半導体層を備えた半導体素子を搭載したので、高性能の発光素子を安価で得ることができる。
本発明によれば、幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能であり、高い結晶性を有する半導体層を備えた半導体素子を搭載したので、高性能の電子素子を安価で得ることができる。
図1は、本実施形態に係る半導体素子1の構成を示す図である。
同図に示すように、半導体素子1は、基板2上にバッファ層3を介して半導体層4が積層された構成になっている。この半導体素子1は、例えば発光素子や電子素子などに搭載されるものである。
バッファ層3は、例えばハーフニウムナイトライド(HfN)やジルコニウムナイトライド(ZrN)などの4族金属の窒化物からなる層である。これらの4族金属の窒化物は岩塩型結晶構造を有しており、化学的に安定性の高い層になっている。
同図に示すように、スパッタ装置10は、チャンバ11と、基板側電極12と、ターゲット側電極13と、直流電源14と、基板保持部15と、ターゲット保持部16と、窒素供給源17と、加熱装置18とを主体として構成されている。
基板側電極12は、チャンバ11内の基板側に配置されている。ターゲット電極13は、チャンバ11内に基板側電極12に対向して設けられている。直流電源14は、基板側電極12及びターゲット側電極13にそれぞれ電気的に接続されており、基板側電極12とターゲット側電極13との間に直流電圧を印加する電圧源である。
ターゲット保持部16は、ターゲット16aを水平に保持可能に設置された坩堝であり、一定の導電性を有する材料からなる。このような材料としては、例えばチタン(Ti)などの金属を添加した窒化ホウ素(BN)や、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)などのIII族金属の窒化物が挙げられる。
加熱装置118は、例えば基板保持部15に固定されており、基板保持部115上の基板102の周囲温度を調節できるようになっている。
同図に示すように、パルスレーザ装置20は、チャンバ21と、基板保持部22と、ターゲット保持部23と、レーザ光源24と、レーザ入射口25と、窒素供給源26と、加熱装置27とを主体として構成されている。
基板保持部22は、チャンバ21内に設けられており、上記の基板2を保持可能になっている。
まず、チャンバ11内にアルゴンガスを供給し、窒素供給源16から窒素ガスをチャンバ11内に供給する。アルゴンガス及び窒素ガスによってチャンバ11内が所定の圧力になった後、基板2を基板電極12に保持し、ハーフニウム(Hf)やジルコニウム(Zr)などの4族金属又はその合金からなるターゲット13aをターゲット電極13上に設置する。
バッファ層3の形成された基板2をパルスレーザ装置20内に移動し、チャンバ21内の基板保持部22上に保持する。ターゲット保持部23には、13族金属又はその合金からなるターゲット23aを設置し、チャンバ21内に窒素ガスを供給する。窒素ガスを供給した後、パルスレーザをターゲット23aに照射する。レーザ光が照射されるとターゲット23aが蒸発し、図5に示すように、バッファ層3上には、13族金属の窒化物からなる半導体層4が形成される。
例えば、上記実施形態においては、半導体層4として13族金属の窒化物を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、半導体層4としてシリコン(Si(100))を形成しても構わない。
本実施例では、上記実施形態に記載のスパッタリング法によって電磁鋼板(FeSi(110))上にHfNの薄膜(バッファ層)を形成した。チャンバ中のアルゴンガスを1.2sccm、窒素ガスを0.8sccm、DC電源を100W、チャンバ内の圧力を2.0×10−3Torrとした。成長温度を500℃、700℃、750℃、1000℃としてそれぞれ形成した。
同図に示すように、成長温度が500℃の場合、HfNの結晶面はランダムに形成されている。成長温度が700℃の場合、HfN(111)のグレインが2つ形成されている。成長温度が750℃の場合、HfN(111)の単結晶が形成されている。成長温度が1000℃の場合、HfN(100)の単結晶が形成されている。
図9及び図10に示されるように、明瞭な3回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なHfN(111)が電磁鋼板上(FeSi(110))に成長しているといえる。
本実施例では、上記の実施例1で形成されたHfN(111)薄膜上にパルスレーザ法によってGaN薄膜(半導体層)を形成した。レーザ光をKrFエキシマレーザとし、レーザ光の出力を30Hz、21.0kV、85mJとした。チャンバ内の圧力を4.0×10−6Torrとし、成長温度を690℃とした。また、プラズマ強度を400Wとした。
図11に示すように、GaN薄膜の(0001)方向に明確なスポットが確認できる。また、図12に示すように、明確な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なGaN(0001)がHfN(111)上に成長しているといえる。
同図に示すように、GaNの成長表面に不純物(FeやSiの単体など)のピークは見られない。このことから、電磁鋼板からのFe原子やSi原子の拡散をHfN(111)がバッファ層として確実に防いでいることがわかる。
同図に示すように、エネルギーが3.2eV程度から発光が強くなっていき、エネルギーが3.44eVのときに発光の強さがピークに達している。その後、3.6eVになるまで発光が弱くなっていく。このことから、GaNがバンド端で発光していることが確認できる。
同図に示すように、電圧が0Vよりも大きくなるにつれて電流の値も大きくなっているが、電圧が0Vよりも小さくなっても電流の値はほとんど小さくなっていない。このことから、整流特性を有していることが認められる。
上記実施形態に記載のスパッタリング法によって電磁鋼板(FeSi(100))上にHfN(100)の薄膜(バッファ層)を形成した。チャンバ中のアルゴンガスを1.2sccm、窒素ガスを0.8sccm、DC電源を100W、チャンバ内の圧力を2.0×10−3Torrとした。成長温度を500℃、700℃、750℃、1000℃としてそれぞれ形成した。
同図に示すように、成長温度が500℃の場合、HfNの結晶面はランダムに形成されている。成長温度が700℃の場合、HfN(111)のグレインが2つ形成されている。成長温度が750℃の場合、HfN(100)の単結晶が形成されている。成長温度が1000℃の場合、HfN(100)の単結晶が形成されている。したがって、成長温度は800℃〜1000℃程度が好ましいといえる。
図17及び図18に示すように、明瞭な4回回転対称性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なHfN(100)が電磁鋼板(FeSi(100))上に成長しているといえる。
図19(a)及び図19(b)に示すように、明確な4回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なSi(100)がHfN(111)上に成長しているといえる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質な単結晶が形成されているといえる。
本実施例では、上記実施形態に記載のスパッタリング法によって電磁鋼板(FeSi(110))上にHfNの薄膜(バッファ層)を形成した。チャンバ中のアルゴンガスを1.2sccm、窒素ガスを0.8sccm、DC電源を102W、チャンバ内の圧力を2.0×10−3Torr、成長温度を500℃、成長時間を40minとした。HfN薄膜の膜厚はほぼ200nmであった。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なHfNが電磁鋼板上に成長しているといえる。なお、この薄膜の(111)面についてのFWHM半値幅を測定したところ、0.88°であった。また、この薄膜の(110)面についてのツイスト角を測定したところ、0.56°であった。これらのことからも、形成されたHfNの結晶性が高いことがわかる。
図22に示すように、HfN薄膜の表面には目立った凹凸は認められず、平坦に形成されていることがわかる。また、図23に示すように、HfN薄膜の表面には電磁鋼板(FeSi)を構成するFe原子がほとんど認められない。このことから、HfN薄膜がFe原子の拡散を防ぐことができる高性能のバッファ層であるといえる。
本実施例では、上記の実施例1と同一の方法及び同一の条件によってHfNのバッファ層を形成し、当該バッファ層上にパルスレーザ法によってGaN薄膜(半導体層)を形成した。レーザ光をKrFエキシマレーザとし、出力を55〜85J/cm2(30Hz)とした。チャンバ内の圧力を4.0×10−6Torr、成長温度を500℃、成長時間を60minとした。
図24(a)及び図24(b)に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質な単結晶が形成されているといえる。
図25(a)には、単一のスポットが明瞭に現れている。図25(b)には、明瞭な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なGaNがバッファ層上に成長しているといえる。
同図に示すように、GaN薄膜の表面には目だった凹凸は認められず、平坦に形成されていることがわかる。
同図に示すように、グラフ内には3箇所のピークが認められる。このピークはそれぞれGaN(0002)、HfN(222)、Fe(220)の存在を示している。このことから、Fe(110)面上にHfN(111)面が形成され、HfN(111)面上にGaN(0001)面が形成されていることがわかる。
同図に示すように、エネルギーが3.0eV程度から発光が強くなっていき、エネルギーが3.42eVのときに発光の強さがピークに達している。その後、3.6eVになるまで発光が弱くなっていく。このことから、GaNがバンド端で発光していることが確認できる。この発光特性のFWHMは225meVであった。
本実施例では、上記の実施例1と同一の方法及び同一の条件によってHfNのバッファ層を形成し、当該バッファ層上に実施例2とほぼ同一の条件でパルスレーザ法によってGaN薄膜(半導体層)を形成した。実施例2と異なるのは、成長温度を500℃ではなく、550℃とした点である。
同図に示すように、明瞭な3回回転対象性が確認できる。このことから、成長温度を500℃で形成した場合に比べて結晶方位がより揃った良質なHfNが電磁鋼板上に成長しているといえる。なお、この薄膜の(111)面についてのFWHM半値幅を測定したところ、0.36°であった。また、この薄膜の(110)面についてのツイスト角を測定したところ、0.33°であった。これらのことからも、成長温度を500℃で形成した場合に比べて、形成されたHfNの結晶性が高いことがわかる。
Claims (9)
- 銅を主成分とする基板と、
前記基板上に設けられ、岩塩型の結晶構造を有する金属窒化物からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられた半導体層と
を具備し、
前記バッファ層は、ハーフニウムナイトライドからなるスパッタ膜である
ことを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体層は、13族窒化物からなるパルスレーザ堆積膜である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記半導体層が、1000℃以上の所定温度で結晶成長させて形成されたシリコンからなる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 銅を主成分とする基板上に、岩塩型の結晶構造を有する金属窒化物によってバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層を構成する金属窒化物上に半導体層を成長させて半導体層を形成する工程と
を具備し、
前記バッファ層を形成する工程では、スパッタリング法によってハーフニウムナイトライドからなる薄膜を形成する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記半導体層が13族窒化物からなり、
前記半導体層を形成する工程では、パルスレーザ堆積法によって、前記バッファ層を構成する金属窒化物の(111)面に13族窒化物の(0001)面を成長させて薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体層がシリコンからなり、
前記半導体層を形成する工程では、1000℃以上の所定温度で前記バッファ層を構成する金属窒化物の(100)面にシリコンの(100)面を成長させて半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。 - 請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子のうち、前記半導体層を基材表面に接着し、
前記基板を前記バッファ層から剥離する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の半導体素子、又は、請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子を搭載したことを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の半導体素子、又は、請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法によって製造された半導体素子を搭載したことを特徴とする電子素子。
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