JP5295388B2 - フォースセンサ及びその製造方法 - Google Patents
フォースセンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5295388B2 JP5295388B2 JP2011547501A JP2011547501A JP5295388B2 JP 5295388 B2 JP5295388 B2 JP 5295388B2 JP 2011547501 A JP2011547501 A JP 2011547501A JP 2011547501 A JP2011547501 A JP 2011547501A JP 5295388 B2 JP5295388 B2 JP 5295388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- substrate
- electrical connection
- base
- support portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/16—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force
- G01L5/161—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance
- G01L5/162—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance of piezoresistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Description
のセンサ側電気接続部とを設け、かつ、前記センサ側支持部は、前記変位部の全周を囲む閉じた内周エッジを有する平面形状で設け、前記複数のセンサ側電気接続部は、前記センサ側支持部の外周を囲むように前記センサ基板の周縁に沿わせて設け、前記受圧部と前記複数のピエゾ抵抗素子を各々中心で結ぶ仮想ラインから外れた位置で分割されていること、及び、前記ベース基板には、前記センサ基板との接合面側に、前記センサ側支持部に接合するベース側支持部と、このベース側支持部よりも基板周縁に位置して前記複数のセンサ側電気接続部に接合する複数のベース側電気接続部と、各ベース側電気接続部から引き出した電気配線の端部に外部接続可能に形成した複数の電極パッドとを設けたことを特徴としている。
この態様によれば、センサ側支持部で囲まれた変位部に封止樹脂が浸入することなく、かつ、複数のセンサ側電気接続部によりセンサ側支持部から基板周縁までのスペースが埋められて封止樹脂の浸入を抑えられるので、樹脂硬化による残留応力が低減する。また、複数のセンサ側電気接続部の分割による影響を複数のピエゾ抵抗素子に与えずに済む。
10 センサ基板
10a 表面
10b 裏面
11 変位部
12 受圧部
13 ピエゾ抵抗素子(歪検出素子)
14 支持部
14a 下地層
14b 金属接合層
15 電気接続部
15a 下地層
15b 金属接合層
16 回路配線部
17 絶縁膜
20 ベース基板
20a 表面
24 支持部
24a 下地層
24b 金属接合層
25 電気接続部
25a 下地層
25b 金属接合層
26 電極パッド
26a 下地層
26b 金属接合層
26c メッキ金属層
40 パッケージ基板
41 ボンディングワイヤー
42 電極パッド
43 封止樹脂
215a〜215d 電気接続部
225a〜225d 電気接続部
315、325 電気接続支持部
414、424 支持部
415a〜415d 電気接続部
425a〜425d 電気接続部
α 内周エッジ
Claims (10)
- 受圧部を介して外部からの荷重を受けたときに変位部が変位し、該変位量に応じて電気抵抗が変化する複数のピエゾ抵抗素子を備えたセンサ基板を、ベース基板に接合してなり、
前記センサ基板は、前記受圧部とは反対側の前記複数のピエゾ抵抗素子を形成した面に、少なくとも一部が前記複数のピエゾ抵抗素子と平面的に重複するように位置して前記変位部を変位自在に支持するセンサ側支持部と、このセンサ側支持部よりも基板周縁に位置して前記複数のピエゾ抵抗素子とそれぞれ電気的に接続した複数のセンサ側電気接続部とを設け、かつ、前記センサ側支持部は、前記変位部の全周を囲む閉じた内周エッジを有する平面形状で設け、前記複数のセンサ側電気接続部は、前記センサ側支持部の外周を囲むように前記センサ基板の周縁に沿わせて設け、前記受圧部と前記複数のピエゾ抵抗素子を各々中心で結ぶ仮想ラインから外れた位置で分割されていること、及び
前記ベース基板には、前記センサ基板との接合面側に、前記センサ側支持部に接合するベース側支持部と、このベース側支持部よりも基板周縁に位置して前記複数のセンサ側電気接続部に接合する複数のベース側電気接続部と、各ベース側電気接続部から引き出した電気配線の端部に外部接続可能に形成した複数の電極パッドとを設けたこと、
を特徴とするフォースセンサ。 - 請求項1記載のフォースセンサにおいて、前記センサ側支持部と前記複数のセンサ側電気接続部のいずれか一つを兼用させたフォースセンサ。
- 請求項1記載のフォースセンサにおいて、前記複数のセンサ側電気接続部は、平面矩形状をなすセンサ基板の角部にそれぞれ設け、前記センサ側支持部は、前記変位部の平面中心に関して対称に設けたフォースセンサ。
- 請求項3記載のフォースセンサにおいて、前記センサ側支持部は、前記変位部の全周を囲む閉じた内周エッジを有し、前記センサ基板の角部を除いて前記センサ基板の周縁に沿う平面形状で設けられているフォースセンサ。
- 請求項1ないし4のいずれか一項に記載のフォースセンサにおいて、前記ベース側支持部は、前記センサ側支持部の内周エッジに対応する閉じた内周エッジを有する平面形状で設け、このセンサ側支持部とベース側支持部の接合により前記内周エッジで囲まれた空間を封止したフォースセンサ。
- 請求項1ないし5のいずれか一項に記載のフォースセンサにおいて、前記センサ側支持部の内周エッジは、前記各ピエゾ抵抗素子の中心から±10μm以内の距離範囲に位置させたフォースセンサ。
- 請求項1ないし6のいずれか一項に記載のフォースセンサにおいて、前記センサ側支持部と前記ベース側支持部及び前記センサ側電気接続部と前記ベース側電気接続部は、Al、Ti、Cr、Ni、Cu、Ru、Rh、Ir、Pt、Ta、Fe、Auのいずれかまたは2つ以上を含む合金または2層以上の積層膜からなる膜厚300nm以下の金属接合層を介して接合しているフォースセンサ。
- 請求項1ないし7のいずれか一項に記載のフォースセンサにおいて、前記ベース基板を接着固定し、かつ、ワイヤーボンディングにより該ベース基板の複数の電極パッドと電気的に接続した複数の電極パッドと該各電極パッドに電気的に接続した複数の外部実装端子とを有するパッケージと、このパッケージ上の前記ベース基板及び前記センサ基板の周囲を固定する封止樹脂とを備えたフォースセンサ。
- 変位部を有するセンサ基板の表裏面の一方に、該変位部の変位量に応じて電気抵抗が変化する複数のピエゾ抵抗素子と、この複数のピエゾ抵抗素子と少なくとも一部が平面的に重複する位置で前記変位部を変位自在に支持するセンサ側支持部と、このセンサ側支持部よりも基板周縁に位置して前記複数のピエゾ抵抗素子とそれぞれ電気的に接続した複数のセンサ側電気接続部とを有するセンサ構造部を多数形成する工程と、
前記センサ基板の表裏面の他方に、各センサ構造部の変位部に外部からの荷重を与える受圧部を多数形成する工程と、
前記複数のセンサ側電気接続部は、前記センサ側支持部の外周を囲むように前記センサ基板の周縁に沿い、前記受圧部と前記複数のピエゾ抵抗素子を各々中心で結ぶ仮想ラインから外れた位置で分割されるように設け、前記センサ側支持部は、前記変位部の全周を囲む閉じた内側エッジを有する平面形状で設けて、多数形成する工程と、
ベース基板の表裏面の一方に、前記複数のセンサ側電気接続部に対応する複数のベース側電気接続部と、各ベース側電気接続部から引き出した電気配線の端部にワイヤーボンディング可能に形成した複数の電極パッドと、前記複数のベース側電気接続部で囲まれた領域に位置させた前記センサ側支持部に対応するベース側支持部とを有するベース構造部を多数形成する工程と、
常温から250℃未満の雰囲気において前記センサ基板と前記ベース基板を圧着し、前記複数のセンサ側電気接続部とベース側電気接続部かつ前記センサ側支持部と前記ベース側支持部を同時に接合する工程と、
前記センサ基板及び前記ベース基板を一対のセンサ構造部とベース構造部からなるチップ単位で切断する工程と、
を有することを特徴とするフォースセンサの製造方法。 - 請求項9記載のフォースセンサの製造方法において、前記複数のセンサ側電気接続部と前記複数のベース側電気接続部かつ前記センサ側支持部と前記ベース側支持部にはAl、Ti、Cr、Ni、Cu、Ru、Rh、Ir、Pt、Ta、Fe、Auのいずれかまたは2つ以上を含む合金または2層以上の積層膜からなる金属接合層を300nm以下の膜厚で形成しておき、この金属接合層を介して、該複数のセンサ側電気接続部とベース側電気接続部かつセンサ側支持部とベース側支持部接合するフォースセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011547501A JP5295388B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-16 | フォースセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009295231 | 2009-12-25 | ||
JP2009295231 | 2009-12-25 | ||
JP2010090884 | 2010-04-09 | ||
JP2010090884 | 2010-04-09 | ||
JP2011547501A JP5295388B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-16 | フォースセンサ及びその製造方法 |
PCT/JP2010/072615 WO2011078043A1 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-16 | フォースセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011078043A1 JPWO2011078043A1 (ja) | 2013-05-09 |
JP5295388B2 true JP5295388B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=44195573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011547501A Active JP5295388B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-16 | フォースセンサ及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8516906B2 (ja) |
EP (1) | EP2518462B1 (ja) |
JP (1) | JP5295388B2 (ja) |
CN (1) | CN102575964B (ja) |
WO (1) | WO2011078043A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9902611B2 (en) * | 2014-01-13 | 2018-02-27 | Nextinput, Inc. | Miniaturized and ruggedized wafer level MEMs force sensors |
JP6346279B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-06-20 | 北陸電気工業株式会社 | 力検出器 |
US10466119B2 (en) | 2015-06-10 | 2019-11-05 | Nextinput, Inc. | Ruggedized wafer level MEMS force sensor with a tolerance trench |
JP6684696B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2020-04-22 | 株式会社フジクラ | 荷重検知センサ及び荷重検知センサユニット |
WO2018148503A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Nextinput, Inc. | Integrated digital force sensors and related methods of manufacture |
WO2018148510A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Nextinput, Inc. | Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor |
CN111448446B (zh) | 2017-07-19 | 2022-08-30 | 触控解决方案股份有限公司 | 在mems力传感器中的应变传递堆叠 |
WO2019023309A1 (en) | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | FORCE SENSOR AND INTEGRATED FINGERPRINTS |
WO2019023552A1 (en) | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | PIEZORESISTIVE AND PIEZOELECTRIC FORCE SENSOR ON WAFER AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
US11579028B2 (en) | 2017-10-17 | 2023-02-14 | Nextinput, Inc. | Temperature coefficient of offset compensation for force sensor and strain gauge |
US11385108B2 (en) | 2017-11-02 | 2022-07-12 | Nextinput, Inc. | Sealed force sensor with etch stop layer |
US11874185B2 (en) | 2017-11-16 | 2024-01-16 | Nextinput, Inc. | Force attenuator for force sensor |
US10962427B2 (en) | 2019-01-10 | 2021-03-30 | Nextinput, Inc. | Slotted MEMS force sensor |
JP2023143466A (ja) * | 2022-03-25 | 2023-10-06 | Koa株式会社 | 荷重センサ素子 |
JP2024034271A (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-13 | Tdk株式会社 | センサ部材および物理量センサ |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6147532A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 歪センサ |
JPS63155676A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 触覚センサ |
JPS63196080A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体力センサ及びそれを用いた触覚センサ |
JPH07294355A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Nippondenso Co Ltd | 圧力センサ |
JPH1168120A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001284603A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP2005249520A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nagano Keiki Co Ltd | 歪検出素子及び圧力センサ |
JP2007240250A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 圧力センサ、圧力センサパッケージ、圧力センサモジュール、及び電子部品 |
JP2008089559A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサ |
JP2008196918A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気式圧力センサ |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3918019A (en) * | 1974-03-11 | 1975-11-04 | Univ Leland Stanford Junior | Miniature absolute pressure transducer assembly and method |
US4079508A (en) * | 1975-08-13 | 1978-03-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Miniature absolute pressure transducer assembly and method |
US4680606A (en) * | 1984-06-04 | 1987-07-14 | Tactile Perceptions, Inc. | Semiconductor transducer |
US4991283A (en) * | 1989-11-27 | 1991-02-12 | Johnson Gary W | Sensor elements in multilayer ceramic tape structures |
DE4040821A1 (de) | 1990-12-20 | 1992-06-25 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen aufbau |
US5589810A (en) * | 1991-03-28 | 1996-12-31 | The Foxboro Company | Semiconductor pressure sensor and related methodology with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements |
US5264820A (en) * | 1992-03-31 | 1993-11-23 | Eaton Corporation | Diaphragm mounting system for a pressure transducer |
WO1997032320A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Sigma-Netics, Inc. | Improved strain gauge and method of manufacture |
JPH10325772A (ja) | 1997-05-27 | 1998-12-08 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
US6056888A (en) * | 1999-04-19 | 2000-05-02 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacture |
US6447106B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ink jet head and method for the manufacture thereof |
US6812558B2 (en) * | 2003-03-26 | 2004-11-02 | Northrop Grumman Corporation | Wafer scale package and method of assembly |
DE102004003413A1 (de) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
US8109149B2 (en) * | 2004-11-17 | 2012-02-07 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Contact stress sensor |
CN101317262A (zh) * | 2005-11-25 | 2008-12-03 | 松下电工株式会社 | 传感器装置及其制造方法 |
US8097850B2 (en) * | 2006-05-25 | 2012-01-17 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Infrared sensor |
WO2008041607A1 (fr) | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Capteur de pression |
JP2008241482A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置 |
US8297125B2 (en) * | 2008-05-23 | 2012-10-30 | Honeywell International Inc. | Media isolated differential pressure sensor with cap |
CN101446682B (zh) * | 2008-12-25 | 2011-07-20 | 西北工业大学 | 基于soi的连续薄膜式微变形镜的制备方法 |
-
2010
- 2010-12-16 EP EP10839276.2A patent/EP2518462B1/en active Active
- 2010-12-16 CN CN201080043480.XA patent/CN102575964B/zh active Active
- 2010-12-16 WO PCT/JP2010/072615 patent/WO2011078043A1/ja active Application Filing
- 2010-12-16 JP JP2011547501A patent/JP5295388B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-18 US US13/475,579 patent/US8516906B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6147532A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 歪センサ |
JPS63155676A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 触覚センサ |
JPS63196080A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体力センサ及びそれを用いた触覚センサ |
JPH07294355A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Nippondenso Co Ltd | 圧力センサ |
JPH1168120A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001284603A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
JP2005249520A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nagano Keiki Co Ltd | 歪検出素子及び圧力センサ |
JP2007240250A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 圧力センサ、圧力センサパッケージ、圧力センサモジュール、及び電子部品 |
JP2008089559A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサ |
JP2008196918A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気式圧力センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011078043A1 (ja) | 2011-06-30 |
EP2518462A1 (en) | 2012-10-31 |
CN102575964B (zh) | 2014-06-18 |
CN102575964A (zh) | 2012-07-11 |
US8516906B2 (en) | 2013-08-27 |
EP2518462B1 (en) | 2019-07-24 |
US20120234112A1 (en) | 2012-09-20 |
JPWO2011078043A1 (ja) | 2013-05-09 |
EP2518462A4 (en) | 2016-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5295388B2 (ja) | フォースセンサ及びその製造方法 | |
US7540190B2 (en) | Semiconductor device with acceleration sensor | |
JP5576331B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
CN102749159A (zh) | 具有密封结构的传感器器件 | |
WO2012102979A1 (en) | Differential pressure sensor using dual backside absolute pressure sensing | |
JP5357100B2 (ja) | フォースセンサパッケージ及びその製造方法 | |
JPH11344402A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2004333133A (ja) | 慣性力センサ | |
JP5974595B2 (ja) | 半導体センサ及びその製造方法 | |
KR101633027B1 (ko) | Mems 센서 | |
KR101573367B1 (ko) | 압저항형 세라믹 압력센서 | |
JP5859133B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5804445B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2014077793A (ja) | セラミックダイアフラム型圧力センサ | |
JP6248009B2 (ja) | 圧力センサ | |
CN109844482B (zh) | 压力传感器 | |
JP2007171040A (ja) | 物理量センサ | |
JP2010025760A (ja) | 半導体センサ | |
JP2017040540A (ja) | 複合センサデバイスの製造方法 | |
JP5698064B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP5718140B2 (ja) | 圧力センサ | |
TWI776513B (zh) | 圖像感測器及其製造方法 | |
JP2020021809A (ja) | 半導体装置 | |
JP2018096910A (ja) | 圧力センサ | |
JP2010164364A (ja) | センサ装置の製造方法およびセンサ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5295388 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |