JP5294944B2 - 基板の洗浄方法 - Google Patents
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Description
先ず、基板カセット等の保管ケース内に収納された基板Wをロード・アンロード部12にセットする。基板Wは、例えば直径300mmで、表面にTEOS膜が成膜されている半導体ウェーハである。ロード・アンロード部12にセットされた保管ケースから1枚の基板Wを搬送機14bで取り出し反転機20に搬送する。反転機20によって表面が下向きに反転された基板Wを搬送機14aで基板受渡台22に搬送し、研磨部10の基板ホルダ28で保持する。
12 ロード・アンロード部
14a,14b 搬送機
16,18 洗浄機
24 研磨パッド
26 研磨テーブル
28 基板ホルダ
30 スラリー
32 スラリーノズル
34,42 洗浄液
36,44 洗浄液ノズル
40 ロール型PVAスポンジ(洗浄具)
50 洗浄カップ
52 二流体ジェット流
54 噴出ノズル
56 洗浄液供給ライン
58 ガス供給ライン
Claims (7)
- 基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、
基板のゼータ電位と該データ電位と同じ極性を有する基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を共に増加させる処理を行い、しかる後、
基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行うことを特徴とする基板の洗浄方法。 - 前記ゼータ電位の絶対値を増加させる処理で増加させた後の基板のゼータ電位と基板上に付着している汚染物のゼータ電位は、共に−50mV以下または+50mV以上であることを特徴とする請求項1記載の基板の洗浄方法。
- 前記ゼータ電位の絶対値を増加させる処理を、界面活性剤を含む洗浄液を基板表面に供給することで行うことを特徴とする請求項1または2記載の基板の洗浄方法。
- 前記ゼータ電位の絶対値を増加させる処理を、アルカリ性の洗浄液を基板表面に供給することで行うことを特徴とする請求項1または2記載の基板の洗浄方法。
- 前記洗浄具は、PVAスポンジからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
- 前記ゼータ電位の絶対値を増加させる処理をCMP直後の基板に対して行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
- 前記接触洗浄及び前記二流体ジェット洗浄の少なくとも一方を、基板のゼータ電位と該データ電位と同じ極性を有する基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を共に増加させながら行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
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