JP5292878B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板上に抵抗体を形成する工程と、前記ゲート電極の側面上及び前記抵抗体の側面上に第1サイドウォール・スペーサを形成する工程と、前記第1サイドウォール・スペーサ上に第2サイドウォール・スペーサを形成する工程と、前記第2サイドウォール・スペーサ上に第3サイドウォール・スペーサを形成する工程と、前記第3サイドウォール・スペーサを形成した前記半導体基板上に、窒素を含む第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜を形成した前記半導体基板に不純物イオンを注入し、前記半導体基板に不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域の形成後、前記第1絶縁膜上に窒素を含む第2絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が前記抵抗体上に残るように前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜をエッチングする工程と、前記エッチング後、前記不純物領域の表面及び前記第3サイドウォール・スペーサをウェットエッチングする工程と、前記ウェットエッチング工程後、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が残った領域を除く前記抵抗体上、及び、前記不純物領域上に、シリサイド層を形成する工程とを含み、前記エッチング工程において、前記第3サイドウォール・スペーサは、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜よりもエッチング耐性が高く、前記ウェットエッチング工程において、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、前記第3サイドウォール・スペーサよりもエッチング耐性が高い。
(第1実施例)
第1実施例にかかる半導体装置の製造工程について、図1〜図5を用いて説明する。
第2実施例にかかる半導体装置701の製造工程について、図6〜図11を用いて説明する。
まず、図11Bを参照にして、第2実施例における半導体装置701の構造を説明する。なお、第2実施例において、第1実施例で説明した構成と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
110 ゲート絶縁膜
120 ゲート電極
130 不純物領域
140、141 素子分離領域
150 抵抗素子用ポリシリコンパターン
160 シリコン酸化膜
161 サイドウォール・スペーサ
170 シリコン窒化膜(第1絶縁膜)
171 シリコン窒化膜(第1絶縁膜)
172 シリコン窒化膜(第1絶縁膜)
180 矢印(不純物イオン注入)
181 不純物領域
190 シリコン窒化膜(第2絶縁膜)
191 シリコン窒化膜(第2絶縁膜)
192 シリコン窒化膜(第2絶縁膜)
200 シリサイドブロック
201 シリサイドブロック
210 シリサイド層
220 シリコン酸化膜
221 第1サイドウォール・スペーサ
230 シリコン窒化膜
231 第2サイドウォール・スペーサ
240 シリコン酸化膜
241 第3サイドウォール・スペーサ
400、401 MISトランジスタ
500、501、510、511 抵抗形成領域
700 半導体装置
701 半導体装置
Claims (7)
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板上に抵抗体を形成する工程と、
前記ゲート電極の側面上及び前記抵抗体の側面上にサイドウォール・スペーサを形成する工程と、
前記サイドウォール・スペーサを形成した前記半導体基板上に、窒素を含む第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜を形成した前記半導体基板に不純物イオンを注入し、前記半導体基板に不純物領域を形成する工程と、
前記不純物領域の形成後、前記第1絶縁膜上に窒素を含む第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が前記抵抗体上に残るように前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜をエッチングする工程と、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が残った領域を除く前記抵抗体上、及び、前記不純物領域上に、シリサイド層を形成する工程と、
を含み、
前記エッチング工程において、前記サイドウォール・スペーサは、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜よりもエッチング耐性が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜は、1nm〜5nmの膜厚で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、原子層成長法によって形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング後で且つ前記シリサイド層形成前に、前記不純物領域の表面をウェットエッチングする工程を更に有し、
前記ウェットエッチング工程において、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、前記サイドウォール・スペーサよりもエッチング耐性が高いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記サイドウォール・スペーサは、シリコン酸化膜からなり、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、シリコン窒化物からなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板上に抵抗体を形成する工程と、
前記ゲート電極の側面上及び前記抵抗体の側面上に第1サイドウォール・スペーサを形成する工程と、
前記第1サイドウォール・スペーサ上に第2サイドウォール・スペーサを形成する工程と、
前記第2サイドウォール・スペーサ上に第3サイドウォール・スペーサを形成する工程と、
前記第3サイドウォール・スペーサを形成した前記半導体基板上に、窒素を含む第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜を形成した前記半導体基板に不純物イオンを注入し、前記半導体基板に不純物領域を形成する工程と、
前記不純物領域の形成後、前記第1絶縁膜上に窒素を含む第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が前記抵抗体上に残るように前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜をエッチングする工程と、
前記エッチング後、前記不純物領域の表面及び前記第3サイドウォール・スペーサをウェットエッチングする工程と、
前記ウェットエッチング工程後、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が残った領域を除く前記抵抗体上、及び、前記不純物領域上に、シリサイド層を形成する工程と、
を含み、
前記エッチング工程において、前記第3サイドウォール・スペーサは、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜よりもエッチング耐性が高く、
前記ウェットエッチング工程において、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、前記第3サイドウォール・スペーサよりもエッチング耐性が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1サイドウォール・スペーサはシリコン酸化物からなり、前記第2サイドウォール・スペーサはシリコン窒化膜からなり、前記第3サイドウォール・スペーサはシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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