JP5288977B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

本発明は、露光装置に関するものである。   The present invention relates to an exposure apparatus.

従来、液晶パネル等を露光する露光装置において、図２１に示されるように原版であるマスク上のスキャン方向に垂直な方向に半分のショットである、所謂、ハーフショット３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔを含む図２５、図２６、図２７に示される基板１の露光対象であるショット１ｓｈｏｔからショット６ｓｈｏｔを基板１の複数のレイヤに亘り露光する。   Conventionally, in an exposure apparatus that exposes a liquid crystal panel or the like, as shown in FIG. 21, FIG. 25 includes so-called half shots 3shot and 4shot, which are half shots in a direction perpendicular to the scanning direction on the original mask. The shot 1 shot to shot 6 shot which are the exposure targets of the substrate 1 shown in FIGS.

このとき、ハーフショット３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔの転写元となる図２２に示されるマスク２の露光領域において、アライメントマーク２ａを配置する必要がある。また、アライメントマーク２ａを転写する基板１のレイヤ以降を露光する際には、アライメントマーク２ａを転写する基板１のレイヤにて露光されたマークを基に、マスク２の位置、姿勢、拡大縮小の補正を行なう。図２３に示されるようにマスク２をＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を用いてマスキングし、通常ショット１ｓｈｏｔ、２ｓｈｏｔを露光する。   At this time, it is necessary to arrange the alignment mark 2a in the exposure region of the mask 2 shown in FIG. 22 which is a transfer source of the half shots 3shot and 4shot. Further, when exposing the layer 1 and subsequent layers of the substrate 1 to which the alignment mark 2a is transferred, the position, posture, and enlargement / reduction of the mask 2 are based on the marks exposed in the layer of the substrate 1 to which the alignment mark 2a is transferred. Make corrections. As shown in FIG. 23, the mask 2 is masked by using an X masking blade 4 and a Y masking blade 5, and normal shots 1shot and 2shot are exposed.

図２４に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を用いて、ハーフショット３ｓｈｏｔ用の露光領域を設定して、ハーフショット３ｓｈｏｔの露光を行なう。同様にＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を用いて露光領域を設定し、ハーフショット４ｓｈｏｔおよび通常ショット５ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔの露光を行なう。   As shown in FIG. 24, an exposure area for half shot 3shot is set using X masking blade 4 and Y masking blade 5, and half shot 3shot is exposed. Similarly, an exposure area is set using the X masking blade 4 and the Y masking blade 5, and half shot 4shot, normal shot 5shot, and 6shot are exposed.

アライメントマーク２ａを転写する基板１のレイヤ以降において、通常ショット１ｓｈｏｔ、２ｓｈｏｔは、図２８、図２９に示すように転写されたショットを露光するために使用するアライメントマーク９に対応して、図２２に示されるアライメントマーク２ａを有するマスク２の位置、姿勢、拡大縮小の補正を行なう。アライメントマークを転写する基板１のレイヤ以降において、ハーフショット３ｓｈｏｔは、図３０に示される転写されたハーフショット３ｓｈｏｔを露光するために使用するアライメントマーク１０に対応して、図２２に示されるアライメントマーク２ａを有するマスク２の転写される像の位置、姿勢、拡大縮小の補正を行なう。   After the layer of the substrate 1 to which the alignment mark 2a is transferred, the normal shots 1shot and 2shot correspond to the alignment mark 9 used for exposing the transferred shot as shown in FIGS. The position, posture, and enlargement / reduction of the mask 2 having the alignment mark 2a shown in FIG. After the layer of the substrate 1 to which the alignment mark is transferred, the half shot 3shot corresponds to the alignment mark 10 shown in FIG. 22 corresponding to the alignment mark 10 used for exposing the transferred half shot 3shot shown in FIG. Correction of the position, posture, and enlargement / reduction of the transferred image of the mask 2 having 2a is performed.

他の従来の露光装置においては、予め各ショットの位置合わせ量を記憶し、図３１に示されるようにアライメント時間短縮のために使用するアライメントマーク１１を、基板１に対するショット全体の位置ズレのみを取り除くことで、スループットを向上させる。特許文献１にて、原板のパターンを基板上に露光する際に露光領域以外の領域をマスキングブレード
で遮光する露光装置が、遮光帯を有する原板を用いて露光する際の運用上のミスを防止するために提案されている。
特開２０００−２５２１９３号公報 In another conventional exposure apparatus, the alignment amount of each shot is stored in advance, and the alignment mark 11 used for shortening the alignment time as shown in FIG. By removing it, throughput is improved. In Patent Document 1, an exposure apparatus that shields a region other than the exposure region with a masking blade when exposing the pattern of the original plate on the substrate prevents an operational error when performing exposure using the original plate having a light shielding band. Has been proposed to.
JP 2000-252193 A

上記従来例においては、アライメントマークを転写する基板１のレイヤ以降において、ハーフショット３ｓｈｏｄの位置合わせを行なう際、アライメントマークを計測するが、図３０に示されるようにハーフショット３ｓｈｏｄの転写によって転写されたアライメントマーク１０のみではなく、隣接するショット２ｓｈｏｄの転写時に転写されたアライメントマーク１０を用いる必要がある。このため、マスク２の位置、姿勢、拡大縮小の補正精度が低下する。   In the above conventional example, the alignment mark is measured when the alignment of the half shot 3shod is performed after the layer of the substrate 1 to which the alignment mark is transferred. However, as shown in FIG. 30, the halfshot 3shod is transferred. It is necessary to use not only the alignment mark 10 but also the alignment mark 10 transferred when transferring the adjacent shot 2shod. For this reason, the correction accuracy of the position, posture, and enlargement / reduction of the mask 2 is lowered.

上記従来例においては、アライメントマークを転写する基板１のレイヤ以降において、スループットを向上させるため、図３１に示される対角に配置されたショットのアライメントマーク１１を用い、基板１に対するショット全体の位置、姿勢、拡大縮小の補正を行なう。この場合のアライメントマーク１１が、ハーフショット４ｓｈｏｔの転写によって転写されたアライメントマーク１１と隣接するショット５ｓｈｏｔおよび対角に位置するショット１ｓｈｏｄの転写時に転写されたアライメントマーク１１を用いる必要がある。このため、基板１に対するショット全体の位置、姿勢、拡大縮小の補正精度が低下する。
そこで、本発明は、ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善することを目的とする。 In the above conventional example, in order to improve the throughput after the layer of the substrate 1 to which the alignment mark is transferred, the shot alignment mark 11 arranged on the diagonal shown in FIG. , Correct posture and enlargement / reduction. In this case, it is necessary to use the alignment mark 11 transferred during the transfer of the shot 5shot adjacent to the alignment mark 11 transferred by the transfer of the half shot 4shot and the shot 1shot positioned diagonally. For this reason, the correction accuracy of the position, posture, and enlargement / reduction of the entire shot with respect to the substrate 1 is lowered.
Accordingly, an object of the present invention is to improve the overlay accuracy in half shots.

上記課題を解決するための本発明の露光装置は、原版の有効領域を設定する遮光手段を含んで前記原版を照明する照明手段と、基板を保持して移動される基板ステージと、を有し、前記照明手段により照明された原版の前記有効領域を介して前記基板ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、前記照明手段を制御して原版の第１領域を有効領域として基板の第１ショット領域を露光させ、前記第１領域における前記第１ショット領域との重畳領域が前記第１領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第１ショット領域を露光させ、前記照明手段を制御して前記第１領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第２ショット領域を露光させる制御手段、を有することを特徴とする。   An exposure apparatus of the present invention for solving the above-described problems includes an illumination unit that illuminates the original plate including a light shielding unit that sets an effective area of the original plate, and a substrate stage that is moved while holding the substrate. An exposure apparatus that exposes a substrate held on the substrate stage through the effective area of the original illuminated by the illuminating means, wherein the substrate is controlled by controlling the illumination means to use the first area of the original as an effective area. The first shot area is exposed, the substrate stage is moved so that the overlapping area of the first area with the first shot area is half of the first area, and the illumination means is controlled to align the alignment mark. The first shot area is exposed with a part of the overlapping area including the effective area as an effective area, and the illumination unit is controlled so that an area other than the overlapping area in the first area is an effective area Characterized in that it has a control unit, exposing the second shot area of the substrate by.

本発明によれば、ハーフショットでの重ね合わせ精度を改善することができる。   According to the present invention, it is possible to improve the overlay accuracy in half shots.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
図２０の全体構成図を参照して、液晶用のガラス基板等の大型の基板にマスクのパターンを転写する走査型露光装置について説明する。投影光学系１５を挟んで垂直方向の上側にマスクステージ２０が配置され、下側にプレートステージ（被露光基板ステージ）３０が配置されている。これらマスクステージ２０とプレートステージ３０はそれぞれ個別に移動可能であり、これらの移動位置はともにレーザ干渉測長器５０により計測制御可能である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
A scanning exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a large substrate such as a glass substrate for liquid crystal will be described with reference to the overall configuration diagram of FIG. A mask stage 20 is disposed above the projection optical system 15 in the vertical direction, and a plate stage (substrate stage to be exposed) 30 is disposed below. The mask stage 20 and the plate stage 30 can be moved individually, and both of these movement positions can be measured and controlled by the laser interference length measuring device 50.

基板３６を保持して移動される基板ステージであるプレートステージ３０は、本体ベース３１上に配置したＹリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３を有する。なお、Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交する方向とする。このＹリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３は、プレートステージ３０介して基板３６を支持する。従って、基板３６は、プレートステージ３０によりＸ、ＹおよびＺ方向に移動可能であると共にＸＹ面内でも回転可能に支持される。投影光学系１５の下部にはマスキングブレード３４が配置されている。   A plate stage 30, which is a substrate stage that is moved while holding the substrate 36, has a Y linear motor 32 and an X linear motor 33 disposed on a main body base 31. Note that the X direction and the Y direction are orthogonal to each other. The Y linear motor 32 and the X linear motor 33 support the substrate 36 through the plate stage 30. Accordingly, the substrate 36 can be moved in the X, Y, and Z directions by the plate stage 30 and is also rotatably supported in the XY plane. A masking blade 34 is disposed below the projection optical system 15.

マスクステージ２０の上に投影されるべきパタ−ンを有する原版であるマスク２３が配置される。従って、マスク２３はＸおよびＹ方向に移動可能であると共にＸＹ面内で回転可能に支持される。マスクステージ２０の上方には、マスク２３と基板３６の像を投影光学系１０を介して観察できる観察光学系４０が配置され、さらにその上方に照明光学系４１が配置されている。照明手段である照明光学系４１は、原版であるマスク２３の有効領域である照明される領域を設定する遮光手段であるＹ方向マスキングブレード５、図３に示されるＸ方向マスキングブレード４を含んでマスク２３を照明する。   A mask 23 which is an original having a pattern to be projected on the mask stage 20 is arranged. Therefore, the mask 23 can be moved in the X and Y directions and is supported rotatably in the XY plane. Above the mask stage 20, an observation optical system 40 capable of observing images of the mask 23 and the substrate 36 via the projection optical system 10 is disposed, and an illumination optical system 41 is disposed further above. The illumination optical system 41 that is an illuminating unit includes a Y-direction masking blade 5 that is a light-shielding unit that sets an illuminated area that is an effective area of the mask 23 that is an original, and an X-direction masking blade 4 shown in FIG. The mask 23 is illuminated.

マスクステージ２０の下部にはＹ方向マスキングブレード５が配置される。マスクステージ２０およびプレートステージ３０は共にレーザ干渉測長器５０により位置計測制御される。レーザ干渉測長器５０はレ−ザヘッド５１、プレートステージ側干渉計５２、マスクステージ側干渉計５３、プレートステージ３０に取り付けられたプレート側反射ミラー５４、マスクステージ２０に取り付けられたマスク側反射ミラー５５を有する。   A Y-direction masking blade 5 is disposed below the mask stage 20. Both the mask stage 20 and the plate stage 30 are subjected to position measurement control by a laser interference length measuring device 50. The laser interferometer 50 includes a laser head 51, a plate stage side interferometer 52, a mask stage side interferometer 53, a plate side reflection mirror 54 attached to the plate stage 30, and a mask side reflection mirror attached to the mask stage 20. 55.

制御装置６０は、マスクステージ２０、Ｙリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３およびマスキングブレード３４、照明光学系４１、プレートステージ３０などを制御する。制御手段６０は、照明手段である照明光学系４１、Ｙリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３を制御してマスク２３の第１領域を照明される有効領域として、基板３６の第１ショット領域を露光させる。制御手段６０は、第１領域における第１ショット領域との重畳領域である図２に示されるハーフショット２ｓｈｏｔ，５ｓｈｏｔが第１領域の半分となるように基板ステージであるプレートステージ３０を移動させる。制御手段６０は、照明手段である照明光学系４１、Ｙリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３を制御してアライメントマークを含む重畳領域内の一部の領域を有効領域として第１ショット領域を露光させる。制御手段６０は、照明手段である照明光学系４１、Ｙリニアモーター３２およびＸリニアモーター３３を制御して第１領域のうち、重畳領域以外の領域を有効領域として基板３６の第２ショット領域を露光させる。   The control device 60 controls the mask stage 20, the Y linear motor 32, the X linear motor 33, the masking blade 34, the illumination optical system 41, the plate stage 30, and the like. The control means 60 controls the illumination optical system 41, the Y linear motor 32, and the X linear motor 33, which are illumination means, to expose the first shot area of the substrate 36 as an effective area that is illuminated by the first area of the mask 23. Let The control means 60 moves the plate stage 30 that is the substrate stage so that the half shots 2shot and 5shot shown in FIG. 2, which are the overlapping regions of the first region and the first shot region, are half of the first region. The control means 60 controls the illumination optical system 41, the Y linear motor 32, and the X linear motor 33, which are illumination means, to expose the first shot area with a partial area within the overlapping area including the alignment mark as an effective area. . The control means 60 controls the illumination optical system 41, the Y linear motor 32, and the X linear motor 33, which are illumination means, and sets the second shot area of the substrate 36 as an effective area in the first area other than the overlapping area. Let it be exposed.

ここで、図２に示されるように第１領域の半分の重畳領域であるハーフショット２ｓｈｏｔ，５ｓｈｏｔを、原版上であるマスク２３上のスキャン方向に垂直な方向の基板３６の両端より内側の位置に位置させる。すなわち、第２ショット領域は、第１ショット領域および第２ショット領域を含むショット領域の列における両端のショット領域以外のショット領域である。第１領域の半分の重畳領域のハーフショット２ｓｈｏｔ，５ｓｈｏｔのアライメントマークを含む露光領域を、図１に示されるようにマスク２３にマスキングパターン３を配置することで形成された隣接するショットの未露光領域に重畳露光する。すなわち、第１領域は、第１ショット領域および第２ショット領域を含むショット領域の列の方向に間隔を有する２つの領域を含む。
以上のように、本実施例の露光装置は、照明手段である照明光学系４１により照明されたマスク２３の有効領域を介してプレートステージ３０に保持された基板３６を露光する装置である。 Here, as shown in FIG. 2, half shots 2shot and 5shot, which are half overlapping regions of the first region, are positioned inside both ends of the substrate 36 in the direction perpendicular to the scanning direction on the mask 23 on the original plate. To be located. That is, the second shot region is a shot region other than the shot regions at both ends in the row of shot regions including the first shot region and the second shot region. Unexposed adjacent shots formed by arranging the masking pattern 3 on the mask 23 as shown in FIG. 1 in the exposure region including the alignment marks of the half shots 2shot and 5shot in the overlapping region which is a half of the first region. Superimpose exposure on the area. In other words, the first region includes two regions having an interval in the direction of the row of shot regions including the first shot region and the second shot region.
As described above, the exposure apparatus of the present embodiment is an apparatus that exposes the substrate 36 held on the plate stage 30 through the effective area of the mask 23 illuminated by the illumination optical system 41 that is an illuminating unit.

次に、図１を参照して、本発明の実施例１のマスクにおける転写パターンの配置を示すマスクレイアウトを説明する。
原版であるマスク２３においては、転写されるアライメントマーク２が配置され、露光光を遮光するパターンであるマスキングパターン３は、マスク２３を半分に分割するようにマスク２３の中央に配置される。 Next, with reference to FIG. 1, a mask layout showing the arrangement of the transfer pattern in the mask according to the first embodiment of the present invention will be described.
In the mask 23 which is the original plate, the alignment mark 2 to be transferred is arranged, and the masking pattern 3 which is a pattern for shielding the exposure light is arranged in the center of the mask 23 so as to divide the mask 23 in half.

図２を参照して、基板３６におけるハーフショットを含む６つのショットのレイアウトを説明する。基板３６に転写する６つのショットは、通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔと、ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔとから成る。ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔは、基板３６に対してスキャン方向に垂直な方向の両端から内側の位置に配置される。   With reference to FIG. 2, a layout of six shots including a half shot on the substrate 36 will be described. The six shots transferred to the substrate 36 are composed of normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot, and half shots 2shot and 5shot. The half shots 2shot and 5shot are arranged at positions on the inner side from both ends in the direction perpendicular to the scanning direction with respect to the substrate 36.

まず、第１レイヤを露光するために図１４に示されるように露光ショットがハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔであるか決定される（ステップ１０１）。
ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔである場合は、ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔにより第１レイヤが露光される（ステップ１０２）。
通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔである場合は、通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔにより第１レイヤが露光される（ステップ１０３）。さらに、最終露光ショットが完了する（ステップ１０４）。 First, in order to expose the first layer, as shown in FIG. 14, it is determined whether the exposure shot is a half shot 2shot, 5shot (step 101).
In the case of half shot 2shot and 5shot, the first layer is exposed by half shot 2shot and 5shot (step 102).
In the case of normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot, the first layer is exposed by the normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot (step 103). Further, the final exposure shot is completed (step 104).

次に、通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔによる第１レイヤの露光時には、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５が、図３に示される位置に配置される。
すなわち、図１５に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５の通常露光の位置計算を行い、プレートステージ３０の通常露光の位置計算を行う（ステップ１０５）。
次に、露光の準備をするために移動し、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を、図３に示される通常露光の位置へ移動し、プレートステージ３０を露光準備位置へ移動し（ステップ１０６）、露光動作を行う（ステップ１０７）。 Next, when the first layer is exposed by the normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are arranged at the positions shown in FIG.
That is, as shown in FIG. 15, the normal exposure position calculation of the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 is performed, and the normal exposure position calculation of the plate stage 30 is performed (step 105).
Next, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the normal exposure position shown in FIG. 3, and the plate stage 30 is moved to the exposure preparation position (step 106). ), An exposure operation is performed (step 107).

次に、ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔの露光時におけるアライメントマーク２の重畳転写時のＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５は、図４に示される位置に配置される。ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔの露光時のハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔ本体の転写時には、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５が、図５に示される位置に配置される。すなわち、図１６に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５のハーフ露光の位置計算を行い、プレートステージ３０の通常露光の位置計算を行う（ステップ１０８）。   Next, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 at the time of superimposed transfer of the alignment mark 2 at the time of exposure of the half shots 2shot and 5shot are arranged at the positions shown in FIG. At the time of transfer of the half shot 2shot and 5shot main body at the time of exposure of the half shot 2shot and 5shot, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are arranged at the positions shown in FIG. That is, as shown in FIG. 16, the half exposure positions of the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are calculated, and the normal exposure positions of the plate stage 30 are calculated (step 108).

次に、露光の準備をするために移動し、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を、図４に示されるハーフ露光の位置へ移動し、プレートステージ３０を露光準備位置へ移動し（ステップ１０９）、露光動作を行う（ステップ１１０）。
次に、図１６に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５のハーフ露光の位置計算を行う（ステップ１１１）。
次に、露光の準備をするために移動し、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を、図５に示されるハーフ露光の位置へ移動し、プレートステージ３０を露光準備位置へ移動し（ステップ１１２）、露光動作を行う（ステップ１１３）。 Next, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the half exposure position shown in FIG. 4, and the plate stage 30 is moved to the exposure preparation position (step 109). ), An exposure operation is performed (step 110).
Next, as shown in FIG. 16, the half exposure positions of the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are calculated (step 111).
Next, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the half exposure position shown in FIG. 5, and the plate stage 30 is moved to the exposure preparation position (step 112). ), An exposure operation is performed (step 113).

次に、第２レイヤを露光するために図１７に示されるように露光ショットがハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔであるか決定される（ステップ１１４）。
ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔである場合は、ハーフショット２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔにより第２レイヤが露光される（ステップ１１５）。
通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔである場合は、通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔにより第２レイヤが露光される（ステップ１１６）。さらに、最終露光ショットが完了する（ステップ１１７）。 Next, in order to expose the second layer, it is determined whether the exposure shot is a half shot 2shot, 5shot as shown in FIG. 17 (step 114).
In the case of half shot 2shot and 5shot, the second layer is exposed by half shot 2shot and 5shot (step 115).
In the case of the normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot, the second layer is exposed by the normal shot 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot (step 116). Further, the final exposure shot is completed (step 117).

次に、通常ショット１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔによる第２イヤの露光時には、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５が、図３に示される位置に配置される。すなわち、図１８に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を、図３に示される通常露光の位置へ移動する（ステップ１１８）。
次に、第１レイヤで露光されたアライメントマークに対してアライメントを行う（ステップ１１９）。
次に、露光準備移動として、プレートステージ３０を露光準備位置へ移動し（ステップ１２０）、露光動作を行う（ステップ１２１）。 Next, at the time of the second ear exposure by the normal shots 1shot, 3shot, 4shot, and 6shot, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are disposed at the positions shown in FIG. That is, as shown in FIG. 18, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the normal exposure position shown in FIG. 3 (step 118).
Next, alignment is performed on the alignment mark exposed in the first layer (step 119).
Next, as exposure preparation movement, the plate stage 30 is moved to the exposure preparation position (step 120), and an exposure operation is performed (step 121).

次に、図１９に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を、図３に示される通常露光の位置へ移動する（ステップ１２２）。
次に、第１レイヤで露光されたアライメントマークに対してアライメントを行う（ステップ１２３）。
次に、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５のハーフ露光位置の計算を行う（ステップ１２４）。
次に、露光準備移動として、Ｘマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を図３に示される露光準備位置へ移動し、プレートステージ３０を露光準備位置へ移動し（ステップ１２５）、露光動作を行う（ステップ１２６）。 Next, as shown in FIG. 19, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the normal exposure position shown in FIG. 3 (step 122).
Next, alignment is performed on the alignment mark exposed in the first layer (step 123).
Next, the half exposure positions of the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are calculated (step 124).
Next, as the exposure preparation movement, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are moved to the exposure preparation position shown in FIG. 3, the plate stage 30 is moved to the exposure preparation position (step 125), and an exposure operation is performed (step 125). Step 126).

以下、本発明の実施例２を説明する。
図６を参照して、本発明の実施例２における通常ショット１ｓｈｏｔの露光時の基板３６に露光された転写パターンを説明する。 図３に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を配置し、転写動作を行なうことで、図６に示される露光対象ショット６において、通常ショット１ｓｈｏｔの露光結果の転写パターンが形成される。
未露光領域７は、通常ショット１ｓｈｏｔにより露光されない領域で、図１のマスク２３に配置されたマスキングパターン３により生成される。 Embodiment 2 of the present invention will be described below.
With reference to FIG. 6, the transfer pattern exposed on the substrate 36 during the exposure of the normal shot 1shot in the second embodiment of the present invention will be described. By arranging the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 as shown in FIG. 3 and performing the transfer operation, the transfer pattern of the exposure result of the normal shot 1shot is formed in the exposure target shot 6 shown in FIG. The
The unexposed area 7 is an area that is not exposed by the normal shot 1shot, and is generated by the masking pattern 3 arranged on the mask 23 in FIG.

次に、図７、図８を参照して、本発明の実施例２におけるハーフショット２ｓｈｏｔの露光時の基板３６に露光された転写パターンを説明する。
図７に示されるようにハーフショット用アライメントマーク８ａの重畳露光領域８を有する。ハーフショット２ｓｈｏｔの露光は、二段階の転写を行なう。初めに図４に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を配置し、転写を行なう。この転写により、図７に示したアライメントマーク８ａを含んだ転写パターンが通常ショット１ｓｈｏｔの転写で形成された未露光領域に重畳して形成される。
次に，図５に示されるようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を配置し、転写を行なうことで、図８に示した転写パターンが形成される。 Next, with reference to FIGS. 7 and 8, a transfer pattern exposed on the substrate 36 at the time of half shot 2shot exposure in Embodiment 2 of the present invention will be described.
As shown in FIG. 7, the half-shot alignment mark 8 a has a superimposed exposure region 8. Half-shot 2shot exposure is performed in two stages. First, as shown in FIG. 4, an X masking blade 4 and a Y masking blade 5 are arranged to perform transfer. By this transfer, a transfer pattern including the alignment mark 8a shown in FIG. 7 is formed so as to overlap with an unexposed area formed by the transfer of the normal shot 1shot.
Next, as shown in FIG. 5, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are arranged and transferred, whereby the transfer pattern shown in FIG. 8 is formed.

次に、図９を用いて本発明の実施例２における通常ショット３ｓｈｏｔの露光時に基板３６に露光された転写パターンを説明する。
露光対象ショット６は、通常ショット３ｓｈｏｔの露光結果による転写パターンを有する。未露光領域７は、図１に示されるマスク２３に配置されたマスキングパターン３により生成された露光されない領域である。図３に示したようにＸマスキングブレード４およびＹマスキングブレード５を配置し、転写動作を行なう。この転写により、図６に示される通常ショット１ｓｈｏｔの転写と同様に図９に示される転写パターンが形成される。他の通常ショットも同様に露光する。 Next, the transfer pattern exposed on the substrate 36 during the exposure of the normal shot 3shot in the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The exposure target shot 6 has a transfer pattern based on the exposure result of the normal shot 3shot. The unexposed area 7 is an unexposed area generated by the masking pattern 3 arranged on the mask 23 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the X masking blade 4 and the Y masking blade 5 are arranged to perform the transfer operation. By this transfer, the transfer pattern shown in FIG. 9 is formed in the same manner as the transfer of the normal shot 1shot shown in FIG. Other normal shots are similarly exposed.

以下、本発明の実施例３を説明する。
図１０に示されるようにアライメントマーク９は、本発明の実施例３のアライメントマークを転写するレイヤ以降における通常ショット１ｓｈｏｔの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。図１１に示されるようにハーフショットを重ね合わせるためのアライメントマーク１０は、本発明の実施例３のアライメントマークを転写するレイヤ以降におけるハーフショット２ｓｈｏｔの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。図１２に示されるようにショットを重ね合わせるためのアライメントマーク９は、本発明の実施例３のアライメントマークを転写するレイヤ以降における通常ショット３ｓｈｏｔの転写パターンの重ね合わせにおいて用いられる。 Embodiment 3 of the present invention will be described below.
As shown in FIG. 10, the alignment mark 9 is used in superimposing the transfer pattern of the normal shot 1shot on and after the layer to which the alignment mark of Example 3 of the present invention is transferred. As shown in FIG. 11, the alignment mark 10 for superimposing half shots is used in superimposing the transfer pattern of the half shots 2shot on and after the layer to which the alignment mark of Example 3 of the present invention is transferred. As shown in FIG. 12, the alignment mark 9 for superimposing shots is used in superimposing the transfer pattern of the normal shot 3shot on and after the layer to which the alignment mark of Example 3 of the present invention is transferred.

次に、図１３を参照して、本発明の実施例３のアライメントマークを転写するレイヤ以降において、スループットを向上させるために対角に配置されたショットのアライメントマークを説明する。通常ショット３ｓｈｏｔの転写パターンの重ね合わせにおいて用いるアライメントマーク１１は、ショットの重ね合わせに要する時間短縮のために使用する。スループットを向上させるために使用する対角の通常ショット６ｓｈｏｔのアライメントマーク１１を使用して、ハーフショット２ｓｈｏｔ，５ｓｈｏｔのアライメントマークを使用しないため、重ね合わせの精度が向上する。   Next, with reference to FIG. 13, description will be given of shot alignment marks arranged diagonally in order to improve the throughput after the layer to which the alignment mark according to the third embodiment of the present invention is transferred. The alignment mark 11 used for overlaying the transfer pattern of the normal shot 3shot is used for shortening the time required for overlaying the shot. Since the diagonal normal shot 6shot alignment mark 11 used for improving the throughput is used and the half shot 2shot and 5shot alignment marks are not used, the overlay accuracy is improved.

以上説明したように本実施例１，２，３によれば、中央に遮光するためのマスキングパターンを配置したマスクレイアウトを行ない、アライメントマークを転写するレイヤにおいてハーフショットを基板に対して左右両端以外の内側に転写するレイアウトを行なう。このため、隣接するショットを転写した際にマスクのマスキングパターンにより形成された未露光部分に対し、ハーフショット転写時にアライメントマークを含む露光領域を重畳露光する。この結果、アライメントマークを転写するレイヤ以降において、ハーフショットの位置、姿勢、拡大縮小の補正をするために用いるアライメントマークとして隣接するショットのアライメントマークを使用する必要がなくなり、精度を向上させることができる。   As described above, according to the first, second, and third embodiments, a mask layout in which a masking pattern for shielding light is arranged at the center is performed, and half shots are transferred to the substrate other than the left and right ends with respect to the substrate. The layout to be transferred inside is performed. For this reason, an exposure region including an alignment mark is superimposed and exposed at the time of half shot transfer on an unexposed portion formed by the masking pattern of the mask when adjacent shots are transferred. As a result, it is not necessary to use the alignment mark of the adjacent shot as the alignment mark used for correcting the position, posture, and enlargement / reduction of the half shot in the layer where the alignment mark is transferred, and the accuracy can be improved. it can.

本実施例３によれば、アライメントマークを転写するレイヤ以降において、スループットを向上させるため、対角に配置されたショットのアライメントマークを計測する際においても、対角に配置されたショットがハーフショットでないため、位置、姿勢、拡大縮小の補正精度の低下を防ぐことができる。   According to the third embodiment, in order to improve the throughput after the layer to which the alignment mark is transferred, even when measuring the alignment mark of the diagonally arranged shot, the diagonally arranged shot is a half shot. Therefore, it is possible to prevent a decrease in position, posture, and enlargement / reduction correction accuracy.

（デバイス製造方法の実施例）
デバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板（ウェハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより形成、製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。 (Example of device manufacturing method)
A device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) includes a step of exposing a substrate (wafer, glass plate, etc.) coated with a photosensitive agent using the exposure apparatus of any one of the embodiments described above, and the substrate The film is formed and manufactured through a process of developing the film and other known processes. Other well known processes include etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like.

本発明の実施例１のマスクレイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the mask layout of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のショットレイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the shot layout of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のマスクに対するマスキングブレードの位置の説明図である。It is explanatory drawing of the position of the masking blade with respect to the mask of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のマスクに対するマスキングブレードの位置の説明図である。It is explanatory drawing of the position of the masking blade with respect to the mask of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のマスクに対するマスキングブレードの位置を説明図である。It is explanatory drawing about the position of the masking blade with respect to the mask of Example 1 of this invention. 本発明の実施例２におけるアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transfer layer in Example 2 of this invention. 本発明の実施例２におけるアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transfer layer in Example 2 of this invention. 本発明の実施例２におけるアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transfer layer in Example 2 of this invention. 本発明の実施例２におけるアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transfer layer in Example 2 of this invention. 本発明の実施例３におけるアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer in Example 3 of this invention. 本発明の実施例３におけるアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer in Example 3 of this invention. 本発明の実施例３におけるアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer in Example 3 of this invention. 本発明の実施例３におけるアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer in Example 3 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第１レイヤにおける露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence in the 1st layer of the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第１レイヤにおける通常ショットの露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence of the normal shot in the 1st layer of the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第１レイヤにおけるハーフショットの露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence of the half shot in the 1st layer of the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第２レイヤ以降における露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence in the 2nd layer after the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第２レイヤにおける通常ショットの露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence of the normal shot in the 2nd layer of the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例１における基板の第２レイヤにおけるハーフショットの露光シーケンスのフロー図である。It is a flowchart of the exposure sequence of the half shot in the 2nd layer of the board | substrate in Example 1 of this invention. 本発明の実施例の露光装置の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 従来例のショットレイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the shot layout of a prior art example. 従来例のマスクレイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the mask layout of a prior art example. 従来例のマスクに対するマスキングブレードの位置の説明図である。It is explanatory drawing of the position of the masking blade with respect to the mask of a prior art example. 従来例のマスクに対するマスキングブレードの位置の説明図である。It is explanatory drawing of the position of the masking blade with respect to the mask of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transcription | transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transcription | transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤの露光の説明図である。It is explanatory drawing of exposure of the alignment mark transcription | transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer of a prior art example. 従来例のアライメントマーク転写レイヤ以降のレイヤにて露光する際のアライメントの説明図である。It is explanatory drawing of the alignment at the time of exposing in the layer after the alignment mark transfer layer of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

１ｓｈｏｔ、３ｓｈｏｔ、４ｓｈｏｔ、６ｓｈｏｔ：通常ショット
２ｓｈｏｔ、５ｓｈｏｔ：ハーフショット
２３：マスク
２：アライメントマーク
３：マスキングパターン
４：Ｘマスキングブレード
５：Ｙマスキングブレード
７：マスキングパターンで遮光された領域
８：ハーフショット用アライメントマークの重畳露光領域
９：ショットを重ね合わせるためのアライメントマーク
１０：ハーフショットを重ね合わせるためのアライメントマーク
１１：アライメント時間短縮のために使用するアライメントマーク
３６：基板 1 shot, 3 shot, 4 shot, 6 shot: normal shot 2 shot, 5 shot: half shot 23: mask 2: alignment mark 3: masking pattern 4: X masking blade 5: Y masking blade 7: area shielded by masking pattern 8: half shot Alignment exposure area 9 for alignment mark: Alignment mark 10 for overlaying shots: Alignment mark 11 for overlaying half shots 11: Alignment mark 36 used for shortening alignment time

Claims (4)

原版の有効領域を設定する遮光手段を含んで前記原版を照明する照明手段と、
基板を保持して移動される基板ステージと、を有し、
前記照明手段により照明された原版の前記有効領域を介して前記基板ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、
前記照明手段を制御して原版の第１領域を有効領域として基板の第１ショット領域を露光させ、
前記第１領域における前記第１ショット領域との重畳領域が前記第１領域の半分となるように前記基板ステージを移動させ、
前記照明手段を制御してアライメントマークを含む前記重畳領域内の一部の領域を有効領域として前記第１ショット領域を露光させ、
前記照明手段を制御して前記第１領域のうち前記重畳領域以外の領域を有効領域として前記基板の第２ショット領域を露光させる制御手段、
を有することを特徴とする露光装置。 Illuminating means for illuminating the original plate including light shielding means for setting an effective area of the original plate,
A substrate stage that is moved while holding the substrate,
An exposure apparatus that exposes the substrate held on the substrate stage through the effective area of the original plate illuminated by the illumination means,
Controlling the illumination means to expose the first shot area of the substrate with the first area of the original as the effective area;
Moving the substrate stage so that the overlapping region of the first region with the first shot region is half of the first region;
Controlling the illuminating means to expose the first shot area with a partial area in the overlapping area including the alignment mark as an effective area;
Control means for controlling the illumination means to expose the second shot area of the substrate as an effective area other than the overlapping area in the first area;
An exposure apparatus comprising: 前記第２ショット領域は、前記第１ショット領域および前記第２ショット領域を含むショット領域の列における両端のショット領域以外のショット領域である、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second shot area is a shot area other than the shot areas at both ends in a row of shot areas including the first shot area and the second shot area. 前記第１領域は、前記第１ショット領域および前記第２ショット領域を含むショット領域の列の方向に間隔を有する２つの領域を含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。   3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first area includes two areas spaced in a row direction of a shot area including the first shot area and the second shot area. . 請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
Developing the substrate exposed in the step;
A device manufacturing method comprising:
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