JP5287447B2 - Nozzle substrate, and droplet discharge head and droplet discharge apparatus including the same - Google Patents

Nozzle substrate, and droplet discharge head and droplet discharge apparatus including the same Download PDF

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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
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Description

本発明は、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドに係り、特にそのノズル基板に関する。   The present invention relates to a droplet discharge head such as an inkjet head, and more particularly to a nozzle substrate thereof.

インクジェットの様な液滴吐出ヘッドでは、ノズル孔が形成されたノズル基板を備え、圧力室に貯えられたインクを、圧力室の圧力変動を利用して上記ノズル孔から吐出している。その場合、シリコン製のノズル基板では、その吐出面側にメッキ法による撥水膜を形成し、液滴の吐出特性のばらつきを改善している(例えば、特許文献１)。   A droplet discharge head such as an ink jet has a nozzle substrate in which nozzle holes are formed, and discharges ink stored in a pressure chamber from the nozzle holes by utilizing pressure fluctuations in the pressure chamber. In that case, in a silicon nozzle substrate, a water-repellent film is formed on the discharge surface side by a plating method to improve variation in droplet discharge characteristics (for example, Patent Document 1).

特開２０００−２０３０３３号公報JP 2000-203033 A

従来は、シリコン製のノズル基板にメッキ法で撥水膜を形成するため、ノズル孔及びノズル孔近傍には不純物を注入して抵抗を下げ、他の部分はメッキが付かないようにシリコンの比抵抗を高抵抗にしている。しかしこのようにすることで、シリコン製のノズル基板では、ノズル孔周囲に被印刷物の静電気が放電しやすく、それによってノズル孔にダメージを生じさせるおそれがあった。
本発明はこの課題に対応したもので、静電気に対してダメージの小さいノズル基板を提案し、併せてそれを備えた液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置を提供するものである。 Conventionally, since a water-repellent film is formed on a silicon nozzle substrate by plating, impurities are injected into the nozzle hole and the vicinity of the nozzle hole to lower the resistance, and other parts are not coated with silicon. The resistance is high. However, in this way, in the silicon nozzle substrate, the static electricity of the printed material is likely to be discharged around the nozzle hole, thereby possibly causing damage to the nozzle hole.
The present invention addresses this problem, and proposes a nozzle substrate that is less damaging to static electricity, and also provides a droplet discharge head and a droplet discharge device including the nozzle substrate.

本発明のノズル基板は、シリコン製のノズル基板であって、前記ノズル基板を貫通するノズル孔と、前記ノズル基板の液滴吐出面から前記ノズル孔の内壁まで連続する液滴保護膜とを有したものにおいて、前記ノズル基板の比抵抗が１０Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍであり、前記ノズル基板の液滴吐出面に撥水膜が形成されているものである。なお、ノズル基板の比抵抗は、１００Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍが特に好ましい。また、シリコン基板は、Ｐ型またはＮ型のいずれでもよい。
このノズル基板によれば、帯電した被印刷物の静電気がノズル基板上に放電しても、基板を構成するシリコンの時定数により放電するため、ノズル基板への放電ダメージを軽減することができる。
また、シリコンに腐食性のある液滴材料でもシリコン酸化膜の耐性があれば使用可能となり、液滴材料の選択範囲が広くなる。
しかも、放電に対する耐性を向上させるのにシリコン材料の仕様変更のみで済む、特別な構造を形成する必要がないため、安価で信頼性の高いノズル基板の製造が可能となる。 The nozzle substrate of the present invention is a silicon nozzle substrate having a nozzle hole penetrating the nozzle substrate and a droplet protective film continuous from the droplet discharge surface of the nozzle substrate to the inner wall of the nozzle hole. The specific resistance of the nozzle substrate is 10 Ωcm to 2000 Ωcm, and a water repellent film is formed on the droplet discharge surface of the nozzle substrate. The specific resistance of the nozzle substrate is particularly preferably 100 Ωcm to 2000 Ωcm. The silicon substrate may be either P-type or N-type.
According to this nozzle substrate, even if the static electricity of the charged substrate is discharged on the nozzle substrate, the discharge is caused by the time constant of silicon constituting the substrate, so that discharge damage to the nozzle substrate can be reduced.
In addition, even a droplet material corrosive to silicon can be used as long as the silicon oxide film is resistant, and the selection range of the droplet material is widened.
In addition, it is only necessary to change the specification of the silicon material to improve the resistance to discharge, and it is not necessary to form a special structure, so that it is possible to manufacture an inexpensive and highly reliable nozzle substrate.

本発明の液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置は、上記のノズル基板を液滴吐出部に備えたものである。これにより信頼性の高い液滴吐出ヘッドや液滴吐出装置が実現できる。   A droplet discharge head and a droplet discharge apparatus of the present invention are provided with the above-described nozzle substrate in a droplet discharge portion. Thereby, a highly reliable droplet discharge head or droplet discharge device can be realized.

本発明の実施形態１に係る液滴吐出ヘッドを示した縦断面図。1 is a longitudinal sectional view showing a droplet discharge head according to Embodiment 1 of the present invention. 実施形態１に係る液滴吐出ヘッドのノズル基板を液滴吐出面側から見た図。FIG. 3 is a diagram of the nozzle substrate of the droplet discharge head according to the first embodiment when viewed from the droplet discharge surface side. シリコン製ノズル基板の比抵抗と静電気によるノズル基板へのダメージサイズの関係を示す図。The figure which shows the relationship between the specific resistance of a silicon nozzle board | substrate, and the damage size to the nozzle board | substrate by static electricity. 本発明の実施形態２に係るノズル基板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the nozzle substrate which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図４に続く工程図。Process drawing following FIG. 図５に続く工程図。Process drawing following FIG. 本発明の実施形態３に係る液滴吐出装置の例示図。FIG. 6 is an exemplary view of a droplet discharge device according to a third embodiment of the present invention.

実施形態１（ノズル基板、液滴吐出ヘッド）
図１は、本発明の実施形態１に係る液滴吐出ヘッドを示した縦断面図である。なお図１では、駆動回路４の部分を模式的に示している。実施形態１に係る液滴吐出ヘッドは、ノズル基板１、キャビティ基板２、電極基板３が順に積層されて構成されている。 Embodiment 1 (nozzle substrate, droplet discharge head)
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a droplet discharge head according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, the drive circuit 4 is schematically shown. The droplet discharge head according to Embodiment 1 is configured by sequentially laminating a nozzle substrate 1, a cavity substrate 2, and an electrode substrate 3.

ノズル基板１は、Ｐ型またはＮ型のシリコンで、比抵抗が１００Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍのシリコン基板からなる。ノズル基板１には、狭い孔径の第１ノズル孔１０ａとそれより広い孔径の第２ノズル孔１０ｂからなるノズル穴１０が形成されている。第１ノズル孔１０ａは、液滴吐出面１ａの側に形成されており、第２ノズル孔１０ｂは、キャビティ基板２との接着面１ｂの側に形成されている。
ノズル基板１は、液滴吐出面１ａからノズル孔１０の内壁まで連続する液滴保護膜１１を有し、液滴吐出面１ａには撥水膜（後述の図５，６参照）も形成されている。
また、ノズル基板１の接着面１ｂ側にも液滴保護膜（後述の図５，６参照）が形成されている。 The nozzle substrate 1 is made of P-type or N-type silicon and has a specific resistance of 100 Ωcm to 2000 Ωcm. The nozzle substrate 1 is formed with a nozzle hole 10 including a first nozzle hole 10a having a narrow hole diameter and a second nozzle hole 10b having a larger hole diameter. The first nozzle hole 10 a is formed on the droplet discharge surface 1 a side, and the second nozzle hole 10 b is formed on the adhesion surface 1 b side with the cavity substrate 2.
The nozzle substrate 1 has a droplet protective film 11 continuous from the droplet discharge surface 1a to the inner wall of the nozzle hole 10, and a water repellent film (see FIGS. 5 and 6 described later) is also formed on the droplet discharge surface 1a. ing.
A droplet protective film (see FIGS. 5 and 6 described later) is also formed on the adhesion surface 1b side of the nozzle substrate 1.

キャビティ基板２は、例えば単結晶シリコンからなり、底壁が変形可能な振動板２３に形成された吐出室（圧力室ともいう）２０が複数形成されている。吐出室２０はノズル基板１のノズル孔１０に連通している。なお、吐出室２０は、図１の紙面奥側又は紙面手前側に並んで形成されているものとする。また、キャビティ基板２には、各吐出室２０にインク等の液滴を供給するためのリザーバ２２が形成されており、このリザーバ２２と各吐出室２０の間には細溝状のオリフィス２１が形成されている。さらに、キャビティ基板２の電極基板３との対向面には、例えば熱酸化によって酸化シリコンからなる絶縁膜２４が形成されている。この絶縁膜２４は、液滴吐出ヘッドの駆動時の絶縁破壊やショートを防止するために設けられる。   The cavity substrate 2 is made of, for example, single crystal silicon, and a plurality of discharge chambers (also referred to as pressure chambers) 20 formed in a diaphragm 23 whose bottom wall is deformable. The discharge chamber 20 communicates with the nozzle hole 10 of the nozzle substrate 1. It is assumed that the discharge chamber 20 is formed side by side on the back side or the front side of FIG. The cavity substrate 2 is formed with reservoirs 22 for supplying droplets of ink or the like to the respective discharge chambers 20, and narrow groove-like orifices 21 are formed between the reservoirs 22 and the respective discharge chambers 20. Is formed. Further, an insulating film 24 made of silicon oxide is formed on the surface of the cavity substrate 2 facing the electrode substrate 3 by, for example, thermal oxidation. This insulating film 24 is provided in order to prevent dielectric breakdown or short circuit when the droplet discharge head is driven.

電極基板３は、キャビティ基板２の振動板２３と対向する位置に配置されたガラス等から成る基板である。電極基板３には、複数の溝が形成され、各溝内に各振動板２３と対向するそれぞれ独立した複数の固定電極（個別電極ともいう）３１が形成されて、そのリード部３１ａが開口部まで引き出されている。振動板２３と固定電極３１との間にはギャップ３０が形成されており、そのギャップ３０は封止材３３で封止されている。このギャップ３０を介した振動板２３と固定電極３１とにより、振動板２３が静電力により変形する静電アクチュエータが構成される。
電極基板３にはまた、リザーバ２２と連通するインク供給孔３２が形成されている。このインク供給孔３２は、リザーバ２２の底壁に設けられた孔２５と繋がっており、リザーバ２２にインク等の液滴を外部から供給するために設けられている。 The electrode substrate 3 is a substrate made of glass or the like disposed at a position facing the vibration plate 23 of the cavity substrate 2. A plurality of grooves are formed in the electrode substrate 3, and a plurality of independent fixed electrodes (also referred to as individual electrodes) 31 opposed to the diaphragms 23 are formed in the grooves, and the lead portions 31 a are openings. Has been pulled out. A gap 30 is formed between the diaphragm 23 and the fixed electrode 31, and the gap 30 is sealed with a sealing material 33. The diaphragm 23 and the fixed electrode 31 through the gap 30 constitute an electrostatic actuator that deforms the diaphragm 23 by electrostatic force.
An ink supply hole 32 that communicates with the reservoir 22 is also formed in the electrode substrate 3. The ink supply hole 32 is connected to a hole 25 provided in the bottom wall of the reservoir 22, and is provided to supply droplets such as ink to the reservoir 22 from the outside.

ここで図１に示す液滴吐出ヘッドの動作について説明する。なお、キャビティ基板２と各固定電極３１の間には駆動回路４が接続されている。駆動回路４によりキャビティ基板２と固定電極３１の間にパルス電圧が印加されると、振動板２３が静電力によって固定電極３１の側に撓み、リザーバ２２の内部に溜まっていたインク等の液滴が吐出室２０に流れ込む。そして、キャビティ基板２と固定電極３１の間に印加された電圧がなくなると、振動板２３が元の位置に戻るため吐出室２０の内部圧力が高くなり、その圧力によってノズル孔１０からインク等の液滴が吐出される。   Here, the operation of the droplet discharge head shown in FIG. 1 will be described. A drive circuit 4 is connected between the cavity substrate 2 and each fixed electrode 31. When a pulse voltage is applied between the cavity substrate 2 and the fixed electrode 31 by the drive circuit 4, the diaphragm 23 is deflected to the fixed electrode 31 side by electrostatic force, and a droplet of ink or the like that has accumulated in the reservoir 22. Flows into the discharge chamber 20. When the voltage applied between the cavity substrate 2 and the fixed electrode 31 disappears, the diaphragm 23 returns to its original position, so that the internal pressure of the discharge chamber 20 increases, and the pressure causes the ink and the like from the nozzle hole 10 to rise. A droplet is ejected.

図２は、ノズル基板１を液滴吐出面側１ａから見た上面図である。図２に示すように、ノズル基板１の表面には複数のノズル孔１０が直線状に列を形成して配置されている。なお、符号１３は、ノズル基板１をキャビティ基板２に接合する際に利用するピンアライメント穴である。   FIG. 2 is a top view of the nozzle substrate 1 viewed from the droplet discharge surface side 1a. As shown in FIG. 2, a plurality of nozzle holes 10 are arranged in a straight line on the surface of the nozzle substrate 1. Reference numeral 13 denotes a pin alignment hole used when the nozzle substrate 1 is bonded to the cavity substrate 2.

図３は、シリコン製ノズル基板の比抵抗と静電気によるノズル基板へのダメージサイズの関係を示す図である。図３に示すように、ノズル基板１の比抵抗が０．１Ωｃｍでは、ダメージサイズが直径約２００μｍもあるのに対して、１０Ωｃｍでは約７０μｍ、１００〜２０００Ωｃｍでは約２０μｍとなっている。従って、ノズル基板１の静電気によるダメージ抑制の観点からは１００Ωｃｍ以上が好ましい。ただし、ノズル基板１が半導体であることから、過度に比抵抗を増すことは流通量の問題からコスト高につながる。従って、ノズル基板１の比抵抗は、１０Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍとするのが望ましく、特に、１００Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍとするのが好ましい。なお、そのシリコン基板はＰ型でもＮ型でもよい。そのような比抵抗のノズル基板１であれば、帯電した被印刷物の静電気がノズル基板１上に放電しても、ノズル基板１を構成するシリコンの時定数により放電するため、ノズル基板１への放電ダメージを軽減することができる。
また、シリコンに腐食性のある液滴材料でもシリコン酸化膜の耐性があれば使用可能となり、液滴材料の選択範囲も広くなる。 FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the specific resistance of the silicon nozzle substrate and the size of damage to the nozzle substrate due to static electricity. As shown in FIG. 3, when the specific resistance of the nozzle substrate 1 is 0.1 Ωcm, the damage size is about 200 μm in diameter, whereas it is about 70 μm at 10 Ωcm and about 20 μm at 100 to 2000 Ωcm. Therefore, 100 Ωcm or more is preferable from the viewpoint of suppressing damage to the nozzle substrate 1 due to static electricity. However, since the nozzle substrate 1 is a semiconductor, excessively increasing the specific resistance leads to an increase in cost due to the problem of circulation. Therefore, the specific resistance of the nozzle substrate 1 is preferably 10 Ωcm to 2000 Ωcm, and particularly preferably 100 Ωcm to 2000 Ωcm. The silicon substrate may be P-type or N-type. In the case of the nozzle substrate 1 having such a specific resistance, even if static electricity of a charged printed material is discharged on the nozzle substrate 1, it is discharged by the time constant of silicon constituting the nozzle substrate 1. Discharge damage can be reduced.
In addition, even a droplet material corrosive to silicon can be used as long as the silicon oxide film has resistance, and the selection range of the droplet material is widened.

実施形態２（ノズル基板及び液滴吐出ヘッドの製造方法）
図４〜図６は、実施形態１で説明したノズル基板１の製造工程の一例を示した工程図である。これに基づいて、ノズル基板１の製造方法を説明する。
（Ａ）まず、例えば厚さが７２５μｍ、比抵抗１０〜２０００Ωｃｍ（望ましくは１００〜２０００Ωｃｍ）の単結晶シリコン基板（以下、ノズル基板１と称する）を準備し、このノズル基板１の両面に熱酸化膜（ＳｉＯ２）１５を厚さ０．５μｍ程度形成する。さらに、接着面１ｂ側の第２ノズル孔１０ｂとなる部分の熱酸化膜１５を除去するパターニングを施す。
（Ｂ）ノズル基板１の接着面１ｂ側にレジスト膜１６を形成し、第１ノズル孔１０ａとなる部分のレジスト膜１６を除去するパターニングを施す。
（Ｃ）異方性ドライエッチングで第１ノズル孔１０ａを所定の深さまでエッチングする。
（Ｄ）レジスト膜１６を除去し、異方性ドライエッチングで第２ノズル孔１０ｂを所定の深さまでエッチングする。このとき、第１ノズル孔１０ａも対応して所定量エッチングされる。
（Ｅ）続いて、酸化膜１５を剥離し、厚さ０．１μｍの液滴保護膜１１ａを熱酸化で形成する。
（Ｆ）ノズル基板の接着面１ｂにサポート基板１７を貼り付けた後、液滴吐出面１ａ側を所定の板厚になるまで研削などで薄くし、ノズル孔１０を貫通させる。
（Ｇ）液滴吐出面１ａ及びノズル孔１０内面に、液滴保護膜１１となる厚さ０．２〜２μｍのシリコン重合膜、シロキサン原料のプラズマＣＶＤで形成する。さらに、空気中で、ＵＶを照射して脱水縮合させ、液滴保護膜１１の表面をＳｉＯ２化する。
（Ｈ）シランカップリング材をディップコートし、液滴吐出面１ａに撥水膜１２を形成する。この際、ノズル孔１０の内壁にも撥水膜１２が形成される。
（Ｉ）ノズル基板の液滴吐出面１ａにサポートテープ１８を貼り付けてから、接着面１ｂのサポート基板１７を剥離し、接着面１ｂから酸素若しくはアルゴンのプラズマ処理をして、ノズル孔１０の内壁の撥水膜１２を親水化する。
（Ｊ）最後にサポートテープ１８を剥離して、ノズル基板１が完成する。
以上により、構造等に特別な配慮をすることなく、静電気のダメージに対して強いノズル基板１を、材料であるシリコン基板の仕様変更のみで実現することができる。 Second Embodiment (Manufacturing Method of Nozzle Substrate and Droplet Discharge Head)
4 to 6 are process diagrams showing an example of the manufacturing process of the nozzle substrate 1 described in the first embodiment. Based on this, the manufacturing method of the nozzle substrate 1 will be described.
(A) First, for example, a single crystal silicon substrate (hereinafter referred to as a nozzle substrate 1) having a thickness of 725 μm and a specific resistance of 10 to 2000 Ωcm (preferably 100 to 2000 Ωcm) is prepared, and both sides of the nozzle substrate 1 are thermally oxidized. A film (SiO 2) 15 is formed to a thickness of about 0.5 μm. Further, patterning is performed to remove the portion of the thermal oxide film 15 that becomes the second nozzle hole 10b on the bonding surface 1b side.
(B) A resist film 16 is formed on the adhesion surface 1b side of the nozzle substrate 1, and patterning is performed to remove the resist film 16 in a portion that becomes the first nozzle hole 10a.
(C) The first nozzle hole 10a is etched to a predetermined depth by anisotropic dry etching.
(D) The resist film 16 is removed, and the second nozzle hole 10b is etched to a predetermined depth by anisotropic dry etching. At this time, the first nozzle hole 10a is also etched by a predetermined amount.
(E) Subsequently, the oxide film 15 is peeled off, and a droplet protective film 11a having a thickness of 0.1 μm is formed by thermal oxidation.
(F) After the support substrate 17 is attached to the adhesive surface 1b of the nozzle substrate, the droplet discharge surface 1a side is thinned by grinding or the like until a predetermined plate thickness is obtained, and the nozzle hole 10 is penetrated.
(G) Formed on the droplet discharge surface 1a and the nozzle hole 10 inner surface by plasma CVD using a silicon polymer film having a thickness of 0.2 to 2 μm to be the droplet protective film 11 and a siloxane raw material. Further, UV irradiation is performed in the air for dehydration condensation, and the surface of the droplet protective film 11 is changed to SiO2.
(H) Dip coat a silane coupling material to form a water repellent film 12 on the droplet discharge surface 1a. At this time, the water repellent film 12 is also formed on the inner wall of the nozzle hole 10.
(I) After the support tape 18 is attached to the droplet discharge surface 1a of the nozzle substrate, the support substrate 17 on the adhesive surface 1b is peeled off, and oxygen or argon plasma treatment is performed from the adhesive surface 1b. The water repellent film 12 on the inner wall is made hydrophilic.
(J) Finally, the support tape 18 is peeled off to complete the nozzle substrate 1.
As described above, the nozzle substrate 1 that is strong against static electricity damage can be realized only by changing the specification of the silicon substrate that is a material without special consideration for the structure or the like.

ここで、ノズル基板１を利用した液滴吐出ヘッドの製造方法の一例を簡単に説明しておく。まず、ガラス基板に溝を形成し、その溝内にＩＴＯを成膜して固定電極（個別電極）３１及びリード部３１ａを形成して、電極基板３を製造する。
続いて、キャビティ基板２となるシリコン基板を電極基板３に陽極接合する。このとき、シリコン基板と固定電極３１との間には、後に形成される振動板２３が変形する空間となるギャップ３０を介在させる。そして、そのシリコン基板にウェットエッチング等を施して、振動板２３を底面とした吐出室２０、オリフィス２１及びリザーバ２２等の流路を形成してキャビティ基板２とする。
その後、固定電極３１と振動板２３との間のギャップ３０を封止材３３で封止する。
最後に、先に製造しておいた静電気ダメージに対し強いノズル基板１を、電極基板３と一体となっているキャビティ基板２の流路形成面側に接着剤で接合して、液滴吐出ヘッドが完成する。 Here, an example of a manufacturing method of a droplet discharge head using the nozzle substrate 1 will be briefly described. First, a groove is formed in the glass substrate, ITO is formed in the groove to form the fixed electrode (individual electrode) 31 and the lead portion 31a, and the electrode substrate 3 is manufactured.
Subsequently, a silicon substrate to be the cavity substrate 2 is anodically bonded to the electrode substrate 3. At this time, a gap 30 is interposed between the silicon substrate and the fixed electrode 31 to be a space in which the diaphragm 23 to be formed later is deformed. Then, the silicon substrate is subjected to wet etching or the like to form flow paths such as the discharge chamber 20, the orifice 21, and the reservoir 22 with the vibration plate 23 as a bottom surface, thereby forming the cavity substrate 2.
Thereafter, the gap 30 between the fixed electrode 31 and the diaphragm 23 is sealed with a sealing material 33.
Finally, the previously manufactured nozzle substrate 1 that is resistant to electrostatic damage is bonded to the flow path forming surface side of the cavity substrate 2 integrated with the electrode substrate 3 with an adhesive, and a droplet discharge head. Is completed.

実施形態３（液滴吐出装置）
図７は、本発明の実施形態３に係る液滴吐出装置の例を示すインクジェット記録装置１００である。このインクジェット記録装置１００は、実施形態１で説明したノズル基板１を有した液滴吐出ヘッドを備えたものであり、帯電した被印刷物の静電気がノズル基板１に放電してもノズル基板１のダメージが軽減される。このため、インクの吐出精度や装置の耐久性が従来に比較して向上している。
なお、本発明に係る液滴吐出装置は、上記のインクジェットプリンタの他に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置や、液晶表示装置のカラーフィルタの製造装置、ＤＮＡデバイスの製造装置等にも適用できる。 Embodiment 3 (Droplet Discharge Device)
FIG. 7 is an inkjet recording apparatus 100 showing an example of a droplet discharge apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. The ink jet recording apparatus 100 includes the droplet discharge head having the nozzle substrate 1 described in the first embodiment, and the nozzle substrate 1 is damaged even if static electricity of the charged printed material is discharged to the nozzle substrate 1. Is reduced. For this reason, the ink ejection accuracy and the durability of the apparatus are improved as compared with the prior art.
The droplet discharge device according to the present invention can be applied to an organic electroluminescence display device manufacturing apparatus, a liquid crystal display device color filter manufacturing apparatus, a DNA device manufacturing apparatus, etc. in addition to the above-described ink jet printer. .

１ ノズル基板、１ａ ノズル基板の液滴吐出面、１ｂ ノズル基板の接着面、２ キャビティ基板、３ 電極基板、４ 駆動回路、１０ ノズル孔、１０ａ 第１ノズル孔、１０ｂ 第２ノズル孔、１１，１１ａ 液滴保護膜、１２ 撥水膜、２０ 吐出室（圧力室）、２１ オリフィス、２２ リザーバ、２３ 振動板、２４ 絶縁膜、２５ キャビティ基板の液滴供給孔、２６ 共通電極、３０ ギャップ、３１ 固定電極（個別電極）、３１ａ リード部、３２ 電極基板の液滴供給孔、３３ 封止材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nozzle substrate, 1a Nozzle substrate droplet discharge surface, 1b Nozzle substrate adhesive surface, 2 Cavity substrate, 3 Electrode substrate, 4 Drive circuit, 10 Nozzle hole, 10a 1st nozzle hole, 10b 2nd nozzle hole, 11, 11a Droplet protection film, 12 Water repellent film, 20 Discharge chamber (pressure chamber), 21 Orifice, 22 Reservoir, 23 Vibration plate, 24 Insulating film, 25 Cavity substrate droplet supply hole, 26 Common electrode, 30 Gap, 31 Fixed electrode (individual electrode), 31a lead part, 32 droplet supply hole of electrode substrate, 33 sealing material.

Claims (5)

シリコン製のノズル基板であって、前記ノズル基板を貫通するノズル孔と、前記ノズル基板の液滴吐出面から前記ノズル孔の内壁まで連続する液滴保護膜とを有したものにおいて、
前記ノズル基板の比抵抗が１０Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍであり、前記ノズル基板の液滴吐出面に撥水膜が形成されていることを特徴とするノズル基板。 In a nozzle substrate made of silicon, having a nozzle hole penetrating the nozzle substrate, and a droplet protective film continuous from the droplet discharge surface of the nozzle substrate to the inner wall of the nozzle hole,
The nozzle substrate has a specific resistance of 10 Ωcm to 2000 Ωcm, and a water repellent film is formed on a droplet discharge surface of the nozzle substrate. 前記ノズル基板の比抵抗が、１００Ωｃｍ〜２０００Ωｃｍであることを特徴とする請求項１記載のノズル基板。   2. The nozzle substrate according to claim 1, wherein a specific resistance of the nozzle substrate is 100 Ωcm to 2000 Ωcm. 前記ノズル基板は、Ｐ型シリコンまたはＮ型シリコンであることを特徴とする請求項１または２記載のノズル基板。   The nozzle substrate according to claim 1, wherein the nozzle substrate is P-type silicon or N-type silicon. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のノズル基板を液滴吐出部に備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。   A droplet discharge head comprising the nozzle substrate according to claim 1 in a droplet discharge unit. 請求項４に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。   A droplet discharge apparatus comprising the droplet discharge head according to claim 4.
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