JP5284299B2 - Thin film solar cell manufacturing method and thin film solar cell manufacturing laser processing apparatus - Google Patents

Thin film solar cell manufacturing method and thin film solar cell manufacturing laser processing apparatus Download PDF

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Description

この発明は、基板上に形成される複数の層のそれぞれに、複数の加工ラインが形成される薄膜太陽電池、その製造方法、および薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a thin film solar cell in which a plurality of processing lines are formed on each of a plurality of layers formed on a substrate, a manufacturing method thereof, and a laser processing apparatus for manufacturing a thin film solar cell.

図３２を参照して、一般的な薄膜太陽電池１０００の製造方法について説明する。基板１００上に、透明導電膜１０１が成膜される。透明導電膜１０１にレーザ光を照射することにより、透明導電膜１０１上に複数の加工ライン１１０（分離ラインとも称される）が形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０を覆うように、光電変換層１０２が成膜される。光電変換層１０２にレーザ光を照射することにより、光電変換層１０２上に複数の加工ライン１２０（コンタクトラインとも称される）が形成される。   With reference to FIG. 32, the manufacturing method of the general thin film solar cell 1000 is demonstrated. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. By irradiating the transparent conductive film 101 with laser light, a plurality of processing lines 110 (also referred to as separation lines) are formed on the transparent conductive film 101. A photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing line 110. By irradiating the photoelectric conversion layer 102 with laser light, a plurality of processing lines 120 (also referred to as contact lines) are formed on the photoelectric conversion layer 102.

光電変換層１０２および加工ライン１２０を覆うように、裏面電極層１０３が成膜される。裏面電極層１０３にレーザ光を照射することにより、裏面電極層１０３上に複数の加工ライン１３０（分離ラインとも称される）が形成される。基板１００上に、直列接続された複数の太陽電池セル１０８が形成される。太陽電池セル１０８の集積間隔Ｐは、約５ｍｍ〜約１５ｍｍである。上記同様の製造方法が、特開２００７−４８８３５号公報（特許文献１）に開示されている。   A back electrode layer 103 is formed so as to cover the photoelectric conversion layer 102 and the processing line 120. By irradiating the back electrode layer 103 with laser light, a plurality of processing lines 130 (also referred to as separation lines) are formed on the back electrode layer 103. A plurality of solar cells 108 connected in series are formed on the substrate 100. The integration interval P of the solar cells 108 is about 5 mm to about 15 mm. A manufacturing method similar to the above is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-48835 (Patent Document 1).

加工ライン１１０，１２０，１３０を（平面視において）含む領域Ｗ１は、発電に寄与しない。領域Ｗ１を小さくするためには、加工ライン１１０と加工ライン１２０との間隔Ｐ１、または、加工ライン１２０と加工ライン１３０との間隔Ｐ２を狭くする必要がある。間隔Ｐ１，Ｐ２を狭くするためには、レーザ光が、所望の位置に高い精度で照射される必要がある。   The region W1 including the processing lines 110, 120, and 130 (in plan view) does not contribute to power generation. In order to reduce the region W1, it is necessary to narrow the interval P1 between the processing line 110 and the processing line 120 or the interval P2 between the processing line 120 and the processing line 130. In order to narrow the intervals P1 and P2, it is necessary to irradiate the laser beam at a desired position with high accuracy.

特開２００７−４８８３５号公報JP 2007-48835 A

本発明者は、上述の技術について検討を行い、以下のような課題またはその源泉を見出した。図３３を参照して、光電変換層（１０２）または裏面電極層（１０３）は、基板１００上に高い温度で成膜される。基板１００に光電変換層１０２が成膜された後の経過時間と、基板１００上の任意の位置ＰＬ１〜ＰＬ５における温度変化（室温環境）との関係を測定した。基板１００として、ガラス基板（１０００ｍｍ×１４００ｍｍ×４ｍｍ）を使用した。   The inventor has studied the above-described technique and found the following problems or their sources. Referring to FIG. 33, the photoelectric conversion layer (102) or the back electrode layer (103) is formed on the substrate 100 at a high temperature. The relationship between the elapsed time after the photoelectric conversion layer 102 was formed on the substrate 100 and the temperature change (room temperature environment) at any position PL1 to PL5 on the substrate 100 was measured. As the substrate 100, a glass substrate (1000 mm × 1400 mm × 4 mm) was used.

図３４を参照して（一例：自然冷却）、成膜完了直後（０分）においては、位置ＰＬ１〜ＰＬ５に温度差は生じていない。成膜完了後、すぐに（約１〜２分後）、基板１００の外周側（位置ＰＬ１，ＰＬ５）と、基板１００の中央側（位置ＰＬ２〜ＰＬ４）との間に温度差が生じる。成膜完了後約３０分が経過しても、基板１００の外周側（位置ＰＬ１，ＰＬ５）と、基板１００の中央側（位置ＰＬ２〜ＰＬ４）との間には、約２０℃の温度差が生じている。   Referring to FIG. 34 (example: natural cooling), immediately after the film formation is completed (0 minutes), no temperature difference is generated at positions PL1 to PL5. Immediately after film formation is completed (about 1 to 2 minutes later), a temperature difference occurs between the outer peripheral side of the substrate 100 (positions PL1 and PL5) and the central side of the substrate 100 (positions PL2 to PL4). Even after about 30 minutes have elapsed from the completion of the film formation, there is a temperature difference of about 20 ° C. between the outer peripheral side of the substrate 100 (positions PL1 and PL5) and the central side of the substrate 100 (positions PL2 to PL4). Has occurred.

図３５を参照して、光電変換層１０２は、透明導電膜１０１上に高い温度で成膜される。基板１００の外周側と、基板１００の中央側との間には、上記同様の温度差が生じる。当該温度差により、基板１００の外周側と、基板１００の中央側との間において、熱膨張の程度に差が生じる。その結果、透明導電膜１０１上に形成された複数の加工ライン１１０は、所定の時間、湾曲する。同様に、裏面電極層１０３も高い温度で成膜されるため、光電変換層１０２上に形成された複数の加工ライン１２０は、所定の時間、湾曲する。   Referring to FIG. 35, the photoelectric conversion layer 102 is formed on the transparent conductive film 101 at a high temperature. A temperature difference similar to the above occurs between the outer peripheral side of the substrate 100 and the center side of the substrate 100. Due to the temperature difference, a difference occurs in the degree of thermal expansion between the outer peripheral side of the substrate 100 and the center side of the substrate 100. As a result, the plurality of processing lines 110 formed on the transparent conductive film 101 are curved for a predetermined time. Similarly, since the back electrode layer 103 is also formed at a high temperature, the plurality of processing lines 120 formed on the photoelectric conversion layer 102 are curved for a predetermined time.

図３６を参照して、当該湾曲により、加工ライン１２０が加工ライン１１０に重なって形成される場合がある。加工ライン１２０と加工ライン１１０とが重なると、薄膜太陽電池１０００の特性が低下したり、電気的な接続の不良が発生したりする（加工ライン１２０と加工ライン１３０についても同様である）。加工ライン１２０と加工ライン１１０とが重なることを抑制するために、基板１００の温度が低くなる（加工ライン１１０の湾曲が回復する）のを待つことも不可能ではないが、時間を要するため製造効率が低下する。これに対し、光電変換層１０２は薄膜太陽電池の特性に影響を与える重要な層であり、光電変換層１０２の形成後に短時間で次の工程を行なうことが極めて重要となる。   Referring to FIG. 36, the processing line 120 may be formed to overlap the processing line 110 due to the curvature. When the processing line 120 and the processing line 110 overlap with each other, the characteristics of the thin film solar cell 1000 may be deteriorated or poor electrical connection may occur (the same applies to the processing line 120 and the processing line 130). In order to prevent the processing line 120 and the processing line 110 from overlapping, it is not impossible to wait for the temperature of the substrate 100 to be lowered (the bending of the processing line 110 is restored), but it takes time and is manufactured. Efficiency is reduced. On the other hand, the photoelectric conversion layer 102 is an important layer that affects the characteristics of the thin film solar cell, and it is extremely important to perform the next step in a short time after the formation of the photoelectric conversion layer 102.

本発明は、基板上に形成される複数の層のそれぞれに、製造効率を落とさずに複数の加工ラインが所定の間隔で且つ相互に重ならずに形成される薄膜太陽電池の製造方法、および薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を提供することを目的とする。 The present invention, in each of a plurality of layers formed on the substrate, a method of manufacturing a thin-film solar cells in which a plurality of processing lines without reducing production efficiency is formed without overlapping in and mutually at predetermined intervals, And it aims at providing the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture.

本発明に基づく薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置は、基板上の第１層に並べて形成された複数の第１加工ラインに沿うように、上記第１層の上方に積層された第２層に複数の第２加工ラインを形成する薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置であって、複数の上記第２加工ラインは、複数の上記第１加工ラインの各々に対して一本対一本の対応関係となるように上記第２層にそれぞれ形成されるものであり、ステージと、レーザ光を照射し、上記ステージに載置された上記基板に対して一方側および他方側に向かって相対的に移動可能なレーザヘッドと、上記レーザヘッドの上記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、上記レーザヘッドとともに上記基板に対して相対的に移動可能な測定装置と、制御装置と、を備える。 A laser processing apparatus for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention is a second layer stacked above the first layer so as to follow a plurality of first processing lines formed side by side on the first layer on the substrate. A plurality of second processing lines, wherein each of the plurality of second processing lines is one-to-one for each of the plurality of first processing lines. Each of the second layers is formed so as to have a correspondence relationship, and is irradiated with a stage and a laser beam, and is relative to one side and the other side with respect to the substrate placed on the stage. A laser head that is movable, a measuring device that is disposed on the side of the laser head in the direction in which the first processing lines are arranged, and that can move relative to the substrate together with the laser head, and a control device. .

上記レーザヘッドが上記一方側または上記他方側に向かって移動しながら上記レーザ光を照射して第１の上記第１加工ラインに沿うように第１の上記第２加工ラインを形成するとき、上記測定装置は、上記レーザヘッドの上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する第２の上記第１加工ラインの位置情報を測定し、上記レーザヘッドが上記一方側または上記他方側に向かって移動しながら上記レーザ光を照射して第２の上記第１加工ラインに沿うように第２の上記第２加工ラインを形成するとき、上記制御装置は、第２の上記第２加工ラインが第２の上記第１加工ラインに沿って形成されるように、上記レーザヘッドが第１の上記第２加工ラインを形成している時に上記測定装置が測定した第２の上記第１加工ラインの上記位置情報に基づいて上記レーザ光の照射位置を制御する。 When the laser head to form a first of said second working line along Migihitsuji the first the first processing line is irradiated with the laser beam while moving toward the one side or the other side above, The measuring device measures position information of the second first processing line located on the side of the laser head in the direction in which the first processing lines are arranged, and the laser head moves toward the one side or the other side. when forming a movement while the second the second processing line along the second of said first processing line is irradiated with the laser beam, the control device, the second the second processing line is first The second of the first processing lines measured by the measuring device when the laser head is forming the first second processing line so as to be formed along two of the first processing lines. Based on location information Controlling the irradiation position of the laser beam.

好ましくは、上記第１加工ラインが並ぶ方向に間隔を空けて並ぶ他のレーザヘッドをさらに備え、上記レーザヘッドが所定数の複数で構成され、上記測定装置は、上記所定数の上記レーザヘッドのうちの最も上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する上記レーザヘッドよりもさらに上記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、上記所定数の上記レーザヘッドから照射されている上記レーザ光は、上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ上記第１加工ライン対して一本対一本の対応関係でこれらに沿うように上記第２層に対してそれぞれ走査され、上記所定数の上記レーザヘッドが移動しながら上記レーザ光を照射して上記所定数の第１の上記第１加工ラインに沿うように上記所定数の第１の上記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、上記測定装置は、上記所定数の上記レーザヘッドのうちの最も上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する上記レーザヘッドよりもさらに上記第１加工ラインが並ぶ方向側において上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ複数の第２の上記第１加工ラインのうちから選択された一の第２の上記第１加工ラインの位置情報を測定し、上記所定数の上記レーザヘッドが移動しながら上記レーザ光を照射して上記所定数の第２の上記第１加工ラインに沿うように上記所定数の第２の上記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、上記制御装置は、上記所定数の第２の上記第２加工ラインが上記所定数の第２の上記第１加工ラインに沿ってそれぞれ形成されるように、上記所定数の上記レーザヘッドが上記所定数の第１の上記第２加工ラインを形成している時に上記測定装置が測定した上記一の第２の上記第１加工ラインの上記位置情報に基づいて上記レーザ光の照射位置を制御し、上記第２層には、上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の上記第２加工ラインが、上記所定数の第２の上記第１加工ラインのそれぞれに沿ってこれらと一本対一本の対応関係となるように形成される。 Preferably, the laser processing apparatus further includes another laser head arranged at intervals in a direction in which the first processing lines are arranged, the laser head is configured by a predetermined number, and the measuring device includes the predetermined number of the laser heads. Among the laser heads that are arranged on the direction side in which the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side in which the first processing lines are arranged most, the laser beams emitted from the predetermined number of the laser heads are The second processing layer is scanned with respect to the second layer in a one-to-one correspondence relationship with the first processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number, and the predetermined number of the lasers. When the predetermined number of first second processing lines are formed along the predetermined number of first processing lines by irradiating the laser beam while the head is moving, The measuring apparatus has the same number as the predetermined number on the direction side where the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side closest to the first processing line in the predetermined number of the laser heads. Position information of one second first processing line selected from the plurality of second first processing lines arranged adjacent to each other is measured, and the laser is moved while the predetermined number of the laser heads are moving. When the predetermined number of the second second processing lines are respectively formed so as to irradiate light along the predetermined number of the second first processing lines, the control device includes the predetermined number of the second second processing lines. The predetermined number of the second processing lines are formed along the predetermined number of the second first processing lines, respectively, so that the predetermined number of the laser heads have the predetermined number of the first second processing lines. Forming Sometimes, the irradiation position of the laser beam is controlled based on the position information of the one second processing line measured by the measuring device, and is adjacent to the second layer by the same number as the predetermined number. The second second processing lines arranged in a row are formed so as to have a one-to-one correspondence with each of the predetermined number of second first processing lines .

好ましくは、上記所定数の上記レーザヘッドが上記所定数の第１の上記第２加工ラインを形成している時に上記測定装置により上記位置情報が測定される上記一の第２の上記第１加工ラインは、上記所定数の上記レーザヘッドのうちの最も上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する上記レーザヘッドよりもさらに上記第１加工ラインが並ぶ方向側において上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の上記第１加工ラインのうち、上記第１加工ラインが並ぶ方向において最も中心寄りに位置する１本の第２の上記第１加工ラインである。 Preferably, the second of the first processing of the one that the location information is measured by the measuring device when said predetermined number of said laser head forms the first of the second working line of the predetermined number The number of lines is adjacent to the laser head that is located closest to the direction in which the first processing lines are arranged among the predetermined number of laser heads by the same number as the predetermined number on the direction side in which the first processing lines are arranged. and second of said first processing line aligned, a single second of the first processing line located closest to the center closer in the direction in which the first working line are arranged.

好ましくは、補正手段をさらに備え、複数本の上記第２加工ラインが上記第２層上に形成される毎に、上記補正手段は、上記レーザ光が照射されることにより上記第２層上に形成された上記第２加工ラインの位置情報を上記測定装置を介して取得するとともに、取得した上記第２加工ラインの位置情報と、本来上記レーザ光が照射されることにより所定の位置に形成されるべきものとして予め上記補正手段が記憶している上記第２加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、上記補正手段は、取得した上記第２加工ラインの位置情報と、上記設定値として記憶している上記第２加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した上記第２加工ラインの位置情報と上記設定値としての上記第２加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として上記制御装置に設定し、上記制御装置は、上記レーザヘッドから照射される上記レーザ光の照射位置を上記オフセット量に基づいて補正し、補正後における上記レーザヘッドは、上記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の上記第２加工ラインの形成を行う。 Preferably, a correction unit is further provided, and each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer, the correction unit is irradiated on the second layer by being irradiated with the laser beam. The position information of the formed second processing line is acquired through the measuring device, and the acquired position information of the second processing line and the laser light is originally formed at a predetermined position. The correction means compares the position information as the set value of the second machining line stored in advance by the correction means, and the correction means obtains the acquired position information of the second machining line and the set value. If the position information of the second machining line stored as is not the same, the difference between the acquired position information of the second machining line and the position information of the second machining line as the set value is turned off. The control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, and the laser head after the correction is set to the offset amount. Thereafter, the second processing line is formed in a state where the irradiation position is corrected by this amount .

好ましくは、補正手段をさらに備え、上記基板は非発電領域を有し、複数本の上記第２加工ラインが上記第２層上に形成される毎に、上記測定装置は、上記非発電領域上に設けられている基準点の位置情報を測定するとともに、上記基準点の位置情報を上記補正手段に入力し、上記補正手段は、上記レーザヘッドに上記非発電領域上の上記基準点に向かって上記レーザ光を照射させ、上記測定装置は、上記レーザ光が照射されることにより上記非発電領域上に形成された加工ラインの位置情報を測定し、上記補正手段は、上記レーザ光が照射されることにより上記非発電領域上に形成された上記加工ラインの位置情報を上記測定装置を介して取得するとともに、取得した上記非発電領域上の上記加工ラインの位置情報と、本来上記レーザ光が上記基準点に向けて照射されることにより上記非発電領域上の所定の位置に形成されるべきものとして予め上記補正手段が記憶している上記加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、上記補正手段は、取得した上記加工ラインの位置情報と、上記設定値として記憶している上記加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した上記加工ラインの位置情報と上記設定値としての上記加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として上記制御装置に設定し、上記制御装置は、上記レーザヘッドから照射される上記レーザ光の照射位置を上記オフセット量に基づいて補正し、補正後における上記レーザヘッドは、上記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の上記第２加工ラインの形成を行う。 Preferably, a correction means is further provided, the substrate has a non-power generation region, and each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer, the measuring device is on the non-power generation region. Measuring the position information of the reference point provided in the reference point, and inputting the position information of the reference point to the correction means, the correction means to the laser head toward the reference point on the non-power generation region Irradiating the laser beam, the measuring device measures position information of a processing line formed on the non-power generation region by being irradiated with the laser beam, and the correcting means is irradiated with the laser beam. As a result, the position information of the processing line formed on the non-power generation area is acquired via the measuring device, and the acquired position information of the processing line on the non-power generation area and the laser light originally are By being irradiated toward the serial reference point by comparison with the position information as a setting value of the processing line in advance the correction means as to be formed at a predetermined position on the non-power generation region is stored When the acquired position information of the processing line does not match the position information of the processing line stored as the set value, the correction means acquires the position information of the processed line and the set value. The difference between the position information of the processing line as the offset amount is set in the control device, and the control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, After the correction, the laser head performs the subsequent formation of the second processing line in a state where the irradiation position is corrected by the offset amount .

好ましくは、補正手段およびダミー基板をさらに備え、複数本の上記第２加工ラインが上記第２層上に形成される毎に、上記測定装置は、上記ダミー基板上に設けられている基準点の位置情報を測定するとともに、上記基準点の位置情報を上記補正手段に入力し、上記補正手段は、上記レーザヘッドに上記ダミー基板上の上記基準点に向かって上記レーザ光を照射させ、上記測定装置は、上記レーザ光が照射されることにより上記ダミー基板上に形成された加工ラインの位置情報を測定し、上記補正手段は、上記レーザ光が照射されることにより上記ダミー基板上に形成された上記加工ラインの位置情報を上記測定装置を介して取得するとともに、取得した上記ダミー基板上の上記加工ラインの位置情報と、本来上記レーザ光が上記基準点に向けて照射されることにより上記ダミー基板上の所定の位置に形成されるべきものとして予め上記補正手段が記憶している上記加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、上記補正手段は、取得した上記加工ラインの位置情報と、上記設定値として記憶している上記加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した上記加工ラインの位置情報と上記設定値としての上記加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として上記制御装置に設定し、上記制御装置は、上記レーザヘッドから照射される上記レーザ光の照射位置を上記オフセット量に基づいて補正し、補正後における上記レーザヘッドは、上記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の上記第２加工ラインの形成を行う。 Preferably, the measuring apparatus further includes a correction unit and a dummy substrate, and the measurement apparatus is configured to provide a reference point provided on the dummy substrate each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer. The position information is measured, and the position information of the reference point is input to the correction unit . The correction unit causes the laser head to irradiate the laser beam toward the reference point on the dummy substrate, and the measurement is performed. The apparatus measures position information of a processing line formed on the dummy substrate by being irradiated with the laser light, and the correcting means is formed on the dummy substrate by being irradiated with the laser light. In addition, the position information of the processing line is acquired via the measuring device, and the acquired position information of the processing line on the dummy substrate and the laser beam is originally used as the reference point. Only by comparison with the position information as a setting value of the processing line in advance the correction means as to be formed at a predetermined position on the dummy substrate is stored by being irradiated, said correction means When the acquired position information of the processing line and the position information of the processing line stored as the set value do not match, the acquired position information of the processing line and the processing line as the set value A difference from the position information is set as an offset amount in the control device, and the control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, and the laser after the correction is corrected. The head forms the second processing line thereafter with the irradiation position corrected by the offset amount .

本発明に基づく薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の第１層に並べて形成された複数の第１加工ラインに沿うように、上記第１層の上方に積層された第２層に複数の第２加工ラインを形成する薄膜太陽電池の製造方法であって、複数の上記第２加工ラインは、複数の上記第１加工ラインの各々に対して一本対一本の対応関係となるように上記第２層にそれぞれ形成されるものであり、レーザ光を照射し、上記基板に対して一方側および他方側に向かって相対的に移動可能なレーザヘッドと、上記レーザヘッドの上記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、上記レーザヘッドとともに上記基板に対して相対的に移動可能な測定装置と、制御装置と、が用いられ、上記基板上の上記第１層に対してレーザ光を走査することにより複数並ぶように形成された上記第１加工ラインと、上記第１層および上記第１加工ラインの上方に形成された上記第２層と、を有する積層体を準備する第１工程と、上記レーザヘッドが上記一方側または上記他方側に向かって移動しながら上記レーザ光を照射して第１の上記第１加工ラインに沿うように第１の上記第２加工ラインを形成するとともに、上記測定装置が、上記レーザヘッドの上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する第２の上記第１加工ラインの位置情報を測定する第２工程と、上記レーザヘッドが上記一方側または上記他方側に向かって移動しながら上記レーザ光を照射して第２の上記第１加工ラインに沿うように第２の上記第２加工ラインを形成する第３工程と、を備え、上記第３工程において上記レーザヘッドが移動しながら上記レーザ光を照射して第２の上記第１加工ラインに沿うように第２の上記第２加工ラインを形成するとき、上記制御装置は、第２の上記第２加工ラインが第２の上記第１加工ラインに沿って形成されるように、上記第２工程において上記レーザヘッドが第１の上記第２加工ラインを形成している時に上記測定装置が測定した第２の上記第１加工ラインの上記位置情報に基づいて上記レーザ光の照射位置を制御する。 The method for manufacturing a thin-film solar cell according to the present invention includes a plurality of second layers stacked above the first layer so as to be along a plurality of first processing lines formed side by side on the first layer on the substrate. A method of manufacturing a thin film solar cell forming a second processing line, wherein the plurality of second processing lines have a one-to-one correspondence with each of the plurality of first processing lines. A laser head that is formed on each of the second layers and is capable of irradiating a laser beam and is relatively movable toward one side and the other side with respect to the substrate, and the first processing of the laser head are arranged in the direction side of the line are aligned, the measuring device relatively movable with respect to the substrate together with the laser head, and a control unit, is used, the laser beam with respect to the first layer on said substrate Multiple lines by scanning And said first processing line has been made, a first step of preparing a laminate having the second layer, which is formed above the first layer and the first processing line, the laser head is one above The first processing line is formed along the first processing line by irradiating the laser light while moving toward the other side or the other side, and the measuring device includes the laser. A second step of measuring positional information of the second first processing line located on the side of the head in the direction in which the first processing lines are arranged, and the laser head moving toward the one side or the other side And a third step of forming the second second processing line along the second first processing line by irradiating the laser beam, and the laser head moves while moving in the third step. Above When the second processing line is formed along the second first processing line by irradiating the light, the control device is configured such that the second second processing line is the second second processing line. The second processing line of the second processing line measured by the measuring device when the laser head forms the first processing line in the second step so as to be formed along one processing line. The irradiation position of the laser beam is controlled based on the position information.

好ましくは、上記第１加工ラインが並ぶ方向に間隔を空けて並ぶ他のレーザヘッドがさらに用いられ、上記レーザヘッドは所定数の複数で構成され、上記測定装置は、上記所定数の上記レーザヘッドのうちの最も上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する上記レーザヘッドよりもさらに上記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、上記所定数の上記レーザヘッドから照射されている上記レーザ光は、上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ上記第１加工ラインに対して一本対一本の対応関係でこれらに沿うように上記第２層に対してそれぞれ走査され、上記第２工程において上記所定数の上記レーザヘッドが移動しながら上記レーザ光を照射して上記所定数の第１の上記第１加工ラインに沿うように上記所定数の第１の上記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、上記測定装置は、上記所定数の上記レーザヘッドのうちの最も上記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する上記レーザヘッドよりもさらに上記第１加工ラインが並ぶ方向側において上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ複数の第２の上記第１加工ラインのうちから選択された一の第２の上記第１加工ラインの位置情報を測定し、上記第３工程において上記所定数の上記レーザヘッドが移動しながら上記レーザ光を照射して上記所定数の第２の上記第１加工ラインに沿うように上記所定数の第２の上記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、上記制御装置は、上記所定数の第２の上記第２加工ラインが上記所定数の第２の上記第１加工ラインに沿ってそれぞれ形成されるように、上記第２工程において上記所定数の上記レーザヘッドが上記所定数の第１の上記第２加工ラインを形成している時に上記測定装置が測定した上記一の第２の上記第１加工ラインの上記位置情報に基づいて上記レーザ光の照射位置を制御し、上記第２層には、上記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の上記第２加工ラインが、上記所定数の第２の上記第１加工ラインのそれぞれに沿ってこれらと一本対一本の対応関係となるように形成される。 Preferably, another laser head arranged at intervals in the direction in which the first processing lines are arranged is further used, the laser head is composed of a predetermined number of plural, and the measuring device is the predetermined number of the laser heads The laser beam that is disposed on the side of the first processing line that is further aligned than the laser head that is positioned closest to the direction of the first processing line, and is irradiated from the predetermined number of the laser heads Are respectively scanned with respect to the second layer so as to follow the first processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number, in a one-to-one correspondence relationship. The predetermined number of the first second processing lines so as to follow the predetermined number of the first first processing lines by irradiating the laser light while the predetermined number of the laser heads move. When forming each, the measuring device may further include the first processing line on the side where the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side where the first processing lines are arranged closest to the predetermined number of the laser heads. Position information of one second first processing line selected from a plurality of the second first processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number is measured, and the predetermined process is performed in the third step. When the predetermined number of second second processing lines are respectively formed along the predetermined number of second first processing lines by irradiating the laser beam while moving a number of the laser heads, The control device includes the predetermined number of the second processing lines in the second step so that the predetermined number of second processing lines are formed along the predetermined number of second processing lines. Based on the position information of the first second processing line measured by the measuring device when the laser head is forming the predetermined number of the first second processing lines, the laser beam The irradiation position is controlled, and the second layer is adjacent to the second layer by the same number as the predetermined number, and the second second processing lines are arranged along the predetermined number of the second first processing lines. Thus, they are formed so as to have a one-to-one correspondence with these.

本発明によれば、基板上に形成される複数の層のそれぞれに、製造効率を落とさずに複数の加工ラインが所定の間隔で且つ相互に重ならずに形成される薄膜太陽電池の製造方法、および薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を得ることができる。 According to the present invention, each of a plurality of layers formed on the substrate, producing a plurality of processing line without lowering the production efficiency of the thin-film solar cell which is formed without overlapping in and mutually at predetermined intervals A method and a laser processing apparatus for manufacturing a thin film solar cell can be obtained.

実施の形態１（および実施の形態２〜６）に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1 (and Embodiment 2-6). 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の他の形態（第１変形例）を示す平面図である。It is a top view which shows the other form (1st modification) of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の他の形態（第２変形例）に関し、レーザヘッドと測定装置との位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of a laser head and a measuring apparatus regarding the other form (2nd modification) of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の他の形態（第２変形例）に関し、レーザヘッドと測定装置との位置関係がずれたことを示す平面図である。It is a top view which shows that the positional relationship of a laser head and a measuring apparatus shifted | deviated regarding the other form (2nd modification) of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の他の形態（第２変形例）に関し、レーザヘッドと測定装置との位置関係がずれた状態で形成された加工ラインを示す平面図である。The top view which shows the processing line formed in the state from which the positional relationship of a laser head and a measuring apparatus shifted | deviated regarding the other form (2nd modification) of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. It is. 実施の形態１に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の他の形態（第２変形例）に関し、非発電領域およびダミー基板を示す平面図である。It is a top view which shows a non-electric power generation area | region and a dummy board | substrate regarding the other form (2nd modification) of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 1. FIG. 実施の形態２に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態２に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態２に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第３平面図である。It is a 3rd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の実施例に関し、測定装置により測定される光電変換層上の領域を示す平面図である。It is a top view which shows the area | region on the photoelectric converting layer measured with a measuring apparatus regarding the Example of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の実施例に基づき製造された薄膜太陽電池を示す拡大平面図（写真）である。It is an enlarged plan view (photograph) which shows the thin film solar cell manufactured based on the Example of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置に関する比較例に基づき製造された薄膜太陽電池を示す拡大平面図（写真）である。It is an enlarged plan view (photograph) which shows the thin film solar cell manufactured based on the comparative example regarding the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態４に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施の形態４に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施の形態４に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施の形態５に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 5. FIG. 実施の形態５に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 5. FIG. 実施の形態５に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 5. FIG. 実施の形態６に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第１平面図である。It is a 1st top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture concerning Embodiment 6. FIG. 実施の形態６に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第２平面図である。It is a 2nd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture concerning Embodiment 6. FIG. 実施の形態６に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を用いて、基板上の光電変換層に加工ラインが形成されている様子を示す第３平面図である。It is a 3rd top view which shows a mode that the processing line is formed in the photoelectric converting layer on a board | substrate using the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture concerning Embodiment 6. FIG. 実施の形態６に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施の形態７（および実施の形態７の変形例）に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 7 (and the modification of Embodiment 7). 実施の形態７に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例に関し、測定装置により測定された基板を示す平面図である。It is a top view which shows the board | substrate measured with the measuring apparatus regarding the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 7. FIG. 実施の形態７に係る薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置の変形例に関し、測定装置により測定された基板の位置と、実際の基板との位置がずれていることを示す平面図である。It is a top view which shows that the position of the board | substrate measured with the measuring apparatus and the position of an actual board | substrate have shifted | deviated regarding the modification of the laser processing apparatus for thin film solar cell manufacture which concerns on Embodiment 7. FIG. 一般的な薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a general thin film solar cell. 基板上に透明導電膜が成膜された後の、基板上の任意の位置とを示す平面図である。It is a top view which shows the arbitrary positions on a board | substrate after a transparent conductive film was formed into a film on a board | substrate. 基板上に透明導電膜が成膜された後の、基板上の任意の位置における温度変化と経過時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature change in the arbitrary positions on a board | substrate after a transparent conductive film was formed on a board | substrate, and elapsed time. 加工ラインが形成された透明導電膜上に、光電変換層が成膜された様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that the photoelectric converting layer was formed into a film on the transparent conductive film in which the processing line was formed. 透明導電膜上に形成された加工ラインと、光電変換層上に形成された加工ラインとが重なっている様子を示す平面図である。It is a top view which shows a mode that the process line formed on the transparent conductive film and the process line formed on the photoelectric converting layer have overlapped.

本発明に基づいた各実施の形態における薄膜太陽電池、薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置（以下、単にレーザ加工装置と称する場合がある）について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。   For thin film solar cells, thin film solar cell manufacturing methods, and thin film solar cell manufacturing laser processing apparatuses (hereinafter sometimes simply referred to as laser processing apparatuses) according to the embodiments of the present invention, refer to the drawings. While explaining. In the description of each embodiment, when referring to the number, amount, or the like, the scope of the present invention is not necessarily limited to the number, amount, or the like unless otherwise specified. In the description of each embodiment, the same parts and corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description may not be repeated.

［実施の形態１］
（レーザ加工装置１の構成）
図１〜図３を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置１について説明する。図１を参照して、レーザ加工装置１は、レーザヘッド３１，３２、測定装置１１（第１測定装置），測定装置２１（第２測定装置），測定装置１２，２２、ヘッド駆動機構７１，７２、ヘッド支持装置７５、ファイバ８１，８２、レーザ発振器８６、制御装置８０、画像処理ユニット８８、ベース７０、ステージ駆動部７４、ステージ７６、および固定部材７８を備えている。 [Embodiment 1]
(Configuration of laser processing apparatus 1)
With reference to FIGS. 1-3, the laser processing apparatus 1 for thin-film solar cell manufacture in this Embodiment is demonstrated. Referring to FIG. 1, a laser processing apparatus 1 includes laser heads 31 and 32, a measurement apparatus 11 (first measurement apparatus), a measurement apparatus 21 (second measurement apparatus), measurement apparatuses 12 and 22, a head drive mechanism 71, 72, a head support device 75, fibers 81 and 82, a laser oscillator 86, a control device 80, an image processing unit 88, a base 70, a stage drive unit 74, a stage 76, and a fixing member 78.

レーザ発振器８６から発振されたレーザは、ファイバ８１を通ってレーザヘッド３１に伝送される。レーザ発振器８６から発振されたレーザは、いわゆる空間伝送方式によりレーザヘッド３１に伝送されてもよい。レーザは、レーザヘッド３１から（紙面垂直方向の紙面奥行き側に向かって）出射される。レーザとは、ＹＡＧレーザまたはＹＶＯ４レーザ等である。   The laser oscillated from the laser oscillator 86 is transmitted to the laser head 31 through the fiber 81. The laser oscillated from the laser oscillator 86 may be transmitted to the laser head 31 by a so-called spatial transmission method. The laser is emitted from the laser head 31 (toward the depth side of the paper in the direction perpendicular to the paper). The laser is a YAG laser, a YVO4 laser, or the like.

測定装置１１は、レーザヘッド３１の一方側として、たとえば矢印Ｘ１方向側に配置されている。測定装置２１は、レーザヘッド３１の他方側として、たとえば矢印Ｘ２方向側に配置されている。測定装置１１，２１は、カメラ等の撮像手段を含んでいる。   The measuring device 11 is arranged on one side of the laser head 31, for example, on the arrow X1 direction side. The measuring device 21 is arranged on the other side of the laser head 31, for example, on the arrow X2 direction side. The measuring devices 11 and 21 include imaging means such as a camera.

レーザヘッド３１および測定装置１１，２１は、ヘッド支持装置７５により上方（紙面垂直方向の紙面手前側）から支持されている。ヘッド駆動機構７１は、レーザヘッド３１および測定装置１１，２１を、矢印Ｙ１方向側および矢印Ｙ２方向側に移動させる。   The laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 are supported from above (front side in the direction perpendicular to the paper surface) by a head support device 75. The head driving mechanism 71 moves the laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 to the arrow Y1 direction side and the arrow Y2 direction side.

ファイバ８２、レーザヘッド３２、測定装置１２，２２、およびヘッド駆動機構７２は、ファイバ８１、レーザヘッド３１、測定装置１１，２１、およびヘッド駆動機構７１と同様に構成される。   The fiber 82, the laser head 32, the measuring devices 12 and 22, and the head driving mechanism 72 are configured in the same manner as the fiber 81, the laser head 31, the measuring devices 11 and 21, and the head driving mechanism 71.

ステージ７６上には、基板１００が載置される。ステージ７６は、基板１００の平面度を調節するために、支持ピン（不図示）など備えているとよい。基板１００は、固定部材７８により所定の位置に固定される。ステージ駆動部７４は、ステージ７６を、矢印Ｘ１方向側および矢印Ｘ２方向側に移動させる。ステージ駆動部７４により、基板１００は、レーザヘッド３１，３２の下方、測定装置１１，２１，１２，２２の下方を、矢印Ｘ１方向側および矢印Ｘ２方向側に移動可能である。   The substrate 100 is placed on the stage 76. The stage 76 may include a support pin (not shown) or the like in order to adjust the flatness of the substrate 100. The substrate 100 is fixed at a predetermined position by the fixing member 78. The stage drive unit 74 moves the stage 76 to the arrow X1 direction side and the arrow X2 direction side. The stage driving unit 74 can move the substrate 100 below the laser heads 31 and 32 and below the measuring devices 11, 21, 12, and 22 to the arrow X1 direction side and the arrow X2 direction side.

（レーザ加工装置１による薄膜太陽電池の製造方法）
まず、基板１００が準備される。基板１００は、絶縁性および透光性を有するガラス基板等である。基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。熱ＣＶＤ法またはスパッタ法等により、基板１００上に透明導電膜１０１（第１層）（図３２参照）が成膜される。透明導電膜１０１は、ＳｎＯ２、ＩＴＯ、またはＺｎＯ等である。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 1)
First, the substrate 100 is prepared. The substrate 100 is a glass substrate having insulating properties and translucency. The substrate 100 moves to the arrow X2 direction side. A transparent conductive film 101 (first layer) (see FIG. 32) is formed on the substrate 100 by thermal CVD or sputtering. The transparent conductive film 101 is made of SnO 2 , ITO, ZnO, or the like.

基板１００は、レーザ光を照射しているレーザヘッド３１，３２の下方を通過する。レーザ光は、透明導電膜１０１に対して加工を行なう。透明導電膜に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０（図３２参照）が形成される。   The substrate 100 passes below the laser heads 31 and 32 that are irradiating the laser beam. Laser light processes the transparent conductive film 101. A processing line 110 (see FIG. 32) extending along the arrow X1 and X2 directions is formed in the transparent conductive film.

基板１００がレーザヘッド３１，３２の下方を矢印Ｘ１方向側に通過した後、レーザヘッド３１，３２は、矢印Ｙ１方向側に所定の距離だけ移動する。基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。基板１００は、レーザ光を照射しているレーザヘッド３１，３２の下方を通過する。透明導電膜１０１上に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる他の加工ライン１１０が形成される。この際、透明導電膜１０１の加工ライン１１０の形成に用いる装置としては、測定装置１１、２１、１２および２２を省いてもかまわない。   After the substrate 100 passes below the laser heads 31 and 32 in the direction of the arrow X1, the laser heads 31 and 32 move by a predetermined distance in the direction of the arrow Y1. The substrate 100 moves to the arrow X2 direction side. The substrate 100 passes below the laser heads 31 and 32 that are irradiating the laser beam. On the transparent conductive film 101, another processing line 110 extending along the arrow X1 and X2 directions is formed. At this time, the measuring devices 11, 21, 12 and 22 may be omitted as an apparatus used for forming the processing line 110 of the transparent conductive film 101.

基板１００およびレーザヘッド３１，３２は、上記の動作を複数回繰り返す。透明導電膜１０１に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる複数の加工ライン１１０が、矢印Ｙ１方向側に向かって略平行に並んで形成される。   The substrate 100 and the laser heads 31 and 32 repeat the above operation a plurality of times. A plurality of processing lines 110 extending along the arrow X1 and X2 directions are formed in the transparent conductive film 101 so as to be arranged substantially parallel to the arrow Y1 direction.

透明導電膜１０１および複数の加工ライン１１０を覆うように、プラズマＣＶＤ法等により、光電変換層１０２（第２層）（図３２参照）を成膜する。光電変換層１０２は、順次積層されたｐ層、ｉ層およびｎ層により構成される。   A photoelectric conversion layer 102 (second layer) (see FIG. 32) is formed by plasma CVD or the like so as to cover the transparent conductive film 101 and the plurality of processing lines 110. The photoelectric conversion layer 102 includes a p layer, an i layer, and an n layer that are sequentially stacked.

（矢印Ｘ２方向側）
図２を参照して、光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。基板１００は、測定装置１１の下方を通過する。測定装置１１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ１方向側に走査する。測定装置１１は、レーザヘッド３１よりも矢印Ｘ１方向側において、加工ライン１１０Ａ（第１の第１加工ライン）の位置情報を測定する。 (Arrow X2 direction side)
Referring to FIG. 2, the substrate 100 on which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The substrate 100 passes below the measuring device 11. The measuring device 11 scans the photoelectric conversion layer 102 in the arrow X1 direction side. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110A (first first processing line) on the arrow X1 direction side of the laser head 31.

測定装置１１は、処理速度または情報量等の観点から、加工ライン１１０Ａ上の位置情報を間欠的（部分的）に測定するとよい。たとえば、測定装置１１は、基板１００の大きさが１０００ｍｍ×１４００ｍｍである場合、加工ライン１１０Ａ上の３箇所以上、または５箇所以上の位置情報を測定するとよい。求める加工精度（設計値）に合わせて、測定ポイント数を選択するとよい。加工ライン１１０Ａの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して、制御装置８０に入力される。   The measuring device 11 may measure the position information on the processing line 110A intermittently (partially) from the viewpoint of the processing speed or the amount of information. For example, when the size of the substrate 100 is 1000 mm × 1400 mm, the measuring device 11 may measure position information at three or more locations or five or more locations on the processing line 110A. The number of measurement points may be selected according to the required processing accuracy (design value). The position information of the processing line 110A is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

基板１００が矢印Ｘ２方向側に移動するとき、レーザヘッド３１はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ａに沿うように光電変換層１０２に対して加工を行なう。レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、加工ライン１１０Ａの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。   When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X2, the laser head 31 emits laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 along the processing line 110A. When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) controls the irradiation position of the laser beam based on the position information of the processing line 110A.

制御装置８０は、加工ライン１２０Ａが加工ライン１１０Ａと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、加工ライン１２０Ａと加工ライン１１０Ａとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、レーザヘッド３１を矢印Ｙ１方向側または矢印Ｙ２方向側に移動させることにより、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ（第１の第２加工ライン）が、光電変換層１０２に形成される。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing line 120A does not overlap with the processing line 110A. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the interval between the processing line 120A and the processing line 110A is as narrow as possible (as designed). The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam by moving the laser head 31 to the arrow Y1 direction side or the arrow Y2 direction side. Thus, a processing line 120A (first second processing line) extending along the arrow X1 and X2 direction side is formed in the photoelectric conversion layer 102.

測定装置１１が加工ライン１１０Ａの位置情報を測定した後すぐに、レーザ光の照射位置は制御されるとよい。換言すると、測定装置１１が加工ライン１１０Ａの位置情報を測定する工程と、レーザ光の照射位置が制御される工程とは、別々の工程であったとしても、可能な限り短い時間の間（略同一の工程）に行なわれるとよい。   Immediately after the measurement apparatus 11 measures the position information of the processing line 110A, the irradiation position of the laser light may be controlled. In other words, the step of measuring the position information of the processing line 110A by the measuring device 11 and the step of controlling the irradiation position of the laser beam are as short as possible (substantially) even if they are separate steps. The same step) may be performed.

レーザヘッド３２および測定装置２１は、レーザヘッド３１および測定装置１１と同様に動作する。レーザヘッド３２および測定装置１１により、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｆが形成される。   The laser head 32 and the measuring device 21 operate in the same manner as the laser head 31 and the measuring device 11. The laser head 32 and the measuring device 11 form a processing line 120F that extends along the arrow X1 and X2 directions.

加工ライン１２０Ａ，１２０Ｆが形成された後、レーザヘッド３１および測定装置１１，２１は、加工ライン１１０Ｂの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３２および測定装置１２，２２は、加工ライン１１０Ｇの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the processing lines 120A and 120F are formed, the laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the side of the processing line 110B. The laser head 32 and the measuring devices 12 and 22 move to the arrow Y1 direction side until they reach the side of the processing line 110G.

（矢印Ｘ１方向側）
図３を参照して、加工ライン１２０Ａ，１２０Ｆが形成された基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００は、測定装置２１の下方を通過する。測定装置２１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ２方向側に走査する。測定装置２１は、レーザヘッド３１よりも矢印Ｘ２方向側において、加工ライン１１０Ｂ（第２の第１加工ライン）の位置情報を測定する。加工ライン１１０Ｂの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して、制御装置８０に入力される。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 3, the substrate 100 on which the processing lines 120A and 120F are formed moves to the arrow X1 direction side. The substrate 100 passes below the measuring device 21. The measuring device 21 scans the photoelectric conversion layer 102 in the arrow X2 direction side. The measuring device 21 measures position information of the processing line 110B (second first processing line) on the arrow X2 direction side of the laser head 31. The position information of the processing line 110B is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ｂに沿うように光電変換層１０２に対して加工を行なう。レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいてレーザ光の照射位置を制御する。   When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser head 31 emits laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 along the processing line 110B. When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) controls the irradiation position of the laser beam based on the position information of the processing line 110B.

制御装置８０は、加工ライン１２０Ｂが加工ライン１１０Ｂと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、加工ライン１２０Ｂと加工ライン１１０Ｂとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、レーザヘッド３１を矢印Ｙ１方向側または矢印Ｙ２方向側に移動させることにより、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｂ（第２の第２加工ライン）が、光電変換層１０２上に形成される。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing line 120B is not formed so as to overlap the processing line 110B. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the interval between the processing line 120B and the processing line 110B is as narrow as possible (as designed). The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam by moving the laser head 31 to the arrow Y1 direction side or the arrow Y2 direction side. Thus, a processing line 120B (second second processing line) extending along the arrow X1 and X2 direction side is formed on the photoelectric conversion layer 102.

測定装置１１が加工ライン１１０Ｂの位置情報を測定した後すぐに、レーザ光の照射位置は制御されるとよい。換言すると、測定装置１１が加工ライン１１０Ｂの位置情報を測定する工程と、レーザ光の照射位置が制御される工程とは、別々の工程であったとしても、可能な限り短い時間の間（略同一の工程）において行なわれるとよい。   Immediately after the measuring device 11 measures the position information of the processing line 110B, the irradiation position of the laser light may be controlled. In other words, the step of measuring the position information of the processing line 110B by the measuring device 11 and the step of controlling the irradiation position of the laser beam are as short as possible (substantially) even if they are separate steps. It may be performed in the same step.

レーザヘッド３２および測定装置２２は、レーザヘッド３１および測定装置１２と同様に動作する。レーザヘッド３２および測定装置１２により、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｇが形成される。   The laser head 32 and the measuring device 22 operate in the same manner as the laser head 31 and the measuring device 12. The laser head 32 and the measuring device 12 form a processing line 120G extending along the arrow X1 and X2 directions.

レーザヘッド３１および測定装置１１，２１は、上記の動作を加工ライン１１０Ｃ〜１１０Ｅに対して繰り返す。レーザヘッド３２および測定装置１２，２２は、上記の動作を加工ライン１１０Ｈ〜１１０Ｊに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   The laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 repeat the above operation for the processing lines 110C to 110E. The laser head 32 and the measuring devices 12 and 22 repeat the above operation for the processing lines 110H to 110J. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

第２加工ライン１２０が形成された後、光電変換層１０２上および第２加工ライン１２０上に裏面電極層１０３が形成される。裏面電極層１０３は、たとえばスパッタ法や真空蒸着法等の方法により、ＺｎＯ、ＩＴＯまたはＳｎＯ２等の透明電極層と、ＡｇまたはＡＬ等の金属層とを積層することにより形成される。裏面電極層１０３は、約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの厚さにするとよい。 After the second processing line 120 is formed, the back electrode layer 103 is formed on the photoelectric conversion layer 102 and the second processing line 120. The back electrode layer 103 is formed by laminating a transparent electrode layer such as ZnO, ITO, or SnO 2 and a metal layer such as Ag or AL by a method such as sputtering or vacuum deposition. The back electrode layer 103 may have a thickness of about 100 nm to about 500 nm.

次に、裏面電極層１０３に第３加工ラインを形成する。第３加工ラインは、上述した第２加工ラインと同様の方法により形成することができる。第３加工ライン形成においては、第１加工ラインまたは第２加工ラインの何れを位置情報の測定の対象としてもよい。   Next, a third processing line is formed on the back electrode layer 103. The third processing line can be formed by the same method as the second processing line described above. In forming the third processing line, either the first processing line or the second processing line may be used as the position information measurement target.

加工ラインとしては、第１加工ライン、第２加工ラインおよび第３加工ラインがこの順に略平行に並べて形成される。この構成により、第１から第３加工ラインを間に介して隣接する一方の太陽電池セルの透明導電膜１０１と他方の裏面電極層１０３とを電気的に接続することができ、複数の太陽電池セルが直列接続された集積型の薄膜太陽電池が得られる。   As the processing lines, the first processing line, the second processing line, and the third processing line are formed so as to be arranged substantially in parallel in this order. With this configuration, it is possible to electrically connect the transparent conductive film 101 of one solar battery cell and the other back electrode layer 103 adjacent to each other with the first to third processing lines interposed therebetween, and a plurality of solar batteries An integrated thin film solar cell in which cells are connected in series is obtained.

なお、本実施の形態１および以降の他のすべての実施の形態を含む本願発明において、「第１の第１加工ラインに沿って第２加工ラインを形成する」とは、第１の第１加工ラインに近接した位置に第２加工ラインを形成する場合に限らず、第１の第１加工ラインから離れた位置に第２加工ラインを形成する場合も含まれる。たとえば、第１の第１加工ラインと並んで形成された、第１の第１加工ライン側から数えて数本目（望ましくは２本目）までのうちの何れかの第１加工ライン（第２の第１加工ライン）に近接する位置に第２加工ラインを形成する場合も含まれる。ここで、第１の第１加工ラインと第２加工ラインとの相対的な加工位置精度向上のためには、第１の第１加工ラインと隣り合う第１加工ラインを第２の第１加工ラインとし、該ラインに近接するように第２加工ラインを形成することが望ましく、第１の第１加工ラインに近接するように第２加工ラインを形成することがさらに望ましい。   In the present invention including the first embodiment and all other embodiments described later, “the second process line is formed along the first first process line” means the first first Not only the case where the second processing line is formed at a position close to the processing line but also the case where the second processing line is formed at a position away from the first first processing line is included. For example, one of the first processing lines (the second one), which is formed side by side with the first first processing line, up to several (preferably the second) counted from the first first processing line side. The case where the second processing line is formed at a position close to the first processing line) is also included. Here, in order to improve the relative processing position accuracy between the first first processing line and the second processing line, the first processing line adjacent to the first first processing line is changed to the second first processing line. It is preferable to form a second processing line so as to be close to the line, and it is more preferable to form the second processing line so as to be close to the first first processing line.

（効果）
基板１００が矢印Ｘ２方向側に移動するとき、測定装置１１が動作する。基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、測定装置２１が動作する。基板１００の移動方向に応じて測定装置１１，２１が動作する。レーザ加工装置１によれば、迅速に加工ラインを形成することができる。 (effect)
When the substrate 100 moves to the arrow X2 direction side, the measuring device 11 operates. When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the measuring device 21 operates. The measuring devices 11 and 21 operate according to the moving direction of the substrate 100. According to the laser processing apparatus 1, a processing line can be formed quickly.

レーザ加工装置１によれば、光電変換層上の加工ラインは、透明導電膜上の加工ラインと重なることなく形成される。光電変換層上の加工ラインは、透明導電膜上の加工ラインとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）形成される。   According to the laser processing apparatus 1, the processing line on the photoelectric conversion layer is formed without overlapping the processing line on the transparent conductive film. The processing line on the photoelectric conversion layer is formed so that the distance from the processing line on the transparent conductive film is as narrow as possible (as designed).

［実施の形態１の他の形態］
（実施の形態１の第１変形例）
図４を参照して、実施の形態１の第１変形例に係るレーザ加工装置１ａについて説明する。レーザヘッド３１からレーザ光が照射されることにより、被照射物（透明導電膜等）上に照射像３１Ｆが形成される。照射像３１Ｆは、中心３１Ｃを有している。測定装置１１は、被照射物上において撮像範囲１１Ｆを有している。撮像範囲１１Ｆは、中心１１Ｃを有している。測定装置２１は、被照射物上において撮像範囲２１Ｆを有している。測定装置２１は、中心２１Ｃを有している。 [Other Embodiments of Embodiment 1]
(First Modification of Embodiment 1)
With reference to FIG. 4, the laser processing apparatus 1a which concerns on the 1st modification of Embodiment 1 is demonstrated. By irradiating the laser beam from the laser head 31, an irradiation image 31F is formed on the irradiation object (transparent conductive film or the like). The irradiation image 31F has a center 31C. The measuring device 11 has an imaging range 11F on the irradiated object. The imaging range 11F has a center 11C. The measuring device 21 has an imaging range 21F on the irradiated object. The measuring device 21 has a center 21C.

レーザ加工装置１ａにおいては、照射像３１Ｆの中心３１Ｃと、撮像範囲１１Ｆの中心１１Ｃと、撮像範囲２１Ｆの中心２１Ｃとは、同一の直線Ｄ１上に配置されているとよい。この場合、当該直線Ｄ１と、基板１００の移動方向（矢印Ｘ１方向側または矢印Ｘ２方向側）とが平行になるように、レーザヘッド３１および測定装置１１，２１が配置されているとよい。レーザ加工装置１は、より精度の高い加工ラインを形成することが可能となる。   In the laser processing apparatus 1a, the center 31C of the irradiation image 31F, the center 11C of the imaging range 11F, and the center 21C of the imaging range 21F may be arranged on the same straight line D1. In this case, the laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 are preferably arranged so that the straight line D1 and the moving direction of the substrate 100 (arrow X1 direction side or arrow X2 direction side) are parallel. The laser processing apparatus 1 can form a processing line with higher accuracy.

照射像３１Ｆの中心３１Ｃと、撮像範囲１１Ｆの中心１１Ｃと、撮像範囲２１Ｆの中心２１Ｃとを同一の直線Ｄ１上に配置することが物理的に困難である場合もある。この場合、制御装置８０に対し、各中心１１Ｃ，２１Ｃ，３１Ｃの位置と、上記直線Ｄ１との間隔を、オフセット量として予め設定しておくとよい。   It may be physically difficult to arrange the center 31C of the irradiation image 31F, the center 11C of the imaging range 11F, and the center 21C of the imaging range 21F on the same straight line D1. In this case, the interval between the positions of the centers 11C, 21C, and 31C and the straight line D1 may be set in advance as an offset amount for the control device 80.

（実施の形態１の第２変形例）
図１を参照して、実施の形態１の第２変形例に係るレーザ加工装置１ｂについて説明する。レーザ加工装置１ｂは、補正手段８９をさらに備えているとよい。レーザ加工装置１ｂを長時間使用していると、レーザヘッド３１と、測定装置１１，２１との相対的な位置関係にずれが生じる場合がある。レーザ加工装置１ｂが設置されている環境の温度変化等により、測定装置１１，２１との相対的な位置関係にずれが生じる場合もある。 (Second Modification of Embodiment 1)
With reference to FIG. 1, the laser processing apparatus 1b which concerns on the 2nd modification of Embodiment 1 is demonstrated. The laser processing apparatus 1b may further include a correcting unit 89. When the laser processing apparatus 1b is used for a long time, the relative positional relationship between the laser head 31 and the measuring apparatuses 11 and 21 may be shifted. There may be a deviation in the relative positional relationship with the measuring devices 11 and 21 due to a change in the temperature of the environment in which the laser processing device 1b is installed.

図５を参照して、具体的に説明する。レーザ加工装置１ｂの起動時には、レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの間には、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に、所定の間隔ＬＸが設定されている。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの間には、矢印Ｙ１，Ｙ２方向側に、所定の間隔ＬＹ（＝０）が設定されている（レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとは、略同一の直線Ｄ１上に配置されている）。   A specific description will be given with reference to FIG. When the laser processing apparatus 1b is activated, a predetermined interval LX is set between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring apparatus 11 on the arrow X1 and X2 direction side. A predetermined interval LY (= 0) is set between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring apparatus 11 on the arrow Y1, Y2 direction side (the center 31C of the laser head 31 and The center 11C of the measuring device 11 is disposed on the substantially same straight line D1).

図６を参照して、所定の外部要因により、上記間隔ＬＸ（図５）は、間隔ＬＸ＋αに変化する。上記間隔ＬＹ（図５）は、間隔ＬＹ＋βに変化する。これらの変化により、形成される加工ラインの位置も変化する。   Referring to FIG. 6, the interval LX (FIG. 5) changes to the interval LX + α due to a predetermined external factor. The interval LY (FIG. 5) changes to the interval LY + β. Due to these changes, the position of the processing line to be formed also changes.

図７を参照して、たとえば、上記間隔ＬＹ（図５）が、間隔ＬＹ＋β（図６）に変化したとする。この場合、光電変換層１０２上に実際に形成された加工ライン１２０は、本来、光電変換層１０２上に形成されるべき所望の加工ライン１２０Ｘの位置に対し、矢印Ｙ１方向側に距離βの分だけずれて形成される。   Referring to FIG. 7, for example, assume that the interval LY (FIG. 5) is changed to an interval LY + β (FIG. 6). In this case, the processing line 120 actually formed on the photoelectric conversion layer 102 is the distance β in the arrow Y1 direction side with respect to the position of the desired processing line 120X that should be originally formed on the photoelectric conversion layer 102. It is formed by shifting only.

補正手段８９は、上記のように生じるずれを抑制する。具体的には、補正手段８９は、測定装置１１から、実際に形成された加工ライン１２０の矢印Ｙ１方向側におけるエッジ部（または中心部）の位置情報を取得する。補正手段８９は、取得した位置情報と、本来、光電変換層１０２上に形成されるべき所望の加工ライン１２０Ｘの位置情報とを対比する。たとえば、加工ライン１１０と所望の加工ライン１１０Ｘの中心間の距離と実際に形成された加工ライン１１０との中心間の距離との差（＝距離β）とを対比する。   The correcting unit 89 suppresses the deviation that occurs as described above. Specifically, the correction unit 89 acquires the position information of the edge part (or the center part) on the arrow Y1 direction side of the actually formed processing line 120 from the measuring device 11. The correcting unit 89 compares the acquired position information with the position information of the desired processing line 120X that should be originally formed on the photoelectric conversion layer 102. For example, the difference between the distance between the centers of the processing line 110 and the desired processing line 110X and the distance between the centers of the actually formed processing lines 110 (= distance β) is compared.

補正手段８９は、取得した位置情報と、本来、光電変換層１０２上に形成されるべき所望の加工ライン１２０Ｘの位置情報とが一致していない場合、制御装置８０に対し、その差分をオフセット量として設定する。当該オフセット量に基づき、制御装置８０はレーザ光の照射位置を補正する。当該補正は、加工精度の観点からは、１つの加工ラインが形成される毎に行なわれるとよい。当該補正は、製造時間の観点からは、１つの基板（１００）を製造する毎に行なわれてもよい。   When the acquired position information and the position information of the desired processing line 120X that should originally be formed on the photoelectric conversion layer 102 do not match, the correction unit 89 gives the difference to the control device 80 as an offset amount. Set as. Based on the offset amount, the control device 80 corrects the irradiation position of the laser beam. The correction may be performed every time one processing line is formed from the viewpoint of processing accuracy. The correction may be performed every time one substrate (100) is manufactured from the viewpoint of manufacturing time.

（非発電領域１０６上における補正）
図８を参照して、レーザ加工装置１ｂにおける基板１００の周縁部には、非発電領域１０６が形成されている。基板１００の中央部には、発電領域１０４が形成されている。補正手段８９は、非発電領域１０６において、レーザ光の照射位置を補正してもよい。非発電領域１０６の幅は、約５ｍｍ〜約１５ｍｍである。 (Correction on non-power generation area 106)
Referring to FIG. 8, a non-power generation region 106 is formed at the peripheral edge of the substrate 100 in the laser processing apparatus 1b. A power generation region 104 is formed at the center of the substrate 100. The correcting unit 89 may correct the irradiation position of the laser beam in the non-power generation area 106. The non-power generation region 106 has a width of about 5 mm to about 15 mm.

より具体的に説明する。補正手段８９は、測定装置１１（図１）から、絶縁エリアを確保する為の非発電領域１０６上における所定の基準点５１の位置情報を取得する。補正手段８９は、基準点５１（任意の位置に設定可能）の位置情報を制御装置８０（図１）に入力する。制御装置８０は、基準点５１の位置情報に基づいて、レーザヘッド３１（図１）から照射されるレーザ光の照射位置を制御する。レーザ光は、基準点５１に向かって照射される。   This will be described more specifically. The correcting unit 89 acquires position information of the predetermined reference point 51 on the non-power generation region 106 for securing an insulating area from the measuring device 11 (FIG. 1). The correction unit 89 inputs the position information of the reference point 51 (can be set at an arbitrary position) to the control device 80 (FIG. 1). The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam irradiated from the laser head 31 (FIG. 1) based on the position information of the reference point 51. The laser beam is emitted toward the reference point 51.

補正手段８９は、測定装置１１から取得した基準点５１の位置情報と、形成された加工ライン（点）の実際の位置情報とを対比する。補正手段８９は、測定装置１１から取得した基準点５１の位置情報と、形成された加工ライン（点）の実際の位置情報とが一致していない場合、制御装置８０に対し、その差分をオフセット量として入力する。当該オフセット量に基づき、制御装置８０はレーザ光の照射位置を補正する。   The correcting unit 89 compares the position information of the reference point 51 acquired from the measuring apparatus 11 with the actual position information of the formed processing line (point). When the position information of the reference point 51 acquired from the measuring device 11 and the actual position information of the formed processing line (point) do not match, the correction unit 89 offsets the difference to the control device 80. Enter as a quantity. Based on the offset amount, the control device 80 corrects the irradiation position of the laser beam.

（ダミー基板２００上における補正）
図８を参照して、レーザ加工装置１ｂは、ダミー基板２００をさらに備えていてもよい。補正手段８９は、測定装置１１（図１）から、ダミー基板２００上における所定の基準点５２の位置情報を取得する。補正手段８９は、基準点５２の位置情報を制御装置８０（図１）に入力する。制御装置８０は、基準点５２（任意の位置に設定可能）の位置情報に基づいて、レーザヘッド３１（図１）から照射されるレーザ光の照射位置を制御する。レーザ光は、基準点５２に向かって照射される。 (Correction on dummy substrate 200)
Referring to FIG. 8, laser processing apparatus 1b may further include a dummy substrate 200. The correction unit 89 acquires position information of the predetermined reference point 52 on the dummy substrate 200 from the measurement apparatus 11 (FIG. 1). The correction means 89 inputs the position information of the reference point 52 to the control device 80 (FIG. 1). The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam emitted from the laser head 31 (FIG. 1) based on the position information of the reference point 52 (can be set at an arbitrary position). The laser beam is emitted toward the reference point 52.

補正手段８９は、測定装置１１から取得した基準点５２の位置情報と、形成された加工ライン（点）の実際の位置情報とを対比する。補正手段８９は、測定装置１１から取得した基準点５２の位置情報と、形成された加工ライン（点）の実際の位置情報とが一致していない場合、制御装置８０に対し、その差分をオフセット量として入力する。当該オフセット量に基づき、制御装置８０はレーザ光の照射位置を補正する。   The correction unit 89 compares the position information of the reference point 52 acquired from the measuring apparatus 11 with the actual position information of the formed processing line (point). When the position information of the reference point 52 acquired from the measuring device 11 and the actual position information of the formed processing line (point) do not match, the correction unit 89 offsets the difference to the control device 80. Enter as a quantity. Based on the offset amount, the control device 80 corrects the irradiation position of the laser beam.

補正するタイミングとして、装置稼動を考慮して、１日１回程度であることが好ましい。ただし、たとえば、前工程からの基板の受け入れが無い状態が生じれば、受け入れの最終基板に対して、その都度補正を行えば良いことになる。さらに、位置ずれ補正のデータ取得を複数回行えば、より安定して精度をあげることができる。   The correction timing is preferably about once a day in consideration of device operation. However, for example, if a state in which no substrate is received from the previous process occurs, correction may be performed on the final substrate received each time. Furthermore, if the data acquisition for positional deviation correction is performed a plurality of times, the accuracy can be improved more stably.

レーザ加工装置１ｂは、補正手段８９をさらに備えていることにより、より精度の高い加工ラインを安定して形成することが可能となる。   Since the laser processing apparatus 1b further includes the correction unit 89, it is possible to stably form a processing line with higher accuracy.

（実施の形態１のその他の変形例）
図１を参照して、上述の実施の形態１においては、基板１００を矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に移動させる態様に基づいて説明した。基板１００を固定し、レーザヘッド３１，３２および測定装置１１，２１，１２，２２を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させてもよい。測定装置１１，２１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１，２１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１，２１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。これらはすべて、測定装置１２，２２とレーザヘッド３２との関係においても同様である。 (Other variations of Embodiment 1)
With reference to FIG. 1, in the above-described first embodiment, the description has been made based on the mode in which the substrate 100 is moved in the directions of the arrows X1 and X2. The substrate 100 may be fixed, and the laser heads 31, 32 and the measuring devices 11, 21, 12, 22 may be moved to the arrow X1, X2, Y1, Y2 direction side. The measuring devices 11 and 21 may be movable with the laser head 31 with respect to the substrate 100 or may be movable integrally with the laser head 31. The laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 may be relatively movable, and may be configured to be controlled separately. The laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 may be configured so that the positions of the laser head 31 and the measuring devices 11 and 21 can be finely adjusted regardless of whether they move together or move separately. All of these are the same in the relationship between the measuring devices 12 and 22 and the laser head 32.

上述の実施の形態１においては、レーザヘッド３１およびレーザヘッド３２からレーザがそれぞれ出射される場合について説明しているが、いずれか１つであってもよい。また、レーザヘッド部が３つ以上にて構成されても構わない。   In the first embodiment described above, the case where laser beams are emitted from the laser head 31 and the laser head 32 has been described, but any one of them may be used. Further, three or more laser head units may be configured.

上述の実施の形態１においては、レーザ加工装置１が、透明導電膜１０１の加工軌跡に対して光電変換層１０２の加工ラインを形成するという態様に基づいて説明した。レーザ加工装置１は、光電変換層１０２（第１層に相当する）の加工軌跡に対して、裏面電極層１０３（第２層に相当する）の加工ラインを形成してもよいし、透明導電膜１０１の軌跡に対して、裏面電極層１０３（第２層に相当する）の加工ラインを形成してもよい。裏面電極層１０３は、たとえばＺｎＯ、ＩＴＯまたはＳｎＯ２等の透明導電層と、ＡｇまたはＡＬ等の金属層とを積層することにより構成される。裏面電極層は、約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの厚さにするとよい。 In the above-described first embodiment, the laser processing apparatus 1 has been described based on the aspect in which the processing line of the photoelectric conversion layer 102 is formed with respect to the processing locus of the transparent conductive film 101. The laser processing apparatus 1 may form a processing line for the back electrode layer 103 (corresponding to the second layer) with respect to the processing locus of the photoelectric conversion layer 102 (corresponding to the first layer), or may be transparent conductive. A processing line for the back electrode layer 103 (corresponding to the second layer) may be formed with respect to the trajectory of the film 101. The back electrode layer 103 is configured by laminating a transparent conductive layer such as ZnO, ITO, or SnO 2 and a metal layer such as Ag or AL. The back electrode layer may have a thickness of about 100 nm to about 500 nm.

［実施の形態２］
図９および図１０を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置２について説明する。ここでは、上述の実施の形態１におけるレーザ加工装置１との相違点についてのみ説明する。 [Embodiment 2]
With reference to FIG. 9 and FIG. 10, the laser processing apparatus 2 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. Here, only differences from the laser processing apparatus 1 in the first embodiment will be described.

図９を参照して、レーザ加工装置２は、測定装置１１および測定装置１２を備えている。レーザ加工装置２は、測定装置２１，２２（図２参照）を備えていない。測定装置１１は、レーザヘッド３１の矢印Ｘ１方向（一方）側に配置されている。測定装置１２は、レーザヘッド３２の矢印Ｘ１方向側に配置されている。   Referring to FIG. 9, the laser processing apparatus 2 includes a measuring device 11 and a measuring device 12. The laser processing device 2 does not include the measuring devices 21 and 22 (see FIG. 2). The measuring device 11 is disposed on the arrow X1 direction (one side) of the laser head 31. The measuring device 12 is disposed on the arrow X1 direction side of the laser head 32.

（レーザ加工装置２による薄膜太陽電池の製造方法）
上述の実施の形態１と同様に、まず、基板１００が準備される。基板１００上に透明導電膜１０１が成膜される。レーザヘッド３１，３２により、透明導電膜１０１上に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊが形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊを覆うように、光電変換層１０２が成膜される。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 2)
Similar to the first embodiment, first, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. The laser heads 31 and 32 form processing lines 110 </ b> A to 110 </ b> J that extend along the direction of the arrows X <b> 1 and X <b> 2 on the transparent conductive film 101. The photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing lines 110A to 110J.

（矢印Ｘ２方向側）
実施の形態１と同様に、光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。測定装置１１は、レーザヘッド３１よりも矢印Ｘ１方向側において、加工ライン１１０Ａ（第１の第１加工ライン）の位置情報を測定する。加工ライン１１０Ａの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して、制御装置８０に入力される。 (Arrow X2 direction side)
As in Embodiment 1, the substrate 100 over which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110A (first first processing line) on the arrow X1 direction side of the laser head 31. The position information of the processing line 110A is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

制御装置８０は、加工ライン１２０Ａが加工ライン１１０Ａと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、加工ライン１２０Ａと加工ライン１１０Ａとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ（第１の第２加工ライン）が、光電変換層１０２上に形成される。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing line 120A does not overlap with the processing line 110A. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the interval between the processing line 120A and the processing line 110A is as narrow as possible (as designed). Thus, a processing line 120A (first second processing line) extending along the arrow X1, X2 direction side is formed on the photoelectric conversion layer 102.

レーザヘッド３２および測定装置１２は、レーザヘッド３１および測定装置１１と同様に動作する。レーザヘッド３２および測定装置１２により、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｆが形成される。   The laser head 32 and the measuring device 12 operate in the same manner as the laser head 31 and the measuring device 11. The laser head 32 and the measuring device 12 form a processing line 120F that extends along the arrow X1 and X2 directions.

加工ライン１２０Ａ，１２０Ｆが形成された後、レーザヘッド３１および測定装置１１は、（加工ライン１１０Ａに隣り合う）加工ライン１１０Ｂの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３２および測定装置１２は、（加工ライン１１０Ｆに隣り合う）加工ライン１１０Ｇの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the processing lines 120A and 120F are formed, the laser head 31 and the measuring apparatus 11 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the side of the processing line 110B (adjacent to the processing line 110A). The laser head 32 and the measuring device 12 move to the arrow Y1 direction side until reaching the side of the processing line 110G (adjacent to the processing line 110F).

（矢印Ｘ１方向側）
図１０を参照して、加工ライン１２０Ａ，１２０Ｆが形成された基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ｂの上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 10, the substrate 100 on which the processing lines 120A and 120F are formed moves to the arrow X1 direction side. When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser head 31 emits laser light. The laser beam processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing line 110B.

レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、（測定装置１１が矢印Ｘ１方向側に走査しているときに測定した）加工ライン１１０Ａの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｂ（第２の第２加工ライン）が、光電変換層１０２に形成される。   When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) uses the positional information of the processing line 110A (measured when the measuring device 11 is scanning in the direction of the arrow X1). Based on this, the irradiation position of the laser beam is controlled. Thus, a processing line 120B (second second processing line) extending along the arrow X1 and X2 direction side is formed in the photoelectric conversion layer 102.

レーザヘッド３２および測定装置１２は、レーザヘッド３１および測定装置１１と同様に動作する。レーザヘッド３２および測定装置１１により、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｇが形成される。   The laser head 32 and the measuring device 12 operate in the same manner as the laser head 31 and the measuring device 11. The laser head 32 and the measuring device 11 form a processing line 120G that extends along the arrow X1 and X2 directions.

レーザヘッド３１および測定装置１１は、上記の動作を加工ライン１１０Ｃ〜１１０Ｅに対して繰り返す。レーザヘッド３２および測定装置１２は、上記の動作を加工ライン１１０Ｈ〜１１０Ｊに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   The laser head 31 and the measuring apparatus 11 repeat the above operation for the processing lines 110C to 110E. The laser head 32 and the measuring device 12 repeat the above operation for the processing lines 110H to 110J. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

上記の実施の形態２においては、第１の第１加工ライン（例えば１１０Ａ）について測定された位置情報に基づいて、第１の第１加工ラインと隣り合う第２の第１加工ライン（例えば１１０Ｂ）に近接する位置に第２加工ライン（例えば１２０Ｂ）を形成したが、第２の第１加工ライン（例えば１１０Ｃ）に近接する位置に第２加工ライン（例えば１２０Ｃ）を形成する場合、第２の第１加工ライン（１１０Ｃ）と隣り合わない第１の第１加工ライン（１１０Ａ）について測定された位置情報に基づいて、上記第２加工ライン（１２０Ｃ）を形成することも可能である。なお、第２加工ラインと第１の第１加工ラインの相対的な位置精度の観点から、第２加工ラインが近接して形成される第２の第１加工ラインと、第２加工ラインを形成する際に参照される位置情報が測定された第１の第１加工ラインとの間に存在する第１加工ラインは、１本以下であることが望ましい。   In the second embodiment, based on the position information measured for the first first processing line (for example, 110A), the second first processing line (for example, 110B) adjacent to the first first processing line. The second processing line (for example, 120B) is formed at a position close to the second processing line. However, when the second processing line (for example, 120C) is formed at a position close to the second first processing line (for example, 110C), the second processing line is used. It is also possible to form the second processing line (120C) based on the positional information measured for the first first processing line (110A) that is not adjacent to the first processing line (110C). In addition, from the viewpoint of relative positional accuracy between the second processing line and the first first processing line, a second first processing line and a second processing line that are formed close to each other are formed. It is desirable that the number of first processing lines existing between the first first processing line in which the position information referred to in measurement is measured is one or less.

（効果）
冒頭の説明のとおり、一般的な太陽電池セル１０８（図３２参照）の集積間隔Ｐは、約５ｍｍ〜１５ｍｍである。加工ライン１１０Ａと、（加工ライン１１０Ａに隣り合う）加工ライン１１０Ｂとの間隔も、約５ｍｍ〜約１５ｍｍである。当該間隔が小さいため、加工ライン１１０Ａ付近における光電変換層１０２（または透明導電膜１０１）と、加工ライン１１０Ｂ付近における光電変換層１０２（または透明導電膜１０１）との分布は近い。加工ライン１１０Ａ，１１０Ｂが湾曲していたとしても、加工ライン１１０Ａ，１１０Ｂは略同様の軌跡を描く。 (effect)
As described at the beginning, the integration interval P of general solar cells 108 (see FIG. 32) is about 5 mm to 15 mm. The distance between the processing line 110A and the processing line 110B (adjacent to the processing line 110A) is also about 5 mm to about 15 mm. Since the interval is small, the photoelectric conversion layer 102 (or the transparent conductive film 101) in the vicinity of the processing line 110A and the photoelectric conversion layer 102 (or the transparent conductive film 101) in the vicinity of the processing line 110B are close to each other. Even if the processing lines 110A and 110B are curved, the processing lines 110A and 110B draw substantially similar trajectories.

加工ライン１１０Ａの位置情報に基づいて加工ライン１２０Ｂを形成したとしても、加工ライン１２０Ｂは、加工ライン１２０Ｂの下方に形成された加工ライン１１０Ｂと重なることなく形成される。加工ライン１２０Ｂは、加工ライン１１０Ｂとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）形成される。   Even if the processing line 120B is formed based on the position information of the processing line 110A, the processing line 120B is formed without overlapping the processing line 110B formed below the processing line 120B. The processing line 120B is formed (as designed) so that the distance from the processing line 110B is as narrow as possible.

レーザ加工装置２によれば、上述の実施の形態１におけるレーザ加工装置１に比べて測定装置の数が少なくてすむので設備費用を削減できる。レーザ加工装置２によれば、レーザ加工装置１に比べて矢印Ｘ１，Ｘ２方向側の移動距離が少ない分、処理タクトを向上させることができ、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側の装置サイズをコンパクトにできフットプリントを小さくできる。   According to the laser processing apparatus 2, since the number of measuring apparatuses can be reduced as compared with the laser processing apparatus 1 in the first embodiment, the equipment cost can be reduced. According to the laser processing apparatus 2, the processing tact can be improved because the moving distance in the direction of the arrows X1 and X2 is smaller than that of the laser processing apparatus 1, and the apparatus size in the directions of the arrows X1 and X2 can be made compact. The footprint can be reduced.

［実施の形態２の変形例］
図１１を参照して、実施の形態２の変形例に係るレーザ加工装置２ａについて説明する。実施の形態１の第１変形例と同様に、レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとは、同一の直線Ｄ１上に配置されているとよい。この場合、当該直線Ｄ１と、基板１００の移動方向（矢印Ｘ１方向側または矢印Ｘ２方向側）とが平行になるように、レーザヘッド３１および測定装置１１が配置されているとよい。レーザ加工装置２ａは、より精度の高い加工ラインを形成することが可能となる。 [Modification of Embodiment 2]
With reference to FIG. 11, a laser processing apparatus 2a according to a modification of the second embodiment will be described. Similar to the first modification of the first embodiment, the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring apparatus 11 are preferably arranged on the same straight line D1. In this case, the laser head 31 and the measuring device 11 are preferably arranged so that the straight line D1 is parallel to the moving direction of the substrate 100 (arrow X1 direction side or arrow X2 direction side). The laser processing apparatus 2a can form a processing line with higher accuracy.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとを同一の直線Ｄ１上に配置することが物理的に困難である場合もある。この場合、制御装置８０に対し、各中心１１Ｃ，３１Ｃの位置と、上記直線Ｄ１との間隔を、オフセット量として予め設定しておくとよい。   In some cases, it is physically difficult to arrange the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring apparatus 11 on the same straight line D1. In this case, the interval between the positions of the centers 11C and 31C and the straight line D1 may be set in advance as an offset amount for the control device 80.

（実施の形態２のその他の変形例）
上述の実施の形態１の第２変形例と同様に、レーザ加工装置２は、補正手段８９を備えているとよい。上述の実施の形態１のその他の変形例と同様に、基板１００を固定し、レーザヘッド３１，３２および測定装置１１，１２を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させてもよい。 (Other modifications of the second embodiment)
Similarly to the second modified example of the first embodiment described above, the laser processing apparatus 2 may include a correcting unit 89. Similarly to the other modifications of the first embodiment described above, the substrate 100 may be fixed, and the laser heads 31 and 32 and the measuring devices 11 and 12 may be moved in the directions of the arrows X1, X2, Y1, and Y2. .

測定装置１１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。これらはすべて、測定装置１２とレーザヘッド３２との関係においても同様である。   The measuring apparatus 11 may be movable with the laser head 31 with respect to the substrate 100 or may be movable integrally with the laser head 31. The laser head 31 and the measuring device 11 may be relatively movable, and may be configured to be controlled separately. The laser head 31 and the measuring device 11 may be configured so that the positions of the laser head 31 and the measuring device 11 can be finely adjusted regardless of whether they move together or separately. All of these are the same in the relationship between the measuring device 12 and the laser head 32.

レーザヘッド３１およびレーザヘッド３２は、いずれか１つであってもよいし、レーザヘッド部が３つ以上にて構成されても構わない。レーザ加工装置２は、光電変換層および裏面電極層に対して加工ラインを形成してもよい。   Either one of the laser head 31 and the laser head 32 may be used, or three or more laser head units may be configured. The laser processing apparatus 2 may form a processing line for the photoelectric conversion layer and the back electrode layer.

［実施の形態３］
図１２および図１３を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置３について説明する。ここでは、上述の実施の形態１におけるレーザ加工装置１との相違点についてのみ説明する。 [Embodiment 3]
With reference to FIG. 12 and FIG. 13, the laser processing apparatus 3 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. Here, only differences from the laser processing apparatus 1 in the first embodiment will be described.

図１２を参照して、レーザ加工装置３は、測定装置１１および測定装置１２を備えている。測定装置１１は、レーザヘッド３１の矢印Ｙ１方向側に配置されている。   Referring to FIG. 12, the laser processing device 3 includes a measuring device 11 and a measuring device 12. The measuring device 11 is disposed on the arrow Y1 direction side of the laser head 31.

測定装置１１と、レーザヘッド３１との矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ１１は、各加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊの矢印Ｙ１方向側の間隔（ＲＹ１１）と略同一であることが好ましい。測定装置１２およびレーザヘッド３２は、測定装置１１およびレーザヘッド３１と同様に構成される。   The distance TY11 between the measuring device 11 and the laser head 31 on the arrow Y1 direction side is preferably substantially the same as the distance (RY11) between the processing lines 110A to 110J on the arrow Y1 direction side. The measuring device 12 and the laser head 32 are configured similarly to the measuring device 11 and the laser head 31.

（レーザ加工装置３による薄膜太陽電池の製造方法）
上述の実施の形態１と同様に、まず、基板１００が準備される。基板１００上に透明導電膜１０１が成膜される。レーザヘッド３１，３２により、透明導電膜１０１に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊが形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊを覆うように、光電変換層１０２が成膜される。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 3)
Similar to the first embodiment, first, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. The laser heads 31 and 32 form processing lines 110 </ b> A to 110 </ b> J that extend along the direction of the arrows X <b> 1 and X <b> 2 in the transparent conductive film 101. The photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing lines 110A to 110J.

（矢印Ｘ２方向側）
光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。基板１００は、測定装置１１の下方を通過する。測定装置１１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ１方向側に対する位置情報を入手する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ａ（第１の第１加工ライン）の位置情報を測定する。加工ライン１１０Ａの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して制御装置８０に入力される。 (Arrow X2 direction side)
The substrate 100 on which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The substrate 100 passes below the measuring device 11. The measuring device 11 obtains position information with respect to the photoelectric conversion layer 102 with respect to the arrow X1 direction side. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110A (first first processing line). The position information of the processing line 110A is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

測定装置１２は、測定装置１１と同様に動作する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ｆの位置情報を測定する。   The measuring device 12 operates in the same manner as the measuring device 11. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110F.

基板１００が測定装置１１の下方を通過した後、レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ａの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。測定装置１１は、（加工ライン１１０Ａに隣り合う）加工ライン１１０Ｂ（第２の第１加工ライン）の側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the substrate 100 passes under the measuring apparatus 11, the laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110A. The measuring device 11 moves in the direction of the arrow Y1 until it reaches the side of the processing line 110B (second first processing line) (adjacent to the processing line 110A).

同様に、レーザヘッド３２は、加工ライン１１０Ｆの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。測定装置１２は、加工ライン１１０Ｇの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   Similarly, the laser head 32 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110F. The measuring device 12 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110G.

（矢印Ｘ１方向側）
図１３を参照して、基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ａに沿うように光電変換層１０２に対して加工を行なう。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 13, substrate 100 moves to the arrow X1 direction side. When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser head 31 emits laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 along the processing line 110A.

レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、（測定装置１１が矢印Ｘ１方向側に走査しているときに測定した）加工ライン１１０Ａの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ（第１の第２加工ライン）が、光電変換層１０２に形成される。   When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) uses the positional information of the processing line 110A (measured when the measuring device 11 is scanning in the direction of the arrow X1). Based on this, the irradiation position of the laser beam is controlled. Thus, a processing line 120A (first second processing line) extending along the arrow X1 and X2 direction side is formed in the photoelectric conversion layer 102.

基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、測定装置１１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ２方向側に対する位置情報を入手する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ｂ（第２の第１加工ライン）の位置情報を測定する。   When the substrate 100 moves to the arrow X1 direction side, the measuring device 11 obtains position information for the photoelectric conversion layer 102 with respect to the arrow X2 direction side. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110B (second first processing line).

レーザヘッド３２および測定装置１２は、レーザヘッド３１および測定装置１１と同様に動作する。レーザヘッド３２により、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｆが形成される。測定装置１２は、加工ライン１１０Ｇの位置情報を測定する。   The laser head 32 and the measuring device 12 operate in the same manner as the laser head 31 and the measuring device 11. The laser head 32 forms a processing line 120F extending along the arrow X1 and X2 directions. The measuring device 12 measures position information of the processing line 110G.

加工ライン１２０Ａ，１２０Ｆが形成された後、レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ｂの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ｃの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the processing lines 120A and 120F are formed, the laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until reaching the side of the processing line 110B. The measuring device 11 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110C.

同様に、レーザヘッド３２は、加工ライン１１０Ｇの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。測定装置１２は、加工ライン１１０Ｈの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   Similarly, the laser head 32 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110G. The measuring device 12 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110H.

（矢印Ｘ２方向側）
図１４を参照して、基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。レーザヘッド３１，３２および測定装置１１，１２は、上記同様に動作する。 (Arrow X2 direction side)
Referring to FIG. 14, substrate 100 moves to the arrow X2 direction side. The laser heads 31 and 32 and the measuring devices 11 and 12 operate in the same manner as described above.

レーザヘッド３１は、上記同様の動作を加工ライン１１０Ｃ〜１１０Ｅに対して繰り返す。測定装置１１は、上記の動作を加工ライン１１０Ｄ，１１０Ｅに対して繰り返す。レーザヘッド３２は、上記同様の動作を加工ライン１１０Ｈ〜１１０Ｊに対して繰り返す。測定装置１２は、上記の動作を加工ライン１１０Ｉ，１１０Ｊに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   The laser head 31 repeats the same operation as described above for the processing lines 110C to 110E. The measuring device 11 repeats the above operation for the processing lines 110D and 110E. The laser head 32 repeats the same operation as described above for the processing lines 110H to 110J. The measuring device 12 repeats the above operation for the processing lines 110I and 110J. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

上記の実施の形態３においては、第１の第１加工ライン（例えば１１０Ａ）について測定された位置情報に基づいて、第１の第１加工ライン（１１０Ａ）に近接する位置に第２加工ライン（１２０Ａ）を形成したが、第１の第１加工ライン（１１０Ａ）と異なる第２の第１加工ライン（例えば１１０Ｃ）について測定された位置情報に基づいて、上記第２加工ライン（１２０Ａ）を形成することも可能である。なお、第２加工ラインと第１の第１加工ラインの相対的な位置精度の観点から、第２加工ラインが近接して形成される第１の第１加工ラインと、第２加工ラインを形成する際に参照される位置情報が測定された第２の第１加工ラインとの間に存在する第１加工ラインは、１本以下であることが望ましい。   In the third embodiment, based on the position information measured for the first first processing line (for example, 110A), the second processing line (at the position close to the first first processing line (110A)). 120A) is formed, but the second processing line (120A) is formed based on positional information measured for a second first processing line (for example, 110C) different from the first first processing line (110A). It is also possible to do. In addition, from the viewpoint of relative positional accuracy between the second processing line and the first first processing line, a first first processing line and a second processing line that are formed close to each other are formed. It is preferable that the number of the first processing lines existing between the second first processing line in which the position information referred to in the measurement is measured is one or less.

（効果）
レーザ加工装置３によれば、上述の実施の形態１におけるレーザ加工装置１および実施の形態２におけるレーザ加工装置２に比べて、矢印Ｘ１，Ｘ２側の移動距離が少ない分、矢印Ｘ１，Ｘ２側のサイズを小さくでき（矢印Ｙ１，Ｙ２側はピッチ分大きくなるが、矢印Ｘ１，Ｘ２側のサイズの小さくできる効果の方が大きい）、装置をコンパクトにすることができ設備コストを低減できる。また、データを取得するのにも時間的な余裕があり、データ処理が容易となる。実施の形態１におけるレーザ加工装置１と比べると、測定装置の数が少なくてすみ、設備コストを少なくできる。 (effect)
According to the laser processing apparatus 3, the arrow X1, X2 side is smaller than the laser processing apparatus 1 in the first embodiment and the laser processing apparatus 2 in the second embodiment because the movement distance on the arrow X1, X2 side is shorter. (The arrow Y1, Y2 side is increased by the pitch, but the effect of reducing the size of the arrow X1, X2 side is greater), the apparatus can be made compact and the equipment cost can be reduced. Moreover, there is a time allowance for acquiring data, and data processing becomes easy. Compared with the laser processing apparatus 1 in the first embodiment, the number of measuring apparatuses can be reduced, and the equipment cost can be reduced.

［実施の形態３の変形例］
図１５を参照して、実施の形態３の変形例に係るレーザ加工装置３ａについて説明する。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとは、略同一の直線Ｄ１上に配置されているとよい。 [Modification of Embodiment 3]
With reference to FIG. 15, the laser processing apparatus 3a which concerns on the modification of Embodiment 3 is demonstrated. The center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 are preferably arranged on substantially the same straight line D1.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとを同一の直線Ｄ１上に配置することが物理的に困難である場合もある。この場合、制御装置８０に対し、各中心１１Ｃ，３１Ｃの位置と、上記直線Ｄ１との間隔を、オフセット量として予め設定しておくとよい。   In some cases, it is physically difficult to arrange the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring apparatus 11 on the same straight line D1. In this case, the interval between the positions of the centers 11C and 31C and the straight line D1 may be set in advance as an offset amount for the control device 80.

（実施の形態３のその他の変形例）
図１２を参照して、レーザ加工装置３は、レーザヘッド３１と測定装置１１との間隔ＴＹ１１が調節可能なように構成されているとよい。集積間隔Ｐ（図３２参照）が異なる太陽電池セル１０８を製造することにも、柔軟に対応することができる。 (Other variations of Embodiment 3)
Referring to FIG. 12, the laser processing device 3 may be configured such that the interval TY11 between the laser head 31 and the measuring device 11 can be adjusted. It is possible to flexibly cope with the production of solar cells 108 having different integration intervals P (see FIG. 32).

上述の実施の形態１の第２変形例と同様に、レーザ加工装置３は、補正手段８９を備えているとよい。上述の実施の形態１のその他の変形例と同様に、基板１００を固定し、レーザヘッド３１，３２および測定装置１１，１２を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させてもよい。測定装置１１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１と測定装置１１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。これらはすべて、測定装置１２とレーザヘッド３２との関係においても同様である。   Similarly to the second modification of the first embodiment described above, the laser processing apparatus 3 may include a correcting unit 89. Similarly to the other modifications of the first embodiment described above, the substrate 100 may be fixed, and the laser heads 31 and 32 and the measuring devices 11 and 12 may be moved in the directions of the arrows X1, X2, Y1, and Y2. . The measuring apparatus 11 may be movable with the laser head 31 with respect to the substrate 100 or may be movable integrally with the laser head 31. The laser head 31 and the measuring device 11 may be relatively movable, and may be configured to be controlled separately. The laser head 31 and the measuring device 11 may be configured so that the positions of the laser head 31 and the measuring device 11 can be finely adjusted regardless of whether they move together or separately. All of these are the same in the relationship between the measuring device 12 and the laser head 32.

レーザヘッド３１およびレーザヘッド３２は、いずれか１つであってもよいし、３ヘッド以上の構成でも良い。レーザ加工装置３は、光電変換層および裏面電極層に対して加工ラインを形成してもよい。   Either one of the laser head 31 and the laser head 32 may be used, or a configuration of three or more heads may be used. The laser processing device 3 may form a processing line for the photoelectric conversion layer and the back electrode layer.

上記の実施の形態３においては、加工精度の観点から、それぞれが隣り合っている加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｃに沿って第２加工ラインを形成するという態様について説明したが、本発明は、それぞれが隣り合わない加工ライン（１１０）に沿って加工ライン（１２０）を形成するような態様に実施されることも可能である。   In the above-described third embodiment, from the viewpoint of processing accuracy, the aspect in which the second processing lines are formed along the adjacent processing lines 110A to 110C has been described. It is also possible to implement in such a manner that the processing line (120) is formed along the non-matching processing line (110).

［実施の形態３に基づく実施例］
図１６および図１７を参照して、実施の形態３に基づく実施例（実験例）について説明する。 [Example based on Embodiment 3]
An example (experimental example) based on the third embodiment will be described with reference to FIGS.

まず（図３２を参照して、）基板１００として、絶縁性および透明性を有するガラス基板（約１０００ｍｍ×約１４００ｍｍ×約４．０ｍｍ）を準備した。基板１００上に、熱ＣＶＤ法を使用して透明導電膜１０１を成膜した。基板１００および透明導電膜１０１の温度が室温になるまで待機した。   First (see FIG. 32), a glass substrate (about 1000 mm × about 1400 mm × about 4.0 mm) having insulating properties and transparency was prepared as the substrate 100. A transparent conductive film 101 was formed on the substrate 100 using a thermal CVD method. It waited until the temperature of the board | substrate 100 and the transparent conductive film 101 became room temperature.

基本波長のＹＡＧレーザを、ガラス面を通して透明導電膜１０１に対して加工を行なった。略平行に並ぶ複数の加工ライン１１０（分離ライン）を形成した。透明導電膜１０１の表面および加工ライン１１０の内部を超音波振動を付与した純水にて洗浄した。   The transparent conductive film 101 was processed with a fundamental wavelength YAG laser through the glass surface. A plurality of processing lines 110 (separation lines) arranged substantially in parallel were formed. The surface of the transparent conductive film 101 and the inside of the processing line 110 were washed with pure water to which ultrasonic vibration was applied.

プラズマＣＶＤ装置を用いて、透明導電膜１０１および複数の加工ライン１１０を覆うように光電変換層１０２を成膜した。光電変換層１０２は、非晶質層であるａ−Ｓｉ：Ｈｐ層と、ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層と、微結晶シリコン層であるａ−Ｓｉ：Ｈｎ層と、μｃ−Ｓｉ：Ｈｐ層と、μｃ−Ｓｉ：Ｈｉ層と、μｃ−Ｓｉ：Ｈｎ層とを、約１８０℃の温度にて順次積層することにより成膜した。   A photoelectric conversion layer 102 was formed to cover the transparent conductive film 101 and the plurality of processing lines 110 using a plasma CVD apparatus. The photoelectric conversion layer 102 includes an a-Si: Hp layer that is an amorphous layer, an a-Si: Hi layer, an a-Si: Hn layer that is a microcrystalline silicon layer, a μc-Si: Hp layer, The μc-Si: Hi layer and the μc-Si: Hn layer were sequentially stacked at a temperature of about 180 ° C.

光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。第１光電変換層、第２光電変換層及び第３光電変換層は、それぞれ、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層を含んでおり、各半導体層は、シリコン系半導体からなる。光電変換層に含まれる各半導体層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。   The photoelectric conversion layers may all be made of the same type of silicon semiconductor, or may be made of different types of silicon semiconductor. The first photoelectric conversion layer, the second photoelectric conversion layer, and the third photoelectric conversion layer each include a p-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer, and each semiconductor layer is made of a silicon-based semiconductor. . Each semiconductor layer included in the photoelectric conversion layer may be made of the same kind of silicon-based semiconductor, or may be made of different types of silicon-based semiconductor.

たとえば、ｐ型半導体層とｉ型半導体層を非晶質シリコンで形成し、ｎ型半導体層を微結晶シリコンで形成してもよい。また、たとえば、ｐ型半導体層とｎ型半導体層をシリコンカーバイド又はシリコンゲルマニウムで形成し、ｉ型半導体層をシリコンで形成してもよい。また、ｐ型、ｉ型及びｎ型の各半導体層は、１層構造であっても複数層構造であってもよい。複数層構造である場合は、各層は、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。   For example, the p-type semiconductor layer and the i-type semiconductor layer may be formed using amorphous silicon, and the n-type semiconductor layer may be formed using microcrystalline silicon. Further, for example, the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer may be formed of silicon carbide or silicon germanium, and the i-type semiconductor layer may be formed of silicon. In addition, each of the p-type, i-type, and n-type semiconductor layers may have a single-layer structure or a multi-layer structure. In the case of a multi-layer structure, each layer may be composed of different types of silicon-based semiconductors.

図１６を参照して、測定装置１１は、加工ライン１１０の一端側の領域Ｒ１０の位置情報と、加工ライン１１０の中央部付近の領域Ｒ２０の位置情報と、加工ライン１１０の他端側の領域Ｒ３０の位置情報とを測定した。   Referring to FIG. 16, measurement apparatus 11 includes position information on region R10 on one end side of processing line 110, position information on region R20 near the center of processing line 110, and region on the other end side of processing line 110. R30 position information was measured.

領域Ｒ１０は、基板１００上の矢印Ｘ１方向側の端部付近に形成されているアライメント用ラインＬ１と、加工ライン１１０とが交差している領域付近である。領域Ｒ３０は、基板１００上の矢印Ｘ２方向側の端部付近に形成されているアライメント用ラインＬ２と、加工ライン１１０とが交差している領域付近である。   The region R <b> 10 is a region near the alignment line L <b> 1 formed near the end on the arrow X <b> 1 direction side on the substrate 100 and the processing line 110. The region R30 is near the region where the alignment line L2 formed near the end on the arrow X2 direction side on the substrate 100 and the processing line 110 intersect.

測定装置１１は、領域Ｒ１０の位置情報として３箇所（位置Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３）の位置情報を測定した。測定装置１１は、領域Ｒ２０の位置情報として３箇所（位置Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３）の位置情報を測定した。測定装置１１は、領域Ｒ３０の位置情報として３箇所（位置Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３）の位置情報を測定した。それぞれ、測定位置Ｒ１０，Ｒ２０，Ｒ３０で各３点測定するのは、基板１００であるガラス基板の傷、汚れなどにより、認識エラー（読み取りエラー）に備えて、複数点データとして取得する。また、取得したデータが異常値であるのかを判定するのには３点以上読み取ることが好ましい。   The measuring device 11 measured position information at three locations (positions R11, R12, and R13) as position information of the region R10. The measuring device 11 measured position information of three locations (positions R21, R22, R23) as position information of the region R20. The measuring device 11 measured position information at three locations (positions R31, R32, and R33) as position information of the region R30. Three points are measured at each of the measurement positions R10, R20, and R30, and are acquired as multi-point data in preparation for a recognition error (reading error) due to scratches or dirt on the glass substrate that is the substrate 100. Further, it is preferable to read three or more points to determine whether the acquired data is an abnormal value.

加工ライン１１０の位置情報に基づいて、第２高調波のＹＶＯ４レーザを、ガラス面を通して光電変換層１０２に対して加工を行なった。複数の加工ライン１２０（コンタクトライン）が、光電変換層１０２上に、間隔（Ｐ１）約１２０μｍをもって略並行に並んで形成された。この時の基板１００の温度を測定したところ、最も高い値が約５５℃であった。   Based on the position information of the processing line 110, the second harmonic YVO 4 laser was processed on the photoelectric conversion layer 102 through the glass surface. A plurality of processing lines 120 (contact lines) were formed on the photoelectric conversion layer 102 so as to be arranged substantially in parallel with an interval (P1) of about 120 μm. When the temperature of the substrate 100 at this time was measured, the highest value was about 55 ° C.

光電変換層１０２上に加工ライン１２０を形成した後、光電変換層１０２および複数の加工ライン１２０を覆うように、裏面電極層１０３を成膜した。裏面電極層１０３は、マグネトロンスパッタ法を使用して、ＺｎＯとＡｇとを、約１４０℃の温度にて順次積層することにより成膜した。   After forming the processing line 120 on the photoelectric conversion layer 102, the back electrode layer 103 was formed so as to cover the photoelectric conversion layer 102 and the plurality of processing lines 120. The back electrode layer 103 was formed by sequentially laminating ZnO and Ag at a temperature of about 140 ° C. using a magnetron sputtering method.

加工ライン１１０の場合と同様に、加工ライン１２０の位置情報を測定した。加工ライン１２０の位置情報に基づいて、第２高潮波のＹＶＯ４レーザを、ガラス面を通して裏面電極層１０３に対して加工を行なった。複数の加工ライン１３０（分離ライン）が、裏面電極層１０３上に、間隔（Ｐ２）約１２０μｍをもって略平行に並んで形成された。この時の基板１００の温度を測定したところ、最も高い値が約２８℃（室温に等しい）であった。   As in the case of the processing line 110, the position information of the processing line 120 was measured. Based on the positional information on the processing line 120, the second tide wave YVO4 laser was processed on the back electrode layer 103 through the glass surface. A plurality of processing lines 130 (separation lines) were formed on the back electrode layer 103 so as to be arranged substantially in parallel with a spacing (P2) of about 120 μm. When the temperature of the substrate 100 at this time was measured, the highest value was about 28 ° C. (equal to room temperature).

図１７を参照して、加工ライン１１０と、加工ライン１２０と、加工ライン１３０とが、相互に重ならずに形成されていることが読み取れる。   Referring to FIG. 17, it can be read that the processing line 110, the processing line 120, and the processing line 130 are formed without overlapping each other.

［実施の形態３に関する比較例］
上述の実施の形態３に基づく実施例において、測定装置１１の動作を停止して、同様の実験を行なった。図１８を参照して、加工ライン１２０の位置が紙面右方に偏って形成されていることが読み取れる。加工ライン１２０と、加工ライン１３０とが重なって形成されていることが読み取れる。この際、各基板温度は上述の実施例と同じとした。 [Comparative Example for Embodiment 3]
In the example based on the above-described Embodiment 3, the operation of the measuring apparatus 11 was stopped and the same experiment was performed. Referring to FIG. 18, it can be read that the position of the processing line 120 is formed to be deviated to the right of the paper surface. It can be seen that the processing line 120 and the processing line 130 are formed to overlap each other. At this time, the temperature of each substrate was the same as in the above-described example.

図１７および図１８から、実施の形態３における薄膜太陽電池のレーザ加工装置および製造方法によれば、加工ライン１１０と、加工ライン１２０と、加工ライン１３０とが、相互に重ならずに形成される薄膜太陽電池を得ることができることが証明された。   From FIG. 17 and FIG. 18, according to the laser processing apparatus and manufacturing method for a thin film solar cell in the third embodiment, the processing line 110, the processing line 120, and the processing line 130 are formed without overlapping each other. It was proved that a thin film solar cell can be obtained.

［実施の形態４］
図１９および図２０を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置４について説明する。ここでは、上述の実施の形態１との相違点についてのみ説明する。 [Embodiment 4]
With reference to FIG. 19 and FIG. 20, the laser processing apparatus 4 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. Here, only differences from the first embodiment will be described.

図１９を参照して、レーザ加工装置４は、近接したレーザヘッド３１〜３４を備えている。レーザヘッド３１〜３４は制御装置によって各々独立して位置制御可能である。レーザヘッド３１，３２は、矢印Ｙ１方向側に、間隔ＴＹ３１を空けて並んでいる。レーザヘッド３２，３３は、矢印Ｙ１方向側に、間隔ＴＹ３２を空けて並んでいる。レーザヘッド３３，３４は、矢印Ｙ１方向側に、間隔ＴＹ３３を空けて並んでいる。間隔ＴＹ３１，ＴＹ３２，ＴＹ３３は、各加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊの矢印Ｙ１方向側の間隔（ＲＹ１１）と略同一であるとよい。   Referring to FIG. 19, the laser processing apparatus 4 includes adjacent laser heads 31 to 34. The positions of the laser heads 31 to 34 can be independently controlled by a control device. The laser heads 31 and 32 are arranged at an interval TY31 on the arrow Y1 direction side. The laser heads 32 and 33 are arranged at an interval TY32 on the arrow Y1 direction side. The laser heads 33 and 34 are arranged on the arrow Y1 direction side with an interval TY33. The intervals TY31, TY32, and TY33 are preferably substantially the same as the interval (RY11) on the arrow Y1 direction side of each processing line 110A to 110J.

測定装置１１は、レーザヘッド３２の矢印Ｘ１方向（一方）側に配置されている。測定装置２１は、レーザヘッド３２の矢印Ｘ２方向（他方）側に配置されている。   The measuring device 11 is disposed on the arrow X1 direction (one side) of the laser head 32. The measuring device 21 is disposed on the arrow X2 direction (the other side) of the laser head 32.

（レーザ加工装置４による薄膜太陽電池の製造方法）
上述の実施の形態１と同様に、まず、基板１００が準備される。基板１００上に透明導電膜１０１が成膜される。レーザヘッド３１〜３４により、透明導電膜１０１上に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊが形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊを覆うように、光電変換層１０２が成膜される。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 4)
Similar to the first embodiment, first, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. By the laser heads 31 to 34, processing lines 110A to 110J extending along the arrow X1 and X2 direction sides are formed on the transparent conductive film 101. The photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing lines 110A to 110J.

（矢印Ｘ２方向側）
実施の形態１と同様に、光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。測定装置１１は、レーザヘッド３１〜３４よりも矢印Ｘ１方向側において、加工ライン１１０Ｂの位置情報を測定する。加工ライン１１０Ｂの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して、制御装置８０に入力される。 (Arrow X2 direction side)
As in Embodiment 1, the substrate 100 over which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The measuring device 11 measures the position information of the processing line 110B on the arrow X1 direction side from the laser heads 31 to 34. The position information of the processing line 110B is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

基板１００が矢印Ｘ２方向側に移動するとき、レーザヘッド３１〜３４はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄの上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。   When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X2, the laser heads 31 to 34 emit laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing lines 110A to 110D. When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) controls the irradiation position of the laser beam based on the position information of the processing line 110B.

制御装置８０は、加工ライン１２０Ａが加工ライン１１０Ａと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、加工ライン１２０Ａと加工ライン１１０Ａとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing line 120A does not overlap with the processing line 110A. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the interval between the processing line 120A and the processing line 110A is as narrow as possible (as designed).

同様に、制御装置８０は、それぞれ、加工ライン１２０Ｂ〜１２０Ｄが加工ライン１１０Ｂ〜１１０Ｄと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、それぞれ、加工ライン１２０Ｂ〜１２０Ｄと加工ライン１１０Ｂ〜１１０Ｄとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。   Similarly, the control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing lines 120B to 120D do not overlap with the processing lines 110B to 110D, respectively. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the intervals between the processing lines 120B to 120D and the processing lines 110B to 110D are as narrow as possible (as designed values).

こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが、光電変換層１０２上に形成される。加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが形成された後、測定装置１１，２１は、加工ライン１１０Ｆの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ｅの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。同様に、レーザヘッド３２〜３４は、それぞれ、加工ライン１１０Ｆ〜１１０Ｈの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   Thus, processing lines 120 </ b> A to 120 </ b> D extending along the directions of the arrows X <b> 1 and X <b> 2 are formed on the photoelectric conversion layer 102. After the processing lines 120A to 120D are formed, the measuring devices 11 and 21 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the side of the processing line 110F. The laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110E. Similarly, the laser heads 32 to 34 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the sides of the processing lines 110F to 110H, respectively.

本実施の形態においては、レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１，２１は、他の４つの加工ラインの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動してもよい。   In the present embodiment, the laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 may move in the direction of the arrow Y1 until they reach the sides of the other four processing lines.

（矢印Ｘ１方向側）
図２０を参照して、加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが形成された基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。測定装置２１は、レーザヘッド３１〜３４よりも矢印Ｘ２方向側において、加工ライン１１０Ｆの位置情報を測定する。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 20, the substrate 100 on which the processing lines 120A to 120D are formed moves to the arrow X1 direction side. The measuring device 21 measures the position information of the processing line 110F on the arrow X2 direction side of the laser heads 31 to 34.

基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１〜３４はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈの上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、加工ライン１１０Ｆの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。   When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser heads 31 to 34 emit laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing lines 110E to 110H. When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) controls the irradiation position of the laser beam based on the position information of the processing line 110F.

制御装置８０は、それぞれ、加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈが加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈと重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、それぞれ、加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈと加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing lines 120E to 120H are not overlapped with the processing lines 110E to 110H, respectively. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the intervals between the processing lines 120E to 120H and the processing lines 110E to 110H are as narrow as possible (as designed values).

矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈが、光電変換層１０２上に形成される。レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１，２１は、上記の動作を他の加工ラインに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   Processing lines 120 </ b> E to 120 </ b> H extending along the arrow X <b> 1 and X <b> 2 direction sides are formed on the photoelectric conversion layer 102. The laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 repeat the above operation for other processing lines. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

（効果）
冒頭の説明のとおり、一般的な太陽電池セル１０８（図３２参照）の集積間隔Ｐは、約５ｍｍ〜１５ｍｍである。各加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄの間隔も、約５ｍｍ〜約１５ｍｍである。当該間隔が小さいため、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄ付近における光電変換層１０２（または透明導電膜１０１）の温度差は小さい。加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄが湾曲していたとしても、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄは略同様の軌跡を描く。 (effect)
As described at the beginning, the integration interval P of general solar cells 108 (see FIG. 32) is about 5 mm to 15 mm. The interval between the processing lines 110A to 110D is also about 5 mm to about 15 mm. Since the interval is small, the temperature difference of the photoelectric conversion layer 102 (or the transparent conductive film 101) in the vicinity of the processing lines 110A to 110D is small. Even if the processing lines 110A to 110D are curved, the processing lines 110A to 110D draw substantially similar trajectories.

加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄを形成したとしても、加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄは、加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄの下方に形成された加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄと重なることなく形成される。加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄは、加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄの下方に形成された加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）形成される。   Even if the processing lines 120A to 120D are formed based on the position information of the processing line 110B, the processing lines 120A to 120D are formed without overlapping the processing lines 110A to 110D formed below the processing lines 120A to 120D. . The processing lines 120A to 120D are formed so that the distance from the processing lines 110A to 110D formed below the processing lines 120A to 120D is as narrow as possible (as designed).

測定装置１１、２１はレーザヘッド３２と同一直線状（矢印Ｘ１，Ｘ２方向側）に配置したが、測定装置２１をとなりのレーザヘッド３３の矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に配置しても構わない。レーザヘッド数の数に制約も受けず、近接した４つのレーザヘッドがあり、そのユニットが複数あっても構わない。レーザヘッドを複数も持たせているが、例えば、回折格子を用いた光学系でビームをスピリットさせる方法など、近接したビームを持たせる方法はすでに既知である手段により実現しても構わない。   Although the measuring devices 11 and 21 are arranged in the same straight line as the laser head 32 (arrow X1, X2 direction side), the measuring device 21 may be arranged on the arrow X1, X2 direction side of the adjacent laser head 33. There is no restriction on the number of laser heads, there are four laser heads close to each other, and there may be a plurality of units. Although a plurality of laser heads are provided, a method of providing a close beam, such as a method of spiriting a beam with an optical system using a diffraction grating, may be realized by means already known.

レーザ加工装置４によれば、上述の実施の形態１におけるレーザ加工装置１および実施の形態２におけるレーザ加工装置２と比較して、同一のビーム数の場合、測定装置数を少なくでき、設備コストを抑えることが可能となる。   According to the laser processing apparatus 4, compared with the laser processing apparatus 1 in the first embodiment and the laser processing apparatus 2 in the second embodiment, when the number of beams is the same, the number of measuring apparatuses can be reduced, and the equipment cost is reduced. Can be suppressed.

［実施の形態４の変形例］
図２１を参照して、実施の形態４の変形例に係るレーザ加工装置４ａについて説明する。 [Modification of Embodiment 4]
A laser processing apparatus 4a according to a modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ１１を、制御装置８０（図１）のレーザヘッド３１の中心３１Ｃに対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｘ１方向側の間隔ＴＸ１１を、制御装置８０のレーザヘッド３１の中心３１Ｃに対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   An interval TY11 on the arrow Y1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 is set in advance as an offset amount with respect to the center 31C of the laser head 31 of the control device 80 (FIG. 1). It is good to leave. An interval TX11 on the arrow X1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 may be set in advance as an offset amount with respect to the center 31C of the laser head 31 of the control device 80.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置２１の中心２１Ｃとの矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ２１を、制御装置８０（図１）に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置２１の中心２１Ｃとの矢印Ｘ１方向側の間隔ＴＸ２１を、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   An interval TY21 on the arrow Y1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 21C of the measuring device 21 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80 (FIG. 1). An interval TX21 on the arrow X1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 21C of the measuring device 21 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80.

レーザヘッド３２における照射像３２Ｆの中心３２Ｃ、レーザヘッド３３における照射像３３Ｆの中心３３Ｃ、およびレーザヘッド３４における照射像３４Ｆの中心３４Ｃについても、上記同様に、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   The center 32C of the irradiation image 32F in the laser head 32, the center 33C of the irradiation image 33F in the laser head 33, and the center 34C of the irradiation image 34F in the laser head 34 are also offset as to the control device 80 in the same manner as described above. It is good to set in advance.

（実施の形態４のその他の変形例）
上述の実施の形態１の第２変形例と同様に、レーザ加工装置４は、補正手段８９を備えているとよい。上述の実施の形態１のその他の変形例と同様に、基板１００を固定し、レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１，２１を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させてもよい。 (Other Modifications of Embodiment 4)
Similarly to the second modification of the first embodiment described above, the laser processing apparatus 4 may include a correcting unit 89. Similarly to the other modifications of the first embodiment described above, the substrate 100 may be fixed, and the laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 may be moved in the directions of the arrows X1, X2, Y1, and Y2. .

測定装置１１，２１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１〜３４とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１〜３４と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１，２１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１，２１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。レーザ加工装置４は、光電変換層および裏面電極層に対して加工ラインを形成してもよい。   The measuring apparatuses 11 and 21 may be movable together with the laser heads 31 to 34 with respect to the substrate 100, or may be movable integrally with the laser heads 31 to 34. The laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 may be relatively movable, and may be configured to be position-controlled separately. The laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 may be configured so that the positions of the laser heads 31 to 34 and the measuring devices 11 and 21 can be finely adjusted regardless of whether they move together or separately. The laser processing device 4 may form a processing line for the photoelectric conversion layer and the back electrode layer.

測定装置１１，２１は、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄのうち、矢印Ｙ１方向側において最も中央寄りに位置する加工ライン１１０Ｂ（または加工ライン１１０Ｃ）の位置情報を測定するとよい。より高い加工精度を得ることができる。   The measuring devices 11 and 21 may measure position information of the processing line 110B (or processing line 110C) located closest to the center on the arrow Y1 direction side among the processing lines 110A to 110D. Higher processing accuracy can be obtained.

上記の実施の形態４においては、加工精度の観点から、それぞれが隣り合っている加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄおよび加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈに沿って加工ライン（１２０）を形成するという態様について説明したが、本発明は、それぞれが隣り合わない加工ライン（１１０）について加工ライン（１２０）を形成するような態様に実施されることも可能である。   In the above-described fourth embodiment, from the viewpoint of processing accuracy, the aspect in which the processing line (120) is formed along the processing lines 110A to 110D and the processing lines 110E to 110H that are adjacent to each other has been described. The present invention can also be implemented in such a manner that the processing lines (120) are formed for the processing lines (110) that are not adjacent to each other.

［実施の形態５］
図２２および図２３を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置５について説明する。ここでは、上述の実施の形態４との相違点についてのみ説明する。 [Embodiment 5]
With reference to FIG. 22 and FIG. 23, the laser processing apparatus 5 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. Here, only differences from the fourth embodiment will be described.

図２２を参照して、レーザ加工装置５は、測定装置１１を備えている。レーザ加工装置５は、測定装置２１（図１９参照）を備えていない。測定装置１１は、レーザヘッド３２の矢印Ｘ１方向（一方）側に配置されている。   With reference to FIG. 22, the laser processing device 5 includes a measuring device 11. The laser processing device 5 does not include the measuring device 21 (see FIG. 19). The measuring device 11 is disposed on the arrow X1 direction (one side) of the laser head 32.

（レーザ加工装置５による薄膜太陽電池の製造方法）
上述の実施の形態４と同様に、まず、基板１００が準備される。基板１００上に透明導電膜１０１が成膜される。レーザヘッド３１〜３４により、透明導電膜１０１上に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊが形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊを覆うように、光電変換層１０２が成膜される。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 5)
Similar to the fourth embodiment described above, first, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. By the laser heads 31 to 34, processing lines 110A to 110J extending along the arrow X1 and X2 direction sides are formed on the transparent conductive film 101. The photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing lines 110A to 110J.

（矢印Ｘ２方向側）
上述の実施の形態４と同様に、光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。測定装置１１は、レーザヘッド３１〜３４よりも矢印Ｘ１方向側において、加工ライン１１０Ｂの位置情報を測定する。加工ライン１１０Ｂの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して、制御装置８０に入力される。 (Arrow X2 direction side)
As in Embodiment 4 described above, the substrate 100 on which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The measuring device 11 measures the position information of the processing line 110B on the arrow X1 direction side from the laser heads 31 to 34. The position information of the processing line 110B is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

制御装置８０は、加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。実施の形態４と同様に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが、光電変換層１０２上に形成される。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam based on the position information of the processing line 110B. As in the fourth embodiment, process lines 120A to 120D extending along the arrow X1 and X2 directions are formed on the photoelectric conversion layer 102.

加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが形成された後、測定装置１１は、加工ライン１１０Ｆの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ｅの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。同様に、レーザヘッド３２〜３４は、それぞれ、加工ライン１１０Ｆ〜１１０Ｈの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the processing lines 120A to 120D are formed, the measuring apparatus 11 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110F. The laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110E. Similarly, the laser heads 32 to 34 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the sides of the processing lines 110F to 110H, respectively.

（矢印Ｘ１方向側）
図２３を参照して、加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが形成された基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１〜３４はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈの上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 23, the substrate 100 on which the processing lines 120A to 120D are formed moves to the arrow X1 direction side. When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser heads 31 to 34 emit laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing lines 110E to 110H.

レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、（測定装置１１が矢印Ｘ１方向側に走査しているときに測定した）加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈが、光電変換層１０２上に形成される。   When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) uses the positional information of the processing line 110B (measured when the measuring device 11 is scanning in the direction of the arrow X1). Based on this, the irradiation position of the laser beam is controlled. Thus, the processing lines 120E to 120H extending along the arrow X1 and X2 directions are formed on the photoelectric conversion layer 102.

レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１は、上記の動作を他の加工ラインに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   The laser heads 31 to 34 and the measuring apparatus 11 repeat the above operation for other processing lines. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

（効果）
冒頭の説明のとおり、一般的な太陽電池セル１０８（図３２参照）の集積間隔Ｐは、約５ｍｍ〜１５ｍｍである。各加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｈの間隔も、約５ｍｍ〜約１５ｍｍである。当該間隔が小さいため、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｈ付近における光電変換層１０２（または透明導電膜１０１）の温度差は小さい。加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｈが湾曲していたとしても、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｈは、略同様の軌跡を描く。 (effect)
As described at the beginning, the integration interval P of general solar cells 108 (see FIG. 32) is about 5 mm to 15 mm. The intervals between the processing lines 110A to 110H are also about 5 mm to about 15 mm. Since the interval is small, the temperature difference of the photoelectric conversion layer 102 (or the transparent conductive film 101) in the vicinity of the processing lines 110A to 110H is small. Even if the processing lines 110A to 110H are curved, the processing lines 110A to 110H draw substantially similar trajectories.

加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈを形成したとしても、加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈは、加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈの下方に形成された加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈと重なることなく形成される。加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈは、加工ライン１２０Ｅ〜１２０Ｈの下方に形成された加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈとの間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）形成される。   Even if the processing lines 120E to 120H are formed based on the position information of the processing line 110B, the processing lines 120E to 120H are formed without overlapping the processing lines 110E to 110H formed below the processing lines 120E to 120H. . The processing lines 120E to 120H are formed so that the distance from the processing lines 110E to 110H formed below the processing lines 120E to 120H is as narrow as possible (as designed).

レーザ加工装置５によれば、上述の実施の形態４におけるレーザ加工装置４に比べて測定装置の数が少なくてすむので設備費用を削減できる。レーザ加工装置５によれば、レーザ加工装置４に比べて矢印Ｘ１，Ｘ２方向側の移動距離が少ない分、処理タクトを向上させることができる。矢印Ｘ１，Ｘ２方向側の装置サイズをコンパクトにできフットプリントを小さくできる。   According to the laser processing apparatus 5, since the number of measuring apparatuses can be reduced as compared with the laser processing apparatus 4 in the above-described fourth embodiment, the equipment cost can be reduced. According to the laser processing device 5, the processing tact can be improved because the moving distance in the direction of the arrows X 1 and X 2 is shorter than that of the laser processing device 4. The apparatus size in the direction of the arrows X1 and X2 can be made compact and the footprint can be reduced.

［実施の形態５の他の構成］
図２４を参照して、実施の形態５の変形例に係るレーザ加工装置５ａについて説明する。 [Other configuration of the fifth embodiment]
With reference to FIG. 24, the laser processing apparatus 5a which concerns on the modification of Embodiment 5 is demonstrated.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ１１を、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｘ１方向側の間隔ＴＸ１１を、制御装置８０（図１）に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   An interval TY11 on the arrow Y1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80. An interval TX11 on the arrow X1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80 (FIG. 1).

レーザヘッド３２における照射像３２Ｆの中心３２Ｃ、レーザヘッド３３における照射像３３Ｆの中心３３Ｃ、およびレーザヘッド３４における照射像３４Ｆの中心３４Ｃについても、上記同様に、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   The center 32C of the irradiation image 32F in the laser head 32, the center 33C of the irradiation image 33F in the laser head 33, and the center 34C of the irradiation image 34F in the laser head 34 are also offset as to the control device 80 in the same manner as described above. It is good to set in advance.

（実施の形態５のその他の変形例）
上述の実施の形態１の第２変形例と同様に、レーザ加工装置５は、補正手段８９を備えているとよい。上述の実施の形態１のその他の変形例と同様に、基板１００を固定し、レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動可能に構成してもよい。 (Other Modifications of Embodiment 5)
Similarly to the second modification of the first embodiment described above, the laser processing apparatus 5 may include a correcting unit 89. Similarly to the other modifications of the first embodiment described above, the substrate 100 may be fixed and the laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be configured to be movable in the direction of the arrows X1, X2, Y1, and Y2. Good.

測定装置１１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１〜３４とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１〜３４と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。本実施の形態におけるレーザ加工装置は、光電変換層および裏面電極層に対して加工ラインを形成してもよい。   The measuring apparatus 11 may be movable with the laser heads 31 to 34 relative to the substrate 100, or may be movable integrally with the laser heads 31 to 34. The laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be relatively movable, and may be configured to be separately controlled in position. The laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be configured so that the positions of the laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 can be finely adjusted regardless of whether they move together or separately. The laser processing apparatus in this embodiment may form a processing line for the photoelectric conversion layer and the back electrode layer.

測定装置１１は、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄのうち、矢印Ｙ１方向側において最も中央寄りに位置する加工ライン１１０Ｂ（または加工ライン１１０Ｃ）の位置情報を測定するとよい。複数加工位置の情報を平均的な値を取得し、高い加工精度を得ることができる。   The measuring device 11 may measure position information of the processing line 110B (or processing line 110C) located closest to the center on the arrow Y1 direction side among the processing lines 110A to 110D. It is possible to obtain an average value of information on a plurality of machining positions and obtain high machining accuracy.

上記の実施の形態５においては、加工精度の観点から、それぞれが隣り合っている加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄおよび加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈに沿って加工ライン（１２０）加工するという態様について説明したが、本発明は、それぞれが隣り合わない加工ライン（１１０）について加工ライン（１２０）を形成するような態様に実施されることも可能である。   In the above-described fifth embodiment, from the viewpoint of processing accuracy, the aspect in which the processing line (120) is processed along the processing lines 110A to 110D and the processing lines 110E to 110H that are adjacent to each other has been described. The invention can also be implemented in such a manner that the processing lines (120) are formed for the processing lines (110) that are not adjacent to each other.

［実施の形態６］
図２５および図２６を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置６について説明する。ここでは、上述の実施の形態４との相違点についてのみ説明する。 [Embodiment 6]
With reference to FIG. 25 and FIG. 26, the laser processing apparatus 6 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. Here, only differences from the fourth embodiment will be described.

図２５を参照して、レーザ加工装置６は、測定装置１１を備えている。レーザ加工装置６は、測定装置２１（図１９参照）を備えていない。測定装置１１は、レーザヘッド３１〜３４の矢印Ｙ１方向側に配置されている。   Referring to FIG. 25, the laser processing device 6 includes a measuring device 11. The laser processing device 6 does not include the measuring device 21 (see FIG. 19). The measuring device 11 is arranged on the arrow Y1 direction side of the laser heads 31-34.

レーザヘッド３２と測定装置１１との矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ１１は、各加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊの矢印Ｙ１方向側の間隔（ＲＹ１１）の４倍（間隔ＲＹ４１）と略同一であるとよい。   The distance TY11 between the laser head 32 and the measuring device 11 on the arrow Y1 direction side may be substantially the same as four times the distance (RY11) on the arrow Y1 direction side of each processing line 110A to 110J (interval RY41).

（レーザ加工装置６による薄膜太陽電池の製造方法）
上述の実施の形態４と同様に、まず、基板１００が準備される。基板１００上に透明導電膜１０１が成膜される。レーザヘッド３１〜３４により、透明導電膜１０１上に、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊが形成される。透明導電膜１０１および加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｊを覆うように、光電変換層１０２が成膜される。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 6)
Similar to the fourth embodiment described above, first, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the substrate 100. By the laser heads 31 to 34, processing lines 110A to 110J extending along the arrow X1 and X2 direction sides are formed on the transparent conductive film 101. The photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing lines 110A to 110J.

（矢印Ｘ２方向側）
光電変換層１０２が成膜された基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。基板１００は、測定装置１１の下方を通過する。測定装置１１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ１方向側に走査する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ｂの位置情報を測定する。加工ライン１１０Ｂの位置情報は、画像処理ユニット８８（図１）を通して制御装置８０に入力される。 (Arrow X2 direction side)
The substrate 100 on which the photoelectric conversion layer 102 is formed moves to the arrow X2 direction side. The substrate 100 passes below the measuring device 11. The measuring device 11 scans the photoelectric conversion layer 102 in the arrow X1 direction side. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110B. The position information of the processing line 110B is input to the control device 80 through the image processing unit 88 (FIG. 1).

基板１００が測定装置１１の下方を通過した後、測定装置１１は、加工ライン１１０Ｆの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ａの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。同様に、レーザヘッド３２〜３４は、それぞれ、加工ライン１１０Ｂ〜１１０Ｄの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the substrate 100 passes below the measuring device 11, the measuring device 11 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110F. The laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until reaching the side of the processing line 110A. Similarly, the laser heads 32 to 34 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the sides of the processing lines 110B to 110D, respectively.

（矢印Ｘ１方向側）
図２６を参照して、基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、レーザヘッド３１〜３４はレーザ光を照射している。レーザ光は、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄの上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。 (Arrow X1 direction side)
Referring to FIG. 26, substrate 100 moves to the arrow X1 direction side. When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the laser heads 31 to 34 emit laser light. The laser light processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing lines 110A to 110D.

レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０（図１）は、（測定装置１１が矢印Ｘ１方向側に走査しているときに測定した）加工ライン１１０Ｂの位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが、光電変換層１０２上に形成される。   When the laser beam processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 (FIG. 1) uses the positional information of the processing line 110B (measured when the measuring device 11 is scanning in the direction of the arrow X1). Based on this, the irradiation position of the laser beam is controlled. Thus, processing lines 120 </ b> A to 120 </ b> D extending along the directions of the arrows X <b> 1 and X <b> 2 are formed on the photoelectric conversion layer 102.

基板１００が矢印Ｘ１方向側に移動するとき、測定装置１１は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ２方向側に走査する。測定装置１１は、加工ライン１１０Ｆの位置情報を測定する。   When the substrate 100 moves in the direction of the arrow X1, the measuring device 11 scans the photoelectric conversion layer 102 in the direction of the arrow X2. The measuring device 11 measures position information of the processing line 110F.

加工ライン１２０Ａ〜１２０Ｄが形成された後、測定装置１１は、加工ライン１１０Ｊの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。レーザヘッド３１は、加工ライン１１０Ｅの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。同様に、レーザヘッド３２〜３４は、それぞれ、加工ライン１１０Ｆ〜１１０Ｈの側方に到達するまで、矢印Ｙ１方向側に移動する。   After the processing lines 120A to 120D are formed, the measuring device 11 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110J. The laser head 31 moves to the arrow Y1 direction side until it reaches the side of the processing line 110E. Similarly, the laser heads 32 to 34 move in the direction of the arrow Y1 until they reach the sides of the processing lines 110F to 110H, respectively.

（矢印Ｘ２方向側）
図２７を参照して、基板１００は、矢印Ｘ２方向側に移動する。レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１は、上記同様に動作する。 (Arrow X2 direction side)
Referring to FIG. 27, substrate 100 moves to the arrow X2 direction side. The laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 operate in the same manner as described above.

レーザヘッド３１〜３４は、上記同様の動作を他の加工ラインに対して繰り返す。測定装置１１は、上記の動作を他の加工ラインに対して繰り返す。以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜太陽電池が得られる。   The laser heads 31 to 34 repeat the same operation as described above for other processing lines. The measuring device 11 repeats the above operation for other processing lines. As described above, the thin film solar cell according to the present embodiment is obtained.

（効果）
本実施の形態におけるレーザ加工装置によれば、実施の形態４における制御装置に比べて測定装置の数が少なくてすむので設備費用を削減できる。上述の実施の形態４におけるレーザ加工装置４および実施の形態５におけるレーザ加工装置５に比べて、矢印Ｘ１，Ｘ２側の移動距離が少ない分、矢印Ｘ１，Ｘ２側のサイズを小さくでき（矢印Ｙ１，Ｙ２側はピッチ分大きくなるが、矢印Ｘ１，Ｘ２側のサイズの小さくできる効果の方が大きい）、装置をコンパクトにすることができ設備コストを低減できる。また、データを取得するのにも時間的な余裕があり、データ処理が容易となる。 (effect)
According to the laser processing apparatus in the present embodiment, the number of measuring apparatuses can be reduced as compared with the control apparatus in the fourth embodiment, so that the equipment cost can be reduced. Compared with the laser processing device 4 in the above-described fourth embodiment and the laser processing device 5 in the fifth embodiment, the movement distance on the arrow X1, X2 side is smaller, so the size on the arrow X1, X2 side can be reduced (arrow Y1). , Y2 side is increased by the pitch, but the effect of reducing the size of the arrows X1 and X2 is greater), and the apparatus can be made compact and the equipment cost can be reduced. Moreover, there is a time allowance for acquiring data, and data processing becomes easy.

［実施の形態６の他の構成］
図２８を参照して、実施の形態６の変形例に係るレーザ加工装置６ａについて説明する。 [Other configuration of the sixth embodiment]
With reference to FIG. 28, the laser processing apparatus 6a which concerns on the modification of Embodiment 6 is demonstrated.

レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｙ１方向側の間隔ＴＹ１１を、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。レーザヘッド３１の中心３１Ｃと、測定装置１１の中心１１Ｃとの矢印Ｘ１方向側の間隔ＴＸ１１を、制御装置８０（図１）に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   An interval TY11 on the arrow Y1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80. An interval TX11 on the arrow X1 direction side between the center 31C of the laser head 31 and the center 11C of the measuring device 11 may be set in advance as an offset amount with respect to the control device 80 (FIG. 1).

レーザヘッド３２における照射像３２Ｆの中心３２Ｃ、レーザヘッド３３における照射像３３Ｆの中心３３Ｃ、およびレーザヘッド３４における照射像３４Ｆの中心３４Ｃについても、上記同様に、制御装置８０に対して、オフセット量として予め設定しておくとよい。   The center 32C of the irradiation image 32F in the laser head 32, the center 33C of the irradiation image 33F in the laser head 33, and the center 34C of the irradiation image 34F in the laser head 34 are also offset as to the control device 80 in the same manner as described above. It is good to set in advance.

（実施の形態６のその他の変形例）
上述の実施の形態１の第２変形例と同様に、レーザ加工装置６は、補正手段８９を備えているとよい。上述の実施の形態１のその他の変形例と同様に、基板１００を固定し、レーザヘッド３１〜３４および測定装置１１を、矢印Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させてもよい。 (Other Modifications of Embodiment 6)
Similarly to the second modification of the first embodiment described above, the laser processing apparatus 6 may include a correcting unit 89. Similarly to the other modifications of the first embodiment described above, the substrate 100 may be fixed, and the laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be moved in the directions of the arrows X1, X2, Y1, and Y2.

測定装置１１は、基板１００に対して、レーザヘッド３１〜３４とともに移動可能であってもよく、レーザヘッド３１〜３４と一体的に移動可能であってもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１とは相対的に移動可能であってもよく、別々に位置制御されるように構成されてもよい。レーザヘッド３１〜３４と測定装置１１とは、一体的に移動する場合であっても、別々に移動する場合であっても、それぞれの位置を微調整可能に構成するとよい。レーザ加工装置６は、光電変換層および裏面電極層に対して加工ラインを形成してもよい。   The measuring apparatus 11 may be movable with the laser heads 31 to 34 relative to the substrate 100, or may be movable integrally with the laser heads 31 to 34. The laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be relatively movable, and may be configured to be separately controlled in position. The laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 may be configured so that the positions of the laser heads 31 to 34 and the measuring device 11 can be finely adjusted regardless of whether they move together or separately. The laser processing apparatus 6 may form a processing line for the photoelectric conversion layer and the back electrode layer.

測定装置１１は、加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄのうち、矢印Ｙ１方向側において最も中央寄りに位置する加工ライン１１０Ｂ（または加工ライン１１０Ｃ）の位置情報を測定するとよい。複数加工位置の情報を平均的な値を取得し、高い加工精度を得ることができる。   The measuring device 11 may measure position information of the processing line 110B (or processing line 110C) located closest to the center on the arrow Y1 direction side among the processing lines 110A to 110D. It is possible to obtain an average value of information on a plurality of machining positions and obtain high machining accuracy.

上記の実施の形態６においては、加工精度の観点から、それぞれが隣り合っている加工ライン１１０Ａ〜１１０Ｄおよび加工ライン１１０Ｅ〜１１０Ｈに沿って加工ライン（１２０）を形成するという態様について説明したが、本発明は、それぞれが隣り合わない加工ライン（１１０）について加工ライン（１２０）が形成されるような態様に実施されることも可能である。   In the above-described sixth embodiment, from the viewpoint of machining accuracy, the aspect in which the machining line (120) is formed along the machining lines 110A to 110D and the machining lines 110E to 110H that are adjacent to each other has been described. The present invention can also be implemented in such a manner that the processing lines (120) are formed for the processing lines (110) that are not adjacent to each other.

［実施の形態７］
（レーザ加工装置７の構成）
図２９を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池のレーザ加工装置７について説明する。レーザ加工装置７は、レーザヘッド３１、レーザ加工装置８７、測定装置２４、搬送装置９０、ファイバ８１、レーザ発振器８６、制御装置８０、および画像処理ユニット８８を備えている。 [Embodiment 7]
(Configuration of laser processing apparatus 7)
With reference to FIG. 29, the laser processing apparatus 7 of the thin film solar cell in this Embodiment is demonstrated. The laser processing device 7 includes a laser head 31, a laser processing device 87, a measuring device 24, a transport device 90, a fiber 81, a laser oscillator 86, a control device 80, and an image processing unit 88.

レーザ発振器８６から発振されたレーザは、ファイバ８１を通ってレーザヘッド３１に伝送される。レーザ発振器８６から発振されたレーザは、いわゆる空間伝送方式によりレーザヘッド３１に伝送されてもよい。レーザは、レーザヘッド３１から（紙面下方に向かって）出射される。レーザとは、たとえばＹＡＧレーザまたはＹＶＯ４レーザ等である。   The laser oscillated from the laser oscillator 86 is transmitted to the laser head 31 through the fiber 81. The laser oscillated from the laser oscillator 86 may be transmitted to the laser head 31 by a so-called spatial transmission method. The laser is emitted from the laser head 31 (downward in the drawing). The laser is, for example, a YAG laser or a YVO4 laser.

基板１００は、搬送装置９０上に載置される。搬送装置９０は、基板１００の平面度を調節するために、支持ピン（不図示）などを備えているとよい。基板１００は、所定の固定部材（不図示）により所定の位置に固定される。搬送装置９０は、基板１００を矢印Ｘ１方向側に移動させる。基板１００は、レーザ加工装置８７の入口部９２、内部９３、および出口部９４を矢印Ｘ１方向側に通過する。   The substrate 100 is placed on the transfer device 90. The transfer device 90 may include support pins (not shown) and the like in order to adjust the flatness of the substrate 100. The substrate 100 is fixed at a predetermined position by a predetermined fixing member (not shown). The transfer device 90 moves the substrate 100 to the arrow X1 direction side. The substrate 100 passes through the inlet portion 92, the inside 93, and the outlet portion 94 of the laser processing apparatus 87 in the arrow X1 direction side.

測定装置２４は、入口部９２の矢印Ｘ２方向側に配置されている。測定装置２４は、搬送装置９０の上方に配置されている。測定装置２４は、カメラ等の撮像手段を含んでいる。当該撮像手段の分解能は、２０μｍ以下であるとよい。好適には、当該撮像手段の分解能は１０μｍ以下であるとよい。   The measuring device 24 is arranged on the side of the inlet portion 92 in the direction of the arrow X2. The measuring device 24 is disposed above the transport device 90. The measuring device 24 includes imaging means such as a camera. The resolution of the imaging means is preferably 20 μm or less. Preferably, the resolution of the imaging means is 10 μm or less.

レーザヘッド３１は、レーザ加工装置８７の内部９３において、搬送装置９０の上方に支持されている。レーザヘッド３１は、矢印Ｙ１，Ｙ２方向側に移動可能となっている。   The laser head 31 is supported above the conveying device 90 in the interior 93 of the laser processing device 87. The laser head 31 is movable in the directions of arrows Y1 and Y2.

（レーザ加工装置７による薄膜太陽電池の製造方法）
まず、基板１００が準備される。基板１００の表面には、透明導電膜１０１が成膜されている。透明導電膜１０１上には、矢印Ｙ１方向側に向かって略平行に並ぶ複数の加工ライン１１０（第１加工ライン）が形成されている。透明導電膜１０１および加工ライン１１０を覆うように、光電変換層１０２が成膜されている。 (Manufacturing method of thin film solar cell by laser processing apparatus 7)
First, the substrate 100 is prepared. A transparent conductive film 101 is formed on the surface of the substrate 100. On the transparent conductive film 101, a plurality of processing lines 110 (first processing lines) arranged substantially in parallel toward the arrow Y1 direction are formed. A photoelectric conversion layer 102 is formed so as to cover the transparent conductive film 101 and the processing line 110.

基板１００は、（入口部９２側の）搬送装置９０上に載置される。基板１００は、矢印Ｘ１方向側に移動する。基板１００は、測定装置２４の下方を通過する。測定装置２４は、光電変換層１０２に対して矢印Ｘ２方向側に対する情報を入手する。測定装置２４は、加工ライン１１０の位置情報を測定する。測定装置２４により測定された位置情報は、画像処理ユニット８８を通して制御装置８０に入力される。   The substrate 100 is placed on the transfer device 90 (on the entrance 92 side). The substrate 100 moves to the arrow X1 direction side. The substrate 100 passes under the measuring device 24. The measuring device 24 obtains information for the photoelectric conversion layer 102 with respect to the arrow X2 direction side. The measuring device 24 measures position information of the processing line 110. The position information measured by the measuring device 24 is input to the control device 80 through the image processing unit 88.

基板１００は、レーザ加工装置８７の内部９３に移動する。基板１００は、レーザヘッド３１の下方を通過する。基板１００がレーザヘッド３１の下方を通過するとき、レーザヘッド３１はレーザを照射している。レーザ光は、加工ライン１１０の上方に位置する光電変換層１０２に対して加工を行なう。   The substrate 100 moves to the inside 93 of the laser processing apparatus 87. The substrate 100 passes below the laser head 31. When the substrate 100 passes under the laser head 31, the laser head 31 irradiates the laser. The laser beam processes the photoelectric conversion layer 102 located above the processing line 110.

レーザ光が光電変換層１０２に対して加工を行なうとき、制御装置８０は、加工ライン１１０の位置情報に基づいて、レーザ光の照射位置を制御する。レーザ光の照射位置は、レーザヘッド３１を矢印Ｙ１，Ｙ２方向側に移動させることにより制御される。   When the laser light processes the photoelectric conversion layer 102, the control device 80 controls the irradiation position of the laser light based on the position information of the processing line 110. The irradiation position of the laser beam is controlled by moving the laser head 31 in the directions of the arrows Y1 and Y2.

制御装置８０は、加工ライン１２０が加工ライン１１０と重なって形成されないように、レーザ光の照射位置を制御する。制御装置８０は、加工ライン１２０と加工ライン１１０との間隔が極力狭くなるように（設計値通りに）、レーザ光の照射位置を制御する。こうして、矢印Ｘ１，Ｘ２方向側に沿って延びる加工ライン１２０が、光電変換層１０２上に形成される。   The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the processing line 120 does not overlap with the processing line 110. The control device 80 controls the irradiation position of the laser beam so that the interval between the processing line 120 and the processing line 110 is as narrow as possible (as designed). In this way, the processing line 120 extending along the arrow X1 and X2 directions is formed on the photoelectric conversion layer 102.

（効果）
レーザ加工装置７によれば、搬送装置９０を備えていることにより、複数の基板１００（上の光電変換層１０２）に対して連続的に加工ライン１２０を形成することができる。レーザ装置内の装置構成に係らず、全ての装置に対して、適応することが可能となる。 (effect)
According to the laser processing apparatus 7, the processing line 120 can be continuously formed on the plurality of substrates 100 (the upper photoelectric conversion layer 102) by including the transfer device 90. Regardless of the apparatus configuration in the laser apparatus, it is possible to adapt to all apparatuses.

［実施の形態７の変形例］
図２９を参照して、実施の形態７の変形例に係るレーザ加工装置７ａについて説明する。レーザ加工装置７ａは、補正手段８９をさらに備えているとよい。 [Modification of Embodiment 7]
With reference to FIG. 29, the laser processing apparatus 7a which concerns on the modification of Embodiment 7 is demonstrated. The laser processing apparatus 7a may further include a correcting unit 89.

図３０を参照して、測定装置２４（図２９）により、加工ライン１１０の位置情報に加えて、基板１００の端面１００Ｔの位置情報、アライメント用ラインＬ１の位置情報、およびアライメント用ラインＬ２の位置情報が測定される。   Referring to FIG. 30, in addition to the position information of processing line 110, measurement apparatus 24 (FIG. 29) adds position information of end surface 100T of substrate 100, position information of alignment line L1, and position of alignment line L2. Information is measured.

図３１を参照して、測定装置２４により測定された上記の各位置情報（図３１において実線で示す部分）と、実際に基板１００が配置されている位置（図３１において点線で示す部分）とは、一致していない（ずれている）場合がある。実際に基板１００が配置されている位置は、加工ライン１１０ｚ、端面１００Ｔｚ、アライメント用ラインＬ１ｚ、およびアライメント用ラインＬ２ｚにより示される。   Referring to FIG. 31, each position information measured by the measurement device 24 (a portion indicated by a solid line in FIG. 31) and a position where the substrate 100 is actually disposed (a portion indicated by a dotted line in FIG. 31). May not match (displace). The position where the substrate 100 is actually arranged is indicated by a processing line 110z, an end face 100Tz, an alignment line L1z, and an alignment line L2z.

補正手段８９は、上記のように生じるずれを抑制する。具体的には、補正手段８９は、測定装置２４により測定された加工ライン１１０のＸＹ平面における傾き（以下、傾きと称する）と、実際の加工ライン１１０ｚの傾きとの差を算出する。加工ライン１１０の傾きは、（座標Ａ１−座標Ａ２）により算出される。加工ライン１１０ｚの傾きは、（座標Ａ１ｚ−座標Ａ２ｚ）により算出される。   The correcting unit 89 suppresses the deviation that occurs as described above. Specifically, the correction unit 89 calculates the difference between the inclination of the processing line 110 in the XY plane (hereinafter referred to as inclination) measured by the measuring device 24 and the actual processing line 110z. The inclination of the processing line 110 is calculated by (coordinate A1-coordinate A2). The inclination of the processing line 110z is calculated by (coordinate A1z−coordinate A2z).

同様に、補正手段８９は、測定装置２４により測定された端面１００Ｔの傾きと、実際の端面１００Ｔｚの傾きとの差を算出する。補正手段８９は、測定装置２４により測定されたアライメント用ラインＬ１の傾きと、実際のアライメント用ラインＬ１ｚの傾きとの差を算出する。補正手段８９は、測定装置２４により測定されたアライメント用ラインＬ２の傾きと、実際のアライメント用ラインＬ２ｚの傾きとの差を算出する。   Similarly, the correction unit 89 calculates the difference between the inclination of the end face 100T measured by the measuring device 24 and the actual inclination of the end face 100Tz. The correcting unit 89 calculates the difference between the inclination of the alignment line L1 measured by the measuring device 24 and the actual inclination of the alignment line L1z. The correcting unit 89 calculates the difference between the inclination of the alignment line L2 measured by the measuring device 24 and the actual inclination of the alignment line L2z.

補正手段８９は、上記のようにして算出された４つの傾きの差を、制御装置８０に対し、オフセット量として入力する。当該オフセット量に基づき、制御装置８０はレーザ光の照射位置を補正する。レーザ加工装置７ａは、補正手段８９をさらに備えていることにより、より精度の高い加工ラインを形成することが可能となる。   The correcting unit 89 inputs the difference between the four inclinations calculated as described above to the control device 80 as an offset amount. Based on the offset amount, the control device 80 corrects the irradiation position of the laser beam. Since the laser processing apparatus 7a further includes the correction unit 89, it is possible to form a processing line with higher accuracy.

以上、本発明に係る各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   As mentioned above, although each embodiment concerning the present invention was described, each embodiment indicated this time should be considered that it is illustration and restrictive at no points. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１〜７，１ａ〜７ａ，１ｂ レーザ加工装置、１１，１２，２１，２２，２４ 測定装置、１１Ｃ，２１Ｃ，３１Ｃ，３２Ｃ，３３Ｃ，３４Ｃ 中心、１１Ｆ，２１Ｆ 撮像範囲、３１〜３４ レーザヘッド、３１Ｆ〜３４Ｆ 照射像、５１，５２ 基準点、７０ ベース、７１，７２ ヘッド駆動機構、７４ ステージ駆動部、７５ ヘッド支持装置、７６ ステージ、７８ 固定部材、８０ 制御装置、８１，８２ ファイバ、８６ レーザ発振器、８７ レーザ加工装置、８８ 画像処理ユニット、８９ 補正手段、９０ 搬送装置、９２ 入口部、９３ 内部、９４ 出口部、１００ 基板、１００Ｔ，１００Ｔｚ 端面、１０１ 透明導電膜、１０２ 光電変換層、１０３ 裏面電極層、１０４ 発電領域、１０６ 非発電領域、１０８ 太陽電池セル、１１０，１１０Ａ〜１１０Ｊ 加工ライン（第１加工ライン）、１２０，１２０Ａ〜１２０Ｈ 加工ライン（第２加工ライン）、１２０Ｘ，１３０ 加工ライン、２００ ダミー基板、１０００ 薄膜太陽電池、Ａ１，Ａ１ｚ，Ａ２，Ａ２ｚ 座標、Ｄ１ 直線、Ｌ１，Ｌ１ｚ，Ｌ２，Ｌ２ｚ アライメント用ライン、ＬＸ，ＬＹ，Ｐ１，Ｐ２，ＲＹ４１，ＴＹ１１，ＴＹ２１，ＴＹ３１，ＴＹ３２，ＴＹ３３ 間隔、Ｐ 集積間隔、ＰＬ１〜ＰＬ５，Ｒ１１〜Ｒ１３，Ｒ２１〜Ｒ２３，Ｒ３１〜Ｒ３３ 位置、Ｒ１０，Ｒ２０，Ｒ３０，Ｗ１ 領域、Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２ 矢印、β 距離。   1-7, 1a-7a, 1b Laser processing device, 11, 12, 21, 22, 24 measuring device, 11C, 21C, 31C, 32C, 33C, 34C center, 11F, 21F imaging range, 31-34 laser head, 31F to 34F Irradiation image, 51, 52 reference point, 70 base, 71, 72 head drive mechanism, 74 stage drive unit, 75 head support device, 76 stage, 78 fixing member, 80 control device, 81, 82 fiber, 86 laser Oscillator, 87 Laser processing device, 88 Image processing unit, 89 Correction means, 90 Conveying device, 92 Inlet part, 93 Inside, 94 Outlet part, 100 Substrate, 100T, 100Tz End face, 101 Transparent conductive film, 102 Photoelectric conversion layer, 103 Back electrode layer, 104 power generation region, 106 non-power generation region, 108 solar cell 110, 110A to 110J processing line (first processing line), 120, 120A to 120H processing line (second processing line), 120X, 130 processing line, 200 dummy substrate, 1000 thin film solar cell, A1, A1z, A2, A2z Coordinates, D1 straight lines, L1, L1z, L2, L2z alignment lines, LX, LY, P1, P2, RY41, TY11, TY21, TY31, TY32, TY33 intervals, P integration intervals, PL1 to PL5, R11 to R13, R21 ~ R23, R31 ~ R33 position, R10, R20, R30, W1 region, X1, X2, Y1, Y2 arrows, β distance.

Claims (8)

基板上の第１層に並べて形成された複数の第１加工ラインに沿うように、前記第１層の上方に積層された第２層に複数の第２加工ラインを形成する薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置であって、
複数の前記第２加工ラインは、複数の前記第１加工ラインの各々に対して一本対一本の対応関係となるように前記第２層にそれぞれ形成されるものであり、
ステージと、
レーザ光を照射し、前記ステージに載置された前記基板に対して一方側および他方側に向かって相対的に移動可能なレーザヘッドと、
前記レーザヘッドの前記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、前記レーザヘッドとともに前記基板に対して相対的に移動可能な測定装置と、
制御装置と、
を備え、
前記レーザヘッドが前記一方側または前記他方側に向かって移動しながら前記レーザ光を照射して第１の前記第１加工ラインに沿うように第１の前記第２加工ラインを形成するとき、前記測定装置は、前記レーザヘッドの前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する第２の前記第１加工ラインの位置情報を測定し、
前記レーザヘッドが前記一方側または前記他方側に向かって移動しながら前記レーザ光を照射して第２の前記第１加工ラインに沿うように第２の前記第２加工ラインを形成するとき、前記制御装置は、第２の前記第２加工ラインが第２の前記第１加工ラインに沿って形成されるように、前記レーザヘッドが第１の前記第２加工ラインを形成している時に前記測定装置が測定した第２の前記第１加工ラインの前記位置情報に基づいて前記レーザ光の照射位置を制御する、
薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 For manufacturing a thin film solar cell in which a plurality of second processing lines are formed in a second layer stacked above the first layer so as to be along a plurality of first processing lines formed side by side on the first layer on the substrate The laser processing apparatus of
The plurality of second processing lines are respectively formed in the second layer so as to have a one-to-one correspondence with each of the plurality of first processing lines,
Stage,
A laser head that emits laser light and is relatively movable toward one side and the other side with respect to the substrate placed on the stage;
A measuring device that is disposed on a side of the laser head in a direction in which the first processing lines are arranged, and is movable relative to the substrate together with the laser head;
A control device;
With
When said laser head to form a first of said second working line along Migihitsuji on the one side or the first of the first processing line by irradiating the laser beam while moving toward the other side, The measuring device measures position information of the second first processing line located on the side of the laser head in the direction in which the first processing lines are arranged;
When the laser head irradiates the laser beam while moving toward the one side or the other side to form the second second processing line along the second first processing line, controller, the measurement when the second of the second working line to be formed along the second of said first processing line, wherein the laser head is formed a first of said second processing line Controlling an irradiation position of the laser beam based on the position information of the second first processing line measured by the apparatus ;
Laser processing equipment for thin film solar cell manufacturing. 前記第１加工ラインが並ぶ方向に間隔を空けて並ぶ他のレーザヘッドをさらに備え、
前記レーザヘッドが所定数の複数で構成され、
前記測定装置は、前記所定数の前記レーザヘッドのうちの最も前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する前記レーザヘッドよりもさらに前記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、
前記所定数の前記レーザヘッドから照射されている前記レーザ光は、前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ前記第１加工ラインに対して一本対一本の対応関係でこれらに沿うように前記第２層に対してそれぞれ走査され、
前記所定数の前記レーザヘッドが移動しながら前記レーザ光を照射して前記所定数の第１の前記第１加工ラインに沿うように前記所定数の第１の前記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、前記測定装置は、前記所定数の前記レーザヘッドのうちの最も前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する前記レーザヘッドよりもさらに前記第１加工ラインが並ぶ方向側において前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ複数の第２の前記第１加工ラインのうちから選択された一の第２の前記第１加工ラインの位置情報を測定し、
前記所定数の前記レーザヘッドが移動しながら前記レーザ光を照射して前記所定数の第２の前記第１加工ラインに沿うように前記所定数の第２の前記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、前記制御装置は、前記所定数の第２の前記第２加工ラインが前記所定数の第２の前記第１加工ラインに沿ってそれぞれ形成されるように、前記所定数の前記レーザヘッドが前記所定数の第１の前記第２加工ラインを形成している時に前記測定装置が測定した前記一の第２の前記第１加工ラインの前記位置情報に基づいて前記レーザ光の照射位置を制御し、前記第２層には、前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の前記第２加工ラインが、前記所定数の第２の前記第１加工ラインのそれぞれに沿ってこれらと一本対一本の対応関係となるように形成される、
請求項１に記載の薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 And further comprising another laser head arranged at intervals in the direction in which the first processing lines are arranged,
The laser head is composed of a predetermined number of plural,
The measuring device is arranged on the direction side where the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side of the predetermined number of the laser heads where the first processing lines are arranged most.
The laser beam being irradiated from said predetermined number of said laser head along these same numbers only adjacent the one-to-one for the first processing line aligned relationship with said predetermined number Each of the second layers is scanned,
The predetermined number of the first processing lines are formed along the predetermined number of first processing lines by irradiating the laser light while the predetermined number of laser heads are moving. When the measuring device has the predetermined number on the direction side in which the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side in the direction in which the first processing lines are arranged closest to the predetermined number of the laser heads, Measuring position information of one second first processing line selected from among the plurality of second first processing lines arranged adjacent to each other by the same number;
The predetermined number of the second processing lines are formed along the predetermined number of the second first processing lines by irradiating the laser light while the predetermined number of the laser heads move. When the control device has the predetermined number of the second processing lines formed along the predetermined number of the second first processing lines, the predetermined number of the laser heads The irradiation position of the laser beam is controlled based on the position information of the first second processing line measured by the measuring device when the predetermined number of first processing lines is formed. In the second layer, there are second second processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number along with each of the predetermined number of second first processing lines. Formed in a one-to-one correspondence It is,
The laser processing apparatus for thin-film solar cell manufacture of Claim 1. 前記所定数の前記レーザヘッドが前記所定数の第１の前記第２加工ラインを形成している時に前記測定装置により前記位置情報が測定される前記一の第２の前記第１加工ラインは、前記所定数の前記レーザヘッドのうちの最も前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する前記レーザヘッドよりもさらに前記第１加工ラインが並ぶ方向側において前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の前記第１加工ラインのうち、前記第１加工ラインが並ぶ方向において最も中心寄りに位置する１本の第２の前記第１加工ラインである、
請求項２に記載の薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 Said predetermined number of said laser head said predetermined number of first said position information by said measuring device is measured when forming the second processing line one second of the first processing line, Among the predetermined number of laser heads, the laser heads are arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number on the direction side in which the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side in the direction in which the first processing lines are arranged. of the second of the first processing line, which is one of the second of said first processing line located closest to the center toward the direction in which the first working line is arranged,
The laser processing apparatus for thin-film solar cell manufacture of Claim 2. 補正手段をさらに備え、
複数本の前記第２加工ラインが前記第２層上に形成される毎に、前記補正手段は、前記レーザ光が照射されることにより前記第２層上に形成された前記第２加工ラインの位置情報を前記測定装置を介して取得するとともに、取得した前記第２加工ラインの位置情報と、本来前記レーザ光が照射されることにより所定の位置に形成されるべきものとして予め前記補正手段が記憶している前記第２加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、
前記補正手段は、取得した前記第２加工ラインの位置情報と、前記設定値として記憶している前記第２加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した前記第２加工ラインの位置情報と前記設定値としての前記第２加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として前記制御装置に設定し、
前記制御装置は、前記レーザヘッドから照射される前記レーザ光の照射位置を前記オフセット量に基づいて補正し、補正後における前記レーザヘッドは、前記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の前記第２加工ラインの形成を行う、
請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 A correction means,
Each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer, the correction unit is configured to apply the laser beam to the second processing line formed on the second layer . The correction means acquires the position information via the measuring device, and the correction means preliminarily assumes that the acquired position information of the second processing line and the laser beam should be formed at a predetermined position. and comparing the positional information as a setting value of the second processing line stored,
When the acquired position information of the second processing line does not match the position information of the second processing line stored as the set value , the correction unit acquires the position of the acquired second processing line. The difference between the information and the position information of the second processing line as the set value is set in the control device as an offset amount,
The control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, and the corrected laser head is in a state where the irradiation position is corrected by the offset amount. Then, the second processing line is formed.
The laser processing apparatus for thin-film solar cell manufacture in any one of Claims 1-3. 補正手段をさらに備え、
前記基板は非発電領域を有し、
複数本の前記第２加工ラインが前記第２層上に形成される毎に、前記測定装置は、前記非発電領域上に設けられている基準点の位置情報を測定するとともに、前記基準点の位置情報を前記補正手段に入力し、前記補正手段は、前記レーザヘッドに前記非発電領域上の前記基準点に向かって前記レーザ光を照射させ、前記測定装置は、前記レーザ光が照射されることにより前記非発電領域上に形成された加工ラインの位置情報を測定し、前記補正手段は、前記レーザ光が照射されることにより前記非発電領域上に形成された前記加工ラインの位置情報を前記測定装置を介して取得するとともに、取得した前記非発電領域上の前記加工ラインの位置情報と、本来前記レーザ光が前記基準点に向けて照射されることにより前記非発電領域上の所定の位置に形成されるべきものとして予め前記補正手段が記憶している前記加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、
前記補正手段は、取得した前記加工ラインの位置情報と、前記設定値として記憶している前記加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した前記加工ラインの位置情報と前記設定値としての前記加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として前記制御装置に設定し、
前記制御装置は、前記レーザヘッドから照射される前記レーザ光の照射位置を前記オフセット量に基づいて補正し、補正後における前記レーザヘッドは、前記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の前記第２加工ラインの形成を行う、
請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 A correction means,
The substrate has a non-power generation region;
Each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer, the measuring device measures positional information of reference points provided on the non-power generation region, and Position information is input to the correction unit, and the correction unit causes the laser head to irradiate the laser beam toward the reference point on the non-power generation region, and the measurement apparatus irradiates the laser beam. Measuring the position information of the processing line formed on the non-power generation area, and the correction means determines the position information of the processing line formed on the non-power generation area when irradiated with the laser beam. Acquired via the measurement device, and the acquired position information of the processing line on the non-power generation area and a predetermined position on the non-power generation area by irradiating the laser beam toward the reference point. And comparing the positional information as a setting value of the processing line in advance the correction means as to be formed into location stored,
When the acquired position information of the processing line and the position information of the processing line stored as the set value do not match, the correction means, as the acquired position information of the processing line and the set value, The difference between the processing line position information and the offset amount is set in the control device,
The control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, and the corrected laser head is in a state where the irradiation position is corrected by the offset amount. Then, the second processing line is formed.
The laser processing apparatus for thin-film solar cell manufacture in any one of Claims 1-3 . 補正手段およびダミー基板をさらに備え、
複数本の前記第２加工ラインが前記第２層上に形成される毎に、前記測定装置は、前記ダミー基板上に設けられている基準点の位置情報を測定するとともに、前記基準点の位置情報を前記補正手段に入力し、前記補正手段は、前記レーザヘッドに前記ダミー基板上の前記基準点に向かって前記レーザ光を照射させ、前記測定装置は、前記レーザ光が照射されることにより前記ダミー基板上に形成された加工ラインの位置情報を測定し、前記補正手段は、前記レーザ光が照射されることにより前記ダミー基板上に形成された前記加工ラインの位置情報を前記測定装置を介して取得するとともに、取得した前記ダミー基板上の前記加工ラインの位置情報と、本来前記レーザ光が前記基準点に向けて照射されることにより前記ダミー基板上の所定の位置に形成されるべきものとして予め前記補正手段が記憶している前記加工ラインの設定値としての位置情報とを対比し、
前記補正手段は、取得した前記加工ラインの位置情報と、前記設定値として記憶している前記加工ラインの位置情報とが一致していない場合、取得した前記加工ラインの位置情報と前記設定値としての前記加工ラインの位置情報との差分をオフセット量として前記制御装置に設定し、
前記制御装置は、前記レーザヘッドから照射される前記レーザ光の照射位置を前記オフセット量に基づいて補正し、補正後における前記レーザヘッドは、前記オフセット量の分だけ照射位置が補正された状態で、その後の前記第２加工ラインの形成を行う、
請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置。 Further comprising a correction means and a dummy substrate,
Each time a plurality of the second processing lines are formed on the second layer, the measuring device measures the position information of the reference point provided on the dummy substrate, and the position of the reference point. The information is input to the correction unit , the correction unit causes the laser head to irradiate the laser beam toward the reference point on the dummy substrate, and the measurement apparatus receives the laser beam. The position information of the processing line formed on the dummy substrate is measured, and the correction unit uses the measuring device to detect the position information of the processing line formed on the dummy substrate when the laser beam is irradiated. And the acquired position information of the processing line on the dummy substrate and the predetermined laser beam on the dummy substrate by being irradiated toward the reference point. And comparing the positional information as a setting value of the processing line in advance the correction means as to be formed into location stored,
When the acquired position information of the processing line and the position information of the processing line stored as the set value do not match, the correction means, as the acquired position information of the processing line and the set value, The difference between the processing line position information and the offset amount is set in the control device,
The control device corrects the irradiation position of the laser light emitted from the laser head based on the offset amount, and the corrected laser head is in a state where the irradiation position is corrected by the offset amount. Then, the second processing line is formed.
The laser processing apparatus for thin-film solar cell manufacture in any one of Claims 1-3 . 基板上の第１層に並べて形成された複数の第１加工ラインに沿うように、前記第１層の上方に積層された第２層に複数の第２加工ラインを形成する薄膜太陽電池の製造方法であって、
複数の前記第２加工ラインは、複数の前記第１加工ラインの各々に対して一本対一本の対応関係となるように前記第２層にそれぞれ形成されるものであり、
レーザ光を照射し、前記基板に対して一方側および他方側に向かって相対的に移動可能なレーザヘッドと、
前記レーザヘッドの前記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、前記レーザヘッドとともに前記基板に対して相対的に移動可能な測定装置と、
制御装置と、が用いられ、
前記基板上の前記第１層に対してレーザ光を走査することにより複数並ぶように形成された前記第１加工ラインと、前記第１層および前記第１加工ラインの上方に形成された前記第２層と、を有する積層体を準備する第１工程と、
前記レーザヘッドが前記一方側または前記他方側に向かって移動しながら前記レーザ光を照射して第１の前記第１加工ラインに沿うように第１の前記第２加工ラインを形成するとともに、前記測定装置が、前記レーザヘッドの前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する第２の前記第１加工ラインの位置情報を測定する第２工程と、
前記レーザヘッドが前記一方側または前記他方側に向かって移動しながら前記レーザ光を照射して第２の前記第１加工ラインに沿うように第２の前記第２加工ラインを形成する第３工程と、
を備え、
前記第３工程において前記レーザヘッドが移動しながら前記レーザ光を照射して第２の前記第１加工ラインに沿うように第２の前記第２加工ラインを形成するとき、前記制御装置は、第２の前記第２加工ラインが第２の前記第１加工ラインに沿って形成されるように、前記第２工程において前記レーザヘッドが第１の前記第２加工ラインを形成している時に前記測定装置が測定した第２の前記第１加工ラインの前記位置情報に基づいて前記レーザ光の照射位置を制御する、
薄膜太陽電池の製造方法。 Manufacture of a thin film solar cell in which a plurality of second processing lines are formed in a second layer stacked above the first layer so as to be along a plurality of first processing lines formed side by side on the first layer on the substrate A method,
The plurality of second processing lines are respectively formed in the second layer so as to have a one-to-one correspondence with each of the plurality of first processing lines,
A laser head that emits laser light and is relatively movable toward one side and the other side with respect to the substrate;
A measuring device that is disposed on a side of the laser head in a direction in which the first processing lines are arranged, and is movable relative to the substrate together with the laser head;
A control device, and
Said first processing line formed such that a plurality lined by scanning the laser beam relative to the first layer on the substrate, the first formed over the first layer and the first processing line A first step of preparing a laminate having two layers;
The laser head irradiates the laser beam while moving toward the one side or the other side to form the first second processing line so as to follow the first first processing line, and A second step in which the measuring device measures position information of the second first processing line located on the side of the laser head in the direction in which the first processing lines are arranged ;
A third step of forming the second second processing line so as to follow the second first processing line by irradiating the laser beam while the laser head moves toward the one side or the other side. When,
Equipped with a,
When forming the second second processing line along the second first processing line by irradiating the laser beam while moving the laser head in the third step, the control device includes: The measurement is performed when the laser head forms the first second processing line in the second step so that two second processing lines are formed along the second first processing line. Controlling an irradiation position of the laser beam based on the position information of the second first processing line measured by the apparatus;
Manufacturing method of thin film solar cell. 前記第１加工ラインが並ぶ方向に間隔を空けて並ぶ他のレーザヘッドがさらに用いられ、
前記レーザヘッドは所定数の複数で構成され、
前記測定装置は、前記所定数の前記レーザヘッドのうちの最も前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する前記レーザヘッドよりもさらに前記第１加工ラインが並ぶ方向側に配置され、
前記所定数の前記レーザヘッドから照射されている前記レーザ光は、前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ前記第１加工ラインに対して一本対一本の対応関係でこれらに沿うように前記第２層に対してそれぞれ走査され、
前記第２工程において前記所定数の前記レーザヘッドが移動しながら前記レーザ光を照射して前記所定数の第１の前記第１加工ラインに沿うように前記所定数の第１の前記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、前記測定装置は、前記所定数の前記レーザヘッドのうちの最も前記第１加工ラインが並ぶ方向側に位置する前記レーザヘッドよりもさらに前記第１加工ラインが並ぶ方向側において前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ複数の第２の前記第１加工ラインのうちから選択された一の第２の前記第１加工ラインの位置情報を測定し、
前記第３工程において前記所定数の前記レーザヘッドが移動しながら前記レーザ光を照射して前記所定数の第２の前記第１加工ラインに沿うように前記所定数の第２の前記第２加工ラインをそれぞれ形成するとき、前記制御装置は、前記所定数の第２の前記第２加工ラインが前記所定数の第２の前記第１加工ラインに沿ってそれぞれ形成されるように、前記第２工程において前記所定数の前記レーザヘッドが前記所定数の第１の前記第２加工ラインを形成している時に前記測定装置が測定した前記一の第２の前記第１加工ラインの前記位置情報に基づいて前記レーザ光の照射位置を制御し、前記第２層には、前記所定数と同じ数だけ隣接して並ぶ第２の前記第２加工ラインが、前記所定数の第２の前記第１加工ラインのそれぞれに沿ってこれらと一本対一本の対応関係となるように形成される、
請求項７に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 Other laser heads arranged at intervals in the direction in which the first processing lines are arranged are further used,
The laser head is composed of a predetermined number of plural,
The measuring device is arranged on the direction side where the first processing lines are arranged further than the laser head located on the side of the predetermined number of the laser heads where the first processing lines are arranged most.
The laser beams irradiated from the predetermined number of the laser heads are along one-to-one correspondence relationship with the first processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number. Each of the second layers is scanned,
In the second step, the predetermined number of the first second processes are performed so that the predetermined number of the laser heads irradiate the laser beam while moving along the predetermined number of the first processing lines. When each of the lines is formed, the measuring device is further arranged such that the first processing lines are arranged further than the laser heads that are positioned closest to the direction in which the first processing lines are arranged among the predetermined number of the laser heads. Measuring position information of one second first processing line selected from a plurality of second first processing lines arranged adjacent to each other by the same number as the predetermined number in
In the third step, the predetermined number of the second second processes are performed so that the predetermined number of the laser heads irradiate the laser beam while moving along the predetermined number of the second processing lines. When each of the lines is formed, the control device is configured so that the predetermined number of second second processing lines are formed along the predetermined number of second first processing lines, respectively. In the step, the position information of the first second processing line measured by the measuring device when the predetermined number of laser heads forms the predetermined number of first processing lines. Based on this, the irradiation position of the laser beam is controlled, and the second layer is adjacent to the second layer by the same number as the predetermined number, and the predetermined number of the second first lines. This along each of the processing lines Is formed such that one pair one correspondence when,
The manufacturing method of the thin film solar cell of Claim 7.
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