JP5278782B2 - 集合基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、集合基板の製造方法に関し、詳しくは、多層セラミック基板を含む集合基板の製造方法に関する。

従来、多層セラミック基板に部品を実装したモジュール部品等を製造する方法として、個基板になる部分を含む集合基板に部品を実装した後、集合基板を個基板に分割する工法が知られている。集合基板は、セラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成することにより作製される。

例えば、図７は、集合基板を作製するための積層体１１１を示す平面図である。積層体１１１は、セラミックグリーンシート１１２が積層されている。セラミックグリーンシート１１２は、中央部１１６に導電ペースト膜１１３が形成され、周辺部１１４に導電ペーストからなる収縮抑制層１１５が形成されている。導電ペーストとセラミックグリーンシート１１２の収縮率が異なるので、周辺部に収縮抑制層１１５を設けることにより、中央部１１６と周辺部１１４との収縮の差を小さくすることができ集合基板に歪みが生じないとされている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−３０８５２６号公報

しかし、図７では、セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層との間に間隔Ｇが設けられている。セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層１１５との間に間隔Ｇを設けた積層体は、収縮抑制層１１５とセラミックグリーンシート１１２との収縮率の差により歪む。そのため、焼成後の積層体の端面にひびが生じたり、焼成前の積層体の表面に形成したブレイク用溝が焼成後に局所的に変形し、ブレイク用溝を起点に基板が割れたり、ひびが発生したりすることがある。焼成後の積層体、すなわち集合基板にひびが発生すると、強度が低下するため、焼成後の部品実装工程や工程間の搬送中の衝撃等によって、集合基板が割れやすくなる。

本発明は、かかる実情に鑑み、集合基板にひびが発生したり、集合基板の割れが発生したりすることを防ぐことができる集合基板の製造方法を提供しようとするものである。

本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した集合基板の製造方法を提供する。

集合基板の製造方法は、（ｉ）未焼成の積層体を準備する第１の工程と、（ii）未焼成の前記積層体を焼成し、焼成が完了した前記積層体により集合基板を形成する第２の工程とを備える。未焼成の前記積層体は、（ａ）個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層の未焼結のセラミック層と、（ｂ）互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の外周縁に接するように前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層とを備える。未焼成の前記積層体は、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成されている。

上記方法により作製された集合基板は、そのセラミック層の積層方向両側の外部に露出する主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、収縮抑制層が露出している。

未焼結のセラミック層の外周縁との間に間隔を設けて収縮抑制層を形成すると、間隔が設けられた部分、すなわち収縮抑制層が形成されていない部分は、焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されない。そのため、積層体は、焼成時に積層体の端面付近で不均一に変形し、積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が積層体の端面付近で局所的に変形したりする。

これに対し、上記方法によれば、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように収縮抑制層が形成されているので、セラミックグリーンシート１１２における間隔Ｇの部分が存在しなくなる。これにより、焼成時に、積層体の端面付近の不均一な変形を緩和し、あるいは無くして、焼成後の積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。

前記収縮抑制層に隣接する前記セラミック層は磁性体セラミック材料を含む。焼結が完了した前記積層体にめっきを行い、前記集合基板の前記端面にめっき層を形成する第３の工程をさらに備える。

めっきは、端面に露出した収縮抑制層に付着する。また磁性体セラミック材料を含むセラミック層に付着しやすい。そのため、集合基板の端面に強固に付着するめっき層を容易に形成することができる。

めっき層を形成する第３の工程までの間に、集合基板の端面にひびが発生しても、そのひびはめっき層によって補修されるので、ひびを起点とする集合基板の割れが生じにくくなる。また、めっき層は集合基板の端面から剥がれにくいため、めっき層の剥離片の付着によるショートや断線などが生じないようにすることができる。

好ましくは、前記集合基板を前記ブレイク用溝に沿って分割する前に、前記集合基板の個基板になる部分に部品を実装する第４の工程をさらに備える。

集合基板に部品を実装した後に分割することにより、個基板を効率よく形成することができる。

また、本発明は、以下のように構成された集合基板を提供する。

集合基板は、（ａ）個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層のセラミック層と、（ｂ）互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層とを備える。集合基板は、積層され圧着された前記セラミック層の、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成されている。集合基板は、積層され圧着された前記セラミック層の前記主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、前記収縮抑制層が露出している。めっきが、前記端面に露出した前記収縮抑制層に付着している。

上記構成の集合基板は、未焼結のセラミック層が積層された積層体を焼成することにより作製することができる。焼結が完了した積層体、すなわち集合基板は、ブレイク用溝に沿って分割することにより、個基板に分割することができる。

収縮抑制層が、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように形成された積層体を焼成することにより、集合基板の端面に収縮抑制層が露出するようにできる。この場合、集合基板の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。

すなわち、未焼結のセラミック層の外周縁との間に間隔を設けて収縮抑制層を形成すると、間隔が設けられた部分、すなわち収縮抑制層が形成されていない部分は、焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されない。そのため、積層体は、焼成時に積層体の端面付近で不均一に変形し、積層体の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が積層体の端面付近で局所的に変形したりする。これに対し、未焼結のセラミック層の外周縁に接するように収縮抑制層が形成されていると、焼成時に積層体の端面付近の不均一な変形の発生を緩和し、あるいは無くすことができ、焼成後の積層体、すなわち集合基板の端面にひびが生じたり、ブレイク用溝が局所的に変形したりすることを防止できる。

本発明によれば、集合基板にひびが発生したり、集合基板の割れが発生したりすることを防ぐことができる。

集合基板の平面図である。（実施例１） 図１の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。（実施例１） 図１の線Ｂ−Ｂに沿って切断した断面図である。（実施例１） セラミック層の平面図である。（実施例１） セラミック層の平面図である。（実施例１） 集合基板の平面図である。（比較例１） 集合基板の平面図である。（従来例）

以下、本発明の実施の形態について、図１〜図６を参照しながら説明する。

＜実施例１＞ 実施例１の集合基板１０について、図１〜図５を参照しながら説明する。

図１は、焼結が完了した集合基板１０の平面図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。図３は、図１の線Ｂ−Ｂに沿って切断した断面図である。

図１〜図３に示すように、集合基板１０は、個基板になる部分１１を含む個基板領域１１ｓと、個基板領域１１ｓの周囲を囲む周辺領域１１ｔを有する。図１では、４×４個の個基板になる部分１１を、模式的に示している。

集合基板１０の基板本体１２の一方主面１２ａには、個基板領域１１ｓの個基板になる部分１１の境界線及びその延長線に沿って、断面Ｖ字状のブレイク用溝１１ｘ，１１ｙが形成されている。集合基板１０の基板本体１２の他方主面１２ｂには、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙに対向して、断面矩形のブレイク用溝１１ｐ，１１ｑが形成されている。集合基板１０の基板本体１２を、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑ，１１ｘ，１１ｙに沿って、対向するブレイク用溝１１ｐと１１ｘ、１１ｑと１１ｙの間で切断することにより、集合基板１０の個基板領域１１ｓから個基板を分割することができる。

図２に示すように、集合基板１０の個基板になる部分１１は、部品２，４を実装するためのランド電極２６ａ，２６ｂ（図１では、図示せず）が基板本体１２の一方主面１２ａに形成され、個基板を他の回路基板等に実装するための端子電極２８が基板本体１２の他方主面１２ｂに形成されている。なお、個基板に部品が実装されない場合には、ランド電極２６ａ，２６ｂを無くすことができる。

図２及び図３に示すように、集合基板１０の基板本体１２は、順に、第１の非磁性フェライト層１６ａ、第１の磁性層１４ａ、中間非磁性フェライト層１６ｃ、第２の磁性層１４ｂ、第２の非磁性フェライト層１６ｂが積層されている。第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂは、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル及び酸化銅を主成分とする磁性フェライトと、セラミック材料とを含む。すなわち、第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂは、磁性体セラミック材料を含む。第１及び第２の非磁性フェライト層１６ａ，１６ｂと中間非磁性フェライト層１６ｃとは、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化銅を主成分とする非磁性フェライトと、セラミック材料とを含む。各層１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、１層又は積層された２層以上のセラミック層からなる。

図２に示すように、集合基板１０は、基板本体１２の個基板領域１１ｓの内部に、ビアホール導体２４ａ，２４ｂと、コイル２０と、配線導体２１とが形成されている。コイル２０の一端は、不図示の配線導体により、ビアホール導体２４ａと接続されている。ビアホール導体２４ｂと２４ａとが配線導体２１により接続されている。

図２及び図３に示すように、基板本体１２の周辺領域１１ｔの内部には、収縮抑制層３０，３２が形成されている。収縮抑制層３０，３２は、集合基板１０の基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに露出している。詳しくは後述するが、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑ，１１ｘ，１１ｙから離れている収縮抑制層３０は、個基板領域１１ｓの周囲を取り囲むように連続して形成されている。ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙの近傍の収縮抑制層３２は、収縮抑制層３２がブレイク用溝１１ｘ，１１ｙに露出しないようにスリット３４が形成され、個基板領域１１ｓの周囲を取り囲むように断続的に形成されている。

ビアホール導体２４ａ，２４ｂは、基板本体１２のセラミック層を貫通する層間接続導体により形成される。コイル２０と配線導体２１と収縮抑制層３０，３２とは、基板本体１２のセラミック層に沿って延在する面内接続導体によって形成される。収縮抑制層３０，３２は、コイル２０や配線導体２１と同じ材料で形成すると工程が簡単になるが、コイル２０や配線導体２１とは異なる材料を用いて形成してもよい。

コイル２０は、第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂと中間非磁性フェライト層１６ｃの内部に形成されている。中間非磁性フェライト層１６ｃがない構成とすることもできるが、第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂの間に中間非磁性フェライト層１６ｃを形成すると、中間非磁性フェライト層１６ｃがなく磁性層だけにコイルが形成された場合よりも、コイル２０の特性を向上（鉄損抑制による電圧変換効率の向上、或いはインダクタンス値の向上など）させることができるので好ましい。

もろくて欠けやすい第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂは、基板本体１２の主面１２ａ，１２ｂに露出しないように第１及び第２の非磁性フェライト層１６ａ，１６ｂに覆われ、保護されている。

集合基板１０は、層間接続導体や面内接続導体が形成された未焼結のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することにより、製造することができる。焼成後の基板本体１２の厚みは、例えば１００〜２０００μｍである。

集合基板１０は、周辺領域１１ｔにおいて収縮抑制層３０，３２が基板本体部１２の端面１２ｐ，１２ｑまで延在するように形成されているため、基板本体部１２の周辺領域１１ｔの厚みが略均一に厚くなることで、強度が向上する。

収縮抑制層が基板本体部の端面から離れている場合には、基板本体部の端面付近で不均一な焼成収縮によってブレイク用溝の幅が広がり、ブレイク用溝を起点に基板が割れやすくなるが、収縮抑制層３０，３２が基板本体部１２の端面１２ｐ，１２ｑまで延在するように形成されていると、焼成時の収縮は、基板本体部１２の端面１２ｐ，１２ｑまで略均一になるため、ブレイク用溝の幅は一定となり、ブレイク用溝を起点する基板の割れが生じない。

基板本体１２の周辺領域１１ｔにおいて、基板本体１２の一方主面１２ａと他方主面１２ｂの表面には収縮抑制層が配置されない。表面以外の内部には収縮抑制層３０，３２が配置される。面内接続導体の線膨張係数はセラミック層の線膨張係数より大きいため、焼成後の基板本体１２には圧縮応力が残留し、基板強度が向上する。

焼成後の積層体の端面には収縮抑制層３０，３２が突出する。そのため、焼成後の積層体である基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに、容易にめっきを形成できる。ハンドリング中の衝撃などによって基板本体１２に端面１２ｐ，１２ｑに多少のひびができても、そのひびは、めっきによって補修される。

さらに、端面１２ｐ，１２ｑにひびがない場合でも、基板の強度自体がめっきで補強されることで、その後の部品実装工程や工程間の搬送中において基板割れを抑制できる。

基板本体１２の各層を形成するセラミック材料として、比較的低抵抗で電流の流れやすい材料を用いると、めっき時に基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに電流が流れやすくなり、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに十分にめっきを形成することができる。

この場合、基板本体１２の厚み方向（各層の積層方向）に隣接する収縮抑制層３０，３２の間の距離が大きくても、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに強固にめっきが付くため、めっき後の部品実装工程や工程間の搬送中における集合基板の割れを、より抑制することができる。また、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに形成させためっき部分が剥がれると、剥離片の付着によりショートや断線などの不良が生じかねないが、このような不具合発生も防止することもできる。

次に、集合基板１０の製造工程について説明する。

（１）まず、集合基板１０の基板本体１２のセラミック層の各層を形成するため、セラミック材料粉末を含み、シート状に成形された未焼結のセラミックグリーンシートを準備する。

第１及び第２の磁性層１４ａ，１４ｂになるセラミックグリーンシートには、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル及び酸化銅を主成分とする磁性フェライトを添加する。第１及び第２の非磁性フェライト層１６ａ，１６ｂや中間非磁性フェライト層１６ｃになるセラミックグリーンシートには、例えば、酸化鉄、酸化亜鉛及び酸化銅を主成分とする非磁性フェライトを添加する。

セラミックグリーンシートには、適宜位置にレーザー加工やパンチング加工等により貫通孔を加工し、この貫通孔に導体ペーストを印刷等により埋め込むことによって、焼成後にビアホール導体となる層間接続導体を形成する。また、セラミックグリーンシートの一方主面に、導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等によって、コイル２０、配線導体２１、収縮抑制層３０，３２になる面内接続導体を形成する。

セラミックグリーンシートは、集合基板１０よりも大きいものを準備し、積層後に一括して所定サイズに切断する。

図４は、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑ，１１ｘ，１１ｙから離れた層になるセラミックグリーンシート１５の平面図である。図４に示すように、セラミックグリーンシート１５の一方主面１５ａには、個基板領域１１ｓの外側に、枠状に連続する収縮抑制層３０を形成する。収縮抑制層３０は、周辺領域１１ｔよりも外側の耳部１５ｚにはみ出るように形成する。

図５は、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙの近傍の収縮抑制層３２が形成されたセラミックグリーンシート１３の平面図である。図５に示すように、セラミックグリーンシート１３の一方主面１３ａには、個基板領域１１ｓの外側に、個基板領域１１ｓの周囲を取り囲むように枠状の収縮抑制層３２を形成するが、収縮抑制層３２にはスリット３４を形成する。このスリット３４の中心付近には、図３に示すように、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙが形成される。すなわち、収縮抑制層３２がブレイク用溝１１ｘ，１１ｙに露出しないように、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙの近傍領域にスリット３４を形成する。

図示を省略するが、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑの近傍の収縮抑制層３２が形成されたセラミックグリーンシート１３の平面図も図５と同様である。異なる点は、収縮抑制層３２がブレイク用溝１１ｐ，１１ｑに露出しないように、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑの近傍領域にスリット３５を形成することである。スリット３５の幅はブレイク用溝１１ｐ，１１ｑの幅より大きくする。

（２）次いで、基板本体１２の各層を形成する未焼結のセラミックグリーンシートを、所定の順序で積層した後、積層方向に比較的小さい圧力を加え、仮圧着体を形成する。

（３）次いで、仮圧着体の周囲を切断してセラミックグリーンシートの耳部を除去し、集合基板１０になる部分１１ｓ，１１ｔのみを含む積層体を形成する。このとき、積層体の端面に収縮抑制層３０，３２が露出するようになる。

すなわち、図４に示したセラミックグリーンシート１５は、集合基板１０になる部分１１ｓ，１１ｔと耳部１５ｚとの境界線１５ｘ，１５ｙに沿って切断され、収縮抑制層３０は境界線１５ｘ，１５ｙに沿って切断される。これにより、図２及び図３に示すように、収縮抑制層３０の外周縁３０ｘ，３０ｙが、集合基板１０の端面１２ｐ，１２ｑに連続して露出する。このように収縮抑制層３０の外周縁３０ｘ，３０ｙが集合基板１０の端面１２ｐ，１２ｑに全周に渡って連続して露出すると、焼成時の収縮による歪みを均一に抑制することができる。

図５に示したセラミックグリーンシート１３は、集合基板１０になる部分１１ｓ，１１ｔと耳部１３ｚとの境界線１３ｘ，１３ｙに沿って切断され、収縮抑制層３２は境界線１３ｘ，１３ｙに沿って切断される。これにより、図２及び図３に示すように、収縮抑制層３２の外周縁３２ｘ，３２ｙが、集合基板１０の端面１２ｐ，１２ｑに間欠的に露出する。収縮抑制層３２は、焼成時の収縮による歪みを略均一に抑制することができる。

（４）次いで、積層体を焼成する。焼成により、基板本体１２の各層を形成するセラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料粉末を焼結させる。

（５）次いで、焼成済みの積層体、すなわち基板本体１２を取り出し、必要に応じて、基板本体１２の主面１２ａ，１２ｂに形成されたランド電極２６ａ，２６ｂと端子電極２８ａ，２８ｂにめっきを行う。

このとき、集合基板１０の基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに、めっきを形成してもよい。集合基板１０の基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑには、磁性層１４ａ，１４ｂと収縮抑制層３０，３２とが露出しているため、めっきが強固に付着する。

（６）以上の工程に完成した集合基板１０は、ランド電極２６ａ，２６ｂに表面実装部品４やＩＣチップ２などの部品を実装し、モジュール化する。そして、ブレイク用溝１１ｐ，１１ｑ，１１ｘ，１１ｙに沿って切断し、個基板に分割することで、集合基板１０からモジュール部品を作製することができる。

＜比較例１＞ 図６は、比較例１の集合基板の基板本体１２ｘの平面図である。図６は、基板本体１２ｘの主面に形成されたブレイク用溝１１ｘ，１１ｙのみを図示し、ランド電極や端子電極の図示を省略している。

比較例１の集合基板１２ｘは、基板本体１２ｘの周辺領域に形成された収縮抑制層が、実施例１とは異なり、基板本体１２ｘの端面１２ｐ，１２ｑに露出していない。すなわち、基板本体１２ｘになる未焼成の積層体において、セラミックグリーンシートの外周縁と収縮抑制層との間には間隔が設けられている。そのため、積層体の端面付近において焼成時の収縮が収縮抑制層によって抑制されないため、図６に示すように、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙの幅が、基板本体１２ｘの端面１２ｐ，１２ｑ付近で局所的に広がり、基板割れの原因となる。

これに対して、実施例１では、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに露出するように収縮抑制層３０，３２が形成されおり、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑ付近は、それよりも内側の部分と同様に、焼成時の収縮が収縮抑制層３０，３２によって抑制される。そのため、図１に示すように、ブレイク用溝１１ｘ，１１ｙは、基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑ付近で局所的に広がることなく形成されるので、基板割れが生じない。

＜作製例＞ 焼成後のサイズが約１１２×１１２ｍｍ、焼成後の厚みが４５０〜５００μｍ、基板厚の４０〜５０％の深さのブレイク用溝が形成された実施例１の構成の集合基板の基板本体の端面をめっきで補強した場合、焼成／めっき工程以降の部品実装工程や工程間の搬送中に、基板本体の周辺領域の構成が原因であるひびや基板割れが一切発生しなかった。これに対し、収縮抑制層が基板本体部の端面から離れている比較例１の構成の集合基板の場合は、焼成時にブレイク用溝を起点とする基板割れや、基板割れには至らないひびが、数〜１０％程度発生した。

＜まとめ＞ 以上のように、集合基板１０の基板本体１２の周辺領域１１ｔの内部に収縮抑制層３０，３２を形成し、収縮抑制層３０，３２が集合基板１０の基板本体１２の端面１２ｐ，１２ｑに露出するように構成することにより、集合基板１０にひびが発生したり、集合基板１０の割れが発生したりすることを防ぐことができる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。

例えば、基板本体の各層は、磁性フェライトや非磁性フェライトを含まないセラミック層であってもよい。

１０ 集合基板
１１ 個基板になる部分
１１ｓ 個基板領域
１１ｔ 周辺領域
１１ｐ，１１ｑ，１１ｘ，１１ｙ ブレイク用溝
１２ 基板本体
１２ａ，１２ｂ 主面
１２ｐ，１２ｑ 端面
１４ａ，１４ｂ 磁性層
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ 非磁性フェライト層
２０ コイル
２１ 配線導体
２４ａ，２４ｂ ビアホール導体
２６ａ，２６ｂ ランド電極
２８ａ，２８ｂ 端子電極
３０，３２ 収縮抑制層
３４，３５ スリット

Claims (3)

1. 個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層の未焼結のセラミック層と、
   互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の外周縁に接するように前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層と、
   を備え、
   前記収縮抑制層に隣接する前記セラミック層は磁性体セラミック材料を含み、
   前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成された、
   未焼成の積層体を準備する第１の工程と、
   未焼成の前記積層体を焼成し、焼成が完了した前記積層体により集合基板を形成する第２の工程と、
   焼結が完了した前記積層体にめっきを行い、前記集合基板の前記端面にメッキ層を形成する第３の工程を備えたことを特徴とする、集合基板の製造方法。
2. 前記集合基板を前記ブレイク用溝に沿って分割する前に、前記集合基板の個基板になる部分に部品を実装する第４の工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の集合基板の製造方法。
3. 個基板になる部分を含む個基板領域と該個基板領域の周囲を囲む周辺領域とを有し、互いに積層され圧着された複数層のセラミック層と、
   互いに隣接する前記セラミック層の間に配置され、前記セラミック層の前記周辺領域に形成された収縮抑制層と、
   を備え、
   積層され圧着された前記セラミック層の、前記セラミック層の積層方向両側において外部に露出する主面の少なくとも一方に、個基板になる部分の境界線及びその延長線に沿って、個基板に分割するためのブレイク用溝が形成され、
   積層され圧着された前記セラミック層の前記主面間に延在しかつ外部に露出する端面に、前記収縮抑制層が露出し、
   めっきが、前記端面に露出した前記収縮抑制層に付着していることを特徴とする、集合基板。

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