JP5277999B2 - 複合基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る複合基板の製造工程フローにおける各工程での基板状態を示す図である。
11,21…単結晶圧電基板
1A,11A,21A…パターン領域
1B,11B,21B…逆パターン領域
1C,13,23…剥離層
1D…境界部
2,12,22…レジストマスク
2A,12A,22A…開口
3,14,24…支持基板
4,19,29…素子薄膜
5,18,28…複合基板
11,21…単結晶圧電基板
15,25…接合層
16,26…犠牲層
17A,17B…電極膜
27A…IDT電極
27B…配線
Claims (1)
- 開口が形成されたマスクで機能性材料基板の主面を覆うマスク工程と、
前記マスクの前記開口から露出する前記機能性材料基板のパターン領域にイオンを注入し、前記パターン領域の表面から一定距離の内部に剥離層を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記機能性材料基板の前記主面から前記マスクを除くマスク除去工程と、
前記マスク除去工程の後、前記機能性材料基板の前記主面を支持基板の平坦な主面に接合する接合工程と、
前記機能性材料基板の前記パターン領域から機能性材料薄膜を剥離する剥離工程と、を含む、複合基板の製造方法であって、
前記機能性材料基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの単結晶圧電基板であり、前記支持基板に接合される前記機能性材料薄膜はバルク波または板波を利用する素子薄膜であり、前記支持基板は前記機能性材料薄膜の振動空間を備えるものであり、
前記剥離工程の後に、前記振動空間に設ける犠牲層のエッチャントを前記機能性材料薄膜が接合されていない位置から導入する工程を含む、複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010178013A JP2010178013A (ja) | 2010-08-12 |
JP5277999B2 true JP5277999B2 (ja) | 2013-08-28 |
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---|---|
JP (1) | JP5277999B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5786393B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-09-30 | 株式会社村田製作所 | 水晶デバイスの製造方法 |
WO2015098679A1 (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2019130857A1 (ja) | 2017-12-28 | 2019-07-04 | 日本碍子株式会社 | 圧電性材料基板と支持基板との接合体およびその製造方法 |
CN112259676B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-11-01 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件 |
CN112259675B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-10-28 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2758907B1 (fr) * | 1997-01-27 | 1999-05-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'obtention d'un film mince, notamment semiconducteur, comportant une zone protegee des ions, et impliquant une etape d'implantation ionique |
FR2788176B1 (fr) * | 1998-12-30 | 2001-05-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication |
JP2003017967A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010178013A (ja) | 2010-08-12 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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