JP5274952B2 - 真空シール方法及び真空装置 - Google Patents
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この場合、オーリングを挟んでいる部材の間に僅かな隙間が存在し、該隙間を通して流体が通過し、結果的に真空シールが十分に行われない。即ち、前記試料室1や予備排気室10等の真空空間部の気密性が低下する。
また、
2…ステージ
3…試料室上壁
4a,4b,4c,4d…孔
5…鏡筒
6…二次電子検出器
7…試料室下壁
8,18…真空ポンプ
9,19…排気管
10…予備排気室
11…試料室側壁
12,15…孔
13…仕切弁
14…予備排気室側壁
16…開閉弁
17…予備排気室下壁
S…試料
VS1,VS2,VS3,VS4,VS5,VS6,VS1′,VS2′,VS3′,VS4′,VS5′,VS6′…真空シール
O1、O2…オーリング
IL…イオン液滴
M1、M2…溝
Claims (4)
- 真空空間と他の空間との圧力差を維持するために二つの部材の界面に存在させたオーリングシールを備えた真空装置の真空シール方法において、該オーリングシールと前記部材との接触面周囲の空隙部にイオン液体を存在させた後、前記オーリングシールを備えた真空装置を300度以下でベーキングし真空装置室内壁に吸着したガス分子を除去することを特徴とする高真空装置の真空シール方法。
- 真空空間と他の空間との圧力差を維持するために二つの部材の界面に存在させたオーリングシールを備えた真空装置において、該オーリングシールと前記部材との接触面周囲の空隙部にイオン液体を存在させると共に、該イオン液体を存在させたオーリングシールを備えた真空装置を300度以下でベーキングするベーキング手段を備えたことを特徴とする高真空装置。
- 前記イオン液体は1−エチル−3−メチルイミダゾウリウムである請求項1の高真空シール方法。
- 前記イオン液体は1−エチル−3−メチルイミダゾウリウムである請求項2の高真空装置。
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