JP5269970B2 - 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 431
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 288
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 55
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 36
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 8
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 N, N-di-m-tolylamino Chemical group 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも上向き蒸着部及び横向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記上向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記横向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ該基材の側方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う横向き蒸着工程と、
前記上向き蒸着部と前記横向き蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記上向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを下方から側方に変換させて、前記横向き蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする。
前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも横向き蒸着部及び上向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記横向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ該基材の側方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う横向き蒸着工程と、
前記上向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記横向き蒸着部と前記上向き蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記横向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを側方から下方に変換させて、前記上向き蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする。
また、上向き蒸着部と横向き蒸着部との間で基材を支持することによって、基材に所望の張力を付与することが可能となり、基材の撓みや振動を抑制することができるため、蒸着源との接触によって基材の蒸着面が損傷することを抑制できる。さらに、基材と蒸着源との距離の変化を抑制して構成層の厚みを適切に制御することができ、これにより、発光特性の低下を抑制することができる。
しかも、基材の非蒸着面を支持することにより、基材の蒸着面が損傷することを抑制することができる。
従って、品質の低下が抑制された有機ELデバイスを製造することが可能となる。
移動する前記基材の下方に蒸着源を備え、前記基材を蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う上向き蒸着部と、
移動する前記基材の側方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う横向き蒸着部と、
前記上向き蒸着部と前記横向き蒸着部との間に設けられており、前記上向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを下方から側方に変換させて、前記横向き蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする。
移動する前記基材の側方に蒸着源を備え、前記基材を蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う横向き蒸着部と、
移動する前記基材の下方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う上向き蒸着部と、
前記横向き蒸着部と前記上向き蒸着部との間に設けられており、前記横向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを側方から下方に変換させて、前記上向き蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする。
ここで、基材21の幅方向に対するローラ部材の角度θは、基材21の非蒸着面21bにおける基材21の幅方向(図4の左右方向)のうち該基材21の上流側(図4の下方向)に向かって傾斜する角度θをいう。
かかる製造方法は、基材21を長手方向に移動させつつ、該基材21の移動方向に沿って配置された蒸着部A〜C(少なくとも上向き蒸着部及び横向き蒸着部)にて、基材21の一面に蒸着源9a〜9kから気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備えている。
また、蒸着部A〜C間(上向き蒸着部と横向き蒸着部との間)で基材21を支持することによって、基材21に所望の張力を付与することが可能となり、基材21の撓みや振動を抑制することができるため、蒸着源9a〜9kとの接触によって基材21の蒸着面21aが損傷することを抑制できる。さらに、基材21と蒸着源9a〜9kとの距離の変化を抑制して構成層の厚みを適切に制御することができ、これにより、発光特性の低下を抑制することができる。
しかも、基材21の非蒸着面21bを支持することにより、基材の蒸着面21aが損傷することを抑制することができる。
従って、品質の低下が抑制された有機ELデバイス20を製造することが可能となる。
図1に示すような製造装置1と同様の製造装置を用い、陽極層が1層、有機EL層が5層、陰極層が1層から構成されることとした。また、各蒸着源と基材との最短距離を2mmに設定した。該製造装置を用い、基材(SUS)21上に、陽極層(Al)、エッジカバー(SiO2)、正孔注入層(HAT−CN)、正孔輸送層(α−NPD)、発光層(Alq3)、電子輸送層(LiF)、電子注入層(LiF)、陰極層(Mg−Ai合金)、封止層(MoO3)を、順に蒸着することにより、有機ELデバイスを作製した。
図7に示す製造装置100と同様の製造装置を用いた。すなわち、製造装置として、直線状に配置された蒸着部A〜Cを備えており、蒸着部A〜C間にガイド機構が設けられていないこと以外は、図1と同様のものを用いた。なお、図7では、真空チャンバーを省略して製造装置を示した。
Claims (6)
- 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、
前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも上向き蒸着部及び横向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記上向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記横向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ該基材の側方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う横向き蒸着工程と、
前記上向き蒸着部と前記横向き蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記上向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを下方から側方に変換させて、前記横向き蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造方法。 - 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、
前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも横向き蒸着部及び上向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記横向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ該基材の側方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う横向き蒸着工程と、
前記上向き蒸着部にて、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記横向き蒸着部と前記上向き蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記横向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを側方から下方に変換させて、前記上向き蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造方法。 - 前記ガイド機構は、前記非蒸着面を支持する複数のローラ部材を有しており、
該ローラ部材の少なくとも1つは、前記基材の幅方向に対し傾斜した方向に沿って配置されている請求項1または2に記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記ローラ部材の少なくとも1つは、前記幅方向に対し45°傾斜した方向に沿って配置されている請求項1〜3のいずれかに記載の有機ELデバイスの製造方法。
- 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造装置であって、
移動する前記基材の下方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う上向き蒸着部と、
移動する前記基材の側方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う横向き蒸着部と、
前記上向き蒸着部と前記横向き蒸着部との間に設けられており、前記上向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを下方から側方に変換させて、前記横向き蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造装置。 - 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造装置であって、
移動する前記基材の側方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が側方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う横向き蒸着部と、
移動する前記基材の下方に蒸着源を備え、前記基材を前記蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う上向き蒸着部と、
前記横向き蒸着部と前記上向き蒸着部との間に設けられており、前記横向き蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面の向きを側方から下方に変換させて、前記上向き蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011245836A JP5269970B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-11-09 | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
EP12844447.8A EP2773165B1 (en) | 2011-10-24 | 2012-10-17 | Organic electroluminescence device manufacturing method and manufacturing apparatus |
PCT/JP2012/076848 WO2013061845A1 (ja) | 2011-10-24 | 2012-10-17 | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
CN201280021507.4A CN103503567B (zh) | 2011-10-24 | 2012-10-17 | 有机el器件的制造方法及制造装置 |
KR1020137023494A KR20140076527A (ko) | 2011-10-24 | 2012-10-17 | 유기 el 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치 |
US14/235,353 US8921142B2 (en) | 2011-10-24 | 2012-10-17 | Method and apparatus for manufacturing organic EL device |
TW101139067A TW201336130A (zh) | 2011-10-24 | 2012-10-23 | 有機el元件之製造方法及製造裝置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011233066 | 2011-10-24 | ||
JP2011233066 | 2011-10-24 | ||
JP2011245836A JP5269970B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-11-09 | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013109829A JP2013109829A (ja) | 2013-06-06 |
JP5269970B2 true JP5269970B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=48706426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011245836A Expired - Fee Related JP5269970B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-11-09 | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5269970B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006249471A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 成膜方法 |
JP4881789B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-02-22 | 株式会社Harmonic Uni−Brain | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置 |
LV14196B (lv) * | 2009-02-03 | 2010-11-20 | Sidrabe, A/S | Augstražīga ierīce pārklājumu uznešanai vakuumā uz rullī satītas pamatnes |
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2011
- 2011-11-09 JP JP2011245836A patent/JP5269970B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013109829A (ja) | 2013-06-06 |
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