JP5266352B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5266352B2 JP5266352B2 JP2011026882A JP2011026882A JP5266352B2 JP 5266352 B2 JP5266352 B2 JP 5266352B2 JP 2011026882 A JP2011026882 A JP 2011026882A JP 2011026882 A JP2011026882 A JP 2011026882A JP 5266352 B2 JP5266352 B2 JP 5266352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithographic apparatus
- substrate
- parameterization
- control module
- parameters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 60
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 41
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 235000003332 Ilex aquifolium Nutrition 0.000 description 1
- 235000002296 Ilex sandwicensis Nutrition 0.000 description 1
- 235000002294 Ilex volkensiana Nutrition 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002354 daily effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
パターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターンを上記パターニングデバイスから上記基板のターゲット部分上に転写するように構成されたパターニングシステムと、
1つ又は複数の基準基板からベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に検索することで上記支持体、基板テーブル又はパターニングシステムのうちの少なくとも1つの制御を支援し、上記ベースライン制御パラメータからのパラメータのドリフトを決定し、上記ドリフトを許容及び/又は修正する動作が可能な制御モジュールであって、上記基準基板が上記ベースライン制御パラメータを決定するパターニングを初期に実行している制御モジュールと、
上記制御モジュールと他方のリソグラフィ装置との間のインタフェースと、
を備え、
上記インタフェースのパラメータ化が、上記制御モジュールの制御パラメータ化と異なるリソグラフィ装置が提供される。
基準基板を露光してスキャン/ステップ機能に対するベースライン制御パラメータを決定するステップと、
上記基準基板から上記ベースライン制御パラメータを周期的に検索するステップと、
上記ベースライン制御パラメータからパラメータのドリフトを決定するステップと、
上記決定に基づいて修正動作を行うステップと
を含み、
上記制御モジュールと上記リソグラフィ装置の間の通信とは異なるパラメータ化を上記制御モジュールの制御に用いて実行される方法が提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PLとを備える。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
・このパラメータ化は、スキャナハードウェアに関連するすべての効果を扱うわけではない。
・スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はスキャナのフィールド内効果を詳細に扱うことができない。スキャナ安定性モジュール内でフィールド内効果を記述する3次の多項式は、スキャナで使用される1mmピッチのGISM YTX,YTY,YRZ RSマップよりもはるかに制約が多い。
・ある種のリソグラフィ装置(Twinscan XTなど)と併用する時に、スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はウェーハステージミラーを正確に記述する機能が限られている。スキャナ安定性モジュールでは5次の多項式が使用されるが、ミラードリフトを適切に追跡するためには7次の多項式(2DEスキャナの較正で実施される)が必要である。
・その他のリソグラフィ装置(Twinscan NXTなど)と併用する時に、スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はウェーハステージエンコーダのドリフトを正確に記述する機能が限られている。これはエンコーダドリフトによってウェーハ格子上の非多項式変形が引き起こされるからである(象限間の遷移は必ずしも平滑ではないため、NXT象限の各々は専用の多項式で記述しなければならない)。
・インタフェースのパラメータ化に関して、これはスキャナ安定性モジュールコントローラ及びスキャナハードウェアのパラメータ化のために独立して改良を間に合わせるようにできるだけ汎用性がある(多くの自由度を有する)ように設計されるのが最善である。また、パラメータ化は機械タイプから独立させるべきであり、現在及び近い将来のリソグラフィ装置及び想定されるスキャナ安定性モジュールコントローラのパラメータ化の両方を扱うように過剰決定されている必要がある。
・他方、スキャナハードウェアを簡潔に扱ってスキャナ安定性モジュールコントローラの雑音除去機能を最大限にするできるだけ少数の自由度で、スキャナ安定性モジュールコントローラのための簡潔なパラメータ化を定義しなければならない。この例では、スキャナ安定性モジュールコントローラのパラメータ化はリソグラフィ装置及びソフトウェアリリースに依存して実行されるのが最善であり、例えば、XTのためのWSミラーのドリフトの制御は専用のミラーモデル/パラメータ化を用いて達成できるが、他方、NXTエンコーダのドリフトの制御はNXTエンコーダ固有の別のモデル/パラメータ化を用いて実行される。このモジュールコントローラのパラメータ化に関する詳細な記述は内部整理番号P−3590.000(D8060)の同日共願の出願になされている。そこに開示された方法を本明細書に開示する方法と併用することができる。
・Blue Alignment Offsets−BAO社:チャック当たり
・BAO’sは、ウェーハ上の露光されたフィールドの実際の位置と予想位置(ステージアライン、ウェーハアライン及びTISアラインデータに基づいて計算され、TISは透過イメージセンサである)との間の差異を補償する。この補償は10個のパラメータの直線モデルに関して計算される(x軸並進tx、y軸並進ty、対称ウェーハ回転rws、非対称ウェーハ回転rwa、対称ウェーハ倍率mws、非対称ウェーハ倍率mwa、対称フィールド回転rs、非対称フィールド回転ra、対称フィールド倍率ms、非対称フィールド倍率ma)。例えば、アライメントモデルはウェーハチャックが測定側から露光側へ移動する時にTIS板が変形しない(TIS板は測定側のアライメント用のTISアライメントマークと露光側TISアラインのためのTISセンサ格子及びTISセンサの両方を担持する)ことを前提とするため、露光側と測定側のウェーハチャックTIS板の形状の差によってそのような差異が発生することがある。この差異の別の可能な原因は、TISアライメントマーク間の設計された相対オフセットとTISセンサ格子/センサとの不一致である。
・ウェーハステージの測定側格子パラメータ
・高い空間周波数を有する格子マップ(例えば、5mmピッチ)を有する締付け格子マップ
測定側格子の状態(締付けを含む)が測定される時にはサンプリング密度(例えば、5mmピッチ)に関する十分なデータを収集して顧客アライメント方式が測定格子の変化に反応する様子を推定できる。
・ウェーハステージの露光側格子パラメータ
・ミラー(ミラー当たりチャック当たり):Twinscan XT装置と併用する高次の1次元多項式(例えば、16次の多項式)。
・エンコーダ位置(チャック当たりエンコーダ当たりの多項式):Twinscan NXT装置と併用する高次の2次元多項式(例えば、8次の多項式)。
・2DE熱フィンガープリント(チャック当たり):高次の2次元多項式(例えば、8次の多項式)。
・SUSD/SLSR(チャック当たり):高次の2次元多項式(例えば、8次の多項式)。SUSDはスキャンアップ/スキャンダウン効果であり、「ダウン」スキャン方向に露光されるフィールドに対して「アップ」スキャン方向に露光されるフィールドのシフトの尺度である。これは「アップ」及び「ダウン」の両方の平均に対応する「公称」格子からの「アップ」及び「ダウン」フィールドのシフトとしてパラメータ化できる。SUSDは、ウェーハテーブルに対する再現可能なウェーハスリップ、レチクルクランプに対する再現可能なレチクルスリップ、ウェーハテーブル/ウェーハチャック/レチクルステージの非弾性挙動によって引き起こされることがある。
SLSRはステップ左/ステップ右効果である:これは「右」の以前のフィールドからのステップ後に露光されるフィールドに対する「左」の以前のフィールドからのステップ後に露光されるフィールドのシフトの尺度である。SLSRは、「SL」と「SR」の両方の平均に対応する「公称」格子からの「左からステップした」フィールドと「右からステップした」フィールドのシフトとしてパラメータ化できる。SLSRは、ウェーハテーブルに対する再現可能なウェーハスリップ、ウェーハテーブル/ウェーハチャックの非弾性挙動によって引き起こされることがある。
・フィールド内パラメータ
・レチクル状態エンコーダマップ(YTX、YTY,YRZ):高次の1次元多項式(例えば、16次の多項式)
・平均スリットの記述(dxとdx成分の両方):高次の1次元多項式(例えば、16次の多項式)
・スリットのY位置依存性(dxとdx成分の両方):スリット内の高次の1次元多項式(例えば、16次の多項式)とスキャン方向の高次の1次元多項式(例えば、16次の多項式)の積。
−フィールドの中心座標と共にウェーハ上で露光されるすべてのフィールドの(フィールドごとの)垂直及び水平の寸法を指定する。
−(フィールドごとの)露光方向及び露光速度を指定する。
−基準格子上で(フィールドごとの)フィールド内フィンガープリントを指定する(例えば、固定の13×19ポイントでdx、dyオーバレイを指定する)。
Claims (29)
- リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターンを前記パターニングデバイスから前記基板のターゲット部分上に転写するように構成されたパターニングシステムと、
1つ又は複数の基準基板からベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に検索することで前記支持体、基板テーブル又はパターニングシステムのうちの少なくとも1つの制御を支援し、前記ベースライン制御パラメータからのパラメータのドリフトを決定し、前記ドリフトを許容及び/又は修正する動作が可能な制御モジュールであって、前記基準基板が前記ベースライン制御パラメータを決定するパターニングを初期に実行している制御モジュールと、
前記制御モジュールと他方のリソグラフィ装置との間のインタフェースと、
を備え、
前記インタフェースのパラメータ化が、前記制御モジュールの制御パラメータ化と異なる、
リソグラフィ装置。 - 前記インタフェースのパラメータ化が、複数の周知のリソグラフィ装置に対して汎用性がある、
請求項1に記載の装置。 - 前記インタフェースのパラメータ化が、レチクル状態のエンコーダマップ、dxとdyの両方の成分内の平均スリット記述及びY位置のスリット依存性のうちの1つ以上を含むフィールド内効果を記述できる、
請求項1又は2に記載の装置。 - 前記インタフェースのパラメータ化が、前記リソグラフィ装置によって導入される変形を表すフィールド内基準格子を画定することで実現する、
請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。 - 異なるターゲット部分にわたってフィールド内フィンガープリントの可能な変化を記述するために前記基準格子のフィールド内パラメータが、異なるターゲット部分にわたって変化できる、
請求項4に記載の装置。 - 前記インタフェースのパラメータ化が、前記ターゲット部分の中心座標と共に前記基板上にパターニングされたすべての前記ターゲット部分の(ターゲット部分ごとの)垂直及び水平の寸法を指定し、(ターゲット部分ごとの)露光方向及び露光速度を指定し、及び/又は、基準格子上で(ターゲット部分ごとの)フィールド内フィンガープリントを指定する、
請求項4又は5に記載の装置。 - 共通の基準格子がすべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が前記リソグラフィ装置のための可及的に最大のターゲット部分上の絶対位置にリンクされるように動作可能な、
請求項4、5又は6に記載の装置。 - 共通の基準格子がすべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記ターゲット部分上の相対座標系を用いてターゲット部分のサイズに合わせることができる、
請求項4、5又は6に記載の装置。 - 前記インタフェースのパラメータ化が、各パラメータが少なくとも複数の自由度を有するように実行される、
請求項1から8のいずれか1項に記載の装置。 - 前記少なくとも複数の自由度が、8又は16を含む、
請求項5に記載の装置。 - すべてのウェーハステージのパターニング側格子パラメータが、適宜、1次元多項式又は2次元多項式のいずれか、あるいは1次元フーリエ変換又は2次元フーリエ変換によって記述されるように動作可能な、
請求項6に記載の装置。 - すべてのフィールド内パラメータが、1次元多項式又は1次元フーリエ変換によって記述される、
請求項5から8のいずれか1項に記載の装置。 - 前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、前記リソグラフィ装置に必要なできるだけ少数の自由度を用いて定義される、
請求項1から12のいずれか1項に記載の装置。 - 放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記パターニングシステム内に備えられる投影システムと、をさらに備え、
前記パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することが可能で、前記投影システムが前記基板の前記ターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影して前記パターニングを実行するように構成された投影リソグラフィを実行可能な、
請求項1から13のいずれか1項に記載の装置。 - 制御モジュールを用いてリソグラフィ装置のスキャン/ステップ機能を制御する方法であって、
基準基板を露光してスキャン/ステップ機能に対するベースライン制御パラメータを決定するステップと、
前記基準基板から前記ベースライン制御パラメータを周期的に検索するステップと、
前記ベースライン制御パラメータからパラメータのドリフトを決定するステップと、
前記決定に基づいて修正動作を行うステップと、
を含み、
前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、前記制御モジュールの制御パラメータ化と異なる、
方法。 - 前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、複数の周知のリソグラフィ装置に対して汎用性がある、
請求項15に記載の方法。 - 前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、レチクル状態のエンコーダマップ、dxとdyの両方の成分内の平均スリット記述及びY位置のスリット依存性のうちの1つ以上を含むフィールド内効果を記述できる、
請求項15又は16に記載の方法。 - 前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、前記リソグラフィ装置によって導入される変形を表すフィールド内基準格子を画定することで実現する、請求項15から17のいずれか1項に記載の方法。
- 異なるターゲット部分にわたってフィールド内フィンガープリントの可能な変化を記述するために前記基準格子の前記フィールド内パラメータが異なるターゲット部分にわたって変化できる、
請求項18に記載の方法。 - 前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、ターゲット部分の中心座標と共に前記基板上にパターニングされたすべての前記ターゲット部分の(ターゲット部分ごとの)垂直及び水平の寸法を指定し、(ターゲット部分ごとの)露光方向及び露光速度を指定し、及び/又は、前記基準格子上で(ターゲット部分ごとの)前記フィールド内フィンガープリントを指定する、
請求項18又は19に記載の方法。 - 共通の基準格子が、すべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記リソグラフィ装置のための可及的に最大のターゲット部分上の絶対位置にリンクされる、
請求項18、19又は20に記載の方法。 - 共通の基準格子が、すべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記ターゲット部分上の相対座標系を用いて前記ターゲット部分のサイズに合わせることができる、
請求項18、19又は20に記載の方法。 - 前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、少なくとも複数の自由度を有する各パラメータで定義される、請求項15から22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも複数の自由度が、8又は16を含む、
請求項23に記載の方法。 - すべてのウェーハステージのパターニング側格子パラメータが、適宜、1次元多項式又は1次元多項式のいずれか、あるいは1次元フーリエ変換又は2次元フーリエ変換によって記述される、
請求項24に記載の方法。 - すべてのフィールド内パラメータが、1次元多項式又は1次元フーリエ変換によって記述される、
請求項23から25のいずれか1項に記載の方法。 - 前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、前記リソグラフィ装置に必要なできるだけ少数の自由度を用いて定義される、
請求項15から26のいずれか1項に記載の方法。 - 前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、使用される特定のリソグラフィ装置及びソフトウェアに依存して実行される、
請求項15から27のいずれか1項に記載の方法。 - 前記リソグラフィ装置が、少なくともスキャンモードで動作し、パターン付放射ビームが、基板のターゲット部分全体にわたってスキャンされる、
請求項15から28のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30602010P | 2010-02-19 | 2010-02-19 | |
US61/306,020 | 2010-02-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187951A JP2011187951A (ja) | 2011-09-22 |
JP5266352B2 true JP5266352B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=44262516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011026882A Active JP5266352B2 (ja) | 2010-02-19 | 2011-02-10 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8947630B2 (ja) |
JP (1) | JP5266352B2 (ja) |
KR (1) | KR101226639B1 (ja) |
CN (1) | CN102163000B (ja) |
IL (1) | IL210832A (ja) |
TW (1) | TWI427435B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2005997A (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2006336A (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR20140068970A (ko) * | 2011-08-31 | 2014-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 포커스 보정을 결정하는 방법, 리소그래피 처리 셀 및 디바이스 제조 방법 |
KR20170120153A (ko) * | 2015-03-13 | 2017-10-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치 |
CN107438795A (zh) * | 2015-04-10 | 2017-12-05 | Asml荷兰有限公司 | 用于检查和量测的方法和设备 |
US9733577B2 (en) | 2015-09-03 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Intra-field process control for lithography |
KR102166317B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2020-10-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정의 제어 방법, 디바이스 제조 방법, 리소그래피 장치용 제어 시스템 및 리소그래피 장치 |
CN108700826B (zh) * | 2016-02-23 | 2021-04-27 | Asml荷兰有限公司 | 控制图案化工艺的方法、光刻设备、量测设备光刻单元和相关联的计算机程序 |
WO2018010928A1 (en) | 2016-07-11 | 2018-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining a fingerprint of a performance parameter |
US11294289B2 (en) | 2016-10-14 | 2022-04-05 | Asml Netherlands B.V. | Selecting a set of locations associated with a measurement or feature on a substrate |
US10802408B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimization of a lithographic process |
EP3396456A1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Method of monitoring and device manufacturing method |
KR20200125986A (ko) * | 2018-03-29 | 2020-11-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스캐닝 노광 장치를 위한 제어 방법 |
JP7171468B2 (ja) | 2019-02-20 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、物品の製造システム、及び出力方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
US6509952B1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-01-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and system for selective linewidth optimization during a lithographic process |
JP4905617B2 (ja) | 2001-05-28 | 2012-03-28 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
US20020042664A1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus |
US7261983B2 (en) * | 2000-12-08 | 2007-08-28 | Litel Instruments | Reference wafer and process for manufacturing same |
JP2003037051A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
US6785638B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
TWI225665B (en) * | 2001-10-17 | 2004-12-21 | Canon Kk | Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method |
JP3626448B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2005-03-09 | 株式会社東芝 | 露光方法 |
JP2003203846A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Canon Inc | 位置合わせ方法及びパラメータ選択方法 |
US7069104B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Management system, management apparatus, management method, and device manufacturing method |
JP2003324055A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Canon Inc | 管理システム及び装置及び方法並びに露光装置及びその制御方法 |
JP4353498B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2009-10-28 | キヤノン株式会社 | 管理装置及び方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータプログラム |
JP4018438B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置を管理する管理システム |
US6915177B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-07-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Comprehensive integrated lithographic process control system based on product design and yield feedback system |
JP2005166951A (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム |
KR100841423B1 (ko) * | 2004-02-23 | 2008-06-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스캐터로미터 데이터에 기초한 처리 파라미터 값의 결정방법 |
US7403264B2 (en) * | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
EP1744217B1 (en) * | 2005-07-12 | 2012-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same |
TWI345685B (en) * | 2005-09-06 | 2011-07-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method |
WO2007086316A1 (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Nikon Corporation | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US7446854B2 (en) * | 2006-02-07 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2009530824A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 露光ツール群においてアライメント性能を最適化するための方法およびシステム |
JP2009231564A (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | スキャン露光装置の補正方法 |
EP2392970A3 (en) * | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
WO2011101187A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2006336A (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2008285A (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Asml Netherlands Bv | Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process. |
-
2011
- 2011-01-24 IL IL210832A patent/IL210832A/en active IP Right Grant
- 2011-01-25 US US13/013,333 patent/US8947630B2/en active Active
- 2011-02-10 JP JP2011026882A patent/JP5266352B2/ja active Active
- 2011-02-10 TW TW100104477A patent/TWI427435B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-02-17 CN CN2011100421670A patent/CN102163000B/zh active Active
- 2011-02-18 KR KR1020110014686A patent/KR101226639B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL210832A (en) | 2016-11-30 |
KR101226639B1 (ko) | 2013-01-25 |
IL210832A0 (en) | 2011-06-30 |
TWI427435B (zh) | 2014-02-21 |
US8947630B2 (en) | 2015-02-03 |
JP2011187951A (ja) | 2011-09-22 |
CN102163000B (zh) | 2013-11-27 |
US20110205511A1 (en) | 2011-08-25 |
KR20110095832A (ko) | 2011-08-25 |
CN102163000A (zh) | 2011-08-24 |
TW201133158A (en) | 2011-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5266352B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5178855B2 (ja) | リソグラフィ装置を制御するための方法および装置 | |
JP5583791B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5288808B2 (ja) | 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 | |
JP4980264B2 (ja) | 検査方法、デバイス製造方法、検査装置、基板、マスク、リソグラフィ装置、及びリソグラフィセル | |
JP5443405B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
WO2009106253A1 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
JP2012508451A (ja) | スキャトロメータおよびリソグラフィ装置 | |
KR101887924B1 (ko) | 검사 방법 및 장치, 및 리소그래피 장치 | |
US9069240B2 (en) | Calibration of lithographic apparatus by exposing patterns on substrate positioned at different orientations | |
US8793099B2 (en) | Calibration of lithographic apparatus | |
NL2006923A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5266352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |