JP5263484B2 - Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, polishing method for chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method for polishing a wiring layer made of copper or copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電気光学表示装置用基板に設けられた配線層を形成する際に好適に用いられる化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および化学機械研磨方法に関する。 The present invention relates to a chemical mechanical polishing aqueous dispersion, a method for producing a chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and a chemical mechanical polishing method that are preferably used when forming a wiring layer provided on a substrate for an electro-optical display device.
近年、電気光学表示装置の技術の進歩により、種々の構造を有する表示装置が提案されている。かかる表示装置としては、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、エレクトロルミック表示装置（ＥＣＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示材料装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等のフラットパネルディスプレイが挙げられる。フラットパネルディスプレイは、通常、液晶などの表示材料を一対の基板の間に挟持し、その表示材料に電圧を印加するという方法で構成される。この際、少なくとも一方の基板には、導電材料からなる電気配線を配列させる必要がある。このようなフラットパネルディスプレイにおいて、ディスプレイの大面積化およびディスプレイの高精細化を図ろうとすると、駆動周波数が高まるとともに、電気配線の抵抗および寄生容量が増大する。その影響を受け、駆動信号の遅延が大きな問題となる。 In recent years, display devices having various structures have been proposed due to advancement of the technology of electro-optical display devices. Examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display device (PDP), an electrochromic display device (ECD), and an electroluminescent display device (ELD). : Flat panel display such as Electro Luminescent Display (FED) and Field Emission Display Material Device (FED). A flat panel display is usually configured by a method in which a display material such as liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates and a voltage is applied to the display material. At this time, it is necessary to arrange electrical wiring made of a conductive material on at least one of the substrates. In such a flat panel display, when an attempt is made to increase the area of the display and increase the definition of the display, the drive frequency increases and the resistance and parasitic capacitance of the electrical wiring increase. Under the influence, the delay of the drive signal becomes a big problem.
そこで、上記駆動信号遅延を解決するために、様々な技術開発が行われている。例えば、特許文献１では、従来の配線材料であるアルミニウムや、α−タンタル、モリブデンの代わりに、それらの金属よりも電気抵抗が小さい銅を配線材料に用いて、駆動信号遅延の解決を試みている。
また、ディスプレイのさらなる高精細化を達成するためには、導電配線の超微細化かつ高集積化された配線構造が必須となる。ところが、基板に銅または銅合金などの配線材料を配設する場合、従来のスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の乾式成膜法や無電解めっき法、熱分解法等の湿式成膜法のみで、超微細化かつ高集積化された配線構造を形成するには限界がある。
かかる配線構造を形成し得る技術として、従来、半導体装置製造に主に用いられてきた化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術、いわゆるダマシン法と称される技術が注目されている。この方法は、基板に形成された溝等に配線材料を埋め込んだ後、化学機械研磨により余剰な配線材料を除去することによって所望の配線を形成するものである。
Further, in order to achieve further high definition of the display, a wiring structure in which the conductive wiring is ultra-fine and highly integrated is essential. However, when a wiring material such as copper or copper alloy is disposed on the substrate, only a dry film forming method such as a conventional sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method, or a wet film forming method such as an electroless plating method or a thermal decomposition method can be used. Therefore, there is a limit in forming an ultra-fine and highly integrated wiring structure.
As a technique capable of forming such a wiring structure, a technique called a chemical mechanical polishing technique that has been mainly used in the manufacture of semiconductor devices, a technique called a damascene method, has attracted attention. In this method, after a wiring material is embedded in a groove or the like formed in a substrate, a desired wiring is formed by removing excess wiring material by chemical mechanical polishing.
しかしながら、従来の半導体装置の製造に用いられる基板（以下、「半導体装置用基板」という。）の大きさは最大寸法が約５０〜３００ｍｍであるのに対し、電気光学表示装置の製造に用いられる基板（以下、「電気光学表示装置用基板」という。）は最大寸法が約１５００〜３０００ｍｍ程度と大型になる場合があるため、化学機械研磨技術を用いる際に、その基板の大きさの違いに起因した新たな問題が指摘されている。具体的には、被研磨面における単位時間当たりの研磨量（以下、「研磨速度」ともいう。）の均一性を保てなくなることから、面内平坦性が得られず、品質に影響を与えるという問題がある。
すなわち、化学機械研磨とは、研磨対象基板と研磨用パッドの間に化学機械用水系分散体を満たして、研磨対象基板を研磨する方法である。ところが、研磨対象基板の大きさが大きくなるにつれて、基板面内における化学機械研磨用水系分散体の存在量が不均一となるため、研磨速度の均一性を確保できなくなり、被研磨面の平坦性のばらつきが大きくなる。基板面内の単位面積あたりに同一量の化学機械研磨用水系分散体を供給しようとすると、理論的には、回転中心から外周に向かう距離に従い、化学機械研磨用水系分散体をその距離の２乗（面積相当）に比例し、増加して供給する必要がある。しかし、現実的には、研磨用パッド上に一定の圧力で押し付けられ、かつ、回転している研磨対象基板と研磨用パッドの間に、上記のように化学機械研磨用分散体を供給することは技術的に困難である。また、かかる場合、多量の化学機械研磨用分散体を必要とするため、経済的な観点から好ましくない。
However, the maximum size of a substrate (hereinafter referred to as a “semiconductor device substrate”) used for manufacturing a conventional semiconductor device is about 50 to 300 mm, whereas it is used for manufacturing an electro-optic display device. Since the substrate (hereinafter referred to as “electro-optical display device substrate”) may be as large as about 1500 to 3000 mm in maximum dimension, there is a difference in the size of the substrate when the chemical mechanical polishing technique is used. New problems have been pointed out. Specifically, since the uniformity of the polishing amount per unit time (hereinafter also referred to as “polishing rate”) on the surface to be polished cannot be maintained, in-plane flatness cannot be obtained, and the quality is affected. There is a problem.
That is, chemical mechanical polishing is a method of polishing a polishing target substrate by filling a chemical mechanical aqueous dispersion between the polishing target substrate and a polishing pad. However, as the size of the substrate to be polished becomes larger, the abundance of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion in the substrate surface becomes non-uniform, so that it becomes impossible to ensure the uniformity of the polishing rate and the flatness of the surface to be polished. The variation of the is increased. If an attempt is made to supply the same amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion per unit area in the substrate surface, theoretically, the chemical mechanical polishing aqueous dispersion is divided by 2 according to the distance from the center of rotation to the outer periphery. It is necessary to increase and supply in proportion to the power (corresponding to the area). However, in reality, the chemical mechanical polishing dispersion is supplied as described above between the polishing target substrate and the polishing pad, which is pressed against the polishing pad with a certain pressure. Is technically difficult. In such a case, a large amount of chemical mechanical polishing dispersion is required, which is not preferable from an economical viewpoint.
半導体装置用基板の場合、被研磨面の面積は面内の平坦性を損なうほどの大きさではなく、品質管理上の許容範囲内とされ、顕著な問題とはならなかった。しかし、被研磨面の面積が半導体装置用基板よりもはるかに大きな電気光学表示装置用基板を研磨するにあたり、研磨速度の均一性を保てず、面内平坦性が得られないという問題は、電気光学表示装置用基板の品質を損なうため、無視できなくなっている。 In the case of a substrate for a semiconductor device, the area of the surface to be polished is not so large as to impair the in-plane flatness, but is within an acceptable range in quality control, and has not been a significant problem. However, when polishing an electro-optical display device substrate whose area to be polished is much larger than that of a semiconductor device substrate, the problem that the uniformity of the polishing rate cannot be maintained and in-plane flatness cannot be obtained, Since the quality of the substrate for the electro-optic display device is deteriorated, it cannot be ignored.
本発明は上記課題を解決するものであり、その目的は、電気光学表示装置用基板に設けられた銅または銅合金からなる配線層を化学機械研磨する工程において、研磨速度の面内均一性を確保でき、かつ被研磨面の面内平坦性のばらつきを抑制することができる化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および化学機械研磨方法を提供することにある。 The present invention solves the above-mentioned problems, and its object is to achieve in-plane uniformity of the polishing rate in the step of chemical mechanical polishing a wiring layer made of copper or a copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device. An object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing aqueous dispersion, a chemical mechanical polishing aqueous dispersion manufacturing method, and a chemical mechanical polishing method that can be ensured and can suppress variation in in-plane flatness of a surface to be polished.
本発明者らは（Ａ）砥粒と、（Ｂ）有機酸、および（Ｃ）銅イオンを含有し、前記（Ａ）砥粒の長径Ｒｍａｘと、短径Ｒｍｉｎの比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．０〜１．５であり、前記（Ｃ）成分が５．０×１０４〜２．０×１０５ｐｐｍである、電気光学表示装置用基板に設けられた銅または銅合金からなる配線層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体を用いて前記課題を解決できることを見出した。 The present inventors contain (A) abrasive grains, (B) organic acid, and (C) copper ions, and the ratio (Rmax / Rmin) of the major axis Rmax and minor axis Rmin of the (A) abrasive grains is 1. A wiring layer made of copper or a copper alloy provided on a substrate for an electro-optic display device, wherein the wiring component is 0 to 1.5 and the component (C) is 5.0 × 10 4 to 2.0 × 10 5 ppm. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by using a chemical mechanical polishing aqueous dispersion for polishing.
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、前記（Ａ）砥粒がシリカであることを特徴とする。
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、前記（Ｂ）有機酸が含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物、およびアミノ酸よりなる群から選択される一種であることを特徴とする。
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention is characterized in that the (A) abrasive grains are silica.
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention comprises (B) a compound in which the organic acid has a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group, a compound having a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group, and an amino acid. It is a kind selected from a group.
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の製造方法は、
（ａ）研磨に用いられた化学機械研磨用水系分散体を回収する工程と、
（ｂ）研磨に用いられた化学機械研磨用水系分散体中の粗大粒子を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
The method for producing a chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention comprises:
(A) recovering the chemical mechanical polishing aqueous dispersion used for polishing;
(B) removing coarse particles in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion used for polishing.
上記化学機械研磨用水系分散体によれば、被研磨面の最大寸法を約１５００〜３０００ｍｍとする電気光学表示装置用基板に設けられた銅または銅合金からなる配線層の全体を均一かつ平坦に研磨することができる。その結果、電気光学表示装置用基板に超微細化かつ高集積化された配線構造が設けられ、フラットパネルディスプレイの大面積化および高精細化を図ることができる。 According to the chemical mechanical polishing aqueous dispersion, the entire wiring layer made of copper or a copper alloy provided on the substrate for an electro-optical display device having a maximum polished surface dimension of about 1500 to 3000 mm is made uniform and flat. Can be polished. As a result, an ultra-fine and highly integrated wiring structure is provided on the electro-optic display device substrate, and the flat panel display can have a large area and high definition.
〔化学機械水系分散体〕
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、前記（Ａ）砥粒の長径Ｒｍａｘと、短径Ｒｍｉｎの比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．０〜１．５であり、（Ａ）砥粒、（Ｂ）有機酸、および（Ｃ）銅イオンを含有し、前記（Ｃ）成分の濃度が５．０×１０４〜２．０×１０５ｐｐｍである化学機械研磨用水系分散体である。以下、各成分について詳細に説明する。
[Chemical mechanical aqueous dispersion]
In the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the invention, the ratio (Rmax / Rmin) of the major axis Rmax to the minor axis Rmin of the (A) abrasive grains is 1.0 to 1.5, and (A) the abrasive grains ( B) An aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing an organic acid and (C) a copper ion, wherein the concentration of the component (C) is 5.0 × 10 4 to 2.0 × 10 5 ppm. Hereinafter, each component will be described in detail.
＜（Ａ）砥粒＞
本発明に用いられる（Ａ）砥粒としては、無機粒子が好ましい。無機粒子としては、ヒュームド法により、塩化ケイ素、塩化アルミニウムまたは塩化チタン等と酸素および水素とを気相中で反応させて合成されたヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、ヒュームドチタニア；ゾルゲル法により、金属アルコキシドを加水分解縮合して合成されたシリカ；無機コロイド法等により合成され、精製により不純物を除去した高純度コロイダルシリカ等が挙げられる。
<(A) Abrasive grain>
As the abrasive grains (A) used in the present invention, inorganic particles are preferable. As inorganic particles, fumed silica, fumed alumina, fumed titania synthesized by reacting silicon chloride, aluminum chloride, titanium chloride or the like with oxygen and hydrogen in the gas phase by fumed method; by sol-gel method, Silica synthesized by hydrolytic condensation of metal alkoxides; high-purity colloidal silica synthesized by an inorganic colloid method and the like from which impurities are removed by purification.
前記（Ａ）砥粒の長径（Ｒｍａｘ）と短径（Ｒｍｉｎ）の比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎは１．０〜１．５、好ましくは１．０〜１．４、さらに好ましくは１．０〜１．３である。Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが上記の範囲であると金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高い研磨速度と高平坦化特性を発現できる。Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．５より大きいと研磨後の欠陥が発生し、好ましくない。 The ratio (Rmax / Rmin) of the major axis (Rmax) to the minor axis (Rmin) of the (A) abrasive grains is 1.0 to 1.5, preferably 1.0 to 1.4, more preferably 1.0 to 1. 3. When Rmax / Rmin is in the above range, a high polishing rate and a high planarization characteristic can be expressed without causing defects in the metal film or the insulating film. If Rmax / Rmin is greater than 1.5, defects after polishing occur, which is not preferable.
ここで、前記（Ａ）砥粒の長径（Ｒｍａｘ）とは、透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した砥粒粒子の像について、像の端部と端部を結んだ距離のうち最も長い距離を意味する。砥粒粒子の短径（Ｒｍｉｎ）とは、透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した砥粒粒子の像について、像の端部と端部を結んだ距離のうち最も短い距離を意味する。 Here, (A) the major axis (Rmax) of the abrasive grains is the most of the distances connecting the end portions of the images of one independent abrasive grain image taken with a transmission electron microscope. Mean long distance. The minor axis (Rmin) of the abrasive grain means the shortest distance among the distances connecting the end portions of the image of one independent abrasive grain image taken by a transmission electron microscope. .
たとえば、図１に示すように透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した砥粒粒子６０ａの像が楕円形状である場合、楕円形状の長軸ａを砥粒粒子の長径（Ｒｍａｘ）と判断し、楕円形状の短軸ｂを砥粒粒子の短径（Ｒｍｉｎ）と判断する。図２に示すように、透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した砥粒粒子６０ｂの像が２つの粒子の凝集体である場合、像の端部と端部を結んだ最も長い距離ｃを砥粒粒子の長径（Ｒｍａｘ）と判断し、像の端部と端部を結んだ最も短い距離ｄを砥粒粒子の短径（Ｒｍｉｎ）と判断する。図３に示すように、透過型電子顕微鏡により撮影された一つの独立した砥粒粒子６０ｃの像が３以上の粒子の凝集体である場合、像の端部と端部を結んだ最も長い距離ｅを砥粒粒子の長径（Ｒｍａｘ）と判断し、像の端部と端部を結んだ最も短い距離ｆを砥粒粒子の短径（Ｒｍｉｎ）と判断する。
上記のような判断手法により、たとえば、５０個の砥粒粒子の長径（Ｒｍａｘ）と短径（Ｒｍｉｎ）を測定し、長径（Ｒｍａｘ）と短径（Ｒｍｉｎ）の平均値を算出したあと、長径と短径との比率（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）を計算して求めることができる。
For example, when an image of one independent
For example, by measuring the major axis (Rmax) and minor axis (Rmin) of 50 abrasive grains by the above-described determination method, and calculating the average value of major axis (Rmax) and minor axis (Rmin), the major axis And the ratio of the minor axis (Rmax / Rmin) can be calculated.
（Ａ）砥粒の平均粒子径は５〜１０００ｎｍが好ましい。この平均粒子径は、レーザー散乱回折型測定機により、または透過型電子顕微鏡による観察により、測定することができる。平均粒子径が５ｎｍ未満では、十分に研磨速度が大きい化学機械研磨用水系分散体を得ることができないことがある。１０００ｎｍを超えると、ディッシングおよびエロージョンの抑制が不十分となることがあり、また（Ａ）砥粒の沈降・分離により、安定な水系分散体を容易に得ることができないことがある。（Ａ）砥粒の平均粒子径は前記範囲でもよいが、より好ましくは１０〜７００ｎｍ、特に好ましくは１５〜５００ｎｍである。平均粒子径がこの範囲にあると、研磨速度が大きく、ディッシングおよびエロージョンが十分に抑制され、かつ粒子の沈降・分離が発生しにくい、安定な化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。 (A) As for the average particle diameter of an abrasive grain, 5-1000 nm is preferable. This average particle diameter can be measured by a laser scattering diffraction measuring instrument or by observation with a transmission electron microscope. If the average particle size is less than 5 nm, a chemical mechanical polishing aqueous dispersion having a sufficiently high polishing rate may not be obtained. If it exceeds 1000 nm, suppression of dishing and erosion may be insufficient, and (A) a stable aqueous dispersion may not be easily obtained due to sedimentation and separation of abrasive grains. (A) Although the said range may be sufficient as the average particle diameter of an abrasive grain, More preferably, it is 10-700 nm, Most preferably, it is 15-500 nm. When the average particle diameter is within this range, a stable chemical mechanical polishing aqueous dispersion can be obtained in which the polishing rate is high, dishing and erosion are sufficiently suppressed, and particle settling and separation are unlikely to occur.
前記（Ａ）砥粒の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の総量を１００質量％とした場合に、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０２〜５質量％がより好ましいく、０．１〜４質量％がさらに好ましい。（Ａ）砥粒の含有量が前記範囲未満になると十分な研磨速度を得ることができないことがあり、前記範囲を超えるとコストが高くなるとともに、安定した化学機械研磨用水系分散体を得られないことがある。 The content of the abrasive (A) is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.02 to 5% by mass, when the total amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion is 100% by mass. 0.1 to 4% by mass is more preferable. (A) When the content of the abrasive grains is less than the above range, a sufficient polishing rate may not be obtained. When the content exceeds the above range, the cost increases and a stable chemical mechanical polishing aqueous dispersion can be obtained. There may not be.
＜（Ｂ）有機酸＞
本発明に用いられる（Ｂ）有機酸は、銅イオンまたは銅膜の表面に対し配位能力を有する有機酸が好ましい。より好ましくは、銅イオンまたは銅膜の表面に対しキレート配位能力を有する有機酸であり、たとえば、含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物、およびアミノ酸よりなる群から選択される一種であることが好ましい。
<(B) Organic acid>
The organic acid (B) used in the present invention is preferably an organic acid having a coordination ability with respect to the surface of the copper ion or copper film. More preferably, it is an organic acid having a chelate coordination ability with respect to the surface of the copper ion or copper film, for example, a compound having a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group, or a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group It is preferable that it is 1 type selected from the group which consists of a compound and an amino acid.
（含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物）
本発明に用いられるに用いられる含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物が有する複素環としては、ピロール構造、イミダゾール構造、トリアゾール構造などの複素五員環；ピリジン構造、ピリミジン構造、ピリダジン構造、ピラジン構造などの複素六員環が挙げられる。このような複素環は縮合環を形成していてもよい。具体的には、インドール構造、イソインドール構造、ベンゾイミダゾール構造、ベンゾトリアゾール構造、キノリン構造、イソキノリン構造、キナゾリン構造、シンノリン構造、フタラジン構造、キノキサリン構造、アクリジン構造などが挙げられる。
このような構造を有する有機化合物のうち、ピリジン構造、キノリン構造、ベンゾイミダゾール構造、またはベンゾトリアゾール構造を有する有機化合物が好ましい。
(Compound having a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group, a compound having a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group)
Compounds having a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group used in the present invention, and compounds having a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group include a pyrrole structure, an imidazole structure, a triazole structure, etc. Hetero 5-membered ring; hetero 6-membered ring such as pyridine structure, pyrimidine structure, pyridazine structure, pyrazine structure and the like. Such a heterocyclic ring may form a condensed ring. Specific examples include an indole structure, an isoindole structure, a benzimidazole structure, a benzotriazole structure, a quinoline structure, an isoquinoline structure, a quinazoline structure, a cinnoline structure, a phthalazine structure, a quinoxaline structure, and an acridine structure.
Of the organic compounds having such a structure, organic compounds having a pyridine structure, a quinoline structure, a benzimidazole structure, or a benzotriazole structure are preferable.
含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物としては、たとえば、キノリンカルボン酸、ピリジンカルボン酸、ピリジンジカルボン酸、ピラジンカルボン酸等を挙げることができる。これらのうち、キナルジン酸（たとえば、２−キノリンカルボン酸）、キノリン酸（たとえば、２，３−ピリジンジカルボン酸）がより好ましい。 Examples of the compound having a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group, and the compound having a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group include quinoline carboxylic acid, pyridine carboxylic acid, pyridine dicarboxylic acid, pyrazine carboxylic acid and the like. it can. Of these, quinaldic acid (for example, 2-quinolinecarboxylic acid) and quinolinic acid (for example, 2,3-pyridinedicarboxylic acid) are more preferable.
（アミノ酸）
アミノ酸としては、たとえば、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン、グルタミン酸、グリシン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、セリン、トレオニン、チロシン、パリンなどが挙げられる。特に、含窒素複素五員環とカルボキシル基を有する化合物、含窒素複素六員環とカルボキシル基を有する化合物であり、かつアミノ酸であるヒスチジン、トリプトファン、プロリンは前記（Ｂ）成分として最も好ましく用いることが可能である。
(amino acid)
Examples of amino acids include alanine, arginine, asparagine, aspartic acid, cysteine, glutamine, glutamic acid, glycine, isoleucine, leucine, lysine, methionine, phenylalanine, serine, threonine, tyrosine, and parin. In particular, a compound having a nitrogen-containing hetero five-membered ring and a carboxyl group, a compound having a nitrogen-containing hetero six-membered ring and a carboxyl group, and the amino acids histidine, tryptophan, and proline are most preferably used as the component (B). Is possible.
これらの（Ｂ）有機酸は１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができるが、後述する銅錯体に用いる配位子と同じ化合物を含むことが好ましい。
これらの（Ｂ）有機酸の含有量は、水系分散体を１００質量％とした場合に、０．０１〜５質量％、好ましくは０．０５〜２質量％とすることができる。（Ｂ）有機酸の含有量が前記範囲未満の場合には、化学機械研磨用水分散体を再使用する際に銅イオンの析出が発生し、被研磨ウエハーにスクラッチを発生させる可能性があり、一方、前記範囲を越えると、Ｃｕ膜などの金属膜の腐食やディッシングが大きくなるおそれがある。
Although these (B) organic acids can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types, it is preferable that the same compound as the ligand used for the copper complex mentioned later is included.
The content of the organic acid (B) can be 0.01 to 5% by mass, preferably 0.05 to 2% by mass, when the aqueous dispersion is 100% by mass. (B) When the content of the organic acid is less than the above range, precipitation of copper ions occurs when reusing the chemical mechanical polishing aqueous dispersion, which may cause scratches on the wafer to be polished. On the other hand, if the above range is exceeded, corrosion or dishing of a metal film such as a Cu film may be increased.
＜（Ｃ）銅イオン＞
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体に含有される（Ｃ）銅イオンの濃度は５．０×１０４〜２．０×１０５ｐｐｍであり、好ましくは６．０×１０４〜１．０×１０５ｐｐｍ、さらに好ましくは７．０×１０４〜９．０×１０４ｐｐｍである。なお、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体に含有される（Ｃ）銅イオンの濃度とは、本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の全ての成分を含めた１００質量％中に含有される（Ｃ）銅イオンの重量から算出される重量濃度である。このような（Ｃ）銅イオンの濃度は、原子吸光分析法、全反射蛍光Ｘ線分析法等、公知の方法により本発明に係る化学機械研磨用水系分散体から定量することができる。
<(C) Copper ion>
The concentration of (C) copper ion contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention is 5.0 × 10 4 to 2.0 × 10 5 ppm, preferably 6.0 × 10 4 to 1. It is 0.0 × 10 5 ppm, more preferably 7.0 × 10 4 to 9.0 × 10 4 ppm. The concentration of (C) copper ions contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention is 100% by mass including all components of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention. It is a weight concentration calculated from the weight of the contained (C) copper ion. The concentration of the (C) copper ion can be quantified from the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention by a known method such as atomic absorption spectrometry or total reflection X-ray fluorescence analysis.
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、（Ｃ）銅イオンの濃度が前記範囲であることにより、銅膜を研磨する場合の化学機械研磨用水系分散体中の銅イオン濃度の変化量を抑制し、安定した研磨特性を維持することができる。たとえば、銅膜の研磨前の化学機械研磨用水分散体中に含まれる銅イオン濃度を１００質量％とした場合、銅膜の研磨により溶出した銅イオンによる化学機械研磨用水系分散体中の銅イオン濃度の上昇量を１〜１０質量％、好ましくは１．５〜８質量％、さらに好ましくは２〜５質量％に抑制することができ、研磨中に化学機械研磨用水系分散体の研磨特性の変化を抑制することができる。その結果、本発明の研磨対象となる広い被研磨面積を有する電気光学表示装置用基板を均一に研磨することが可能となる。 In the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention, (C) the amount of change in the copper ion concentration in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion when the copper film is polished is as follows. It is possible to suppress and maintain stable polishing characteristics. For example, when the concentration of copper ions contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion before polishing the copper film is 100% by mass, the copper ions in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion by the copper ions eluted by polishing the copper film The amount of increase in the concentration can be suppressed to 1 to 10% by mass, preferably 1.5 to 8% by mass, more preferably 2 to 5% by mass, and the polishing characteristics of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion during polishing Change can be suppressed. As a result, it becomes possible to uniformly polish a substrate for an electro-optic display device having a wide area to be polished, which is a polishing target of the present invention.
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、（Ｃ）銅イオンの濃度が前記範囲であることにより、化学機械研磨用水分散体へ研磨により溶出した銅イオンを除去する工程を簡略化することが可能となり、化学機械研磨用水系分散体を再使用することが可能となる。これに対して、化学機械研磨用水系分散体に含有される銅イオンの濃度が前記範囲を超える場合、研磨後の配線上に銅イオンが付着して残留し、被研磨物である半導体回路の電気特性の悪化による歩留まりの低下等が誘発されるため好ましくない。また、化学機械研磨用水系分散体に含有される銅イオンの濃度が前記範囲より小さい場合、再使用するために銅イオンを使用前の濃度まで除去することが非常に困難となり、初期の特性と同じ研磨特性を持つ化学機械研磨用水系分散体を再生することが困難となるため好ましくない。 The chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention can simplify the process of removing the copper ions eluted by polishing into the chemical mechanical polishing aqueous dispersion by (C) the concentration of copper ions being in the above range. This makes it possible to reuse the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. On the other hand, when the concentration of copper ions contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion exceeds the above range, copper ions adhere to and remain on the polished wiring, and the semiconductor circuit that is the object to be polished This is not preferable because a decrease in yield due to deterioration of electrical characteristics is induced. In addition, when the concentration of copper ions contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion is smaller than the above range, it becomes very difficult to remove the copper ions to the concentration before use for reuse, and the initial characteristics and It is not preferable because it is difficult to regenerate the chemical mechanical polishing aqueous dispersion having the same polishing characteristics.
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、（Ｃ）銅イオンを水溶性の無機塩、あるいは有機酸との塩として配合し、化学機械研磨用水系分散体に含有させることができる。このような水溶性の無機塩としては、たとえば、硫酸銅、塩化銅、硝酸銅などを用いることができる。有機酸との塩としては、本発明の化学機械研磨用水系分散体に含まれる前記（Ｂ）有機酸との塩や錯体として配合し、含有させることが好ましい。前記（Ｂ）有機酸との塩として配合し、さらに前記（Ｂ）有機酸を含有することにより、研磨により化学機械研磨用水系分散体中に溶出する銅イオンが、あらかじめ添加されている前記（Ｂ）有機酸との塩と同じ化学特性を持つため、再使用を行う際に銅イオンを十分に除去する工程を経なくても化学機械研磨用水系分散体の研磨特性を変化させることがない。 The chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention can contain (C) a copper ion as a water-soluble inorganic salt or a salt with an organic acid, and can be contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. As such a water-soluble inorganic salt, for example, copper sulfate, copper chloride, copper nitrate and the like can be used. The salt with an organic acid is preferably blended and contained as a salt or complex with the (B) organic acid contained in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention. By blending as a salt with the (B) organic acid and further containing the (B) organic acid, the copper ions eluted into the chemical mechanical polishing aqueous dispersion by polishing are added in advance ( B) Since it has the same chemical characteristics as a salt with an organic acid, it does not change the polishing characteristics of the aqueous dispersion for chemical mechanical polishing even if it does not undergo a process of sufficiently removing copper ions when reused. .
＜界面活性剤＞
本発明の化学機械研磨用水系分散体には、さらに非イオン性界面活性剤、アニオン界面活性剤またはカチオン界面活性剤を配合することができる。前記非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール型非イオン性界面活性剤や三重結合を有する非イオン性界面活性剤が挙げられる。具体的には、ポリエチレングリコール型非イオン性界面活性剤としてはポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル等が挙げられる。また、三重結合を有する非イオン性界面活性剤としては、アセチレングリコールおよびそのエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコールなどが挙げられる。また、シリコーン系界面活性剤、ポリビニルアルコール、シクロデキストリン、ポリビニルメチルエーテル、およびヒドロキシエチルセルロースなども挙げられる。前記アニオン界面活性剤としては、例えば、脂肪族せっけん、硫酸エステル塩、およびリン酸エステル塩などが挙げられる。前記カチオン界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩および脂肪族アンモニウム塩などが挙げられる。これらの界面活性剤は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
<Surfactant>
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention may further contain a nonionic surfactant, an anionic surfactant or a cationic surfactant. Examples of the nonionic surfactant include polyethylene glycol type nonionic surfactants and nonionic surfactants having a triple bond. Specifically, examples of the polyethylene glycol type nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxypropylene alkyl ether, and polyoxyalkylene alkyl ether. Examples of the nonionic surfactant having a triple bond include acetylene glycol and its ethylene oxide adduct, acetylene alcohol, and the like. Also included are silicone surfactants, polyvinyl alcohol, cyclodextrin, polyvinyl methyl ether, and hydroxyethyl cellulose. Examples of the anionic surfactant include aliphatic soap, sulfate ester salt, and phosphate ester salt. Examples of the cationic surfactant include aliphatic amine salts and aliphatic ammonium salts. These surfactants can be used singly or in combination of two or more.
これらの界面活性剤は、化学機械研磨用水系分散体の総量１００質量％に対して、好ましくは２質量％以下、より好ましくは０．０１〜２質量％の量で含有される。界面活性剤の量が０．０１質量％未満になるとディッシング、エロージョン等を十分に抑制することができないことがあり、界面活性剤の量が２質量％を超えると研磨速度の低下等を招き、さらに発泡が抑制できなくなることもある。 These surfactants are contained in an amount of preferably 2% by mass or less, more preferably 0.01 to 2% by mass, based on 100% by mass of the total amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. When the amount of the surfactant is less than 0.01% by mass, dishing, erosion and the like may not be sufficiently suppressed, and when the amount of the surfactant exceeds 2% by mass, the polishing rate is decreased. Furthermore, foaming may not be suppressed.
本発明の化学機械研磨用水系分散体には、アニオン界面活性剤を使用する場合、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムあるいはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムが好適に使用される。ドデシルベンゼンスルホン酸カリウムやドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムはドデシルベンゼンスルホン酸を水酸化カリウムまたはアンモニアによって中和することにより調製することができる。前記ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、および／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの含有量は、水系分散体の総量１００質量％に対して、０．００２〜１質量％とすることができ、好ましくは０．００５〜０．５質量％、更には０．００７〜０．３質量％とすることができる。また両者を併用することもできる。界面活性剤の含有量が１質量％を越えると、研磨レートの低下などの研磨性能の低下が起こり好ましくない。また、０．００２質量％未満ではエロージョンの抑制効果が十分でない。 In the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention, when an anionic surfactant is used, potassium dodecylbenzenesulfonate or ammonium dodecylbenzenesulfonate is preferably used. Potassium dodecylbenzenesulfonate and ammonium dodecylbenzenesulfonate can be prepared by neutralizing dodecylbenzenesulfonate with potassium hydroxide or ammonia. Content of the said potassium dodecylbenzenesulfonate and / or ammonium dodecylbenzenesulfonate can be 0.002-1 mass% with respect to 100 mass% of total amounts of an aqueous dispersion, Preferably it is 0.005. -0.5 mass%, Furthermore, it can be set as 0.007-0.3 mass%. Moreover, both can also be used together. When the content of the surfactant exceeds 1% by mass, the polishing performance such as the polishing rate is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.002% by mass, the effect of suppressing erosion is not sufficient.
さらに、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、および／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムの一部を、他の界面活性剤で置き換えることができる。このとき使用しうる他の界面活性剤としては、カチオン系、アニオン系及び非イオン系のいずれをも挙げることができる。カチオン系界面活性剤としては、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。また、アニオン系界面活性剤としては、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩などが挙げられる。非イオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のエーテル型、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル等のエーテルエステル型、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ソルビタンエステル等のエステル型などが挙げられる。これらの界面活性剤を併用する場合は、その使用量は、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、および／またはドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムと他の界面活性剤の合計量に対して１０質量％未満とすることができる。 In addition, potassium dodecylbenzenesulfonate and / or a portion of ammonium dodecylbenzenesulfonate can be replaced with other surfactants. Examples of other surfactants that can be used at this time include cationic, anionic and nonionic surfactants. Examples of the cationic surfactant include aliphatic amine salts and aliphatic ammonium salts. Examples of the anionic surfactant include fatty acid soaps, carboxylates such as alkyl ether carboxylates, sulfonates such as alkylbenzene sulfonates, alkylnaphthalene sulfonates, α-olefin sulfonates, and higher alcohol sulfates. Examples thereof include ester salts, sulfuric acid ester salts such as alkyl ether sulfates, and phosphoric acid ester salts such as alkyl phosphoric acid esters. Examples of the nonionic surfactant include ether types such as polyoxyethylene alkyl ether, ether ester types such as glycerol ester polyoxyethylene ether, and ester types such as polyethylene glycol fatty acid ester, glycerol ester and sorbitan ester. . When these surfactants are used in combination, the amount used may be less than 10% by mass based on the total amount of potassium dodecylbenzenesulfonate and / or ammonium dodecylbenzenesulfonate and other surfactants. it can.
＜ｐＨ調整剤＞
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらにｐＨ調整剤を含むことができる。ｐＨ調整剤としては有機酸、塩基化合物等を用いることができる。本発明に用いることのできる有機酸は、例えばアミノ酸としては、グリシン、アラニン、フェニルアラニン、ヒスチジン、システイン、メチオニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、およびトリプトファンなどが好ましい。有機酸としては、ギ酸、乳酸、酢酸、酒石酸、フマル酸、グリコール酸、フタル酸、マレイン酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、アントラニル酸、マロン酸およびグルタル酸、少なくとも１個のＮ原子を含む複素六員環を含む有機酸、複素五員環からなるヘテロ環化合物を含む有機酸が挙げられる。より具体的には、キナルジン酸、キノリン酸、８−キノリノール、８−アミノキノリン、キノリン−８−カルボン酸、２−ピリジンカルボン酸、キサンツレン酸、キヌレン酸、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、７−ヒドリキシ−５−メチル−１，３，４−トリアザインドリジン、ニコチン酸、およびピコリオン酸などが好ましい。
<PH adjuster>
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention may further contain a pH adjuster. An organic acid, a base compound, etc. can be used as a pH adjuster. The organic acid that can be used in the present invention is preferably, for example, glycine, alanine, phenylalanine, histidine, cysteine, methionine, glutamic acid, aspartic acid, or tryptophan. Examples of organic acids include formic acid, lactic acid, acetic acid, tartaric acid, fumaric acid, glycolic acid, phthalic acid, maleic acid, oxalic acid, citric acid, malic acid, anthranilic acid, malonic acid and glutaric acid, and at least one N atom. Examples thereof include organic acids containing a heterocyclic six-membered ring and organic acids containing a heterocyclic compound composed of a five-membered heterocyclic ring. More specifically, quinaldic acid, quinolinic acid, 8-quinolinol, 8-aminoquinoline, quinoline-8-carboxylic acid, 2-pyridinecarboxylic acid, xanthurenic acid, quinurenic acid, benzotriazole, benzimidazole, 7-hydroxy- 5-methyl-1,3,4-triazaindolizine, nicotinic acid, picolinic acid and the like are preferable.
本発明に用いることのできる有機酸の含有量は、化学機械研磨水分散体の総量を１００質量％とした場合に、０．００１〜２．０質量％が好ましく、０．０１〜１．５質量％が好ましい。有機酸の含有量が０．００１質量％未満の場合には、Ｃｕディッシングが大きくなるおそれがある。一方、２．０質量％を越えると、（Ａ）砥粒の沈降・分離により、安定な水系分散体を作成することができないことがある。 The content of the organic acid that can be used in the present invention is preferably 0.001 to 2.0% by mass, and 0.01 to 1.5% when the total amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion is 100% by mass. Mass% is preferred. When the content of the organic acid is less than 0.001% by mass, Cu dishing may be increased. On the other hand, if it exceeds 2.0 mass%, (A) a stable aqueous dispersion may not be produced due to sedimentation and separation of the abrasive grains.
本発明に用いることのできる塩基化合物は、有機塩基、無機塩基のいずれも使用することができる。有機塩基としては、エチレンジアミン、エタノールアミン、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）等が挙げられる。無機塩基としては、アンモニア、水酸化カリウム等が挙げられ、これらの塩基１種のみを用いてもよいし、２種以上を併用することもできる。 As the base compound that can be used in the present invention, either an organic base or an inorganic base can be used. Examples of the organic base include ethylenediamine, ethanolamine, TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and the like. Examples of the inorganic base include ammonia, potassium hydroxide and the like, and only one kind of these bases may be used, or two or more kinds may be used in combination.
これらの塩基は、水系分散体を１００質量％とした場合に、１０質量％以下とすることができ、特に０．００１〜８質量％含有させることができる。塩基の含有量が１０質量％以下の範囲であれば、分散性に優れ、十分に安定な水系分散体とすることができるため好ましい。 These bases can be contained in an amount of 10% by mass or less, particularly 0.001 to 8% by mass, based on 100% by mass of the aqueous dispersion. If the content of the base is in the range of 10% by mass or less, it is preferable because it is excellent in dispersibility and can be a sufficiently stable aqueous dispersion.
前記のｐＨ調整剤を添加することにより、本発明の化学機械研磨用水系分散体を最適なｐＨに維持することができる。本発明の化学機械研磨用水系分散体のｐＨは被研磨膜の膜質に応じて適宜調整すればよいが、たとえば、低誘電絶縁膜が誘電率２．０〜２．５の多孔質膜である場合、ｐＨ７〜１１が好ましく、ｐＨ８〜１０が更に好ましい。 By adding the pH adjusting agent, the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention can be maintained at an optimum pH. The pH of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention may be appropriately adjusted according to the film quality of the film to be polished. For example, the low dielectric insulating film is a porous film having a dielectric constant of 2.0 to 2.5. In this case, pH 7 to 11 is preferable, and pH 8 to 10 is more preferable.
＜酸化剤＞
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに酸化剤を含むことができる。酸化剤としては、被研磨面である金属膜の電気化学的性質などにより、例えば、Ｐｏｕｒｂａｉｘ線図等によって適宜のものを選択して使用することができる。たとえば、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、硫酸鉄、オゾンおよび過ヨウ素酸カリウム、過酢酸などが挙げられる。これらの酸化剤は１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの酸化剤のうち、分解生成物が無害である点で、過酸化水素、有機過酸化物、および過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩が特に好ましい。さらに酸化力および再使用の容易さなどを考慮すると、過酸化水素が特に好ましい。
<Oxidizing agent>
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention may further contain an oxidizing agent. As the oxidizing agent, an appropriate one can be selected and used according to, for example, a Pourbaix diagram depending on the electrochemical properties of the metal film that is the surface to be polished. Examples include ammonium persulfate, potassium persulfate, hydrogen peroxide, ferric nitrate, diammonium cerium nitrate, iron sulfate, ozone, potassium periodate, and peracetic acid. These oxidizing agents can be used alone or in combination of two or more. Of these oxidants, hydrogen peroxide, organic peroxides, and persulfates such as ammonium persulfate are particularly preferred because the decomposition products are harmless. Furthermore, hydrogen peroxide is particularly preferable in consideration of oxidizing power and ease of reuse.
酸化剤の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の総量の０．０１〜９質量％が好ましく、０．０１〜５質量％がより好ましく、０．０２〜６質量％がさらに好ましく、０．０５〜２質量％が最も好ましい。酸化剤の含有量が前記範囲未満の場合には、銅膜の表面を十分に酸化させることができないため、十分な研磨速度を確保できないことがあり、一方、前記範囲を越えると、銅膜などの銅膜の腐食やディッシングが大きくなるおそれがある。 The content of the oxidizing agent is preferably 0.01 to 9% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, still more preferably 0.02 to 6% by mass, based on the total amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. 0.05 to 2% by mass is most preferable. When the content of the oxidizing agent is less than the above range, the surface of the copper film cannot be sufficiently oxidized, so that a sufficient polishing rate may not be ensured. Corrosion and dishing of the copper film may increase.
＜水溶性高分子＞
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに水溶性高分子を含むことができる。水溶性高分子としては、たとえばポリアクリル酸およびその塩、ポリメタクリル酸およびその塩、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン等をあげることができる。これらの水溶性高分子は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定された、ポリエチレングリコール換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００を超え、好ましくは１万を超えて２００万以下、より好ましくは２０万〜１５０万、さらに好ましくは５０万〜１３０万である。重量平均分子量が前記範囲にあると、金属膜や絶縁膜に対して高い研磨速度を維持しながら、金属膜スクラッチ等のディフェクトを抑制することができる。重量平均分子量が前記下限より小さいと金属膜や絶縁膜の研磨選択性が低下することがある。また、重量平均分子量が大きすぎると実用的な金属膜研磨速度が得られず、化学機械研磨用水系分散体供給装置内で（Ａ）砥粒の凝集を引き起こし、凝集した（Ａ）砥粒によってＣｕ上のスクラッチが増加するおそれがある。
<Water-soluble polymer>
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention may further contain a water-soluble polymer. Examples of the water-soluble polymer include polyacrylic acid and its salt, polymethacrylic acid and its salt, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyvinyl pyrrolidone and the like. These water-soluble polymers have a weight average molecular weight (Mw) in terms of polyethylene glycol measured by GPC (gel permeation chromatography) of more than 1000, preferably more than 10,000 and less than 2 million, more preferably 200,000 to 1,500,000, more preferably 500,000 to 1,300,000. When the weight average molecular weight is in the above range, defects such as metal film scratches can be suppressed while maintaining a high polishing rate for the metal film and the insulating film. When the weight average molecular weight is smaller than the lower limit, the polishing selectivity of the metal film or the insulating film may be lowered. Moreover, if the weight average molecular weight is too large, a practical metal film polishing rate cannot be obtained, and (A) causes agglomeration of the abrasive grains in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion supply device. There is a risk that scratches on Cu increase.
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、必要に応じて水溶性高分子を含有することができる。水溶性高分子としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、およびこれらの塩；ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリアクリルアミド、ポリビニルホルムアミド、ポリエチレンイミン、ポリビニルオキサゾリン、ポリビニルイミダゾールなどのビニル系合成ポリマー；ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、加工澱粉などの天然多糖類の変性物などが挙げられるが、これらに限定されない。これらの水溶性高分子は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。 The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present embodiment may contain a water-soluble polymer as required. Examples of the water-soluble polymer include polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polymaleic acid, polyvinyl sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, and salts thereof; polyvinyl alcohol, polyoxyethylene, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl pyridine , Vinyl synthetic polymers such as polyacrylamide, polyvinyl formamide, polyethyleneimine, polyvinyl oxazoline, polyvinyl imidazole; modified products of natural polysaccharides such as hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, and modified starch, but are not limited thereto. These water-soluble polymers can be used alone or in combination of two or more.
水溶性高分子は、ホモポリマーでもよいが、２種以上の単量体とを共重合させた共重合体であってもよい。カルボキシル基を有する単量体、スルホン酸基を有する単量体、ヒドロキシル基を有する単量体、ポリエチレンオキシド鎖を有する単量体、アミノ基を有する単量体、複素環を有する単量体などを用いることができる。 The water-soluble polymer may be a homopolymer or a copolymer obtained by copolymerizing two or more monomers. Monomers having a carboxyl group, monomers having a sulfonic acid group, monomers having a hydroxyl group, monomers having a polyethylene oxide chain, monomers having an amino group, monomers having a heterocyclic ring, etc. Can be used.
アミド基を有する単量体としては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、アクリロイルモルフォリン、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルホルムアミドなどを用いることができる。 Examples of the monomer having an amide group include (meth) acrylamide, N-methylolacrylamide, N-2-hydroxyethylacrylamide, acryloylmorpholine, dimethylaminopropylacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-isopropylacrylamide, N -Vinylacetamide, N-vinylformamide, etc. can be used.
カルボキシル基を有する単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびこれらの塩を用いることができる。これらは、酸無水物の状態で用いてもよい。
ヒドロキシル基を有する単量体としては、ビニルアルコール、アリルアルコール、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ビニルグリコール酸などを用いることができる。側鎖のアルキル鎖長、エチレンオキシド鎖長、は特に限定はされない。
As the monomer having a carboxyl group, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and salts thereof can be used. You may use these in the state of an acid anhydride.
As the monomer having a hydroxyl group, vinyl alcohol, allyl alcohol, hydroxyethyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, vinyl glycolic acid, or the like can be used. The side chain alkyl chain length and ethylene oxide chain length are not particularly limited.
アミノ基を有する単量体としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、などを用いることができる。側鎖のアルキル鎖長は特に限定はされず、また、種々のカチオン化剤によって、４級塩化されたものであってもよい。
複素環を有する単量体としては、ビニルイミダゾール、ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルオキサゾリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、ビニルピロール、ビニルキノリンなどを用いることができる。
また、分子内に重合性二重結合とスルホン酸基を有する界面活性剤が市販されており、このような界面活性剤を単量体として用いてもよい。このような界面活性剤としては、エレミノールＪＳ−２（三洋化成社製）、ラテムルＡＳＫ（花王社製）などがある。
As the monomer having an amino group, N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate or the like can be used. The side chain alkyl chain length is not particularly limited, and may be quaternized with various cationizing agents.
As a monomer having a heterocyclic ring, vinyl imidazole, vinyl pyrrolidone, vinyl pyridine, vinyl oxazoline, N-vinyl caprolactam, vinyl pyrrole, vinyl quinoline and the like can be used.
A surfactant having a polymerizable double bond and a sulfonic acid group in the molecule is commercially available, and such a surfactant may be used as a monomer. Examples of such a surfactant include Eleminol JS-2 (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd.), Latemuru ASK (manufactured by Kao Corporation), and the like.
その他の単量体としては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物、ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル−１，３−ブタジエンなどの脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物、リン酸化合物などを挙げることができる。前記単量体は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。 Other monomers include cyclohexyl (meth) acrylate, styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, p-methylstyrene and other aromatic vinyl compounds, butadiene, isoprene, 2-chloro-1,3-butadiene, 1 -Aliphatic conjugated dienes such as chloro-1,3-butadiene, vinyl cyanide compounds such as (meth) acrylonitrile, and phosphoric acid compounds. The said monomer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
水溶性高分子の重量平均分子量は、２，０００〜１，２００，０００であることが好ましく、１０，０００〜８００，０００であることがより好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量が前記範囲にあると、銅膜のディッシング抑制効果を向上させることができる。
水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の質量に対し０．００１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．５質量％以下であることがより好ましい。水溶性高分子の含有量が前記範囲にあると、銅膜のディッシング抑制効果を向上させることができる。
The weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 2,000 to 1,200,000, and more preferably 10,000 to 800,000. When the weight average molecular weight of the water-soluble polymer is within the above range, the dishing suppressing effect of the copper film can be improved.
The content of the water-soluble polymer is preferably 0.001% by mass or more and 1% by mass or less, and 0.01% by mass or more and 0.5% by mass or less with respect to the mass of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. It is more preferable. When the content of the water-soluble polymer is in the above range, the dishing suppressing effect of the copper film can be improved.
本発明の化学機械研磨用水系分散体の粘度は１０ｍＰａ・ｓ未満であることが好ましい。この粘度はポリ（メタ）アクリル酸およびその塩の平均分子量および含有量をコントロールすることによって調整することができる。化学機械研磨用水系分散体の粘度が前記範囲を超えると研磨布上に安定して化学機械研磨用水系分散体を供給できないことがある。その結果、研磨布の温度上昇や研磨むら（面内均一性の劣化）などが生じて、金属膜および絶縁膜の研磨速度やＣｕディッシングにばらつきが発生することがある。 The viscosity of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention is preferably less than 10 mPa · s. This viscosity can be adjusted by controlling the average molecular weight and content of poly (meth) acrylic acid and its salts. When the viscosity of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion exceeds the above range, the chemical mechanical polishing aqueous dispersion may not be stably supplied onto the polishing cloth. As a result, the temperature of the polishing cloth rises and polishing unevenness (deterioration of in-plane uniformity) occurs, which may cause variations in the polishing rate and Cu dishing of the metal film and the insulating film.
〔化学機械研磨用水系分散体の製造方法〕
本発明の化学機械研磨用水系分散体は、前記化学機械研磨用水系分散体の使用後に排出される研磨後の廃液を、（ａ）研磨に用いられた化学機械研磨用水系分散体を回収する工程と、（ｂ）研磨に用いられた化学機械研磨用水系分散体中の粗大粒子を除去する工程を含む、化学機械研磨用水系分散体の製造方法により製造、さらに再生利用することができる。以下、各工程について詳細に説明する。
[Method for producing chemical mechanical polishing aqueous dispersion]
The chemical mechanical polishing aqueous dispersion of the present invention is a waste liquid after polishing discharged after use of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion. (A) The chemical mechanical polishing aqueous dispersion used for polishing is recovered. It can be produced and further recycled by a method for producing a chemical mechanical polishing aqueous dispersion, which comprises a step and (b) a step of removing coarse particles in the chemical mechanical polishing aqueous dispersion used for polishing. Hereinafter, each step will be described in detail.
前記（ａ）研磨に用いられた化学機械研磨用水系分散体を回収する工程は、（Ａ）砥粒の分散特性に変化を与えない方法であればどのような方法でも適応することが可能である。例えば特開平１１−１０５４０号公報や特開平１１−２７７４３４号公報に記載されているように、研磨に使用した後の化学機械研磨用水系分散体を回収するラインを装置に設けてバッファータンクに回収してもよい。 The (a) step of recovering the chemical mechanical polishing aqueous dispersion used for polishing can be applied by any method as long as it does not change the dispersion characteristics of the abrasive grains (A). is there. For example, as described in JP-A-11-10540 and JP-A-11-277434, a line for recovering the chemical mechanical polishing aqueous dispersion after use in the polishing is provided in the apparatus and recovered in the buffer tank. May be.
前記（ａ）工程は、遠心分離により砥粒を分散媒から分離した後、分離した砥粒と必要な成分を再度所定の濃度になるように調整することによっても達成できる。たとえば、特開２００２−１７０７９３に記載されているような方法を用いて、前記（Ａ）砥粒を分離し、回収した砥粒へ必要な成分を再度添加することにより達成させることができる。 The step (a) can also be achieved by separating the abrasive grains from the dispersion medium by centrifugal separation, and then adjusting the separated abrasive grains and necessary components to a predetermined concentration again. For example, it can be achieved by separating the (A) abrasive grains using a method as described in JP-A-2002-170793 and adding the necessary components again to the collected abrasive grains.
前記（ｂ）工程は、回収された化学機械研磨用水系分散体中に含まれる（Ａ）砥粒の濃度と（Ｂ）有機酸の濃度、および（Ｃ）銅イオンの濃度に変化を与えない方法であればどのような方法でも適用することができる。なお、（Ａ）砥粒の濃度に変化を与えないとは、前記工程（ｂ）を行う前の（Ａ）砥粒の含有量を１００質量％とすると、前記工程（ｂ）終了後の（Ａ）砥粒の含有量が１００〜８０質量％であり、好ましくは９９〜９０質量％、最も好ましくは９８〜９５質量％である状態をいう。また、（Ｂ）有機酸の濃度の濃度に変化を与えないとは、前記工程（ｂ）を行う前の（Ｂ）有機酸の濃度の含有量を１００質量％とすると、前記工程（ｂ）終了後の（Ａ）砥粒の含有量が１００〜８０質量％であり、好ましくは９９〜９０質量％、最も好ましくは９８〜９５質量％である状態をいう。さらに（Ｃ）銅イオンの濃度に変化を与えないとは、前記工程（ｂ）を行う前の（Ｃ）銅イオンの含有量を１００質量％とすると、前記工程（ｂ）終了後の（Ｃ）銅イオンの含有量が１００〜８０質量％であり、好ましくは９９〜９０質量％、最も好ましくは９８〜９５質量％である状態をいう。 The step (b) does not change (A) the concentration of abrasive grains, (B) the concentration of organic acid, and (C) the concentration of copper ions contained in the recovered chemical mechanical polishing aqueous dispersion. Any method can be applied. Note that (A) that the concentration of the abrasive grains is not changed means that the content of the abrasive grains (A) before the step (b) is 100% by mass, after the completion of the step (b) ( A) The content of abrasive grains is 100 to 80% by mass, preferably 99 to 90% by mass, and most preferably 98 to 95% by mass. Further, (B) that the concentration of the organic acid does not change means that the content of the concentration of the organic acid (B) before the step (b) is 100% by mass, the step (b) The (A) abrasive grain content after completion is 100 to 80% by mass, preferably 99 to 90% by mass, and most preferably 98 to 95% by mass. Further, (C) that the concentration of copper ions is not changed means that the content of (C) copper ions before the step (b) is 100% by mass (C) after the completion of the step (b). ) The copper ion content is 100 to 80% by mass, preferably 99 to 90% by mass, and most preferably 98 to 95% by mass.
前記（ｂ）工程は、具体的には、メッシュやフィルターによる粗大粒子、研磨屑の濾過などの方法を適応することができ、例えば特開平１１−１０５４０号公報や特開平１１−２７７４３４号公報に記載されている方法を適応することができる。 In the step (b), specifically, a method such as filtration of coarse particles by a mesh or a filter or polishing scraps can be applied. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-10540 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-277434. The described method can be adapted.
〔化学機械研磨方法〕
化学機械研磨工程では、研磨対象の違いによって、その目的に応じた適切な化学機械研磨用水系分散体を選択することができる。本実施形態に係る電気光学表示装置用基板の製造方法における化学機械研磨工程は、主として配線層を研磨する一段階目の工程と、主としてバリアメタル層を研磨する二段階目の工程とに分けることができる。本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、特に銅または銅合金からなる配線層を研磨するための一段階目の工程に適用することができる。
本実施形態に係る化学機械研磨方法および電気光学表示装置用基板の製造方法を、図面を用いて具体的に説明する。図４（Ａ）ないし図４（Ｅ）は、本実施形態に係る化学機械研磨の工程を示す電気光学表示装置用基板の断面図である。
[Chemical mechanical polishing method]
In the chemical mechanical polishing step, an appropriate chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the purpose can be selected depending on the polishing target. The chemical mechanical polishing step in the method for manufacturing the substrate for an electro-optic display device according to the present embodiment is divided into a first step for mainly polishing the wiring layer and a second step for mainly polishing the barrier metal layer. Can do. The chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to the present invention can be applied to a first stage process for polishing a wiring layer made of copper or a copper alloy.
A chemical mechanical polishing method and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical display device according to this embodiment will be specifically described with reference to the drawings. 4A to 4E are cross-sectional views of the electro-optical display substrate showing the chemical mechanical polishing process according to this embodiment.
本実施形態に係る電気光学表示装置用基板の製造方法に用いる基板として、例えば、ガラス基板、フィルム基板、またはプラスチック基板を用いることができる。基板の大きさは、例えば、対角線寸法が１５００〜３０００ｍｍのものを用いることができる。該基板は、単層体であってもよいし、基板の上にシリコン基板などの絶縁膜が形成された積層体であってもよい。 For example, a glass substrate, a film substrate, or a plastic substrate can be used as the substrate used in the method for manufacturing the substrate for an electro-optic display device according to the present embodiment. As the size of the substrate, for example, a substrate having a diagonal dimension of 1500 to 3000 mm can be used. The substrate may be a single layer or a laminate in which an insulating film such as a silicon substrate is formed on the substrate.
（１）まず、図４（Ａ）に示すように、例えば、ガラス基板１０を用意する。ガラス基板１０は、配線を形成するための凹部１２を有している。ガラス基板１０上に配線用凹部１２を形成する方法として、ドライエッチングが用いられる。ドライエッチングとは、加速させたイオンをガラス基板に照射し物理的に加工する方法であり、照射ビームを精密にコントロールすることで微細なパターン加工ができる。ガラス基板１０は、ソーダ石灰ガラス、ほう珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどの材質からなることができる。
(1) First, as shown in FIG. 4A, for example, a
（２）図４（Ｂ）に示すように、ガラス基板１０の表面ならびに配線用凹部１２の底部および内壁面を覆うように、バリアメタル層２０を形成する。バリアメタル層２０は、例えば、タンタルや窒化タンタルなどの材質からなることができる。バリアメタル層２０の成膜方法としては、化学的気相成長法（ＣＶＤ）を適用する。
(2) As shown in FIG. 4B, a
（３）図４（Ｃ）に示すように、バリアメタル層２０の表面を覆うように配線用金属を堆積させて、金属膜３０を形成する。金属膜３０は、銅または銅合金からなることができる。金属膜３０の成膜方法として、スパッタリング、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）を適用することができる。
(3) As shown in FIG. 4C, a metal for wiring is deposited so as to cover the surface of the
（４）図４（Ｄ）に示すように、配線用凹部１２に埋没された部分以外の余分な金属膜３０を、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体を用いて化学機械研磨して除去する。さらに、上記の方法をバリアメタル層２０が露出するまで繰り返す。化学機械研磨後、被研磨面に残留する砥粒は除去することが好ましい。この砥粒の除去は通常の洗浄方法によって行うことができる。
(4) As shown in FIG. 4D, the
（５）最後に、図４（Ｅ）に示すように、配線用凹部１２以外に形成されたバリアメタル層２０ａおよびガラス基板１０の表面を、バリアメタル層用の化学機械研磨用水系分散体を用いて化学機械研磨して除去する。
上記の方法により、高度に微細化され、かつ面内平坦性に優れた電気光学表示装置用基板が得られる。
(5) Finally, as shown in FIG. 4 (E), the surface of the
By the above method, a substrate for an electro-optic display device that is highly miniaturized and excellent in in-plane flatness can be obtained.
［実施例］
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例および比較例における「部」および「％」は、特に断りのない限り、それぞれ「重量部」および「質量％」を示す。
[Example]
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited at all by this Example. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” represent “parts by weight” and “mass%”, respectively, unless otherwise specified.
〔調製例１〕
（ヒュームドシリカ粒子含有水分散体の調製）
ヒュームドシリカ粒子（日本アエロジル（株）製、商品名：アエロジル ９０Ｇ）１００重量部を、イオン交換水９００重量部に超音波分散機によって分散し、孔径５μｍのフィルターを通して濾過し、ヒュームドシリカ粒子を１０質量％含有するヒュームドシリカの水分散体（１）を調製した。
[Preparation Example 1]
(Preparation of fumed silica particle-containing aqueous dispersion)
100 parts by weight of fumed silica particles (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name: Aerosil 90G) are dispersed in 900 parts by weight of ion-exchanged water using an ultrasonic disperser, filtered through a filter having a pore size of 5 μm, and fumed silica particles. An aqueous dispersion (1) of fumed silica containing 10% by mass of was prepared.
〔調製例２〕
（コロイダルシリカ含有水分散体の調製）
濃度２５質量％のアンモニア水６５質量部、イオン交換水４０質量部、エタノール１７０質量部およびテトラエトキシシラン２０質量部を、フラスコに仕込み、回転速度１８０ｒｐｍで撹拌しながら６０℃に昇温した。温度を６０℃に維持しながら撹拌を２時間継続してコロイダルシリカ粒子のアルコール分散体を得た。
引き続きイオン交換水を添加してロータリーエバポレータによりアルコール成分を除去し、コロイダルシリカ粒子を１０質量％含むコロイダルシリカの水分散体（２）を調製した。この水分散体に含まれるコロイダルシリカ粒子を走査型電子顕微鏡で観察したところ平均一次粒子径は３０ｎｍであり、レーザー回折法（堀場製作所（株）製、動的光散乱式粒子径分布測定装置、型番「ＨＯＲＩＢＡ ＬＢ５５０」）によって測定した平均二次粒子径は６５ｎｍであった。
[Preparation Example 2]
(Preparation of colloidal silica-containing aqueous dispersion)
A flask was charged with 65 parts by mass of ammonia water having a concentration of 25% by mass, 40 parts by mass of ion-exchanged water, 170 parts by mass of ethanol, and 20 parts by mass of tetraethoxysilane, and the temperature was raised to 60 ° C. while stirring at a rotational speed of 180 rpm. Stirring was continued for 2 hours while maintaining the temperature at 60 ° C. to obtain an alcohol dispersion of colloidal silica particles.
Subsequently, ion-exchanged water was added, the alcohol component was removed by a rotary evaporator, and an aqueous dispersion (2) of colloidal silica containing 10% by mass of colloidal silica particles was prepared. When the colloidal silica particles contained in the aqueous dispersion were observed with a scanning electron microscope, the average primary particle size was 30 nm, and laser diffraction method (manufactured by Horiba, Ltd., dynamic light scattering particle size distribution measuring device, The average secondary particle diameter measured by the model number “HORIBA LB550”) was 65 nm.
〔調製例３〕
（コロイダルシリカ含有水分散体の調製）
濃度２５質量％のアンモニア水７０質量部、イオン交換水３０質量部、エタノール１００質量部およびテトラエトキシシラン３０質量部を、フラスコに仕込み、回転速度１８０ｒｐｍで撹拌しながら７０℃に昇温した。温度を７０℃に維持しながら撹拌を２時間継続してコロイダルシリカ粒子のアルコール分散体を得た。
引き続きイオン交換水を添加してロータリーエバポレータによりアルコール成分を除去し、コロイダルシリカ粒子を１０質量％含むコロイダルシリカの水分散体（３）を調製した。この水分散体に含まれるコロイダルシリカ粒子を走査型電子顕微鏡で観察したところ平均一次粒子径は３０ｎｍであり、レーザー回折法（堀場製作所（株）製、動的光散乱式粒子径分布測定装置、型番「ＨＯＲＩＢＡ ＬＢ５５０」）によって測定した平均二次粒子径は７５ｎｍであった。
[Preparation Example 3]
(Preparation of colloidal silica-containing aqueous dispersion)
A flask was charged with 70 parts by mass of ammonia water having a concentration of 25% by mass, 30 parts by mass of ion-exchanged water, 100 parts by mass of ethanol and 30 parts by mass of tetraethoxysilane, and the temperature was raised to 70 ° C. while stirring at a rotational speed of 180 rpm. Stirring was continued for 2 hours while maintaining the temperature at 70 ° C. to obtain an alcohol dispersion of colloidal silica particles.
Subsequently, ion-exchanged water was added and the alcohol component was removed by a rotary evaporator to prepare an aqueous dispersion (3) of colloidal silica containing 10% by mass of colloidal silica particles. When the colloidal silica particles contained in the aqueous dispersion were observed with a scanning electron microscope, the average primary particle size was 30 nm, and laser diffraction method (manufactured by Horiba, Ltd., dynamic light scattering particle size distribution measuring device, The average secondary particle diameter measured by the model number “HORIBA LB550”) was 75 nm.
＜化学機械研磨用水系分散体の調製＞
［実施例１］
化学機械研磨用水系分散体の総量を１００質量％となるように、固形分換算にて１．２質量％に相当する量のヒュームドシリカ水分散体（１）をポリエチレン製の瓶に入れ、これに、表１に記載の（Ａ）砥粒、（Ｂ）有機酸、その他の添加剤、３０質量％過酸化水素水、（Ｃ）銅イオンを表１記載の所定の含量になるように添加して十分に攪拌した。なお、（Ｃ）銅イオンは、１０％硝酸銅水溶液を添加することにより、表１に記載の銅イオン濃度となるように調整した。攪拌しながら化学機械研磨用水系分散体ｐＨが９となるようにアンモニア水溶液を添加し、最後に全構成成分の量が１００質量％となるようにイオン交換水を加えて１時間撹拌した。その後、孔径５μｍのフィルターでろ過することにより、化学機械研磨用水系分散体を得た。この化学機械研磨用水系分散体を原子吸光法により銅イオンの濃度を測定したところ、５．５×１０４ｐｐｍであり、配合量に見合った銅イオンを含有していることを確認した。
<Preparation of aqueous dispersion for chemical mechanical polishing>
[Example 1]
An amount of fumed silica aqueous dispersion (1) corresponding to 1.2% by mass in terms of solid content is placed in a polyethylene bottle so that the total amount of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion is 100% by mass, To this, (A) abrasive grains described in Table 1, (B) organic acid, other additives, 30% by mass hydrogen peroxide, and (C) copper ions so as to have a predetermined content described in Table 1. Added and stirred well. In addition, (C) copper ion was adjusted so that it might become the copper ion density | concentration of Table 1 by adding 10% copper nitrate aqueous solution. While stirring, an aqueous ammonia solution was added so that the chemical mechanical polishing aqueous dispersion pH was 9, and finally ion-exchanged water was added so that the amount of all components was 100% by mass, followed by stirring for 1 hour. Then, the aqueous dispersion for chemical mechanical polishing was obtained by filtering with a filter with a pore diameter of 5 μm. When the concentration of copper ions of this chemical mechanical polishing aqueous dispersion was measured by atomic absorption spectrometry, it was 5.5 × 10 4 ppm, and it was confirmed that it contained copper ions corresponding to the blending amount.
前記化学機械研磨用水系分散体を、イオン交換水にて０．０１％に希釈し、メッシュサイズが１５０マイクローメートルのＣｕグリットを有するコロジオン膜に１滴のせ、室温にて乾燥した。こうして、Ｃｕグリット上に粒子形状を崩さないように観察用のサンプルを調整した後、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、「Ｈ−７６５０」）を用いて撮影倍率２００００倍にて粒子の画像を撮影し、５０個のシリカ粒子を測定し、長径の平均値、短径の平均値を算出し、長径と短径の比率を算出した結果、Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎは１．１であった。 The chemical mechanical polishing aqueous dispersion was diluted to 0.01% with ion-exchanged water, dropped on a collodion membrane having Cu grit having a mesh size of 150 micrometers, and dried at room temperature. Thus, after adjusting the sample for observation so as not to destroy the particle shape on the Cu grit, using a transmission electron microscope (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, “H-7650”) An image was taken, 50 silica particles were measured, the average value of the major axis and the average value of the minor axis were calculated, and the ratio of the major axis to the minor axis was calculated. As a result, Rmax / Rmin was 1.1.
［実施例２〜３、比較例１〜３］
銅イオン錯体の種類およびその他の添加成分を表１に示すものに変更した以外は、前記調製方法と同様にして各例で使用する化学機械研磨用水系分散体を調製した。
[Examples 2-3, Comparative Examples 1-3]
A chemical mechanical polishing aqueous dispersion used in each example was prepared in the same manner as in the preparation method except that the type of copper ion complex and other additive components were changed to those shown in Table 1.
＜銅膜の研磨速度評価＞
表示基板用化学機械研磨機（対角寸法が２０００ｍｍの大きさの表示基板を化学機械研磨できるように、既存の化学機械研磨装置（株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−１１２」）を改造したもの）に、多孔質ポリウレタン製研磨パッド（ローム＆ハース（株）製、品番「ＩＣ」）を装着し、前記で調製した分散体を供給しながら、後述する研磨速度測定用基板について、後述する研磨条件にて１分間化学機械研磨処理を行い、下記の手法によって銅膜の研磨速度を算出した。銅膜の研磨速度は、好ましくは８００ｎｍ／分以上であり、より好ましくは１０００ｎｍ／分以上である。
<Evaluation of polishing rate of copper film>
A chemical mechanical polishing machine for display substrates (existing chemical mechanical polishing equipment (model “EPO-112” manufactured by Ebara Manufacturing Co., Ltd.) was modified so that a display substrate having a diagonal size of 2000 mm could be subjected to chemical mechanical polishing) A polishing rate measuring substrate to be described later will be described later while a porous polyurethane polishing pad (manufactured by Rohm & Haas Co., Ltd., product number “IC”) is mounted on the substrate and the dispersion prepared above is supplied. Chemical mechanical polishing was performed for 1 minute under the polishing conditions, and the polishing rate of the copper film was calculated by the following method. The polishing rate of the copper film is preferably 800 nm / min or more, more preferably 1000 nm / min or more.
（ａ）研磨速度測定用基板
対角線寸法２０００ｍｍのガラス基板表面に、３０ｎｍの厚さの窒化タンタルからなるバリアメタル膜を成膜する。その後、銅を該バリアメタル膜の上にスパッタリングにより２μｍの厚さに堆積した。以下、このようにして得られた基板を「基板ａ」と呼ぶ。
（ｂ）研磨条件
・研磨パッド ：Ｒｏｄｅｌ社製、商品名：ＩＣ１０００
・ヘッド荷重 ：２００ｇ／ｃｍ2
・ヘッド回転数：８０ｒｐｍ
・定盤回転数 ：１００ｒｐｍ
・化学機械研磨用水系分散体の供給速度：２００ｍＬ／ｍｉｎ
(A) Substrate for polishing rate measurement A barrier metal film made of tantalum nitride having a thickness of 30 nm is formed on the surface of a glass substrate having a diagonal dimension of 2000 mm. Thereafter, copper was deposited on the barrier metal film to a thickness of 2 μm by sputtering. Hereinafter, the substrate thus obtained is referred to as “substrate a”.
(B) Polishing conditions and polishing pad: manufactured by Rodel, trade name: IC1000
Head load: 200 g / cm 2
-Head rotation speed: 80 rpm
・ Surface plate speed: 100rpm
-Feed rate of chemical mechanical polishing aqueous dispersion: 200 mL / min
（ｃ）研磨速度の算出方法
研磨速度は下記式（１）により算出した。
研磨速度（ｎｍ／分）
＝（研磨前の各膜の厚さ−研磨後の各膜の厚さ）／研磨時間 …（１）
なお、各膜の厚さは、抵抗率測定器（ＮＰＳ社製、型式「Ｚ−５」）を使用して、直流４針法によりシート抵抗を測定し、この抵抗率と銅の抵抗率から下記式（２）にしたがって算出した。
各膜の厚さ（ｎｍ）
＝シート抵抗値（Ω／ｃｍ２）×銅の抵抗率（Ω／ｃｍ）×１０−７ …（２）
(C) Polishing rate calculation method The polishing rate was calculated by the following formula (1).
Polishing rate (nm / min)
= (Thickness of each film before polishing-Thickness of each film after polishing) / Polishing time (1)
The thickness of each film was determined by measuring the sheet resistance by a direct current four-needle method using a resistivity measuring device (manufactured by NPS, model “Z-5”), and calculating from the resistivity and the resistivity of copper. It calculated according to following formula (2).
Thickness of each film (nm)
= Sheet resistance value (Ω / cm 2 ) × copper resistivity (Ω / cm) × 10 −7 (2)
＜銅膜の研磨性能評価＞
深さ１μｍの凹部により形成されたパターンを備える対角線寸法２０００ｍｍのガラス基板表面に、３０ｎｍの厚さの窒化タンタルからなるバリアメタル膜を成膜する。その後、銅を該バリアメタル膜の上および凹部内にスパッタリングにより２μｍの厚さに堆積した。以下、このようにして得られた基板を「基板ｂ」と呼ぶ。このような基板を被研磨物として、研磨時間を、研磨開始からテーブルトルク電流の変化によって検出した終点に到るまでの時間の１．３倍としたこと以外は、前記「銅膜の研磨速度評価」における研磨条件と同様にして、化学機械研磨を行い、下記のようにして銅配線のエロージョンを評価した。
<Evaluation of polishing performance of copper film>
A barrier metal film made of tantalum nitride having a thickness of 30 nm is formed on the surface of a glass substrate having a diagonal dimension of 2000 mm having a pattern formed by recesses having a depth of 1 μm. Thereafter, copper was deposited to a thickness of 2 μm on the barrier metal film and in the recess by sputtering. Hereinafter, the substrate thus obtained is referred to as “substrate b”. Except for using such a substrate as an object to be polished, the polishing time was 1.3 times the time from the start of polishing to the end point detected by the change in the table torque current. Chemical mechanical polishing was performed in the same manner as the polishing conditions in “Evaluation”, and erosion of the copper wiring was evaluated as follows.
（ａ）エロージョンの評価方法
凹部等に配線材料を堆積させた厚さＸ（ｎｍ）の初期の余剰膜を研磨速度Ｖ（ｎｍ／分）で研磨すると、本来Ｘ／Ｖ（分）の時間だけ研磨すれば目的が達成できるはずである。しかし、実際の製造工程では、凹部以外の部分に残る配線材料を除去するため、Ｘ／Ｖ（分）を超える過剰研磨（オーバーポリッシュ）を実施している。このとき、配線部分が過剰に研磨されることにより、凹状の形状となることがある。このような凹状の配線形状は、「エロージョン」と呼ばれ、製造品の歩留まりを低下させてしまう観点から好ましくないため、エロージョンを評価項目として採り上げている。
エロージョンの評価は、表面粗さ計（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、型式「Ｐ−１０」）を使用し、基板ｂの１００μｍ配線を用いて行った。また、エロージョンの評価における研磨時間は、厚さＸ（ｎｍ）の初期の余剰銅膜を「４．７．１ 銅膜付き基板の研磨」で得られた研磨速度Ｖ（ｎｍ／分）で除した値（Ｘ／Ｖ）（分）に１．５を乗じた時間（分）とした。
(A) Erosion Evaluation Method When an initial surplus film having a thickness X (nm) in which a wiring material is deposited in a recess or the like is polished at a polishing rate V (nm / min), it is originally only X / V (min) time. The purpose should be achieved by polishing. However, in the actual manufacturing process, excessive polishing (over polishing) exceeding X / V (min) is performed in order to remove the wiring material remaining in the portions other than the recesses. At this time, the wiring portion may be excessively polished, resulting in a concave shape. Such a concave wiring shape is called “erosion” and is not preferable from the viewpoint of reducing the yield of manufactured products, and therefore erosion is taken as an evaluation item.
The erosion was evaluated using a surface roughness meter (KLA-Tencor, model “P-10”) using a 100 μm wiring on the substrate b. In addition, the polishing time in the erosion evaluation was calculated by dividing the initial excess copper film of thickness X (nm) by the polishing rate V (nm / min) obtained in “4.7.1 Polishing of the substrate with a copper film”. The value (X / V) (min) multiplied by 1.5 was taken as the time (min).
表１に実施例１〜３、比較例１〜３で使用した化学機械研磨用水系分散体の組成、および銅膜の研磨性能評価の結果を「研磨結果」として示す。 Table 1 shows the compositions of the chemical mechanical polishing aqueous dispersions used in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, and the results of the polishing performance evaluation of the copper film as “polishing results”.
表１によれば、実施例１〜３の化学機械研磨用水系分散体を用いることにより、半導体基板に形成された銅層を化学機械研磨する際に、被研磨面におけるエロージョンの発生を大幅に抑制され、かつ研磨速度も十分であることがわかった。これにより、十分に平坦化された精度の高い被研磨面を得ることがでることが明らかとなった。
一方、比較例１〜３の化学機械研磨用水系分散体を用いた場合、良好な研磨特性が得られないことが明らかになった。
According to Table 1, when the chemical mechanical polishing aqueous dispersions of Examples 1 to 3 are used, when the copper layer formed on the semiconductor substrate is subjected to chemical mechanical polishing, the occurrence of erosion on the surface to be polished is greatly increased. It was found that it was suppressed and the polishing rate was sufficient. As a result, it has become clear that it is possible to obtain a sufficiently polished surface that is sufficiently flattened.
On the other hand, when the chemical mechanical polishing aqueous dispersions of Comparative Examples 1 to 3 were used, it became clear that good polishing characteristics could not be obtained.
６０ａ・６０ｂ・６０ｃ…砥粒粒子
１０…ガラス基板、１２…配線用凹部、２０・２０ａ…バリアメタル層、３０…金属層
60a, 60b, 60c ...
Claims (6)
前記（Ａ）砥粒の長径Ｒｍａｘと短径Ｒｍｉｎとの比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．０〜１．５であり、
前記（Ｂ）成分の含有量が０．０１〜５質量％であり、
前記（Ｃ）成分の含有量が５．０×１０４〜２．０×１０５ｐｐｍである、電気光学表示装置用基板に設けられた銅または銅合金からなる配線層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体。 Containing the abrasive grains (A), an organic acid having a chelate ligand capable to (B) copper ions or copper surfaces, and a (C) copper ions,
(A) the ratio Rmax / Rmin of the abrasive grains of diameter Rmax and minor Rmin is 1.0 to 1.5,
Content of the said (B) component is 0.01-5 mass%,
Chemistry for polishing a wiring layer made of copper or a copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device, wherein the content of the component (C) is 5.0 × 10 4 to 2.0 × 10 5 ppm. Aqueous dispersion for mechanical polishing.
（ｂ）前記廃液中の粗大粒子を除去する工程と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体の製造方法。 (A) recovering the used waste liquid of the chemical mechanical polishing aqueous dispersion according to any one of claims 1 to 4 ;
(B) removing coarse particles in the waste liquid ;
Method for producing a containing, chemical mechanical polishing aqueous dispersion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008045640A JP5263484B2 (en) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, polishing method for chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method for polishing a wiring layer made of copper or copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008045640A JP5263484B2 (en) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, polishing method for chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method for polishing a wiring layer made of copper or copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009202262A JP2009202262A (en) | 2009-09-10 |
| JP5263484B2 true JP5263484B2 (en) | 2013-08-14 |
Family
ID=41145047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008045640A Expired - Fee Related JP5263484B2 (en) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, polishing method for chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method for polishing a wiring layer made of copper or copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5263484B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5319968B2 (en) * | 2008-06-18 | 2013-10-16 | 株式会社Ａｄｅｋａ | Polishing composition for CMP |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010042616A (en) * | 1998-04-10 | 2001-05-25 | 페로 코포레이션 | Slurry for chemical-mechanical polishing metal surfaces |
| JP2003200347A (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-15 | Agru Japan:Kk | Slurry recycling method and slurry recycling device using the same |
| JP2006080406A (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | Composition for polishing |
| US7998335B2 (en) * | 2005-06-13 | 2011-08-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Controlled electrochemical polishing method |
| JP2007266597A (en) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Fujifilm Corp | Metal polishing composition |
| JP2008004621A (en) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | SLURRY FOR USE IN Cu FILM CMP, POLISHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
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- 2008-02-27 JP JP2008045640A patent/JP5263484B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009202262A (en) | 2009-09-10 |
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