JP5262306B2 - 半導体ウェーハの洗浄方法 - Google Patents
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Description
(1)半導体ウェーハの表面及び/又は裏面の中心位置に対して、所定の洗浄液を供給し、前記ウェーハを回転させながら洗浄を行う枚葉式の半導体ウェーハの洗浄方法であって、前記洗浄は、前記ウェーハ全体の表面上に、前記洗浄液からなる膜厚1〜10μmの水膜を形成するように、前記ウェーハの回転速度、前記洗浄液の供給量、及び/又は前記洗浄液の粘度を制御して行い、前記ウェーハの回転速度が600〜6000rpmの範囲であり、前記洗浄液の供給量が0.5〜5L/分の範囲であり、前記洗浄液の粘度が0.1〜1.5cpsの範囲であることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
(4)前記ウェーハの回転速度が2000rpmである上記(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
図4に示すように、水膜は10μm以上になるとその洗浄効果についてはほとんど差がなく、水の使用量を削減するという点から10μm以下にすることが、無駄な洗浄液の使用を避ける点で好ましいことがわかる。
実施例1は、直径が450mm、表面の結晶方位が(100)である半導体ウェーハの表面に対して、オゾン、フッ酸及びクエン酸を含有する水溶液の洗浄液(粘度:0.9cps)を供給し(供給量:2L/分)、前記ウェーハを回転(回転速度:2000 rpm)させながら洗浄を行った。
なお、洗浄している際の、前記洗浄液からなる水膜の状態を確認したところ、前記水膜の膜厚は10μmであった。
実施例2は、前記ウェーハの洗浄液の供給量を1L/分としたこと以外は、実施例1と同様の方法によって半導体ウェーハの洗浄を行った。
なお、洗浄している際の、前記洗浄液からなる水膜の状態を確認したところ、前記水膜の膜厚は5μmであった。
比較例1は、前記ウェーハの回転速度を500rpmとしたこと以外は、実施例1と同様の方法によって半導体ウェーハの洗浄を行った。
なお、洗浄している際の、前記洗浄液からなる水膜の状態を確認したところ、前記水膜の膜厚は15μmであった。
比較例2は、洗浄液が オゾン、フッ酸及びクエン酸を含有する水溶液からなり、その粘度が2cpsであること以外は、実施例1と同様の方法によって半導体ウェーハの洗浄を行った。
なお、洗浄している際の、前記洗浄液からなる水膜の状態を確認したところ、前記水膜の膜厚は20μmであった。
上記で作製した各評価用サンプルについて、(1)洗浄能力及び(2)洗浄液に用いた超純水の使用量について評価を行った。
◎:10個以下
○:10個超え、100個以下
×:100個超え
20 水膜
30 洗浄ノズル
40 超音波純水供給ノズル
50 ディスクブラシ
100 バッチ式洗浄装置
200 キャリア
300 洗浄槽
Claims (4)
- 半導体ウェーハの表面及び/又は裏面の中心位置に対して、所定の洗浄液を供給し、前記ウェーハを回転させながら洗浄を行う枚葉式の半導体ウェーハの洗浄方法であって、
前記洗浄は、前記ウェーハ全体の表面上に、前記洗浄液からなる膜厚1〜10μmの水膜を形成するように、前記ウェーハの回転速度、前記洗浄液の供給量、及び/又は前記洗浄液の粘度を制御して行い、
前記ウェーハの回転速度が600〜6000rpmの範囲であり、前記洗浄液の供給量が0.5〜5L/分の範囲であり、前記洗浄液の粘度が0.1〜1.5cpsの範囲であることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 - 前記半導体ウェーハは、直径450mm以上の大口径半導体ウェーハである請求項1に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記洗浄液からなる水膜の膜厚が、5〜10μmである請求項1又は2に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
- 前記ウェーハの回転速度が2000rpmである請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
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