JP5251043B2

JP5251043B2 - Polymer compound and polymer light emitting device

Info

Publication number: JP5251043B2
Application number: JP2007225589A
Authority: JP
Inventors: 智也中谷; 大介福島
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2006-09-13
Filing date: 2007-08-31
Publication date: 2013-07-31
Anticipated expiration: 2027-08-31
Also published as: JP2008095080A

Description

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。 The present invention relates to a polymer compound and a polymer light-emitting device using the polymer compound.

高分子量の発光材料や電荷輸送材料は発光素子等の素子における有機層に用いる材料等として有用であることから種々検討されており、その例として、９位に２個のアルキル基を有するフルオレンジイル基と、Ｎ上にアルキル基を有するフェノキサジンジイル基とからなる共重合体である高分子化合物が報告されている（例えば非特許文献１参照）。
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ；２００５，３８，７９８３−７９９１． High-molecular weight light-emitting materials and charge transport materials have been studied variously because they are useful as materials used in organic layers in light-emitting elements and the like. As an example, full orange having two alkyl groups at the 9-position. There has been reported a polymer compound which is a copolymer composed of an yl group and a phenoxazinediyl group having an alkyl group on N (for example, see Non-Patent Document 1).
Macromolecules; 2005, 38, 7983-7991.

しかしながら報告されている上記の高分子化合物は、耐熱性、発光素子用の発光材料として用いたときの発光効率が未だ十分とはいえなかった。
本発明の目的は、耐熱性が高く、発光効率の高い素子を与えることができる高分子化合物を提供することにある。 However, the above-mentioned polymer compounds reported have not yet been satisfactory in heat resistance and luminous efficiency when used as a light emitting material for a light emitting device.
An object of the present invention is to provide a polymer compound that can provide an element having high heat resistance and high light emission efficiency.

即ち本発明は、下記式（Ｉ）で示される繰返し単位と下記式（ＩＩ）で示される繰返し単位とからなる高分子化合物を提供するものである。

〔上記式（Ｉ）中、Ａｒ₁およびＡｒ₂はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、Ｒ₁およびＲ₂はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ａおよびｂはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₁およびＲ₂がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕

〔上記式（ＩＩ）中、Ｒ₅はアルキル基を表し、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 That is, the present invention provides a polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (I) and a repeating unit represented by the following formula (II).

[In the above formula (I), Ar ₁ and Ar ₂ each independently represent an aryl group or a monovalent heterocyclic group, and R ₁ and R ₂ each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group Group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy A group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group, a and b are each independently an integer selected from 0 to 3 Represents. When a plurality of R ₁ and R ₂ are present, they may be the same or different. ]

[In the above formula (II), R ₅ represents an alkyl group, and R ₃ and R ₄ each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an aryl group. Alkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, 1 A valent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group is represented, and c and d each independently represents an integer selected from 0 to 3. When a plurality of R ₃ and R ₄ are present, they may be the same or different. ]

本発明の高分子化合物は、耐熱性および発光効率に優れる。 The polymer compound of the present invention is excellent in heat resistance and luminous efficiency.

したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。 Accordingly, the polymer LED containing the polymer compound of the present invention can be used for a curved or flat light source for a backlight or illumination of a liquid crystal display, a segment type display element, a dot matrix flat panel display, and the like.

本発明の高分子化合物は、前記式（Ｉ）で示される繰返し単位を含む。 The polymer compound of the present invention contains a repeating unit represented by the formula (I).

ここにアリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜４８であり、アリール基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基
、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。 Here, the aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings directly or via a group such as vinylene. The combined one is also included. The aryl group generally has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 48 carbon atoms, and the carbon number of the aryl group does not include the carbon number of the substituent. Specific examples thereof include a phenyl group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl group (C ₁ -C ₁₂ is also shown. Hereinafter it is 1 to 12 carbon atoms.), C ₁ -C ₁₂ alkyl Examples include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthracenyl group, a 2-anthracenyl group, a 9-anthracenyl group, a pentafluorophenyl group, and the like. C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl group, C ₁ -C _{A 12} alkylphenyl group is preferred. Specific examples C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propyloxyphenyl group, isopropyloxyphenyl group, butoxyphenyl group, isobutoxyphenyl group, t-butoxyphenyl, pentyloxyphenyl Group, hexyloxyphenyl group, cyclohexyloxyphenyl group, heptyloxyphenyl group, octyloxyphenyl group, 2-ethylhexyloxyphenyl group, nonyloxyphenyl group, decyloxyphenyl group, 3,7-dimethyloctyloxyphenyl group, lauryl Examples include an oxyphenyl group.
C ₁ -C ₁₂ specifically alkylphenyl group include a methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, isopropylphenyl group, butylphenyl group, isobutylphenyl group, t -Butylphenyl group, pentylphenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group and the like are exemplified.

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。１価の複素環基の中では、１価の芳香族複素環基が好ましい。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group refers to a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 4 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. Of the monovalent heterocyclic groups, monovalent aromatic heterocyclic groups are preferred. The carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. Here, a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, and boron in the ring. Say. Specifically, a thienyl group, C ₁ -C ₁₂ alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, C ₁ -C ₁₂ alkyl pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group and the like, a thienyl group , C ₁ -C ₁₂ alkyl thienyl group, a pyridyl group, a C ₁ -C ₁₂ alkyl pyridyl group are preferable.

前記式（Ｉ）のＲ₁、Ｒ₂において、アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが例示される。 In R ₁ and R ₂ of the formula (I), the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent. The number of carbon atoms is usually about 1 to 20, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group. Octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group Etc. are exemplified.

アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが例示される。 The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent. The number of carbon atoms is usually about 1 to 20, specifically, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, isopropyloxy group, butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyl. Oxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group Perfluorohexyloxy group, perfluorooctyloxy group, methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyloxy group and the like.

アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが例示される。 The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent. The number of carbon atoms is usually about 1 to 20, specifically, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, isobutylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group. , Heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group and the like.

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。 The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include a phenoxy group, a C _{1 to} C ₁₂ alkoxyphenoxy group, and a C _{1 to} C ₁₂ alkylphenoxy group. , 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group and the like, and C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenoxy group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenoxy group are preferable.
Specific examples C ₁ -C ₁₂ alkoxy phenoxy group, methoxyphenoxy group, ethoxyphenoxy group, propyloxy phenoxy group, isopropyloxy phenoxy group, butoxyphenoxy group, isobutoxyphenoxy phenoxy group, t-butoxyphenoxy group, pentyloxy phenoxy Group, hexyloxyphenoxy group, cyclohexyloxyphenoxy group, heptyloxyphenoxy group, octyloxyphenoxy group, 2-ethylhexyloxyphenoxy group, nonyloxyphenoxy group, decyloxyphenoxy group, 3,7-dimethyloctyloxyphenoxy group, lauryl Examples include an oxyphenoxy group.
Specific examples C ₁ -C ₁₂ alkylphenoxy group, methylphenoxy group, ethylphenoxy group, dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-methylphenoxy group, methylethylphenoxy group, isopropylphenoxy group, butyl Examples include phenoxy group, isobutylphenoxy group, t-butylphenoxy group, pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group and the like.

アリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示される。 Arylthio group may have a substituent on the aromatic ring, the carbon number of usually about 3 to 60, specifically, phenylthio group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-thio group, C ₁ ~ C ₁₂ alkylphenylthio group, a 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, pentafluorophenylthio group, pyridylthio group, pyridazinylthio group, pyrimidylthio group, pyrazylthio group, etc. Toriajiruchio groups.

アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示される。 The arylalkyl group may have a substituent and generally has about 7 to 60 carbon atoms. Specifically, the arylalkyl group may be a phenyl-C ₁ -C ₁₂ alkyl group or a C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C. ₁ -C ₁₂ alkyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkyl group, 1-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkyl group, 2-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkyl groups and the like The

アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示される。 The arylalkoxy group may have a substituent, and usually has about 7 to 60 carbon atoms. Specifically, a phenyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy group, a C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-
C ₁ -C ₁₂ alkoxy groups, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy groups, 1-naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy groups, 2-naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkoxy groups, etc. Is done.

アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示される。 Arylalkylthio group may have a substituent, the number of carbon atoms is usually about 7 to 60, specifically, phenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, 1-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkylthio group, 2-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkylthio groups and the like The

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。 Arylalkenyl group has a carbon number of usually about 8 to 60, and specific examples thereof include a phenyl -C ₂ -C ₁₂ alkenyl group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl -C ₂ -C ₁₂ alkenyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₂ -C ₁₂ alkenyl group, 1-naphthyl -C ₂ -C ₁₂ alkenyl group, 2-naphthyl -C ₂ -C ₁₂ alkenyl groups and the like, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl - C ₂ -C ₁₂ alkenyl group, C ₂ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkenyl groups are preferred.

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。 The arylalkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms, and specific examples thereof include phenyl-C ₂ -C ₁₂ alkynyl group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl-C ₂ -C ₁₂ alkynyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₂ -C ₁₂ alkynyl group, 1-naphthyl -C ₂ -C ₁₂ alkynyl group, 2-naphthyl -C ₂ -C ₁₂ alkynyl groups and the like, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl - C ₂ -C ₁₂ alkynyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₂ -C ₁₂ alkynyl group are preferable.

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、セカンダリブチル基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。 Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent heterocyclic group. The alkyl group, aryl group, arylalkyl The group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. Carbon number of a substituted amino group is about 1-60 normally without including the carbon number of this substituent, Preferably it is C2-48.
Specifically, methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, secondary butyl group, t -Butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C ₁ -C ₁₂ Arukokishifu Niruamino group, di (C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl) amino group, di (C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, a phenyl -C triazyl amino group ₁ -C ₁₂ alkylamino group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylamino group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylamino group, di (C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkyl) amino group, di (C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkyl) amino Group, 1-naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkylamino group, 2-naphthyl-C ₁ -C ₁₂ alkylamino group and the like are exemplified.

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。 Examples of the substituted silyl group include a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent heterocyclic group. The substituted silyl group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48 carbon atoms. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent.
Specifically, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-isopropylsilyl group, dimethyl-isopropylsilyl group, diethyl-isopropylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyl dimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl - dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, a 3,7-- dimethylsilyl group, lauryldimethylsilyl group, a phenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylsilyl group, C ₁ -C ₁₂ alkoxyphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylsilyl group, C ₁ -C ₁₂ alkylphenyl -C ₁ -C ₁₂ alkylsilyl group, 1-naphthyl -C ₁ -C ₁₂ alkylsilyl group, 2-naphthyl -C ₁ C ₁₂ alkylsilyl group, a phenyl -C ₁ -C ₁₂ alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri -p- Kishirirushiriru group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t- butyl diphenyl silyl group, dimethylphenylsilyl Examples include groups.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。 The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, benzoyl group, Examples include a fluoroacetyl group and a pentafluorobenzoyl group.

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。 The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, Examples include benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group and the like.

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

The imine residue is an imine compound (refers to an organic compound having —N═C— in the molecule. Examples thereof include aldimine, ketimine, and a hydrogen atom on these N substituted with an alkyl group or the like. And a residue obtained by removing one hydrogen atom from the compound, usually having about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples include groups represented by the following structural formulas.

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。 The amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group. And pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditrifluoroacetamide group, dipentafluorobenzamide group and the like.

酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

The acid imide group includes a residue obtained by removing a hydrogen atom bonded to the nitrogen atom from an acid imide, and has about 4 to 20 carbon atoms. Specific examples include the groups shown below. .

置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。上記置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。 The substituted carboxyl group means a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and usually has about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyl group. Siloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl Trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluorooctyloxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, etc. It is done. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted carboxyl group does not include the carbon number of the substituent.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位のなかでは、下記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位が好ましい。

〔上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、Ｒ₆およびＲ₇はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₆およびＲ₇がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, among the repeating units represented by the above formula (I), a repeating unit represented by the following formula (III) is preferable.

[In the above formula (III), Ar ₃ and Ar ₄ each independently represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group, and R ₆ and R ₇ each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group Group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy Represents a group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group, and e and f are each independently an integer selected from 0 to 3 Represents. When a plurality of R ₆ and R ₇ are present, they may be the same or different. ]

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義及び具体例等は、前記式（Ｉ）のＲ₁、Ｒ₂におけるそれらの定義及び具体例等と同様である。 Alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, substituted amino group, substituted silyl group, halogen atom, The definitions and specific examples of acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group and substituted carboxyl group are the definitions of R ₁ and R ₂ in the formula (I). This is the same as the specific example.

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＩＩＩ）中、Ｒ₆およびＲ₇はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが、最も好ましい。 From the viewpoint of improving the solubility of the polymer compound of the present invention in an organic solvent, in the above formula (III), R ₆ and R ₇ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, An arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group or a monovalent heterocyclic group is preferable, and an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group An arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group or an arylalkylthio group is more preferable, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group is more preferable, and an alkyl group or an aryl group is preferable. Most preferred.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ独立に、アリール基であることが好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基または９−アントラセニル基であることがより好ましく、フェニル基、１−ナフチル基または２−ナフチル基であることがさらに好ましい。 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, in the above formula (III), Ar ₃ and Ar ₄ are preferably each independently an aryl group, a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, 1 -Anthracenyl group, 2-anthracenyl group or 9-anthracenyl group is more preferable, and phenyl group, 1-naphthyl group or 2-naphthyl group is further preferable.

さらに原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ₃およびＡｒ₄がそれぞれ独立に、下記式（ＩＶ）で示される基であることが好ましい。

〔上記式（ＩＶ）中、Ｒ₈はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｇは０〜５から選ばれる整数を表す。Ｒ₈が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 Furthermore, from the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, in the above formula (III), Ar ₃ and Ar ₄ are preferably each independently a group represented by the following formula (IV).

[In the above formula (IV), R ₈ is an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano group Or represents a nitro group, g represents an integer selected from 0 to 5. When a plurality of R ₈ are present, they may be the same or different. ]

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（ＩＶ）中、Ｒ₈はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましい。 From the viewpoint of improving the solubility of the polymer compound of the present invention in an organic solvent, in the above formula (IV), R ₈ is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, An arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group or a monovalent heterocyclic group is preferable, and an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group More preferably an arylalkoxy group or an arylalkylthio group, and still more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＶ）中、ｇは０〜３から選ばれる整数であることが好ましく、１〜３から選ばれる整数であることがさらに好ましい。 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, in the formula (IV), g is preferably an integer selected from 0 to 3, and more preferably an integer selected from 1 to 3.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＩＩ）中、ｅおよびｆは０または１であることが好ましく、ｅおよびｆが０であることが最も好ましい。 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, in the above formula (III), e and f are preferably 0 or 1, and most preferably e and f are 0.

上記式（Ｉ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−７）で示される繰返し単位があげられる。 Specific examples of the repeating unit represented by the above formula (I) include repeating units represented by the following formulas (I-1) to (I-7).

また本発明の高分子化合物は、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位に加え、下記式（ＩＩ）で示される繰返し単位を有する。

〔上記式（ＩＩ）中、Ｒ₅はアルキル基を表し、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 The polymer compound of the present invention has a repeating unit represented by the following formula (II) in addition to the repeating unit represented by the above formula (I).

[In the above formula (II), R ₅ represents an alkyl group, and R ₃ and R ₄ each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an aryl group. Alkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, 1 A valent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group is represented, and c and d each independently represents an integer selected from 0 to 3. When a plurality of R ₃ and R ₄ are present, they may be the same or different.

アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基定義及び具体例等は、前記式（Ｉ）のＲ₁、Ｒ₂におけるそれらの定義及び具体例等と同様である。 Alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, substituted amino group, substituted silyl group, halogen atom, The definitions and specific examples of acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group and substituted carboxyl group are the definitions of R ₁ and R ₂ in formula (I) and This is the same as a specific example.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位の中では、下記式（Ｖ）で示される繰返し単位が好ましい。

〔上記式（Ｖ）中、Ｒ₁₁はアルキル基を表し、Ｒ₉およびＲ₁₀はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₉およびＲ₁₀がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, among the repeating units represented by the above formula (II), a repeating unit represented by the following formula (V) is preferable.

[In the above formula (V), R ₁₁ represents an alkyl group, and R ₉ and R ₁₀ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an aryl group. Alkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, 1 A valent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group is represented, and h and i each independently represent an integer selected from 0 to 3. When a plurality of R ₉ and R ₁₀ are present, they may be the same or different. ]

本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、上記式（Ｖ）中、Ｒ₉およびＲ₁₀はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基またはアリールアルキルチオ基であることがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはアリールオキシ基であることがさらに好ましく、アルキル基またはアリール基であることが、最も好ましい。 From the viewpoint of improving the solubility of the polymer compound of the present invention in an organic solvent, in the above formula (V), R ₉ and R ₁₀ are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, An arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group or a monovalent heterocyclic group is preferable, and an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group An arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group or an arylalkylthio group is more preferable, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group is more preferable, and an alkyl group or an aryl group is preferable. Most preferred.

原料モノマーの合成の容易さの観点から、上記式（Ｖ）中、ｈおよびｉは０または１であることが好ましく、ｈおよびｉが０であることがより好ましい。 From the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer, h and i are preferably 0 or 1 in the above formula (V), and h and i are more preferably 0.

上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−８）で示される繰返し単位があげられる。 Specific examples of the repeating unit represented by the formula (II) include repeating units represented by the following formulas (II-1) to (II-8).

本発明の高分子化合物は、上記式（Ｉ）で示される繰返し単位および上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位をそれぞれ２種以上含んでいてもよい。 The polymer compound of the present invention may contain two or more repeating units represented by the above formula (I) and the above repeating unit (II).

本発明の高分子化合物は、（Ｉ）および（ＩＩ）からなるものであり、（Ｉ）および（ＩＩ）のみからなるものが好ましい。
本発明の高分子化合物中の（Ｉ）および（ＩＩ）の含有量は、通常、（Ｉ）／（ＩＩ）が０．０５〜１００の範囲である。 The polymer compound of the present invention comprises (I) and (II), and preferably comprises only (I) and (II).
As for content of (I) and (II) in the polymer compound of the present invention, (I) / (II) is usually in the range of 0.05 to 100.

本発明の高分子化合物として具体的には、下記式（Ｘ）で示される高分子化合物があげられる。

〔上記式（Ｘ）中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、ａ、ｂ、ｃおよびｄの定義および好ましい例については前記と同様である。ｕは５〜９９の範囲の値、ｖは１〜９５の範囲の値、ｕ＋ｖ＝１００であり、ｕ／ｖは０．０５〜９９の範囲の値である。
上記式（Ｘ）で示される高分子化合物は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。〕 Specific examples of the polymer compound of the present invention include a polymer compound represented by the following formula (X).

[In the above formula (X), the definitions and preferred examples of Ar ₁ , Ar ₂ , R ₁ , R ₂ , R ₃ , R ₄ , R ₅ , a, b, c and d are the same as described above. u is a value in the range of 5 to 99, v is a value in the range of 1 to 95, u + v = 100, and u / v is a value in the range of 0.05 to 99.
The polymer compound represented by the formula (X) may be any of a random copolymer, a block copolymer, and an alternating copolymer. ]

また本発明の高分子化合物は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることが好ましく、１０³〜１０⁷であることがより好まし
く、１０⁴〜１０⁷であることがさらに好ましい。 The polymer compound of the present invention, from the viewpoint of the life characteristics of the device, it is preferable that the number average molecular weight in terms of polystyrene is 10 ³ to 10 ^8, more preferably 10 ³ to 10 ^7, 10 ⁴ ~ More preferably, it is 10 ⁷ .

ここで、数平均分子量及び重量平均分子量については、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。 Here, for the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the number average molecular weight and the weight average molecular weight in terms of polystyrene were determined by size exclusion chromatography (SEC) (manufactured by Shimadzu Corporation: LC-10Avp). The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran so as to have a concentration of about 0.5 wt%, and 50 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation: RID-10A) was used as the detector.

また、本発明の高分子化合物は、交互、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。 The polymer compound of the present invention may be an alternating, random, block or graft copolymer, or a polymer having an intermediate structure thereof, such as a random copolymer having a block property. May be. From the viewpoint of obtaining a polymer light emitter having a high quantum yield of fluorescence or phosphorescence, a random copolymer having a block property and a block or graft copolymer are preferable to a complete random copolymer. A case in which the main chain is branched and there are three or more terminal portions and dendrimers are also included.

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。 In addition, since the terminal group of the polymer compound of the present invention may be protected with a stable group, if the polymerization active group is left as it is, there is a possibility that the light emission characteristics and life when the device is formed may be reduced. Good. Those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain are preferred, and examples thereof include a structure bonded to an aryl group or heterocyclic group via a carbon-carbon bond. Specific examples include substituents described in Chemical formula 10 of JP-A-9-45478.

本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に高分子化合物を０．１重量％以上溶解させることができる。 Examples of the good solvent for the polymer compound of the present invention include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, and n-butylbenzene. Although depending on the structure and molecular weight of the polymer compound, the polymer compound can usually be dissolved in these solvents in an amount of 0.1% by weight or more.

次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
例えば、Ｙ₁−Ａ−Ｙ₂で示される化合物を原料の一つとして用い、これを縮合重合さ
せることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。
式中、−Ａ−は上記式（Ｉ）または（ＩＩ）で示される繰返し単位を表す。
Ｙ₁およびＹ₂はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。 Next, the manufacturing method of the high molecular compound of this invention is demonstrated.
For example, the polymer compound of the present invention can be produced by using a compound represented by Y ₁ -A-Y ₂ as one of the raw materials and subjecting it to condensation polymerization.
In the formula, -A- represents a repeating unit represented by the above formula (I) or (II).
Y ₁ and Y ₂ each independently represent a substituent capable of condensation polymerization.

縮合重合に関与する置換基（Ｙ₁およびＹ₂）としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基またはビニル基等が挙げられる。 Substituents involved in condensation polymerization (Y ₁ and Y ₂ ) include halogen atoms, alkyl sulfonate groups, aryl sulfonate groups, aryl alkyl sulfonate groups, borate ester groups, sulfonium methyl groups, phosphonium methyl groups, phosphonate methyl groups, Examples thereof include a monohalogenated methyl group, —B (OH) ₂ , formyl group, cyano group, and vinyl group.

ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。 Here, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。 Examples of the alkyl sulfonate group include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group. Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group. Examples of the aryl sulfonate group include benzyl. Examples include sulfonate groups.

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

（式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。） Examples of the borate group include groups represented by the following formula.

(In the formula, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.)

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘ^-、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘ^-
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。） Examples of the sulfonium methyl group include groups represented by the following formula.
_{^{_{^{-CH 2 S + Me 2 X -}}}} , -CH 2 S + Ph 2 X -
(X represents a halogen atom, and Ph represents a phenyl group.)

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘ^-
（Ｘはハロゲン原子を示す。） Examples of the phosphonium methyl group include groups represented by the following formula.
-CH ₂ P ⁺ Ph ₃ X ^-
(X represents a halogen atom.)

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ’）₂
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。） Examples of the phosphonate methyl group include groups represented by the following formula.
-CH ₂ PO (OR ') ₂
(X represents a halogen atom, and R ′ represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.)

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基またはヨウ化メチル基が例示される。 Examples of the monohalogenated methyl group include a methyl fluoride group, a methyl chloride group, a methyl bromide group, and a methyl iodide group.

縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）₂などが挙げられる。 The preferred substituents involved in the condensation polymerization vary depending on the type of polymerization reaction. For example, when using a zerovalent nickel complex such as a Yamamoto coupling reaction, a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate. Groups. In the case of using a nickel catalyst or a palladium catalyst such as a Suzuki coupling reaction, an alkyl sulfonate group, a halogen atom, a borate group, -B (OH) _{2 and the} like can be mentioned.

本発明の高分子化合物の製造は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。
例えば、“オルガニックリアクションズ（ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニックシンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（ＣｏｌｌｅｃｔｉｖｅＶｏｌｕｍｅＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラーケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。 In the production of the polymer compound of the present invention, specifically, a compound having a plurality of substituents involved in condensation polymerization, which is a monomer, is dissolved in an organic solvent, if necessary, for example, using an alkali or a suitable catalyst. The organic solvent can be used at a temperature not lower than the melting point and not higher than the boiling point.
For example, “Organic Reactions”, Vol. 14, pp. 270-490, John Wiley & Sons, Inc., 1965, “Organic Synthesis”, Collective Volume 6. (Collective Volume VI), 407-411, John Wiley & Sons, Inc., 1988, Chemical Review (Chem. Rev.), 95, 2457 (1995), Journal of Organometallic. Chemistry (J. Organomet. Chem.), 576, 147 (1999), Macromolecular Chemistry Macromolecular Known methods described in the symposium (Macromol. Chem., Macromol. Symp.), Vol. 12, 229 (1987) can be used.

本発明の高分子化合物は、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を用いて製造することができる。 The polymer compound of the present invention can be produced using a known condensation reaction depending on the substituent involved in the condensation polymerization.

例えば該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、または適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。 For example, a method of polymerizing a corresponding monomer by a Suzuki coupling reaction, a method of polymerizing by a Grignard reaction, a method of polymerizing by a Ni (0) complex, a method of polymerizing by an oxidizing agent such as FeCl ₃ , an electrochemical oxidative polymerization Examples thereof include a method and a method by decomposition of an intermediate polymer having an appropriate leaving group.

これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。 Among these, a method of polymerizing by Suzuki coupling reaction, a method of polymerizing by Grignard reaction, and a method of polymerizing by nickel zero-valent complex are preferable because the structure can be easily controlled.

本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Ｙ₁およびＹ₂）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、およびアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。 In the production method of the present invention, the substituents (Y ₁ and Y ₂ ) involved in the condensation polymerization are each independently selected from a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an aryl alkyl sulfonate group, and have a nickel zero valence. A production method in which condensation polymerization is performed in the presence of a complex is preferred.
As raw material compounds, dihalogenated compounds, bis (alkyl sulfonate) compounds, bis (aryl sulfonate) compounds, bis (aryl alkyl sulfonate) compounds, halogen-alkyl sulfonate compounds, halogen-aryl sulfonate compounds, halogen-aryl alkyl sulfonate compounds, Examples include alkyl sulfonate-aryl sulfonate compounds, alkyl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds, and aryl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compounds.

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。 In this case, for example, a halogen-alkyl sulfonate compound, a halogen-aryl sulfonate compound, a halogen-aryl alkyl sulfonate compound, an alkyl sulfonate-aryl sulfonate compound, an alkyl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compound, or an aryl sulfonate-aryl alkyl sulfonate compound as a raw material compound. By using it, a method for producing a polymer compound with a controlled sequence can be mentioned.

また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基（Ｙ₁およびＹ₂）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）₂）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常Ｋ／Ｊは０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。 In the production method of the present invention, the substituents (Y ₁ and Y ₂ ) involved in the condensation polymerization are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, a boric acid group, Or the total number of moles of halogen atoms, alkyl sulfonate groups, aryl sulfonate groups and aryl alkyl sulfonate groups (J) selected from boric acid ester groups and contained in all raw material compounds, and boric acid groups (-B (OH) ₂ ) And the total number of moles of boric acid ester groups (K) is substantially 1 (usually K / J is in the range of 0.7 to 1.2), and a condensation polymerization using a nickel catalyst or a palladium catalyst. The manufacturing method is preferred.
Specific examples of the combination of raw material compounds include a combination of a dihalogenated compound, a bis (alkyl sulfonate) compound, a bis (aryl sulfonate) compound or a bis (aryl alkyl sulfonate) compound and a diboric acid compound or a diboric acid ester compound. .
Also, halogen-boric acid compounds, halogen-boric acid ester compounds, alkyl sulfonate-boric acid compounds, alkyl sulfonate-boric acid ester compounds, aryl sulfonate-boric acid compounds, aryl sulfonate-boric acid ester compounds, arylalkyl sulfonate-borates Examples include acid compounds, arylalkyl sulfonate-boric acid compounds, and arylalkyl sulfonate-boric acid ester compounds.

この場合、例えば原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。 In this case, for example, as a raw material compound, a halogen-boric acid compound, a halogen-boric acid ester compound, an alkyl sulfonate-boric acid compound, an alkyl sulfonate-boric acid ester compound, an aryl sulfonate-boric acid compound, an aryl sulfonate-boric acid ester compound, The method of manufacturing the polymeric compound which controlled the sequence by using an arylalkyl sulfonate-boric acid compound, an arylalkyl sulfonate-boric acid compound, and an arylalkyl sulfonate-boric acid ester compound is mentioned.

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。 Although the organic solvent varies depending on the compound and reaction used, it is generally preferable that the solvent used is sufficiently deoxygenated to allow the reaction to proceed in an inert atmosphere in order to suppress side reactions. Similarly, it is preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case in the case of a two-phase reaction with water, such as the Suzuki coupling reaction.

溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示される。これらの溶媒は単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。 Solvents include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane and bromopentane. Halogenated saturated hydrocarbons such as chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane and bromocyclohexane, halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, t-butyl alcohol Alcohols such as formic acid, acetic acid, propionic acid, dimethyl ether, diethyl ether, methyl-t-butyl ether, tetra Ethers such as drofuran, tetrahydropyran, dioxane, trimethylamine, triethylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, amines such as pyridine, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N Amides such as N, diethylacetamide and N-methylmorpholine oxide. These solvents may be used alone or in combination. Of these, ethers are preferable, and tetrahydrofuran and diethyl ether are more preferable.

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。 In order to make it react, an alkali and a suitable catalyst are added suitably. These may be selected according to the reaction used. The alkali or catalyst is preferably one that is sufficiently dissolved in the solvent used in the reaction. As a method of mixing the alkali or catalyst, slowly add the alkali or catalyst solution while stirring the reaction solution under an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or conversely, slowly add the reaction solution to the alkali or catalyst solution. And the method of adding.

本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。 When the polymer compound of the present invention is used for a polymer LED or the like, its purity affects the performance of the device such as light emission characteristics. Therefore, after the monomer before polymerization is purified by a method such as distillation, sublimation purification, recrystallization, It is preferable to polymerize. Further, after the polymerization, it is preferable to carry out a purification treatment such as reprecipitation purification and fractionation by chromatography.

本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を含む組成物であり、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、本発明の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有することを特徴とする組成物、本発明の高分子化合物を少なくとも２種類含有することを特徴とする組成物等があげられる。 The composition of the present invention is a composition comprising the polymer compound of the present invention,
A composition comprising at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material, and a light-emitting material, and at least one polymer compound of the present invention, Examples thereof include a composition containing at least two kinds of molecular compounds.

本発明の組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。組成物が発光材料を含有する場合には、該組成物中の発光材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。 When the composition of the present invention contains a hole transport material, the ratio of the hole transport material in the composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight. %. When the composition of the present invention contains an electron transport material, the proportion of the electron transport material in the composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight. is there. When the composition contains a light emitting material, the proportion of the light emitting material in the composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight.

本発明の組成物は、本発明の高分子化合物を少なくとも２種類含有する場合、
高分子化合物を構成する前記式（Ｉ）で示される繰返し単位と、前記式（ＩＩ）で示される繰返し単位の比率の異なる高分子化合物を含有するものがあげられる。 When the composition of the present invention contains at least two polymer compounds of the present invention,
Examples thereof include those containing a polymer compound having a different ratio of the repeating unit represented by the formula (I) constituting the polymer compound and the repeating unit represented by the formula (II).

本発明の組成物が本発明の高分子化合物を少なくとも２種類含有する場合、２種類の高分子化合物は、式（ＩＩ）で示される繰返し単位の含有量が互いに１０％以上異なるものとすることが組成物の正孔輸送性を容易に調整できるので好ましい。
また、本組成物を構成する高分子化合物の少なくとも１種類が、式（ＩＩ）で示される繰返し単位を２０％以上有することが、高い正孔輸送性を有するという観点で好ましい。 When the composition of the present invention contains at least two kinds of the polymer compound of the present invention, the two kinds of polymer compounds are different from each other in content of the repeating unit represented by the formula (II) by 10% or more. Is preferable because the hole transport property of the composition can be easily adjusted.
Moreover, it is preferable from a viewpoint that at least 1 type of the high molecular compound which comprises this composition has 20% or more of repeating units shown by Formula (II) has high hole transportability.

本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。 The liquid composition of the present invention is useful for production of light-emitting elements such as polymer light-emitting elements and organic transistors. The liquid composition comprises the polymer compound and a solvent. In the present specification, the “liquid composition” means a liquid that is liquid at the time of device fabrication, and typically means a liquid at normal pressure (ie, 1 atm) and 25 ° C. The liquid composition is generally called an ink, an ink composition, a solution or the like.

本発明の液状組成物は、前記高分子化合物以外に、発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 The liquid composition of the present invention contains, in addition to the polymer compound, a light emitting material, a hole transport material, an electron transport material, a stabilizer, an additive for adjusting viscosity and / or surface tension, an antioxidant, and the like. You may go out. Each of these optional components may be used alone or in combination of two or more.

本発明の液状組成物が含有してもよい発光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の発光材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。 Examples of the luminescent material that may be contained in the liquid composition of the present invention include naphthalene derivatives, anthracene, anthracene derivatives, perylene, perylene derivatives, polymethine dyes, xanthene dyes, coumarin dyes, cyanine dyes, 8- Metal complexes having a hydroxyquinoline metal complex as a ligand, metal complexes having an 8-hydroxyquinoline derivative as a ligand, other fluorescent metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene, tetraphenylcyclopentadiene derivatives, Tetraphenylcyclobutadiene, tetraphenylcyclobutadiene derivative, stilbene, silicon-containing aromatic, oxazole, furoxan, thiazole, tetraarylmethane, thiadiazole, pyrazole, metacyclophane, acetyl Luminescent material emission system and the like. Specific examples include those described in JP-A-57-51781, JP-A-59-194393, and the like.

本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。 Examples of the hole transport material that the liquid composition of the present invention may contain include, for example, polyvinylcarbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain, pyrazoline derivatives, Arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof Derivatives and the like.

本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。 Examples of the electron transport material that may be contained in the liquid composition of the present invention include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyano Anthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, etc. Can be mentioned.

本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。 Examples of the stabilizer that may be contained in the liquid composition of the present invention include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants.

本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。 As an additive for adjusting the viscosity and / or surface tension which the liquid composition of the present invention may contain, for example, a high molecular weight compound (thickener) for increasing the viscosity, a poor solvent, a viscosity A low molecular weight compound for lowering, a surfactant for lowering surface tension, and the like may be used in appropriate combination.

前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、通常、液状組成物の溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。 The high molecular weight compound is not particularly limited as long as it does not inhibit light emission or charge transport, and is usually soluble in the solvent of the liquid composition. As the high molecular weight compound, for example, high molecular weight polystyrene, high molecular weight polymethyl methacrylate, or the like can be used. The high molecular weight compound preferably has a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more. A poor solvent can also be used as a thickener.

本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。 The antioxidant that may be contained in the liquid composition of the present invention is not limited as long as it does not inhibit light emission or charge transport. When the composition contains a solvent, it is usually soluble in the solvent. is there. Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants. By using an antioxidant, the storage stability of the polymer compound and the solvent can be improved.

本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該液状組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。 When the liquid composition of the present invention contains a hole transport material, the ratio of the hole transport material in the liquid composition is usually 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60% by weight. When the liquid composition of the present invention contains an electron transport material, the ratio of the electron transport material in the liquid composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight. %.

高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10^-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。 When forming a film using this liquid composition in the preparation of a polymer light emitting device, it is only necessary to remove the solvent by drying after applying the liquid composition, and also to mix the charge transport material and the light emitting material. In this case, the same technique can be applied, which is very advantageous in manufacturing. In addition, in the case of drying, you may dry in the state heated at about 50-150 degreeC, and may be dried under reduced pressure to about 10 ^<-3 > Pa.

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 The film formation method using the liquid composition includes spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, and cap. Coating methods such as a coating method, a capillary coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, and a nozzle coating method can be used.

液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜99．9重量％であり、好ましくは60重量％〜99.9重量％であり、さらに好ましく90重量％〜99.8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。 The ratio of the solvent in the liquid composition is usually 1% by weight to 99.9% by weight, preferably 60% by weight to 99.9% by weight, and more preferably 90% by weight with respect to the total weight of the liquid composition. % By weight to 99.8% by weight. The viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method, but it is preferably in the range of 0.5 to 500 mPa · s at 25 ° C. In the case of the liquid composition passing through the discharge device, such as an ink jet printing method, In order to prevent flight bending, the viscosity is preferably in the range of 0.5 to 20 mPa · s at 25 ° C.

液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が100℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。 As the solvent contained in the liquid composition, those capable of dissolving or dispersing components other than the solvent in the liquid composition are preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorinated solvents such as chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, toluene, xylene, and trimethyl. Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and mesitylene, aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether Polyethylene alcohol and its derivatives such as ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerol, 1,2-hexanediol, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, etc. Examples thereof include alcohol-based solvents, sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide, and amide-based solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These solvents may be used alone or in combination. Among the solvents, it is preferable to include one or more organic solvents having a structure containing at least one benzene ring and having a melting point of 0 ° C. or lower and a boiling point of 100 ° C. or higher in view of viscosity, film formability, and the like. To preferred.

溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。 Solvents include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic hydrocarbon solvents from the viewpoints of solubility in organic solvents other than the solvent in the liquid composition, uniformity during film formation, viscosity characteristics, etc. Ester solvents and ketone solvents are preferred, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, mesitylene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, n-butylbenzene, i-butylbenzene, s-butylbenzene, anisole , Ethoxybenzene, 1-methylnaphthalene, cyclohexane, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, methylbenzoate, 2-propylcyclohexanone, 2-heptanone, - heptanone, 4-heptanone, 2-octanone, 2-nonanone, 2-decanone, dicyclohexyl ketone are preferred, xylene, anisole, mesitylene, cyclohexylbenzene, and it is more preferable to contain at least one of bicyclohexyl methyl benzoate.

液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。 The type of solvent contained in the liquid composition is preferably two or more, more preferably two to three, and more preferably two from the viewpoints of film forming properties and device characteristics. Further preferred.

液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶解することが好ましい。 When two kinds of solvents are contained in the liquid composition, one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, it is preferable that one type of solvent has a boiling point of 180 ° C. or higher, and the other one type of solvent preferably has a boiling point of less than 180 ° C. One type of solvent has a boiling point of 200 ° C. More preferably, the solvent has a boiling point of less than 180 ° C. Further, from the viewpoint of viscosity, at 60 ° C., it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent, and one of the two solvents has 25 ° C. In this case, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved.

液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。 When the liquid composition contains three kinds of solvents, one or two kinds of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, at least one of the three solvents is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and at least one solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower. At least one of the types of solvents is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less, and at least one of the solvents is more preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less. Further, from the viewpoint of viscosity, it is preferable that two of the three types of solvents have 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition dissolved at 60 ° C. in the solvent. Of these solvents, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent at 25 ° C.

液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量％であることが好ましく、50〜90重量％であることがより好ましく、65〜85重量％であることがさらに好ましい。 When two or more kinds of solvents are contained in the liquid composition, the solvent having the highest boiling point is 40 to 90% by weight of the total solvent contained in the liquid composition from the viewpoint of viscosity and film formability. Preferably, it is 50 to 90% by weight, more preferably 65 to 85% by weight.

＜用途＞
本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池又はドーピングにより導電性材料として用いることもできる。 <Application>
The polymer compound of the present invention can be used not only as a light emitting material but also as a conductive material by thin film, organic semiconductor material, organic transistor, optical material, solar cell or doping.

本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記高分子化合物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。 The thin film of the present invention will be described. This thin film is formed using the polymer compound. Examples of the thin film include a light-emitting thin film, a conductive thin film, and an organic semiconductor thin film.

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、70％以上であることがさらに好ましい。 The light-emitting thin film preferably has a quantum yield of light emission of 50% or more, more preferably 60% or more, and further preferably 70% or more from the viewpoint of the brightness of the device, the light emission voltage, and the like. .

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω／□以下であることがより好ましく、10Ω／□以下であることがさらに好ましい。 The conductive thin film preferably has a surface resistance of 1 KΩ / □ or less. The electrical conductivity can be increased by doping the thin film with a Lewis acid, an ionic compound or the like. The surface resistance is more preferably 100Ω / □ or less, and further preferably 10Ω / □ or less.

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、より好ましくは10^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは10^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ₂等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。 The organic semiconductor thin film has a higher electron mobility or hole mobility, preferably 10 ⁻⁵ cm ² / V / second or more, more preferably 10 ⁻³ cm ² / V / second or more, More preferably, it is 10 ^-1 cm ² / V / second or more. In addition, an organic transistor can be manufactured using an organic semiconductor thin film. Specifically, an organic transistor can be formed by forming an organic semiconductor thin film on a Si substrate on which an insulating film such as SiO ₂ and a gate electrode are formed, and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like. .

次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。 Next, a polymer field effect transistor which is an embodiment of the organic transistor will be described.

本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。 The polymer compound of the present invention can be suitably used as a material for a polymer field effect transistor, especially as an active layer. As a structure of a polymer field effect transistor, a source electrode and a drain electrode are usually provided in contact with an active layer made of a polymer, and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween. Just do it.

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。 The polymer field effect transistor is usually formed on a supporting substrate. The material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics as a field effect transistor are not hindered, but a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方法により製造することができる。 The polymer field effect transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 In forming the active layer, it is very advantageous and preferable to use an organic solvent-soluble polymer compound. As a film-forming method from a solution obtained by dissolving an organic solvent-soluble polymer compound in a solvent, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating Application methods such as a method, a dip coating method, a slit coating method, a cap coating method, a capillary coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used. .

高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。 A sealed polymer field effect transistor obtained by sealing after producing a polymer field effect transistor is preferred. Thereby, the polymer field effect transistor is shielded from the atmosphere, and deterioration of the characteristics of the polymer field effect transistor can be suppressed.

封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。 Examples of the sealing method include a method of covering with an ultraviolet (UV) curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiONx film, or the like, and a method of bonding a glass plate or film with a UV curable resin, a thermosetting resin, or the like. In order to effectively cut off from the atmosphere, it is preferable to carry out the steps from the preparation of the polymer field effect transistor to the sealing without exposure to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).

次に、有機太陽電池について説明する。有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。 Next, an organic solar cell will be described. A solid photoelectric conversion element utilizing the photovoltaic effect as an organic photoelectric conversion element which is one embodiment of an organic solar battery will be described.

本発明の高分子化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。 The polymer compound of the present invention is used as a material of an organic photoelectric conversion element, particularly as an organic semiconductor layer of a Schottky barrier type element utilizing an interface between an organic semiconductor and a metal, and between an organic semiconductor and an inorganic semiconductor or between organic semiconductors. It can be suitably used as an organic semiconductor layer of a pn heterojunction element utilizing an interface.

さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。 Furthermore, as an electron-donating polymer and an electron-accepting polymer in a bulk heterojunction device with an increased donor-acceptor contact area, an organic photoelectric conversion device using a polymer / low-molecular composite system, for example, electron accepting It can be suitably used as an electron donating conjugated polymer (dispersion support) of a bulk heterojunction organic photoelectric conversion element in which a fullerene derivative is dispersed as a body.

有機光電変換素子の構造としては、例えば、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。 As the structure of the organic photoelectric conversion element, for example, in a pn heterojunction type element, a p-type semiconductor layer is formed on an ohmic electrode, for example, ITO, and an n-type semiconductor layer is further stacked thereon. It is sufficient that an ohmic electrode is provided.

有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。 The organic photoelectric conversion element is usually formed on a support substrate. The material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics as the organic photoelectric conversion element are not impaired, but a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.

有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Synth.Met.,102,982(1999)に記載の方法やScience,270,1789(1995)に記載の方法により製造することができる。 The organic photoelectric conversion element can be produced by a known method, for example, the method described in Synth. Met., 102, 982 (1999) or the method described in Science, 270, 1789 (1995).

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。 Next, the polymer light emitting device of the present invention will be described.

本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記高分子化合物を含む発光層とを有するものである。 The polymer light emitting device of the present invention has an electrode composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer provided between the electrodes and containing the polymer compound.

また、本発明の高分子発光素子としては、(1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、(2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、(3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。 Further, as the polymer light-emitting device of the present invention, (1) a polymer light-emitting device in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light-emitting layer, and (2) a hole transport layer is provided between the anode and the light-emitting layer. Examples thereof include a polymer light emitting device provided, and (3) a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.

より具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。） More specifically, the following structures a) to d) are exemplified.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (Here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same shall apply hereinafter.)

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。 Here, the light emitting layer is a layer having a function of emitting light, the hole transporting layer is a layer having a function of transporting holes, and the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. It is. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently.
In addition, the hole transport layer adjacent to the light emitting layer may be referred to as an interlayer layer.

発光層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。 Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a light emitting layer, The method by film-forming from a solution is illustrated.

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a slit coating method, a cap coating method, Coating methods such as capillary coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, ink jet printing, and nozzle coating can be used.

高分子発光素子作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。 When forming a film from a solution by using the polymer compound of the present invention at the time of preparing a polymer light emitting device, it is only necessary to remove the solvent by drying after coating this solution, and charge transport materials and light emitting materials can be used. Even in the case of mixing, the same technique can be applied, which is very advantageous in production.

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。 The film thickness of the light emitting layer varies depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. For example, the film thickness is 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm. More preferably, it is 5 nm to 200 nm.

本発明の高分子発光素子においては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本願発明の高分子発光素子においては、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。 In the polymer light emitting device of the present invention, a light emitting material other than the polymer compound may be mixed and used in the light emitting layer. In the polymer light emitting device of the present invention, a light emitting layer containing a light emitting material other than the polymer compound may be laminated with a light emitting layer containing the polymer compound.

前記高分子化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号、同59-194393号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。 As the light emitting material other than the polymer compound, known materials can be used. Examples of the low molecular weight compound include naphthalene derivatives, anthracene and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, polymethine-type, xanthene-type, coumarin-type and cyanine-type pigments, 8-hydroxyquinoline and metal complexes of its derivatives, aromatic amines, and the like. , Tetraphenylcyclopentadiene and derivatives thereof, tetraphenylbutadiene and derivatives thereof, and the like can be used. Specifically, for example, known ones such as those described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が例示される。具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。 When the polymer light-emitting device of the present invention has a hole transport layer, the hole transport material used includes polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, and polysiloxane having an aromatic amine in the side chain or main chain. Derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thieni Lembinylene) and its derivatives are exemplified. Specifically, as the hole transport material, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988, Examples described in JP-A-3-7992 and JP-A-3-152184 are exemplified.

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine compound group in the side chain or main chain, polyaniline and derivatives thereof A polymer hole transport material such as polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof, more preferably polyvinyl carbazole and derivatives thereof, Polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。 Polyvinylcarbazole and derivatives thereof are obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。 Examples of the polysilane and derivatives thereof include compounds described in Chemical Review, Vol. 89, page 1359 (1989), GB 2300196 published specification, and the like. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.

ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。 Since the polysiloxane derivative has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。 Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, In the low molecular hole transport material, the method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated. In the case of a polymer hole transport material, a method of film formation from a solution is exemplified.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。 The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, cap Coating methods such as a coating method, a capillary coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, and a nozzle coating method can be used.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。 As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those showing no strong absorption against visible light are suitably used. Examples of the polymer binder include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。 The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。 When the polymer light-emitting device of the present invention has an electron transport layer, known electron transport materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and Derivatives thereof, anthraquinone and derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane and derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and Examples thereof include polyfluorene and derivatives thereof. Specifically, JP-A 63-70257, 63-175860, JP 2-135359, 2-135361, 2-209988, 3-37992, Examples described in JP-A-3-152184 are exemplified.

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone and derivatives thereof, anthraquinone and derivatives thereof, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof are preferred. More preferred are-(4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline.

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。 There are no particular restrictions on the method for forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, the vacuum evaporation method from powder, or the method by film formation from a solution or molten state, the polymer electron transport material is a solution or melt. Each method is exemplified by film formation from the state. When forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。 The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve an electron transport material and / or a polymer binder. Examples of the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.

溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 Examples of film formation methods from a solution or a molten state include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, and cap. Coating methods such as a coating method, a capillary coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, and a nozzle coating method can be used.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。 As the polymer binder to be mixed, those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those not strongly absorbing visible light are suitably used. Examples of the polymer binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) and derivatives thereof, Examples include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.

電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。 The film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are moderate values, but at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the drive voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。 Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having a function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly charge injection layers (hole injection layers). , An electron injection layer).

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。 Further, in order to improve adhesion with the electrode and charge injection from the electrode, the charge injection layer or the insulating layer may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface is improved or mixing is prevented. For this purpose, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。 The order and number of layers to be stacked, and the thickness of each layer may be appropriately selected in consideration of light emission efficiency and element lifetime.

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。 In the present invention, a polymer light emitting device provided with a charge injection layer (electron injection layer, hole injection layer) is a polymer light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, or a charge injection adjacent to the anode. Examples thereof include a polymer light emitting device provided with a layer.

例えば、具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極 For example, the following structures e) to p) are specifically mentioned.
e) Anode / charge injection layer / light emitting layer / cathode
f) Anode / light emitting layer / charge injection layer / cathode
g) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
h) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode
i) Anode / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
j) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge injection layer / cathode
k) Anode / charge injection layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode
l) Anode / light-emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode
m) Anode / charge injection layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode
n) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / charge transport layer / cathode o) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode p) Anode / charge injection layer / Hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。 Specific examples of the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, an anode and a hole transport layer provided between the anode material and the hole transport material included in the hole transport layer. A layer containing a material having a value ionization potential, a layer provided between a cathode and an electron transport layer, and a layer containing a material having an intermediate value of electron affinity between the cathode material and the electron transport material contained in the electron transport layer, etc. Is exemplified.

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10^-5S/cm以上10³S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10^-5S/cm以上10²S/cm以下がより好ましく、10^-5S/cm以上10¹S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10^-5S/cm以上10³S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。 When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 ⁻⁵ S / cm or more and 10 ³ S / cm or less, and leakage between light emitting pixels in order to reduce the current, more preferably less 10 ^-5 S / cm or more and 10 ² S / cm, more preferably less 10 ^-5 S / cm or more and 10 ¹ S / cm. Usually, in order to make the electric conductivity of the conductive polymer 10 ⁻⁵ S / cm or more and 10 ³ S / cm or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。 The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of the anion include polystyrene sulfonate ion, alkylbenzene sulfonate ion, camphor sulfonate ion, and the like, and examples of the cation include lithium ion, sodium ion, potassium ion, tetrabutylammonium ion, and the like.

電荷注入層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜100ｎｍであり、２ｎｍ〜50ｎｍが好ましい。 The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。 The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene And derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine (copper phthalocyanine, etc.), carbon, etc. .

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、0.1〜20ｎｍであり、好ましくは0.5〜10ｎｍ、より好ましくは１〜５ｎｍである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。 The insulating layer has a function of facilitating charge injection. The average thickness of this insulating layer is usually 0.1 to 20 nm, preferably 0.5 to 10 nm, more preferably 1 to 5 nm. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. Examples of the polymer light emitting device provided with the insulating layer include a polymer light emitting device provided with an insulating layer adjacent to the cathode and a polymer light emitting device provided with an insulating layer adjacent to the anode.

具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ)陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ)陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ab）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極 Specific examples include the following structures q) to ab).
q) anode / insulating layer / light emitting layer / cathode r) anode / light emitting layer / insulating layer / cathode s) anode / insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode t) anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / Cathode u) anode / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode v) anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode w) anode / insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / Cathode x) anode / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode y) anode / insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode z) anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode
aa) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode
ab) Anode / insulating layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / insulating layer / cathode

本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。 The substrate on which the polymer light-emitting device of the present invention is formed may be any substrate that does not change when an electrode is formed and an organic layer is formed. Examples thereof include substrates such as glass, plastic, polymer film, and silicon. Is done. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。 In the present invention, it is usually preferred that at least one of the anode and cathode electrodes is transparent or translucent, and the anode side is transparent or translucent.

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ITO）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。 As the material for the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and their composite films made of conductive glass made of indium, tin, oxide (ITO), indium, zinc, oxide, etc. (NESA) Etc.), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like. Moreover, you may use organic transparent conductive films, such as polyaniline and its derivative (s), polythiophene, and its derivative (s) as this anode.

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。 The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. It is.

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。 In order to facilitate charge injection, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon, or the like, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided on the anode. .

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。 As a material for the cathode, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like Two or more alloys, or one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。 The film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。 As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. In addition, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer. The protective layer which protects may be mounted | worn. In order to stably use the polymer light emitting device for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or a protective cover in order to protect the device from the outside.

該保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。 As the protective layer, resins, metal oxides, metal fluorides, metal borides and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing the cover by bonding it to the element substrate with a thermosetting resin or a photocurable resin is preferable. Used for. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる。 The polymer light-emitting device of the present invention can be used in a display device such as a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device (for example, a backlight).

本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。 In order to obtain planar light emission using the polymer light emitting device of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic material layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non- There are a method of emitting light, a method of forming either one of the anode or the cathode, or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multicolor display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymer compounds having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively, or may be actively driven in combination with a TFT or the like. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。例えば照明用光源には白色発光、赤色発光、緑色発光または青色発光などの発光色があげられる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。 Furthermore, the planar light emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. For example, the light source for illumination includes light emission colors such as white light emission, red light emission, green light emission, and blue light emission. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.

（合成例１）Ｎ−オクチルフェノキサジンの合成
不活性雰囲気下、フェノキサジン（１０．０ｇ）、水酸化ナトリウム（２１．９ｇ）、テトラエチルアンモニウムブロマイド（０．３７ｇ）、ジメチルスルホキシド（３４ｍＬ）を混合し、８０℃まで昇温した後、水１８ｍＬを加え、１−ブロモオクタン（１２．９ｇ）を５０分で滴下した。ついで、９０℃ まで昇温して 1 時間攪拌した後、室温へ冷却した。ついで、析出した固体をトルエン１６０ｍＬに溶解し、水（１００ｍＬ）で２回洗浄し、１Ｎ塩酸（１００ｍＬ）で１回洗浄し、水（１００ｍＬ）で３回洗浄し、シリカゲルカラムに通液させ、減圧濃縮、真空乾燥を行い、目的物とするＮ−オクチルフェノキサジン１６．０ｇ（純度９９．４％）を得た。 Synthesis Example 1 Synthesis of N-octylphenoxazine In an inert atmosphere, phenoxazine (10.0 g), sodium hydroxide (21.9 g), tetraethylammonium bromide (0.37 g), and dimethyl sulfoxide (34 mL) were mixed. Then, the temperature was raised to 80 ° C., 18 mL of water was added, and 1-bromooctane (12.9 g) was added dropwise over 50 minutes. Then, the temperature was raised to 90 ° C. and stirred for 1 hour, and then cooled to room temperature. Next, the precipitated solid was dissolved in 160 mL of toluene, washed twice with water (100 mL), once with 1N hydrochloric acid (100 mL), washed three times with water (100 mL), and passed through a silica gel column. Concentration under reduced pressure and vacuum drying were performed to obtain 16.0 g (purity 99.4%) of the target N-octylphenoxazine.

¹Ｈ−ＮＭＲ（２９９．４ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：０．８９（ｔ，３Ｈ），１．１５−１．４７（ｍ，１０Ｈ），１．６５（ｂｒ，２Ｈ），３．４５（ｂｒ，２Ｈ），６．３１−６．８８（ｂｒ，８Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：２９６［Ｍ＋Ｈ］⁺ ¹ H-NMR (299.4 MHz, CDCl ₃ ): 0.89 (t, 3H), 1.15 to 1.47 (m, 10H), 1.65 (br, 2H), 3.45 (br, 2H), 6.31-6.88 (br, 8H).
LC-MS (APPI-MS (posi)): 296 [M + H] ⁺

（合成例２）３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジンの合成
不活性雰囲気下Ｎ−オクチルフェノキサジン（１５．０ｇ）にジクロロメタン（５５ｍL）を加えて調整した溶液に、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（１５．１ｇ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５．８ｍＬからなる溶液を室温にて３０分で滴下し１時間攪拌した後、室温にて６時間攪拌を行った。得られた沈澱を濾過、メタノールで洗浄、ついで減圧乾燥することにより、目的とする３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジンを１６．６ｇ得た（純度９９．７%）。 Synthesis Example 2 Synthesis of 3,7-dibromo-N-octylphenoxazine To a solution prepared by adding dichloromethane (55 mL) to N-octylphenoxazine (15.0 g) in an inert atmosphere, 1,3-dibromo was added. A solution consisting of -5,5-dimethylhydantoin (15.1 g) and 15.8 mL of N, N-dimethylformamide was added dropwise at room temperature over 30 minutes and stirred for 1 hour, followed by stirring at room temperature for 6 hours. The obtained precipitate was filtered, washed with methanol, and then dried under reduced pressure to obtain 16.6 g of the intended 3,7-dibromo-N-octylphenoxazine (purity 99.7%).

¹Ｈ−ＮＭＲ（２９９．４ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：０．８９（ｔ，３Ｈ），１．１８−１．４６（ｍ，１０Ｈ），１．５９（ｂｒ，２Ｈ），３．３８（ｂｒ，２Ｈ），６．２９（ｄ，２Ｈ），６．７３（ｓ，２Ｈ），６．８８（ｄ，２Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：４５２［Ｍ＋Ｈ］⁺ ¹ H-NMR (299.4 MHz, CDCl ₃ ): 0.89 (t, 3H), 1.18-1.46 (m, 10H), 1.59 (br, 2H), 3.38 (br, 2H), 6.29 (d, 2H), 6.73 (s, 2H), 6.88 (d, 2H).
LC-MS (APPI-MS (posi)): 452 [M + H] ⁺

（合成例３）高分子化合物＜Ｐ−１＞の合成
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（１．３７ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１．２２ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．１８ｇ）、酢酸パラジウム（０．５ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（４．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２４ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２２ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭＮａ₂ＣＯ₃水溶液（３．６ｍｌ）を滴下し、２．５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（２６．０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２時間撹拌した。冷却後、水（２５ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（２５ｍｌ）で３回、水（２５ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞の収量は１．８６ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−１＞のポリスチレン換算数平均分子量は、９．１×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．１×１０⁵であった。 Synthesis Example 3 Synthesis of Polymer Compound <P-1> 2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-dioctylfluorene (1.37 g) under an inert atmosphere 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene (1.22 g), 3,7-dibromo-N-octylphenoxazine (0.18 g), palladium acetate (0.5 mg), tri (2-methylphenyl) ) Phosphine (4.7 mg), Aliquat 336 (0.24 g, manufactured by Aldrich) and toluene (22 ml) were mixed and heated to 105 ° C. To this reaction solution, a 2M Na ₂ CO ₃ aqueous solution (3.6 ml) was added dropwise and refluxed for 2.5 hours. After the reaction, phenylboric acid (26.0 mg) was added, and the mixture was further refluxed for 2 hours. Next, an aqueous sodium diethyldithiacarbamate solution was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 2 hours. After cooling, the mixture was washed 3 times with water (25 ml), 3 times with 3% aqueous acetic acid (25 ml) and 3 times with water (25 ml), and purified by passing through an alumina column and a silica gel column. The obtained toluene solution was added dropwise to methanol (800 ml) and stirred for 1 hour, and then the obtained solid was collected by filtration and dried. The yield of the obtained polymer compound <P-1> was 1.86 g.
The polymer compound <P-1> had a polystyrene equivalent number average molecular weight of 9.1 × 10 ⁴ and a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 2.1 × 10 ⁵ .

（実施例１）
〔高分子化合物＜Ｐ−２＞の合成〕
不活性雰囲気下、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシ−フェニル）フルオレン（１．５４ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシ−フェニル）フルオレン（１．１５ｇ）、３，７−ジブロモ−Ｎ−オクチルフェノキサジン（０．１４ｇ）、酢酸パラジウム（０．７ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（８．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２８ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２３ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。この反応溶液に２ＭＮａ₂ＣＯ₃水溶液（３．９ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（３４．３ｍｇ）を加え、さらに１．５時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え８０℃で２．５時間撹拌した。冷却後、水（３０ｍｌ）で３回、３％酢酸水溶液（３０ｍｌ）で3回、水（３０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（８００ｍｌ）に滴下し、３時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞の収量は１．８３ｇであった。
高分子化合物＜Ｐ−２＞のポリスチレン換算数平均分子量は、７．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．０×１０⁵であった。
なお２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシ−フェニル）フルオレンおよび２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルオキシ−フェニル）フルオレンはＷＯ２００３／０９５５８６に記載の方法で合成した。 Example 1
[Synthesis of Polymer Compound <P-2>]
Under an inert atmosphere, 2,7-bis (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-bis (4-hexyloxy-phenyl) fluorene ( 1.54 g), 2,7-dibromo-9,9-bis (4-hexyloxy-phenyl) fluorene (1.15 g), 3,7-dibromo-N-octylphenoxazine (0.14 g), palladium acetate (0.7 mg), tri (2-methylphenyl) phosphine (8.7 mg), Aliquat 336 (0.28 g, manufactured by Aldrich) and toluene (23 ml) were mixed and heated to 105 ° C. To this reaction solution, 2M Na ₂ CO ₃ aqueous solution (3.9 ml) was added dropwise and refluxed for 4 hours. After the reaction, phenylboric acid (34.3 mg) was added, and the mixture was further refluxed for 1.5 hours. Next, an aqueous sodium diethyldithiacarbamate solution was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 2.5 hours. After cooling, the mixture was washed 3 times with water (30 ml), 3 times with 3% aqueous acetic acid (30 ml) and 3 times with water (30 ml), and purified by passing through an alumina column and a silica gel column. The obtained toluene solution was added dropwise to methanol (800 ml) and stirred for 3 hours, and then the obtained solid was collected by filtration and dried. The yield of the obtained polymer compound <P-2> was 1.83 g.
The polymer compound <P-2> had a polystyrene equivalent number average molecular weight of 7.8 × 10 ⁴ and a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 2.0 × 10 ⁵ .
2,7-bis (4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-bis (4-hexyloxy-phenyl) fluorene and 2,7- Dibromo-9,9-bis (4-hexyloxy-phenyl) fluorene was synthesized by the method described in WO2003 / 095586.

〔高分子化合物＜Ｐ−２＞のガラス転移温度測定〕
ガラス転移温度の測定は、ＤＳＣ（ＤＳＣ２９２０、ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）によりおこなった。サンプルを２００℃で５分間保持した後、−５０℃まで急冷して３０分間保持した。３０℃まで温度を上げた後、毎分５℃の昇温速度で３００℃まで測定をおこなった。
得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞のガラス転移温度は１９１℃であり、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れていた。 [Measurement of Glass Transition Temperature of Polymer Compound <P-2>]
The glass transition temperature was measured by DSC (DSC2920, manufactured by TA Instruments). The sample was held at 200 ° C. for 5 minutes, then rapidly cooled to −50 ° C. and held for 30 minutes. After raising the temperature to 30 ° C., the measurement was carried out to 300 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute.
The obtained polymer compound <P-2> had a glass transition temperature of 191 ° C., a high glass transition temperature, and excellent heat resistance.

〔エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の作製と評価〕

高分子化合物＜Ｐ−３＞溶液の調製
ＷＯ２００２／０４５１８５に記載の方法で合成した高分子化合物＜Ｐ−３＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度０．５重量％のキシレン溶液を作製した。

[Production and Evaluation of Electroluminescence (EL) Element]

Preparation of Polymer Compound <P-3> Solution Polymer compound <P-3> synthesized by the method described in WO2002 / 045185 was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 0.5% by weight.

高分子化合物＜Ｐ−２＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−２＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。 Preparation of Polymer Compound <P-2> Solution The polymer compound <P-2> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.

ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−２＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４８０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、最大発光効率は１１．９ｃｄ／Ａであり高効率であった。
Production of EL element A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (manufactured by Bayer, BaytronP AI4083) is 0.2 μm on a glass substrate on which an ITO film is formed with a thickness of 150 nm by sputtering. A thin film having a thickness of 70 nm was formed by spin coating using the liquid filtered through a membrane filter, and dried on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes. Next, using the xylene solution of the polymer compound <P-3> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotational speed of 3000 rpm, and dried on a hot plate at 200 ° C. for 15 minutes. The film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the xylene solution of the polymer compound <P-2> obtained above, a film was formed at a rotational speed of 1200 rpm by spin coating. The film thickness after film formation was about 80 nm. Further, this was dried at 80 ° C. under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode by about 5 nm, and then aluminum was deposited by about 100 nm to produce an EL device. The metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 × 10 ⁻⁴ Pa or less.
EL device performance By applying a voltage to the obtained device, EL light emission having a peak at 480 nm was obtained from this device. The maximum luminous efficiency was 11.9 cd / A, which was high efficiency.

（比較例１）
〔高分子化合物＜Ｐ−１＞のガラス転移温度測定〕
高分子化合物＜Ｐ−２＞と同様の方法でガラス転移温度の測定をおこなった。
得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞のガラス転移温度は７６℃であった。 (Comparative Example 1)
[Measurement of Glass Transition Temperature of Polymer Compound <P-1>]
The glass transition temperature was measured by the same method as for the polymer compound <P-2>.
The obtained polymer compound <P-1> had a glass transition temperature of 76 ° C.

〔エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の作製と評価〕
高分子化合物＜Ｐ−１＞溶液の調製
上記で得た高分子化合物＜Ｐ−１＞をキシレンに溶解し、ポリマー濃度１．２重量％のキシレン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−３＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。成膜後の膜厚は約１０ｎｍであった。さらに、上記で得た高分子化合物＜Ｐ−１＞のキシレン溶液を用いて、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約１０７ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４７０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、最大発光効率は５．１９ｃｄ／Ａであった。 [Production and Evaluation of Electroluminescence (EL) Element]
Preparation of Polymer Compound <P-1> Solution The polymer compound <P-1> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
Production of EL element A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (manufactured by Bayer, BaytronP AI4083) is 0.2 μm on a glass substrate on which an ITO film is formed with a thickness of 150 nm by sputtering. A thin film having a thickness of 70 nm was formed by spin coating using the liquid filtered through a membrane filter, and dried on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes. Next, using the xylene solution of the polymer compound <P-3> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotational speed of 3000 rpm, and dried on a hot plate at 200 ° C. for 15 minutes. The film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the xylene solution of the polymer compound <P-1> obtained above, a film was formed at a rotational speed of 1200 rpm by spin coating. The film thickness after film formation was about 107 nm. Further, this was dried at 80 ° C. under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode by about 5 nm, and then aluminum was deposited by about 100 nm to produce an EL device. The metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 × 10 ⁻⁴ Pa or less.
EL device performance By applying a voltage to the obtained device, EL light emission having a peak at 470 nm was obtained from this device. The maximum luminous efficiency was 5.19 cd / A.

Claims

下記式（Ｉ）で示される繰返し単位と下記式（ＩＩ）で示される繰返し単位とからなる高分子化合物。

〔上記式（ＩＩ）中、Ｒ₅はアルキル基を表し、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 A polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (I) and a repeating unit represented by the following formula (II).

上記式（Ｉ）で示される繰返し単位が、下記式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位である請求項１記載の高分子化合物。

〔上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、Ｒ₆およびＲ₇はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₆およびＲ₇がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 The polymer compound according to claim 1, wherein the repeating unit represented by the formula (I) is a repeating unit represented by the following formula (III).

上記式（ＩＩＩ）中、Ａｒ₃およびＡｒ₄がそれぞれ独立に、下記式（ＩＶ）で示される基である請求項２記載の高分子化合物。

〔上記式（ＩＶ）中、Ｒ₈はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｇは０〜５から選ばれる整数を表す。Ｒ₈が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 The polymer compound according to claim 2, wherein in the formula (III), Ar ₃ and Ar ₄ are each independently a group represented by the following formula (IV).

上記式（ＩＩＩ）においてｅおよびｆが０であることを特徴とする請求項２または３記載の高分子化合物。 4. The polymer compound according to claim 2, wherein e and f are 0 in the formula (III).

上記式（ＩＩ）で示される繰返し単位が、下記式（Ｖ）で示される繰返し単位である請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。

〔上記式（Ｖ）中、Ｒ₁₁はアルキル基を表し、Ｒ₉およびＲ₁₀はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｈおよびｉはそれぞれ独立に、０〜３から選ばれる整数を表す。Ｒ₉およびＲ₁₀がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕 The polymer compound according to any one of claims 1 to 4, wherein the repeating unit represented by the formula (II) is a repeating unit represented by the following formula (V).

上記式（Ｖ）においてｈおよびｉが０である請求項５記載の高分子化合物。 6. The polymer compound according to claim 5, wherein h and i are 0 in the formula (V).

ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である請求項１〜６のいずれか一項記載の高分子化合物。 The polymer compound according to any one of claims 1 to 6, which has a polystyrene-reduced number average molecular weight of 10 ³ to 10 ⁸ .

正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と、請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有する組成物。 A composition comprising at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material and a light emitting material, and at least one polymer compound according to any one of claims 1 to 7. .

請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物を少なくとも２種類含有することを特徴とする組成物。 A composition comprising at least two polymer compounds according to any one of claims 1 to 7.

陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項８もしくは９に記載の組成物を含む発光層とを有する高分子発光素子。 The polymer which has an electrode which consists of an anode and a cathode, and the light emitting layer which is provided between this electrode and contains the polymer compound as described in any one of Claims 1-7, or the composition as described in Claim 8 or 9. Light emitting element.

請求項10記載の高分子発光素子を含む面状光源。 11. A planar light source comprising the polymer light emitting device according to claim 10.

請求項10に記載の高分子発光素子を含む表示装置。 11. A display device comprising the polymer light emitting device according to claim 10.

請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物。 A liquid composition comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 and a solvent.

請求項８または９に記載の組成物と溶媒とを含む液状組成物。 A liquid composition comprising the composition according to claim 8 or 9 and a solvent.

請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項８もしくは９に記載の組成物を含む薄膜。 A thin film comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 or the composition according to claim 8 or 9.

請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項８もしくは９に記載の組成物を含む有機トランジスタ。 An organic transistor comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 or the composition according to claim 8 or 9.

請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項８もしくは９に記載の組成物を含む太陽電池。 A solar cell comprising the polymer compound according to any one of claims 1 to 7 or the composition according to claim 8 or 9.