JP5250895B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図である。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて半導体スイッチ素子の製造方法を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図11を参照して、半導体装置102は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、半導体スイッチ素子11,12の代わりに半導体スイッチ素子21,22を備える。半導体スイッチ素子11,12は、電気的特性の異なる2つの集積回路すなわち半導体チップCP11,CP12にそれぞれ含まれる。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて要求仕様の判定方法を具体化した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図12を参照して、半導体装置103は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、端子T1と切り替え判定部3とが接続されている点が異なる。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて要求仕様の判定方法を具体化した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図14を参照して、半導体装置104は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、さらに、端子T2を備える。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて半導体スイッチ素子の種類を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図16を参照して、半導体装置105は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、半導体スイッチ素子11,12の代わりに半導体スイッチ素子31,32を備える。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて半導体スイッチ素子の種類を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図17を参照して、半導体装置106は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、半導体スイッチ素子11,12の代わりに半導体スイッチ素子41,42を備え、かつダイオード13を備えない。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて半導体スイッチ素子の種類を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図18を参照して、半導体装置107は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて、半導体スイッチ素子11,12およびダイオード13の代わりに半導体スイッチ素子61,62およびダイオード63を備える。
Claims (9)
- スイッチング損失および飽和電圧損失が互いに異なる複数の半導体スイッチ素子と、
前記複数の半導体スイッチ素子のいずれかを選択し、前記選択した半導体スイッチ素子を駆動する選択駆動部とを備え、
前記選択駆動部は、前記半導体スイッチ素子を駆動するための駆動信号を受け、前記駆動信号の周波数を検出し、前記検出した周波数に基づいて前記複数の半導体スイッチ素子のいずれかを選択し、前記選択した半導体スイッチ素子に前記駆動信号を与える、半導体装置。 - 前記複数の半導体スイッチ素子は、1つの半導体チップに含まれる請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体スイッチ素子は、電気的特性の異なる複数の半導体チップにそれぞれ含まれる請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体スイッチ素子はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体スイッチ素子はバイポーラトランジスタである請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、さらに、
前記半導体スイッチ素子ごとに設けられ、対応の前記半導体スイッチ素子に並列接続され、炭化珪素によって形成されている複数のダイオードを備える請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の半導体スイッチ素子は、炭化珪素によって形成されている請求項6に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体スイッチ素子はRC(Reverse Conducting)−IGBTである請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の半導体スイッチ素子は、炭化珪素によって形成されている請求項8に記載の半導体装置。
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