JP5228721B2 - Method for producing transparent conductive film - Google Patents
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Description
本発明は透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルム及びこれらを用いたタッチパネル、静電容量式タッチパネル、電子ペーパー、有機エレクトロルミネッセンス素子、色素増感型太陽電池、電磁波吸収パネルに関するものである。特に液晶ディスプレイ等の表示体に組み込まれる抵抗膜式タッチパネルの電極用フィルムとして用いた場合、ペン摺動耐久性に優れるため、タッチパネルの長期信頼性を得ることができる透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルに関する。さらに静電容量式タッチパネル、電子ペーパー、有機エレクトロルミネッセンス素子、色素増感型太陽電池、電磁波吸収パネル等の透明電極として用いた場合、導電性に優れるため、良好なデバイスを作製できる。 The present invention relates to a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film layer is laminated on a substrate made of a transparent plastic film, and a touch panel, a capacitive touch panel, electronic paper, an organic electroluminescence element, and a dye-sensitized type using these. The present invention relates to a solar cell and an electromagnetic wave absorption panel. In particular, when used as an electrode film for a resistive touch panel incorporated in a display body such as a liquid crystal display, the transparent conductive film capable of obtaining long-term reliability of the touch panel and the use thereof are used because of excellent pen sliding durability. Related to the touch panel. Furthermore, since it is excellent in electroconductivity when it uses as transparent electrodes, such as an electrostatic capacitance type touch panel, electronic paper, an organic electroluminescent element, a dye-sensitized solar cell, and an electromagnetic wave absorption panel, a favorable device can be produced.
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明でかつ抵抗が小さい薄膜を積層した透明導電性フィルムは、その導電性を利用した用途、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス(ELと略記される場合がある)ディスプレイ、電子ペーパー、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどのようなフラットパネルディスプレイや、タッチパネルの透明電極など、電気、電子分野の用途に広く使用されている。 A transparent conductive film obtained by laminating a transparent thin film having a low resistance on a substrate made of a transparent plastic film is used for applications utilizing the conductivity, for example, a liquid crystal display, electroluminescence (EL may be abbreviated as EL). ) Widely used in electrical and electronic fields such as flat panel displays such as displays, electronic paper, organic electroluminescence displays, and transparent electrodes for touch panels.
近年、タッチパネルは入力インターフェイスとして幅広く認知され、特に携帯電話やゲーム機、デジタルビデオカメラ、デジタルカメラなどの携帯端末には操作キーを省くため表示ディスプレイにタッチパネルを搭載するケースが増えている。このような携帯端末に用いられるタッチパネルは表示画面を汚さないためにペンなどで入力が行われる。このため、ペンなどで局部的に強い力で入力を繰り返しても透明導電性薄膜層が劣化せず、長期使用してもタッチパネルの入力がしづらくならない透明導電性フィルムが要望されている。 In recent years, touch panels are widely recognized as input interfaces, and in particular, mobile terminals such as mobile phones, game machines, digital video cameras, and digital cameras are increasingly equipped with touch panels on display displays in order to omit operation keys. A touch panel used for such a portable terminal is input with a pen or the like so as not to stain the display screen. For this reason, there is a demand for a transparent conductive film in which the transparent conductive thin film layer does not deteriorate even when input is repeated with a strong force locally with a pen or the like, and the input of the touch panel does not become difficult even after long-term use.
さらに静電容量式タッチパネル、電子ペーパー、有機エレクトロルミネッセンス素子、色素増感型太陽電池、電磁波吸収パネル等の透明電極では低抵抗な透明導電性フィルムが要望されている。
しかしながら、従来の透明導電性フィルムは次のような課題を有していた。
厚さが120μm以下の透明プラスチックフィルム基材上に透明導電性薄膜を形成し、粘着剤層で他の透明基体と貼りあわせた透明導電性フィルムが特許文献1に開示されている。しかしながら、後述のペン摺動耐久性試験に記載のポリアセタール製のペンを使用し、5.0Nの荷重で30万回の直線摺動試験後には、透明導電性薄膜に剥離が生じ、ペン入力に対する耐久性は不十分であった。そのため、この剥離部の白化により、タッチパネル付きディスプレイ用に使用した際に表示品位が低下するという問題があった(特許文献1参照)。
Furthermore, a transparent conductive film having a low resistance is required for transparent electrodes such as capacitive touch panels, electronic paper, organic electroluminescence elements, dye-sensitized solar cells, and electromagnetic wave absorbing panels.
However, the conventional transparent conductive film has the following problems.
Patent Document 1 discloses a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film is formed on a transparent plastic film substrate having a thickness of 120 μm or less and bonded to another transparent substrate with an adhesive layer. However, using the polyacetal pen described in the pen sliding durability test described later, after a linear sliding test of 300,000 times with a load of 5.0 N, the transparent conductive thin film peeled off, and the pen input Durability was insufficient. For this reason, the whitening of the peeled portion has a problem that the display quality deteriorates when used for a display with a touch panel (see Patent Document 1).
また、透明プラスチックフィルム基材上に、有機ケイ素化合物の加水分解により生成された下地層を設け、さらに結晶質の透明導電性薄膜を積層した透明導電性フィルムが、特許文献2〜7などに提案されている(特許文献2〜7参照)。
しかしながら、これらの透明導電性フィルムは非常に脆く、後述のペン摺動耐久性試験に記載のポリアセタール製のペンを使用し、5.0Nの荷重で30万回の直線摺動試験後には、透明導電性薄膜にクラックが発生する。
In addition, a transparent conductive film in which a base layer generated by hydrolysis of an organosilicon compound is provided on a transparent plastic film substrate and a crystalline transparent conductive thin film is further laminated is proposed in Patent Documents 2 to 7, etc. (See Patent Documents 2 to 7).
However, these transparent conductive films are very fragile and use a polyacetal pen described in the pen sliding durability test described later, and after a 300,000 linear sliding test at a load of 5.0 N, the transparent conductive film is transparent. Cracks occur in the conductive thin film.
さらに低抵抗な透明導電性フィルムが提案されている(特許文献8参照)。しかしながら熱処理前の比抵抗は4〜6×10−4Ω・cmと高く、また結晶の配向方向が(222)、(440)であり、ガラス上に200℃で成膜された透明導電性薄膜と比較すると導電性が不十分であった。 Further, a low-resistance transparent conductive film has been proposed (see Patent Document 8). However, the specific resistance before heat treatment is as high as 4 to 6 × 10 −4 Ω · cm, the crystal orientation directions are (222) and (440), and the transparent conductive thin film is formed on glass at 200 ° C. The conductivity was insufficient.
一方、ピーク電力密度を大幅に向上させるマグネトロンスパッタリング法が開示されている。本方法では、マグネトロンスパッタリングにおいて、印加するパルスの立ち上がりを制御することにより放電ガスを完全電離状態にできる。このためターゲットからスパッタリングされた粒子のイオン化率が大幅に向上し、基板との密着性及び膜の緻密さを向上できると報告されている(特許文献9参照)。 On the other hand, a magnetron sputtering method that significantly improves the peak power density is disclosed. In this method, in magnetron sputtering, the discharge gas can be brought into a completely ionized state by controlling the rising of the applied pulse. For this reason, it has been reported that the ionization rate of the particles sputtered from the target is greatly improved, and the adhesion to the substrate and the denseness of the film can be improved (see Patent Document 9).
本方法において、スパッタリングガスは、まずグロー放電、次いでアーク放電状態になり、最終的に完全イオン化状態になる。しかしながら実際には完全イオン化状態からアーク放電状態に変化してしまうことある。アーク放電状態になった場合、製品やターゲットにダメージが加わる可能性が高い。このため、アーク放電状態に変化することのない条件に設定する必要があるが、ターゲット材料により条件は異なり、条件設定に多くの時間が必要である。 In this method, the sputtering gas first enters a glow discharge, then an arc discharge state, and finally becomes a fully ionized state. However, in actuality, it may change from a fully ionized state to an arc discharge state. When an arc discharge occurs, there is a high possibility of damage to the product or target. For this reason, it is necessary to set a condition that does not change to the arc discharge state, but the condition differs depending on the target material, and it takes a lot of time to set the condition.
すなわち、本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、ハイパワーマグネトロンスパッタリング法を用いて、タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れ、特にポリアセタール製のペンを使用し、5.0Nの荷重で30万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜が破壊されない、透明導電性フィルム又は透明導電性シート、及びこれらを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに静電容量式タッチパネルや有機エレクトロルミネッセンス用の透明電極として用いることが可能な低抵抗な透明導電性フィルムを提供することにある。
すなわち、本発明の目的は、上記の従来の問題点に鑑み、携帯電話やゲーム機などに組み込まれるタッチパネルの電極フィルムとして用いた際に、ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに静電容量式タッチパネル、電子ペーパー、有機エレクトロルミネッセンス素子、色素増感型太陽電池、電磁波吸収パネル等に用いることが可能な導電性に優れた透明電極を提供することにある。 That is, in view of the above-described conventional problems, the object of the present invention is to provide a transparent conductive film excellent in pen input durability when used as an electrode film for a touch panel incorporated in a mobile phone or a game machine, and the like. It is to provide a touch panel used. Furthermore, it is providing the transparent electrode excellent in electroconductivity which can be used for an electrostatic capacitance type touch panel, electronic paper, an organic electroluminescent element, a dye-sensitized solar cell, an electromagnetic wave absorption panel, etc.
本発明は、上記のような状況に鑑みなされたものであって、上記の課題を解決することができた透明導電性フィルムの製造方法とは、以下の構成よりなる。
1. 透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムの製造方法であって、前記透明導電性薄膜層が(222)配向を有する結晶質なインジウム−スズ複合酸化物からなる膜であり、前記透明導電性薄膜層の比抵抗が3.0×10 −4 Ω・cm以下であり、透明導電性薄膜層をハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて150℃以下で作製することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
2. 透明プラスチックフィルムからなる基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設けた後、透明導電性薄膜層を作製することを特徴とする上記1.に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
3. 基板となる透明プラスチックフィルム若しくは硬化物層を積層した透明プラスチックフィルムを、100Pa以下の真空度、0〜200℃のフィルム温度で、1〜100分真空暴露した後、透明導電性薄膜層を作製することを特徴とする上記1.又は2.に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
This invention is made | formed in view of the above situations, Comprising: The manufacturing method of the transparent conductive film which was able to solve said subject consists of the following structures.
1. A method for producing a transparent conductive film in which a transparent conductive thin film layer is laminated on a substrate made of a transparent plastic film, wherein the transparent conductive thin film layer has a (222) orientation and is a crystalline indium-tin composite oxide The transparent conductive thin film layer has a specific resistance of 3.0 × 10 −4 Ω · cm or less, and the transparent conductive thin film layer is formed at a temperature of 150 ° C. or less using a high power impulse magnetron sputtering method. the method for producing a transparent conductive film, characterized in that to produce.
2. 1. A transparent conductive thin film layer is produced after a cured product layer comprising a curable resin as a main constituent is provided on a substrate made of a transparent plastic film. The manufacturing method of the transparent conductive film of description.
3. A transparent plastic film or a transparent plastic film laminated with a cured product layer is exposed to vacuum at a vacuum degree of 100 Pa or less and a film temperature of 0 to 200 ° C. for 1 to 100 minutes, and then a transparent conductive thin film layer is produced. The above 1. Or 2. The manufacturing method of the transparent conductive film of description.
本発明により得られる透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した構成を有し、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜されているため、スパッタ粒子のイオン化率が高く、成膜温度が低温でも緻密で結晶質な透明導電性薄膜が得ることができる。そのため、タッチパネルにおいてペン摺動試験を行った際に、透明導電性薄膜に剥離及びクラックが発生しにくくなり、ペン摺動耐久性を向上させることができるという利点がある。さらに導電性に優れるため、静電容量式タッチパネル等の透明電極として用いることができる。 The transparent conductive film obtained by the present invention has a structure in which a transparent conductive thin film layer is laminated on a substrate made of a transparent plastic film, and the transparent conductive thin film layer is formed by using a high power impulse magnetron sputtering method. Since the film is formed, the ionization rate of the sputtered particles is high, and a dense and crystalline transparent conductive thin film can be obtained even when the film forming temperature is low. Therefore, when a pen sliding test is performed on the touch panel, there is an advantage that peeling and cracking are less likely to occur in the transparent conductive thin film, and pen sliding durability can be improved. Furthermore, since it is excellent in electroconductivity, it can be used as transparent electrodes, such as a capacitive touch panel.
本発明により得られる透明導電性フィルムは、透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムである。以下、各層別に詳細に説明する。 The transparent conductive film obtained by this invention is a transparent conductive film which laminated | stacked the transparent conductive thin film layer on the base material which consists of a transparent plastic film. Hereinafter, each layer will be described in detail.
(透明プラスチックフィルムからなる基材)
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材とは、有機高分子を溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び/又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムである。有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン6、ナイロン4、ナイロン66、ナイロン12、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマーなどが挙げられる。
(Base material made of transparent plastic film)
The substrate made of a transparent plastic film used in the present invention is a film obtained by subjecting an organic polymer to melt extrusion or solution extrusion, and stretching, cooling, and heat setting in the longitudinal direction and / or the width direction as necessary. is there. Organic polymers include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, polypropylene terephthalate, nylon 6, nylon 4, nylon 66, nylon 12, polyimide, polyamideimide, polyethersulfane, polyetheretherketone , Polycarbonate, polyarylate, cellulose propionate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyether imide, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polystyrene, syndiotactic polystyrene, norbornene-based polymer, and the like.
これらの有機高分子のなかで、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー、ポリカーボネート、ポリアリレートなどが好適である。また、これらの有機高分子は他の有機重合体の単量体を少量共重合してもよいし、他の有機高分子をブレンドしてもよい。 Among these organic polymers, polyethylene terephthalate, polypropylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate, syndiotactic polystyrene, norbornene polymer, polycarbonate, polyarylate and the like are preferable. These organic polymers may be copolymerized with a small amount of other organic polymer monomers, or may be blended with other organic polymers.
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材の厚みは、10〜300μmであることが好ましく、より好ましくは70〜260μmである。プラスチックフィルムの厚みが10μm未満では機械的強度が不足し、透明導電性薄膜のパターン形成工程でのハンドリングが難しくなるため好ましくない。一方、厚みが300μmを越えると、タッチパネルの厚みが厚くなりすぎるため、モバイル機器などには適さない。 It is preferable that the thickness of the base material which consists of a transparent plastic film used by this invention is 10-300 micrometers, More preferably, it is 70-260 micrometers. If the thickness of the plastic film is less than 10 μm, the mechanical strength is insufficient, and handling in the pattern forming process of the transparent conductive thin film becomes difficult, which is not preferable. On the other hand, if the thickness exceeds 300 μm, the thickness of the touch panel becomes too thick, which is not suitable for mobile devices.
本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材は、本発明の目的を損なわない範囲で、前記フィルムをコロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、オゾン処理などの表面活性化処理を施してもよい。 The substrate made of a transparent plastic film used in the present invention is a range that does not impair the purpose of the present invention, such as corona discharge treatment, glow discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, electron beam irradiation treatment, ozone treatment, etc. A surface activation treatment may be performed.
また、本発明で用いる透明プラスチックフィルムからなる基材には、透明導電性薄膜層との密着性向上、耐薬品性の付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出防止を目的として、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設けてもよい。 In addition, the substrate made of the transparent plastic film used in the present invention is provided with a curable resin for the purpose of improving adhesion with the transparent conductive thin film layer, imparting chemical resistance, and preventing precipitation of low molecular weight substances such as oligomers. You may provide the hardened | cured material layer made into a main structural component.
前記の硬化型樹脂は、加熱、紫外線照射、電子線照射などのエネルギー印加により硬化する樹脂であれば特に限定されなく、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。生産性の観点からは、紫外線硬化型樹脂を主成分とする硬化型樹脂が好ましい。 The curable resin is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by application of energy such as heating, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, etc., and silicone resin, acrylic resin, methacrylic resin, epoxy resin, melamine resin, polyester resin, urethane Resin etc. are mentioned. From the viewpoint of productivity, a curable resin containing an ultraviolet curable resin as a main component is preferable.
このような紫外線硬化型樹脂としては、例えば、多価アルコールのアクリル酸又はメタクリル酸エステルのような多官能性のアクリレート樹脂、ジイソシアネート、多価アルコール及びアクリル酸又はメタクリル酸のヒドロキシアルキルエステルなどから合成されるような多官能性のウレタンアクリレート樹脂などを挙げることができる。必要に応じて、これらの多官能性の樹脂に単官能性の単量体、例えば、ビニルピロリドン、メチルメタクリレート、スチレンなどを加えて共重合させることができる。 Examples of such ultraviolet curable resins are synthesized from polyfunctional acrylate resins such as acrylic acid or methacrylic acid ester of polyhydric alcohol, diisocyanate, polyhydric alcohol and hydroxyalkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid. Such polyfunctional urethane acrylate resins can be mentioned. If necessary, a monofunctional monomer such as vinyl pyrrolidone, methyl methacrylate, or styrene can be added to these polyfunctional resins for copolymerization.
また、透明導電性薄膜層と硬化物層との付着力を向上するために、硬化物層を更に表面処理することが有効である。具体的な方法としては、グロー放電又はコロナ放電を照射する放電処理法を用いて、カルボニル基、カルボキシル基、水酸基を増加させる方法、酸又はアルカリで処理する化学薬品処理法を用いて、アミノ基、水酸基、カルボニル基などの極性基を増加させる方法、などが挙げられる。 In order to improve the adhesion between the transparent conductive thin film layer and the cured product layer, it is effective to further treat the cured product surface. Specific methods include a discharge treatment method that irradiates glow discharge or corona discharge, a method of increasing carbonyl group, carboxyl group, hydroxyl group, a chemical treatment method of treating with acid or alkali, and an amino group. And a method of increasing polar groups such as a hydroxyl group and a carbonyl group.
紫外線硬化型樹脂は、通常、光重合開始剤を添加して使用される。光重合開始剤としては、紫外線を吸収してラジカルを発生する公知の化合物を特に限定なく使用することができ、このような光重合開始剤としては、例えば、各種ベンゾイン類、フェニルケトン類、ベンゾフェノン類などを挙げることができる。光重合開始剤の添加量は、紫外線硬化型樹脂100質量部に対して、1〜5質量部とすることが好ましい。 The ultraviolet curable resin is usually used by adding a photopolymerization initiator. As the photopolymerization initiator, known compounds that absorb ultraviolet rays and generate radicals can be used without any particular limitation. Examples of such photopolymerization initiators include various benzoins, phenyl ketones, and benzophenones. And the like. The addition amount of the photopolymerization initiator is preferably 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the ultraviolet curable resin.
塗布液中の樹脂成分の濃度は、コーティング法に応じた粘度などを考慮して適切に選択することができる。例えば、塗布液中に紫外線硬化型樹脂、光重合開始剤の合計量が占める割合は、通常は20〜80質量%である。また、この塗布液には、必要に応じて、その他の公知の添加剤、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などのレベリング剤などを添加してもよい。 The concentration of the resin component in the coating solution can be appropriately selected in consideration of the viscosity according to the coating method. For example, the proportion of the total amount of the ultraviolet curable resin and the photopolymerization initiator in the coating solution is usually 20 to 80% by mass. Moreover, you may add other well-known additives, for example, leveling agents, such as a silicone type surfactant and a fluorine type surfactant, to this coating liquid as needed.
本発明において、調製された塗布液は透明プラスチックフィルムからなる基材上にコーティングされる。コーティング法には特に限定されなく、バーコート法、グラビアコート法、リバースコート法などの従来から知られている方法を使用することができる。 In the present invention, the prepared coating solution is coated on a substrate made of a transparent plastic film. The coating method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a bar coating method, a gravure coating method, and a reverse coating method can be used.
また、硬化物層の厚みは0.1〜15μmの範囲であることが好ましく、より好ましくは0.5〜10μm、特に好ましくは1〜8μmである。硬化物層の厚みが0.1μm未満の場合には、十分に架橋した構造が形成されにくくなるため、耐薬品性が低下しやすくなり、オリゴマーなどの低分子量による密着性の低下もおこりやすくなる。一方、硬化物層の厚みが15μmを超える場合には、生産性が低下する傾向がある。 Moreover, it is preferable that the thickness of a hardened | cured material layer is the range of 0.1-15 micrometers, More preferably, it is 0.5-10 micrometers, Most preferably, it is 1-8 micrometers. When the thickness of the cured product layer is less than 0.1 μm, it becomes difficult to form a sufficiently cross-linked structure, so that chemical resistance is likely to be lowered, and adhesion due to low molecular weight such as oligomer is also liable to occur. . On the other hand, when the thickness of the cured product layer exceeds 15 μm, the productivity tends to decrease.
(透明導電性薄膜層)
本発明における透明導電性薄膜層は酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、インジウム−スズ複合酸化物、スズ−アンチモン複合酸化物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物、チタン−ニオブ複合酸化物などが挙げられる。これらのうち、環境安定性や回路加工性の観点から、インジウム−スズ複合酸化物、インジウム−亜鉛複合酸化物が好適である。
例えば、インジウム−スズ複合酸化物を用いた場合、SnO2の含有量は2〜12質量%が好ましい。SnO2の含有量が2質量%未満では、キャリア密度が不十分であり、比抵抗を低くすることが困難である。一方、SnO2の含有量が12質量%を超える場合には、不純物散乱が大きくなるため、移動度が低下し、比抵抗を低くすることが困難となる。
(Transparent conductive thin film layer)
In the present invention, the transparent conductive thin film layer is composed of indium oxide, tin oxide, zinc oxide, titanium oxide, indium-tin composite oxide, tin-antimony composite oxide, zinc-aluminum composite oxide, indium-zinc composite oxide, titanium. -Niobium complex oxide and the like. Of these, indium-tin composite oxide and indium-zinc composite oxide are preferable from the viewpoints of environmental stability and circuit processability.
For example, when an indium-tin composite oxide is used, the content of SnO2 is preferably 2 to 12% by mass. If the content of SnO2 is less than 2% by mass, the carrier density is insufficient and it is difficult to reduce the specific resistance. On the other hand, when the content of SnO2 exceeds 12% by mass, impurity scattering increases, so that the mobility is lowered and it is difficult to reduce the specific resistance.
透明導電性薄膜の膜厚は、4〜100nmの範囲が好ましく、特に好ましくは5〜80nmである。透明導電性薄膜の膜厚が4nm未満の場合、連続した薄膜になりにくく良好な導電性を示しにくい傾向がある。一方、100nmよりも厚い場合、透明導電性薄膜層の応力が大きくなり、透明導電性フィルムのそりが発生し、有機エレクトロルミネッセンスなどのデバイスを作製しづらくなる。 The thickness of the transparent conductive thin film is preferably in the range of 4 to 100 nm, particularly preferably 5 to 80 nm. When the thickness of the transparent conductive thin film is less than 4 nm, it tends to be difficult to form a continuous thin film and to exhibit good conductivity. On the other hand, when it is thicker than 100 nm, the stress of the transparent conductive thin film layer increases, warping of the transparent conductive film occurs, and it becomes difficult to produce a device such as organic electroluminescence.
本発明における透明導電性薄膜の成膜は、ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法で行う。
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法とは、具体的なイメージとして図1に示されるものである。すなわち図1において、所望の時間スイッチをONすることによってDC電源からコンデンサに充電し、スイッチをOFFした後、サイリスタスイッチをONにする。この際、コンデンサに蓄積した電荷がインダクタンスを経由してカソードに印加され、放電を開始することによってスパッタリングする方法である。
この際、透明導電性薄膜層の成膜は、酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法、あるいは、金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法で行われる。生産安定性の観点から酸化物ターゲットを用いることが好ましい。この時、反応性ガスとして、酸素、窒素、等を導入したり、オゾン添加、プラズマ照射、イオンアシスト等の手段を併用したりしてもよい。また、本発明の目的を損なわない範囲で、基板に直流、交流、高周波などのバイアスを印加してもよい。
電極に印加する電力のデューティー比(パルス印加電力のON、OFF比、ON時間/OFF時間)は、10%以下であることが好ましい。さらに好ましくは3%以下である。
In the present invention, the transparent conductive thin film is formed by a high power impulse magnetron sputtering method.
The high power impulse magnetron sputtering method is shown in FIG. 1 as a specific image. That is, in FIG. 1, the capacitor is charged from the DC power source by turning on the switch for a desired time, and the thyristor switch is turned on after the switch is turned off. At this time, the charge accumulated in the capacitor is applied to the cathode via the inductance, and sputtering is started by starting the discharge.
At this time, the transparent conductive thin film layer is formed by a sputtering method using an oxide target or a reactive sputtering method using a metal target. It is preferable to use an oxide target from the viewpoint of production stability. At this time, oxygen, nitrogen, or the like may be introduced as a reactive gas, or means such as ozone addition, plasma irradiation, or ion assist may be used in combination. In addition, a bias such as direct current, alternating current, and high frequency may be applied to the substrate as long as the object of the present invention is not impaired.
The duty ratio of the power applied to the electrode (pulse applied power ON / OFF ratio, ON time / OFF time) is preferably 10% or less. More preferably, it is 3% or less.
例えば、SnO2を10質量%含有する酸化インジウムターゲットを用いた場合、具体的な条件としては、ピーク電力密度が0.1〜5kW/cm2、パルス幅が10〜200μs、パルス周波数が10〜500Hzが挙げられる。
ピーク電力密度が0.1kW/cm2未満ではスパッタ粒子のイオン化が起こりにくくなり、結晶質な透明導電性薄膜が得られにくい。一方、ピーク電力密度が5kW/cm2を超える場合には、スパッタ粒子のイオン化には十分であり、カソード等への負荷が大きくなり好ましくない。
パルス幅が10μs未満では、スパッタ粒子のイオン化が起こりにくくなり、結晶質な透明導電性薄膜が得られにくい。一方、200μsを越える場合には、パルスの周期が不規則になり、アーキングが発生しやすくなるため好ましくない。
パルス周波数はが10Hz未満では、成膜速度が遅くなりすぎるため好ましくない。一方、パルス周波数が200Hzを超える場合、ターゲットへの熱負荷が大きくなりすぎるため破損しやすくなるため好ましくない。
For example, when an indium oxide target containing 10% by mass of SnO 2 is used, specific conditions include a peak power density of 0.1 to 5 kW / cm 2 , a pulse width of 10 to 200 μs, and a pulse frequency of 10 to 10. 500 Hz is mentioned.
When the peak power density is less than 0.1 kW / cm 2, it is difficult to ionize the sputtered particles, and it is difficult to obtain a crystalline transparent conductive thin film. On the other hand, when the peak power density exceeds 5 kW / cm 2 , it is sufficient for ionization of the sputtered particles, and the load on the cathode and the like becomes large, which is not preferable.
When the pulse width is less than 10 μs, the ionization of the sputtered particles hardly occurs, and it is difficult to obtain a crystalline transparent conductive thin film. On the other hand, if it exceeds 200 μs, the pulse period becomes irregular and arcing tends to occur, which is not preferable.
A pulse frequency of less than 10 Hz is not preferable because the film formation rate becomes too slow. On the other hand, if the pulse frequency exceeds 200 Hz, the thermal load on the target becomes too large and it is easy to break, which is not preferable.
基板となる透明プラスチックフィルムに透明導電性薄膜を成膜する際の温度は、−10〜150℃とすることが好ましい。さらに好ましくは−10〜80℃である。成膜時の温度が150℃を越えると、プラスチックフィルム表面が柔らかくなり、真空チェンバー走行中にフィルム表面に傷が発生しやすくなる。また、−10℃未満の温度では結晶質な導電性薄膜を得ることが難しくなる。 The temperature at which the transparent conductive thin film is formed on the transparent plastic film serving as the substrate is preferably −10 to 150 ° C. More preferably, it is -10-80 degreeC. When the temperature during film formation exceeds 150 ° C., the surface of the plastic film becomes soft, and the film surface is likely to be damaged during running of the vacuum chamber. Moreover, it becomes difficult to obtain a crystalline conductive thin film at a temperature lower than −10 ° C.
成膜する際の圧力は、Arなどの不活性ガスと酸素などの反応性ガスを真空チェンバーに導入し、0.01〜10Paの圧力範囲において放電を発生させ、スパッタリングを行うのが好ましい。 As for the pressure at the time of film formation, it is preferable to perform sputtering by introducing an inert gas such as Ar and a reactive gas such as oxygen into a vacuum chamber, generating discharge in a pressure range of 0.01 to 10 Pa.
透明導電性薄膜層の結晶性を向上させるために、成膜雰囲気中の水分や有機物などの不純物を除去することが有効である。
例えば、基板となる透明プラスチックフィルムを加熱処理温度100〜200℃の範囲で加熱することが好ましい。100℃未満では揮発成分を減少させる効果が不十分となりやすく、200℃を越える温度では、フィルムの平面性を保つのが難しくなる傾向にある。
In order to improve the crystallinity of the transparent conductive thin film layer, it is effective to remove impurities such as moisture and organic matter in the film formation atmosphere.
For example, it is preferable to heat the transparent plastic film used as a board | substrate in the range of 100-200 degreeC of heat processing temperature. If it is less than 100 ° C., the effect of reducing volatile components tends to be insufficient, and if it exceeds 200 ° C., it tends to be difficult to maintain the flatness of the film.
また、スパッタリング等を行う真空チェンバーの中でフィルムを真空暴露することで揮発成分を減少させることも有効な手段である。真空暴露の際にフィルムに接触するロール温度を高くしてすること、あるいは赤外線ヒーターによるフィルム加熱を併用することで揮発成分をより減少させることが可能となる。
この時の真空度としては、1,000Pa以下であることが好ましく、さらに好ましくは100Pa以下である。100Paよりも高い圧力では揮発成分除去の効果が十分ではない。
また、真空暴露時間は、1〜100分とすることが好ましい。真空暴露時間が1分未満では、揮発成分除去の効果が十分ではない。一方、100分を超える時間では、生産性が著しく低下するために、工業的に不適である。
It is also an effective means to reduce volatile components by exposing the film to a vacuum in a vacuum chamber for performing sputtering or the like. It is possible to further reduce the volatile components by increasing the temperature of the roll that comes into contact with the film during vacuum exposure, or by using film heating with an infrared heater.
The degree of vacuum at this time is preferably 1,000 Pa or less, and more preferably 100 Pa or less. At a pressure higher than 100 Pa, the effect of removing volatile components is not sufficient.
The vacuum exposure time is preferably 1 to 100 minutes. When the vacuum exposure time is less than 1 minute, the effect of removing volatile components is not sufficient. On the other hand, when the time exceeds 100 minutes, the productivity is remarkably lowered, which is industrially unsuitable.
さらに、真空暴露の際にフィルム温度を高くすることで、より効率的に揮発成分の低減を行うことができる。フィルム温度としては、0〜200℃の範囲が好ましく、より好ましくは20〜180℃の範囲である。 Furthermore, the volatile components can be reduced more efficiently by increasing the film temperature during vacuum exposure. As film temperature, the range of 0-200 degreeC is preferable, More preferably, it is the range of 20-180 degreeC.
フィルム温度を制御するためには、フィルムに接触するロール温度を高くすること、あるいは赤外線ヒーターによるフィルム加熱を併用する手段が有効である。この時のロール温度としては、上記フィルム温度と同様に0〜200℃の範囲が好ましく、より好ましくは20〜180℃の範囲である。
上記赤外線ヒーターは近赤外線型、中赤外線型、遠赤外線型のうちいずれでもよい。赤外線ヒーターへの投入電力は、5〜50,000W/m2・minの範囲が好ましい。5W・m2/min未満の投入電力ではフィルム温度を上昇させる効果がなく、50,000W/m2・minよりも高い投入電力では、フィルム温度が高くなりすぎ、フィルムの平面性が低下するために好ましくない。
In order to control the film temperature, it is effective to increase the roll temperature in contact with the film or to use the film heating with an infrared heater in combination. As roll temperature at this time, the range of 0-200 degreeC is preferable similarly to the said film temperature, More preferably, it is the range of 20-180 degreeC.
The infrared heater may be any of a near infrared type, a middle infrared type, and a far infrared type. The input power to the infrared heater is preferably in the range of 5 to 50,000 W / m 2 · min. When the input power is less than 5 W · m 2 / min, there is no effect of increasing the film temperature, and when the input power is higher than 50,000 W / m 2 · min, the film temperature becomes too high and the flatness of the film is lowered. It is not preferable.
透明導電性薄膜層の結晶性を向上させるために、CeO2、TiO2、結晶質なIn2O3 ZrO2、ZnO、SiN,AlN、SiO2、Al2O3などの無機材料からなる下地層を設けてもよい。 In order to improve the crystallinity of the transparent conductive thin film layer, the bottom made of an inorganic material such as CeO 2 , TiO 2 , crystalline In 2 O 3 ZrO 2 , ZnO, SiN, AlN, SiO 2 , Al 2 O 3 A stratum may be provided.
また、さらに結晶性の高い透明導電性薄膜を得るために、成膜後に加熱、紫外線照射などの手段でエネルギーを付与してもよい。これらのエネルギー付与手段のうち、酸素雰囲気下での加熱処理が好適である。
加熱処理温度は120〜200℃の範囲が好ましい。120℃未満の温度では、膜質改善の効果が十分である。一方、200℃を超える温度ではフィルムの平面性を維持するのが難しくなる。
また、加熱処理時間としては0.2〜60分の範囲が好適である。0.2分未満では、たとえ220℃程度の高温で加熱処理を行なっても膜質改善の効果が十分でなく好ましくない。一方、60分を超える加熱処理時間では工業的に不適である。
また、加熱処理を行なう雰囲気は、予め0.2Pa以下の圧力まで排気した後に酸素で満たした空間で行うことが好ましい。このときの圧力は大気圧以下であることが好ましい。
Further, in order to obtain a transparent conductive thin film having higher crystallinity, energy may be imparted by means such as heating and ultraviolet irradiation after film formation. Of these energy applying means, heat treatment in an oxygen atmosphere is preferable.
The heat treatment temperature is preferably in the range of 120 to 200 ° C. When the temperature is lower than 120 ° C., the effect of improving the film quality is sufficient. On the other hand, at temperatures exceeding 200 ° C., it becomes difficult to maintain the flatness of the film.
Moreover, as a heat processing time, the range for 0.2 to 60 minutes is suitable. If it is less than 0.2 minutes, even if the heat treatment is performed at a high temperature of about 220 ° C., the effect of improving the film quality is not sufficient, which is not preferable. On the other hand, heat treatment times exceeding 60 minutes are industrially unsuitable.
The atmosphere for the heat treatment is preferably performed in a space filled with oxygen after exhausting to a pressure of 0.2 Pa or less in advance. The pressure at this time is preferably not more than atmospheric pressure.
以下に実施例により本発明をさらに、詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。なお、透明導電性フィルムの性能及び透明導電性薄膜層の結晶性、タッチパネルのペン摺動耐久性試験は、下記の方法により測定した。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples. The performance of the transparent conductive film, the crystallinity of the transparent conductive thin film layer, and the pen sliding durability test of the touch panel were measured by the following methods.
(1)全光線透過率
JIS−K7136に準拠し、日本電色工業(株)製NDH−1001DPを用いて、光線透過率を測定した。
(2)表面抵抗値
JIS−K7194に準拠し、4端子法にて測定した。測定機は、三菱油化(株)製 Lotest AMCP−T400を用いた。
(1) Total light transmittance Based on JIS-K7136, light transmittance was measured using Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH-1001DP.
(2) Surface resistance value Based on JIS-K7194, it measured by the 4-terminal method. As a measuring machine, Lotest AMCP-T400 manufactured by Mitsubishi Yuka Co., Ltd. was used.
(3)透明導電性薄膜の比抵抗測定
前記表面抵抗値と透明導電性薄膜層の膜厚を用いて比抵抗を算出した。
(4)透明導電性薄膜層の結晶配向性(電子線回折パターン)
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を切り出し、導電性薄膜面を外向きにして適当な樹脂ブロックの上面に貼り付けた。これをトリミングしたのち、一般的なウルトラミクロトームの技法によってフィルム表面にほぼ平行な超薄切片を作製した。
この切片を透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM−2010)で観察して著しい損傷がない導電性薄膜表面部分を選び、加速電圧200kV、カメラ長100cmの条件で電子線回折パターンを撮影した。このようにして得られた電子線回折パターンの中心を求め、半径方向の強度プロファイルをプロットした。強度プロファイルに現れたピークの位置から散乱に寄与した結晶面間隔を求めた。
(3) Specific resistance measurement of transparent conductive thin film The specific resistance was calculated using the surface resistance value and the film thickness of the transparent conductive thin film layer.
(4) Crystal orientation of transparent conductive thin film layer (electron diffraction pattern)
A film sample piece laminated with a transparent conductive thin film layer was cut out and attached to the upper surface of an appropriate resin block with the conductive thin film surface facing outward. After trimming this, an ultrathin section approximately parallel to the film surface was prepared by a general ultramicrotome technique.
This section was observed with a transmission electron microscope (JEOL, JEM-2010), a conductive thin film surface portion not significantly damaged was selected, and an electron diffraction pattern was photographed under the conditions of an acceleration voltage of 200 kV and a camera length of 100 cm. The center of the electron diffraction pattern thus obtained was obtained, and the intensity profile in the radial direction was plotted. The crystal plane spacing contributing to the scattering was determined from the position of the peak appearing in the intensity profile.
(5)ペン摺動耐久性試験
ポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に5.0Nの荷重をかけ、30万回(往復5万回)の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は60mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、まず、摺動部が白化しているかを目視によって観察した。さらに、ペン荷重0.5Nで上記の摺動部にかかるように20mmφの記号○印を筆記し、タッチパネルがこれを正確に読みとれるかを評価した。さらに、ペン荷重0.5Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定した。
(5) Pen sliding durability test A 5.0 N load was applied to a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR), and a 300,000 (50,000 round trip) linear sliding test was performed on the touch panel. . The sliding distance at this time was 30 mm, and the sliding speed was 60 mm / second. After this sliding durability test, first, it was visually observed whether the sliding portion was whitened. Furthermore, a symbol “o” of 20 mmφ was written so as to be applied to the sliding portion with a pen load of 0.5 N, and it was evaluated whether the touch panel could be read accurately. Furthermore, the ON resistance (resistance value when the movable electrode (film electrode) and the fixed electrode were in contact) when the sliding portion was pressed with a pen load of 0.5 N was measured.
〔実施例1〕
光重合開始剤含有アクリル系樹脂(大日精化工業社製、セイカビームEXF−01J)100質量部に、溶剤としてトルエン/MEK(80/20:質量比)の混合溶媒を、固形分濃度が50質量%になるように加え、撹拌して均一に溶解し塗布液を調製した。
両面に易接着層を有する二軸配向透明PETフィルム(東洋紡績社製、A4340、厚み188μm)に、塗膜の厚みが5μmになるように、調製した塗布液を、マイヤーバーを用いて塗布した。80℃で1分間乾燥を行った後、紫外線照射装置(アイグラフィックス社製、UB042−5AM−W型)を用いて紫外線を照射(光量:300mJ/cm2)し、塗膜を硬化させた。次いで、反対面についても同様に塗膜を設けた後、180℃で1分間の加熱処理を施して、揮発成分の低減を行った。
[Example 1]
A mixed solvent of toluene / MEK (80/20: mass ratio) as a solvent in 100 parts by mass of a photopolymerization initiator-containing acrylic resin (manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd., Seika Beam EXF-01J), and a solid content concentration of 50 mass % And stirred to dissolve uniformly to prepare a coating solution.
The prepared coating solution was applied to a biaxially oriented transparent PET film (Toyobo Co., Ltd., A4340, thickness 188 μm) having an easy-adhesion layer on both sides using a Meyer bar so that the coating thickness was 5 μm. . After drying at 80 ° C. for 1 minute, the coating film was cured by irradiating with ultraviolet rays (light quantity: 300 mJ / cm 2 ) using an ultraviolet ray irradiation device (UB042-5AM-W type, manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.). . Next, after a coating film was similarly provided on the opposite surface, a heat treatment was performed at 180 ° C. for 1 minute to reduce volatile components.
また、この硬化物層を積層した二軸配向透明PETフィルムを真空暴露するために、真空チェンバー中で巻き返し処理を行った。このときの圧力は0.002Paであり、暴露時間は20分とした。また、センターロールの温度は40℃とした。 Moreover, in order to expose the biaxially oriented transparent PET film on which the cured product layer was laminated in a vacuum, a rewinding process was performed in a vacuum chamber. The pressure at this time was 0.002 Pa, and the exposure time was 20 minutes. The temperature of the center roll was 40 ° C.
次に、この硬化物層上にインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜を成膜した。このとき、スパッタリング前の圧力を0.0001Paとし、ターゲットとして酸化スズを10質量%含有した酸化インジウム(三井金属鉱山社製、密度7.1g/cm3)を用いて、ピーク電力密度が1kW/cm2になるように印加した。また、Arガスを130sccm、O2ガスを表面抵抗値が最小となるO2流量で流し、0.4Paの雰囲気下でハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ただし、アーク放電を防止するために、電力供給を制御できるヒュッティンガ社製(HMP2/3)を用いて50μs幅のパルスを100Hz周期で印加した。また、センターロール温度は0℃として、スパッタリングを行った。このようにして厚さ20nmのインジウム−スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜層を堆積させた。 Next, a transparent conductive thin film made of indium-tin composite oxide was formed on the cured product layer. At this time, the pressure before sputtering was set to 0.0001 Pa, and indium oxide containing 10% by mass of tin oxide as a target (Mitsui Metal Mining Co., Ltd., density 7.1 g / cm 3 ) was used, and the peak power density was 1 kW / It was applied so as to be in cm 2. Further, Ar gas was flowed at 130 sccm and O 2 gas was flowed at an O 2 flow rate at which the surface resistance value was minimized, and a film was formed using a high power impulse magnetron sputtering method in an atmosphere of 0.4 Pa. However, in order to prevent arc discharge, a pulse of 50 μs width was applied at a cycle of 100 Hz using a Hüttinger (HMP2 / 3) capable of controlling power supply. The center roll temperature was 0 ° C. and sputtering was performed. In this way, a transparent conductive thin film layer made of an indium-tin composite oxide having a thickness of 20 nm was deposited.
<タッチパネルの作製>
この透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマCVD法で厚みが20nmのインジウム−スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜(日本曹達社製、S500)を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して、配置しタッチパネルを作製した。
<Production of touch panel>
This transparent conductive film is used as one panel plate, and the other panel plate is composed of an indium-tin composite oxide thin film (tin oxide content: 10% by mass) having a thickness of 20 nm by plasma CVD on a glass substrate. A transparent conductive thin film (Nippon Soda Co., Ltd., S500) was used. The two panel plates were arranged through epoxy beads having a diameter of 30 μm so that the transparent conductive thin film faced to prepare a touch panel.
〔比較例1〕
電力供給をDCマグネトロンスパッタリング法に変更する以外は実施例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。さらに実施例1と同様にしてタッチパネルを作製した。
[Comparative Example 1]
A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the power supply was changed to the DC magnetron sputtering method. Further, a touch panel was produced in the same manner as in Example 1.
〔参考例1〕
ピーク電力密度を0.5kW/cm2とする以外は実施例1と同様にして透明導電性フィルムを作製した。さらに実施例1と同様にしてタッチパネルを作製した。
[ Reference Example 1 ]
A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the peak power density was 0.5 kW / cm 2 . Further, a touch panel was produced in the same manner as in Example 1.
表1の結果より、本願発明の範囲を満足する実施例1〜2記載の透明導電性フィルム又は透明導電性シートを用いたタッチパネルは、ポリアセタール製ペン(先端形状:0.8mmR)に5.0Nの荷重をかけ30万回の摺動試験を行った後でも剥離やクラックの発生もなく、ON抵抗にも異常がなかった。 From the results shown in Table 1, the touch panel using the transparent conductive film or transparent conductive sheet described in Examples 1 and 2 that satisfies the scope of the present invention is 5.0 N in a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR). Even after 300,000 sliding tests were performed with the above load applied, no peeling or cracking occurred, and there was no abnormality in the ON resistance.
一方、通常のDCマグネトロンスパッタリング法を用いて作製した比較例1に記載の透明導電性フィルム又は透明導電性シートを用いたタッチパネルは、ポリアセタール製ペン(先端形状:0.8mmR)に5.0Nの荷重をかけ30万回の摺動試験を行った後にON抵抗に異常が生じた。 On the other hand, the touch panel using the transparent conductive film or transparent conductive sheet described in Comparative Example 1 prepared by using a normal DC magnetron sputtering method is 5.0 N in a polyacetal pen (tip shape: 0.8 mmR). An abnormality occurred in the ON resistance after a load test was performed 300,000 times.
本発明により得られる透明導電性フィルム又は透明導電性シートは、携帯電話やゲーム機などの携帯端末に組み込まれるタッチパネルに用いた際に、ペン摺動耐久性に優れているため、長期使用してもタッチパネルのペン入力性の低下を抑制できる。さらに導電性に優れているため、有機エレクトロルミネッセンス用などの透明電極として用いることができる。 The transparent conductive film or transparent conductive sheet obtained by the present invention is excellent in pen sliding durability when used for a touch panel incorporated in a mobile terminal such as a mobile phone or a game machine, and therefore used for a long time. Can also reduce the pen input performance of the touch panel. Furthermore, since it is excellent in electroconductivity, it can be used as a transparent electrode for organic electroluminescence.
1:スパッタ電源
2:コンデンサ
3:スイッチ
4:サイリスタ
5:サイリスタ
6:コイル
7:マグネトロンカソード
8:透明プラスチック基材
9:真空チャンバー
1: Sputtering power source 2: Capacitor 3: Switch 4: Thyristor 5: Thyristor 6: Coil 7: Magnetron cathode 8: Transparent plastic substrate 9: Vacuum chamber
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008232053A JP5228721B2 (en) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | Method for producing transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008232053A JP5228721B2 (en) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | Method for producing transparent conductive film |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013011050A Division JP5397557B2 (en) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | Method for producing transparent conductive film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010065266A JP2010065266A (en) | 2010-03-25 |
JP5228721B2 true JP5228721B2 (en) | 2013-07-03 |
Family
ID=42191098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008232053A Active JP5228721B2 (en) | 2008-09-10 | 2008-09-10 | Method for producing transparent conductive film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5228721B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014020789A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescent element and method for manufacturing organic electroluminescent element |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4137254B2 (en) * | 1998-11-12 | 2008-08-20 | 帝人株式会社 | Method for producing transparent conductive laminate |
JP2000265259A (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Transparent conductive film and its production |
JP2006310070A (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Flexible and transparent electrode substrate and organic el display device |
-
2008
- 2008-09-10 JP JP2008232053A patent/JP5228721B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010065266A (en) | 2010-03-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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