JP5226082B2 - ガス流分布が改善された熱反応器 - Google Patents
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Description
Claims (11)
- 基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第1のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリであって、前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定する、前記排出アセンブリと、
前記入口および出口の間に、前記チャンバ本体の側壁を貫通する形で形成された前記チャンバ本体の側面ポートに結合され、前記処理空間に第2のガス流を供給する側面注入アセンブリと、
前記側面注入アセンブリに接続され、前記第2のガス流の流量を調整する、流量調整装置と、を含む、基板処理装置。 - 基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
前記処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第1のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリであって、前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定する、前記排出アセンブリと、
前記チャンバ本体の側面ポートに結合され、前記処理空間に第2のガス流を供給するように構成され、プロセスガスを前記処理空間の方向へ誘導する複数の注入孔を有する拡散板を含む、側面注入アセンブリと、を含む、基板処理装置。 - 基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、前記側壁を貫通する形で形成された入口ポートおよび出口ポートを有し、前記入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する、基部リングと、
前記基部リングに結合されて前記円筒形の中心空間を封止する石英窓と、
前記円筒形の中心空間の外に配置され、前記石英窓を介して前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源と、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に第1のガス流を提供する注入カートリッジと、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記第1のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと、を含み、
前記排出アセンブリが、前記円筒形の中心空間を拡張するように構成された排出空間を画定し、
前記排出空間がテーパ形状を有し、広い方の端部が前記出口ポートに結合され、狭い方の端部が真空ポンプに結合される、基板熱処理装置。 - 基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、前記側壁を貫通する形で形成された入口ポートおよび出口ポートを有し、前記入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する、基部リングと、
前記基部リングに結合されて前記円筒形の中心空間を封止する石英窓と、
前記円筒形の中心空間の外に配置され、前記石英窓を介して前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源と、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に第1のガス流を提供する注入カートリッジと、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記第1のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと、
前記基部リングの側面ポートに結合され、前記円筒形の中心空間に第2のガス流を提供する、側面注入アセンブリと、を含む基板熱処理装置。 - 前記排出アセンブリが前記円筒形の中心空間を、前記入口ポートから前記出口ポートの方向に拡張する排出空間を画定する、請求項3に記載の基板熱処理装置。
- 基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、前記側壁を貫通する形で形成された入口ポート、出口ポートおよび側面ポートを有し、前記入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記側面ポートが前記入口ポートおよび出口ポートの間に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する、基部リングと、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記基板支持体上で、第1のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと、
前記基部リングの側面ポートに結合され、前記円筒形の中心空間に第2のガス流を提供する側面注入アセンブリと、を含む基板熱処理装置。 - 前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に前記第1のガス流を提供する注入カートリッジをさらに含む、請求項6に記載の基板熱処理装置。
- 前記基部リングが前記側壁を貫通する形で形成された2つの側面ポートを有し、側面注入アセンブリが各側面ポートに結合されている、請求項6に記載の基板熱処理装置。
- 前記基部リングに結合されて前記円筒形の中心空間を封止する石英窓をさらに含む、請求項6に記載の基板熱処理装置。
- 前記円筒形の中心空間の外に配置され、前記石英窓を介して前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源をさらに含む、請求項9に記載の基板熱処理装置。
- 前記排出アセンブリが前記円筒形の中心空間を、前記入口ポートから前記出口ポートの方向に拡張する排出空間を画定する、請求項6に記載の基板熱処理装置。
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