JP5222046B2 - フライバックコンバータ - Google Patents

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本発明は、直流電圧をフライバック方式で昇降圧するフライバックコンバータに関する。
直流電圧を直流電圧に変換するDC−DCコンバータとして、昇圧型、降圧型等のスイッチングレギュレータが知られている。この種スイッチングレギュレータとしては、例えば、一次コイルと二次コイルの位相が逆の関係を有するフライバックトランスを用いたフライバック式スイッチングレギュレータが提案されている(特許文献1参照)。
特開2004−127724号公報(第4頁から第5頁、図1参照)
フライバック式スイッチングレギュレータ(フライバックコンバータ)は、トランスの一次コイルに直列接続されたスイッチ素子のオン時に、電源からのエネルギーを一次コイルに蓄積し、スイッチ素子のオフ時に、一次コイルに蓄積されたエネルギーを二次コイルからダイオードとコンデンサを介して放出する動作を繰り返すことで、電源からの電圧を昇圧または降圧して、負荷に供給することができる。
しかし、従来のフライバック式スイッチングレギュレータ(フライバックコンバータ)では、スイッチ素子がオンからオフに移行するときに、スイッチ素子の出力端子間に大きなリンギングが発生する。これは、トランスの漏れインダクタンスと寄生容量の共振によるものであり、リンギングによる電圧は、スイッチ素子のオフ時におけるスイッチング損失となる。このスイッチング損失は、スイッチングレギュレータ全体の損失に対して大きな割合を占めるので、これが電力損失による発熱の一因となっている。
本発明は、前記従来技術に鑑みて為されたものであり、その目的は、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができるフライバックコンバータを提供することにある。
前記目的を達成するために、請求項1に係るフライバックコンバータは、電源より直流電圧を受ける一次コイルと、前記一次コイルに直列接続されたスイッチ素子と、前記一次コイルとトランスを形成するように設けられた二次コイルと、前記二次コイルに直列接続された整流素子を備えているフライバックコンバータにおいて、容量素子を備え、前記容量素子の一端は、前記一次コイルと前記スイッチ素子との接続点に接続され、前記容量素子の他端は、前記整流素子のカソードに接続されている構成とした。
(作用)容量素子の一端を、一次コイルとスイッチ素子との接続点に接続し、容量素子の他端を、整流素子のカソードに接続すると、スイッチ素子がオンからオフに移行する過渡時に、容量素子がスイッチ素子の両端間に等価的に並列接続され、リンギングに伴ってスイッチ素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することができる。
一方、スイッチ素子がオフからオンに移行する過渡時には、整流素子の両端に容量素子が等価的に並列接続され、整流素子の逆回復時間の遅れに伴って、整流素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することがきる。
従って、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項2に係るフライバックコンバータにおいては、請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記二次コイルの一端に接続され、アノードが接地され、前記二次コイルの他端は、正出力端子に接続されているとともに、平滑コンデンサを介して接地され、前記正出力端子からは、接地点の基準電位に対して、正の直流電圧が出力されてなる構成とした。
(作用)整流素子のカソードを容量素子の他端と二次コイルの一端に接続し、整流素子のアノードを接地し、二次コイルの他端を正出力端子に接続するとともに、平滑コンデンサを介して接地することで、スイッチ素子がオンオフする毎に、正出力端子から、接地点の基準電位(接地電位)に対して、正の直流電圧を出力することができる。
この際、スイッチ素子がオンからオフに移行する過渡時に、容量素子がスイッチ素子の両端間に等価的に並列接続され、リンギングに伴ってスイッチ素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することができる。
一方、スイッチ素子がオフからオンに移行する過渡時には、整流素子の両端に容量素子が等価的に並列接続され、整流素子の逆回復時間の遅れに伴って、整流素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することがきる。
従って、正出力端子から、接地点の基準電位(接地電位)に対して、正の直流電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項3に係るフライバックコンバータにおいては、請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記二次コイルの一端に接続され、アノードが負出力端子に接続されているとともに、平滑コンデンサを介して接地され、前記二次コイルの他端は、接地され、前記負出力端子からは、接地点の基準電位に対して、負の直流電圧が出力されてなる構成とした。
(作用)整流素子のカソードを容量素子の他端と二次コイルの一端に接続し、整流素子のアノードを負出力端子に接続し、二次コイルの他端と整流素子のアノードを平滑コンデンサを介して接続し、二次コイルの他端を接地することで、スイッチ素子がオンオフする毎に、負出力端子から、接地点の基準電位(接地電位)に対して、負の直流電圧を出力することができる。
この際、スイッチ素子がオンからオフに移行する過渡時に、容量素子がスイッチ素子の両端間に等価的に並列接続され、リンギングに伴ってスイッチ素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することができる。
一方、スイッチ素子がオフからオンに移行する過渡時には、整流素子の両端に容量素子が等価的に並列接続され、整流素子の逆回復時間の遅れに伴って、整流素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することがきる。
従って、負出力端子から、接地点の基準電位(接地電位)に対して、負の直流電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項4に係るフライバックコンバータにおいては、請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、前記二次コイルの一端は、一対のフローティング端子の一方に接続され、前記二次コイルの他端は、接地され、前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記フローティング端子の他方に接続され、アノードが接地され、前記フローティング端子間に平滑コンデンサが接続され、前記フローティング端子間からは、接地点の基準電位から独立したフローティング電圧が出力されてなる構成とした。
(作用)二次コイルの一端を一対のフローティング端子の一方に接続し、二次コイルの他端を接地し、整流素子のカソードを容量素子の他端とフローティング端子の他方に接続し、整流素子のアノードを接地し、フローティング端子間に平滑コンデンサを接続することで、スイッチ素子がオンオフする毎に、フローティング端子間から、接地点の基準電位(接地電位)から独立したフローティング電圧を出力することができる。
この際、スイッチ素子がオンからオフに移行する過渡時に、容量素子がスイッチ素子の両端間に等価的に並列接続され、リンギングに伴ってスイッチ素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することができる。
一方、スイッチ素子がオフからオンに移行する過渡時には、整流素子の両端に容量素子が等価的に並列接続され、整流素子の逆回復時間の遅れに伴って、整流素子の両端に生じる電圧を容量素子によって吸収することがきる。
従って、一対のフローティング端子から、接地点の基準電位(接地電位)から独立したフローティング電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項1に係るフライバックコンバータによれば、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項2に係るフライバックコンバータによれば、正出力端子から、接地点の基準電位に対して、正の直流電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項3に係るフライバックコンバータによれば、負出力端子から、接地点の基準電位に対して、負の直流電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
請求項4に係るフライバックコンバータによれば、一対のフローティング端子から、接地点の基準電位から独立したフローティング電圧を出力する構成において、スイッチ素子のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の第1実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図、図2(a)〜(c)は、スイッチ素子のオンオフ状態とスイッチ素子およびダイオードの電圧波形図、図3(a)〜(c)は、スイッチ素子がオンからオフに移行するときに、トランスに流れる電流の経路を説明するための図、図4は、本発明の第2実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図、図5は、本発明の第3実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図である。
図1において、フライバックコンバータ10は、トランスT1と、NMOSトランジスタ12と、整流素子としてのダイオードD1と、容量素子としてのコンデンサC1を備えている。
トランスT1は、一次コイルL1と二次コイルL2を備えたフライバックトランスとして構成されている。一次コイルL1と二次コイルL2は、フライバックトランスのコイルとして、トランスT1の入出力の位相が互いに逆となるように、各コイル巻線がコアに巻かれている。
一次コイルL1は、その一端(巻き始め側)が、コイルL3を介して入力端子14に接続され、他端(巻き終わり側)が、NMOSトランジスタ12を介して、接地されているとともに、入力端子16に接続されている。コイルL3は、コンデンサC2、C3とともに、ラインフィルタを構成し、コイルL3の両端にコンデンサC2、C3が接続されている。コンデンサC2は、入力端子14、16に並列接続されており、入力端子14、16間には、直流電源から直流電圧が印加される。
二次コイルL2は、その一端(巻き始め側)が、ダイオードD1を介して接地され、他端(巻き終わり側)が、出力端子18に接続されている。出力端子18は、平滑コンデンサC4を介して出力端子20に接続され、出力端子20は、平滑コンデンサC4の一端とともに接地されている。平滑コンデンサC4が並列接続された出力端子18、20は、光源(ランプ)などの負荷が接続される端子として構成されている。
NMOSトランジスタ12は、一次コイルL1に直列接続されて、ドレインが一次コイルL1の一端に接続され、ソースが接地され、ゲートがパルス発生回路(図示せず)に接続されている。このNMOSトランジスタ12は、パルス発生回路からのパルス信号(オンオフ信号)に応答してスイッチング動作するスイッチ素子として構成されている。
コンデンサC1は、その一端が、一次コイルL1とNMOSトランジスタ12との接続点22に接続され、その他端が、ダイオードD1のカソードに接続されている。コンデンサC1の他端とダイオードD1のカソードとの接続点24が二次コイルL2の一端(巻き始め側)に接続されている。すなわち、コンデンサC1は、接続点22と接続点24とを結ぶ容量素子として構成されている。
ダイオードD1は、カソードがコンデンサC1の他端(接続点24)と二次コイルL2の一端(巻き始め側)に接続され、アノードが接地されている。ダイオードD1は、NMOSトランジスタ12のオン時に、二次コイルL2に二次電流が流れるのを阻止し、NMOSトランジスタ12のオフ時には、二次コイルL2に二次電流が流れるように機能する整流素子として構成されている。
この際、出力端子18は、正出力端子として機能し、出力端子20は、接地点として機能し、出力端子18からは、接地点の基準電位(接地電位)に対して、昇降圧された正の直流電圧が出力される。
上記構成によるフライバックコンバータ10において、入力端子14、16に直流電圧が印加されたときに、パルス発生回路からのパルス信号に応答して、NMOSトランジスタ12がオンすると、一次コイルL1に一次電流が流れ、一次コイルL1にエネルギーが蓄積される。このとき、ダイオードD1は、二次コイルL2に二次電流が流れるのを阻止する。
一次コイルL1にエネルギーが蓄積された後、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行すると、二次コイルL2の両端電圧の位相が反転し、一次コイルL1に蓄積されていたエネルギーが二次コイルL2から放出され、二次コイルL2にダイオードD1を介して二次電流が流れる。この二次電流が平滑コンデンサC4で平滑されると、出力端子18からは、接地点の基準電位(接地電位)に対して、昇降圧された正の直流電圧が出力される。
ここで、コンデンサC1を取り除いた状態で、NMOSトランジスタ12をオンにした後、NMOSトランジスタ12をオンからオフにすると、図2(a)に示すように、NMOSトランジスタ12のドレイン・ソース間の電圧VDSに対して、リンギングによる電圧V1が重畳する。
また、NMOSトランジスタ12をオフにした後、NMOSトランジスタ12をオフからオンにすると、図2(b)に示すように、ダイオードD1のカソード・アノード間の電圧VKAに対して、ダイオードD1の逆回復時間の遅れに伴う、電圧V2が発生する。電圧V1、V2は、NMOSトランジスタ12のスイッチング動作に伴うスイッチング損失となる。
そこで、本実施例では、電圧V1、V2を低減するために、一次コイルL1とNMOSトランジスタ12との接続点22にコンデンサC1の一端を接続し、ダイオードD1のカソードと二次コイルL2の一端(巻き始め側)との接続点24にコンデンサC1の他端を、接続する構成を採用している。
以下、接続点22と接続点24とをコンデンサC1を介して接続することで、電圧V1を低減できる理由を図3に基づいて説明する。
まず、NMOSトランジスタ12がオンになったときには、図3(a)に示すように、一次コイルL1に一次電流I1が流れる。このとき、ダイオードD1には、逆方向に電圧が印加されているので、ダイオードD1はオフ状態にあって、二次コイルL2に二次電流は流れない。この場合、コンデンサC1の充電電圧の極性は、ダイオードD1側(接続点24側)がプラスとなり、NMOSトランジスタ12側(接続点22側)がマイナスとなる。
この後、図3(b)に示すように、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時には、二次コイルL2の両端電圧の位相が反転するに伴って、コンデンサC1のダイオード側(接続点24側)の電位が低下するとともに、コンデンサC1のNMOSトランジスタ12側(接続点22側)の電位も低下し、電圧V1の発生に伴う、リンギング分の電流Irは、コンデンサC1を介して二次コイルL2に流れる。
この際、二次コイルL2は、コンデンサC1からの電流Irを出力端子18の方向に流すように作用する。このため、コンデンサC1のダイオードD1側(接続点24側)の電位が接地電位に低下するまでは、二次コイルL2に流れる電流Irは、コンデンサC1から供給される。すなわち、リンギング分の電流Irは、コンデンサC1を介してトランスT1の二次側(二次コイルL2)に流れる。
次に、図3(c)に示すように、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過程で、二次コイルL2の両端電圧が高くなるとともに、ダイオードD1に印加される順方向電圧が高くなり、コンデンサC1のダイオードD1側(接続点24側)の電位がほぼ接地電位(実際にはダイオードD1の順方向電位になるが、出力電位に比べ十分に小さいためダイオードD1のオン時の接続点24の電位はほぼ接地と考えてよい)になったときに、ダイオードD1がオンになると、一次コイルL1に蓄積されたエネルギーを二次コイルL2から放出するための電流が、二次電流I2として、ダイオードD1を経由して二次コイルL2に流れる。
このように、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時に、リンギングによる電圧V1が発生しても、電圧V1の発生に伴う、リンギング分の電流Irは、コンデンサC1を介してトランスT1の二次側に流れるので、電圧V1の発生を抑制することができる。
この際、コンデンサC1は、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時には、等価的に、NMOSトランジスタ12のドレイン・ソース間に並列接続され、電圧V1の発生に伴う、リンギング分の電流Irを、接地電位にバイパスするように機能する。
次に、接続点22と接続点24とをコンデンサC1を介して接続することで、電圧V2を低減できる理由について説明する。
NMOSトランジスタ12がオフからオンに移行する過渡時には、NMOSトランジスタ12がオンになると、NMOSトランジスタ12のドレインが略接地電位となり、等価的に、ダイオードD1の両端に、コンデンサC1が並列接続される。
このため、NMOSトランジスタ12がオフからオンに移行する過渡時に、ダイオードD1の逆回復時間の遅れに伴う、負の電圧V2が発生しても、この電圧V2は、コンデンサC1によって吸収される。
本実施例によれば、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時に、コンデンサC1をNMOSトランジスタ12のドレイン・ソース間に等価的に並列接続し、NMOSトランジスタ12がオフからオンに移行する過渡時には、コンデンサC1をダイオードD1の両端に等価的に並列接続したため、出力端子18から、接地点(出力端子20)の基準電位(接地電位)に対して、正の直流電圧を出力する構成において、NMOSトランジスタ12のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
次に、本発明の第2実施例を図4に基づいて説明する。本実施例は、ダイオードD1のアノードを、接地する代わりに、出力端子20に接続し、出力端子18を接地し、出力端子20から、接地点(出力端子18)の基準電位(接地電位)に対して、負の直流電圧を出力するようにしたものであり、他の構成は第1実施例と同様である。
具体的には、ダイオードD1は、カソードがコンデンサC1の他端(接続点24)と二次コイルL2の一端(巻き始め側)に接続され、アノードが出力端子20に接続されている。二次コイルL2の他端(巻き終わり側)は、出力端子18に接続されているとともに、接地され、かつ平滑コンデンサC4を介してダイオードD1のアノードに接続されている。そして、出力端子20は、負出力端子として構成され、出力端子20からは、NMOSトランジスタ12がオンオフする毎に、接地点(出力端子18)の基準電位(接地電位)に対して、昇降圧された負の直流電圧が出力される。
本実施例によれば、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時に、コンデンサC1をNMOSトランジスタ12のドレイン・ソース間に等価的に並列接続し、NMOSトランジスタ12がオフからオンに移行する過渡時には、コンデンサC1をダイオードD1の両端に等価的に並列接続したため、出力端子20から、接地点(出力端子18)の基準電位(接地電位)に対して、負の直流電圧を出力する構成において、NMOSトランジスタ12のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
次に、本発明の第3実施例を図5に基づいて説明する。本実施例は、出力端子18、20をフローティング端子とし、出力端子18、20から、接地点の基準電位(接地電位)から独立したフローティング電圧を出力するようにしたものであり、他の構成は第1実施例と同様である。
具体的には、二次コイルL2は、一端(巻き始め側)が出力端子20に接続され、他端(巻き終わり側)が接地されているとともに、ダイオードD1のアノードに接続されている。ダイオードD1は、カソードが出力端子18に接続されているとともに、コンデンサC1の他端(接続点24)に接続されている。
すなわち、コンデンサC1の他端とダイオードD1のカソードとの接続点24は、二次コイルL2の一端(巻き始め側)の代わりに、出力端子18に接続されている。出力端子18、20には、平滑コンデンサC4が並列接続されている。
出力端子18、20は、いずれも直接接地されることなく、接地点の基準電位(接地電位)からフローティングされた状態にある。このため、NMOSトランジスタ12がオンオフする毎に、出力端子18、20からは、ダイオードD1のアノードを接地点として、接地点の基準電位(接地電位)から独立したフローティング電圧が出力される。
本実施例によれば、NMOSトランジスタ12がオンからオフに移行する過渡時に、コンデンサC1をNMOSトランジスタ12のドレイン・ソース間に等価的に並列接続し、NMOSトランジスタ12がオフからオンに移行する過渡時には、コンデンサC1をダイオードD1の両端に等価的に並列接続したため、出力端子18、20から、接地点の基準電位(接地電位)から独立したフローティング電圧を出力する構成において、NMOSトランジスタ12のスイッチング動作に伴うスイッチング損失を低減することができる。
本発明の第1実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図である。 (a)〜(c)は、スイッチ素子のオンオフ状態とスイッチ素子およびダイオードの電圧波形図である。 (a)〜(c)は、スイッチ素子がオンからオフに移行するときに、トランスに流れる電流の経路を説明するための図である。 本発明の第2実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図である。 本発明の第3実施例を示すフライバックコンバータの回路構成図である。
10 フライバックコンバータ
12 NMOSトランジスタ
14、16 入力端子
18、20 出力端子
22、24 接続点
C1〜C4 コンデンサ
D1 ダイオード

Claims (4)

  1. 電源より直流電圧を受ける一次コイルと、
    前記一次コイルに直列接続されたスイッチ素子と、
    前記一次コイルとトランスを形成するように設けられた二次コイルと、
    前記二次コイルに直列接続された整流素子を備えているフライバックコンバータにおいて、
    容量素子を備え、前記容量素子の一端は、前記一次コイルと前記スイッチ素子との接続点に接続され、前記容量素子の他端は、前記整流素子のカソードに接続されていることを特徴とするフライバックコンバータ。
  2. 請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、
    前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記二次コイルの一端に接続され、アノードが接地され、
    前記二次コイルの他端は、正出力端子に接続されているとともに、平滑コンデンサを介して接地され、
    前記正出力端子からは、接地点の基準電位に対して、正の直流電圧が出力されてなることを特徴とするフライバックコンバータ。
  3. 請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、
    前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記二次コイルの一端に接続され、アノードが負出力端子に接続されているとともに、平滑コンデンサを介して接地され、
    前記二次コイルの他端は、接地され、
    前記負出力端子からは、接地点の基準電位に対して、負の直流電圧が出力されてなることを特徴とするフライバックコンバータ。
  4. 請求項1に記載のフライバックコンバータにおいて、
    前記二次コイルの一端は、一対のフローティング端子の一方に接続され、前記二次コイルの他端は、接地され、
    前記整流素子は、カソードが前記容量素子の他端と前記フローティング端子の他方に接続され、アノードが接地され、
    前記フローティング端子間に平滑コンデンサが接続され、
    前記フローティング端子間からは、接地点の基準電位から独立したフローティング電圧が出力されてなることを特徴とするフライバックコンバータ。
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