JP5218593B2 - 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 129
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 20
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 101000845189 Homo sapiens Testis-specific Y-encoded protein 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100031283 Testis-specific Y-encoded protein 1 Human genes 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000994667 Homo sapiens Potassium voltage-gated channel subfamily KQT member 2 Proteins 0.000 description 2
- 101000658622 Homo sapiens Testis-specific Y-encoded-like protein 2 Proteins 0.000 description 2
- 102100034354 Potassium voltage-gated channel subfamily KQT member 2 Human genes 0.000 description 2
- 102100034917 Testis-specific Y-encoded-like protein 2 Human genes 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
また、前記複数の外部回路接続端子のうちの第4外部回路接続端子と前記データ線駆動回路とを接続するデータ線駆動回路用配線とを備え、前記画像信号線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されている。
また、前記第1外部回路接続端子は、前記第2外部回路接続端子よりも前記素子基板の第2辺側に配置されている。
また、前記複数の外部回路接続端子と前記画像表示領域との間に、前記画素部に映像信号を供給するためのデータ線駆動回路と、前記複数の外部回路接続端子のうちの第3外部回路接続端子と前記データ線駆動回路とを接続するデータ線駆動回路用配線とを備え、前記第2外部回路接続端子は、前記第1外部回路接続端子と前記第3外部回路接続端子との間に配置されている。
また、前記走査線駆動回路用配線は、クロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含む。
また、前記走査線駆動回路用配線は、クロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、電源信号を供給するための電源配線とを含み、前記一対のクロック信号線と前記電源配線とは交差しない。
また、前記対向電極電位線及び走査線駆動回路用配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされている。
また、前記対向電極電位線及び走査線駆動回路用配線は少なくとも部分的に、別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含む。
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに、図1は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
次に、本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図3を参照して説明する。ここに、図3は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
次に、引き続き図4及び図5を参照しながら、外部回路接続端子102及び外部回路接続端子102に接続された各種信号配線の詳細構成について以下に説明する。尚、以下の説明において、外部回路接続端子102を介してTFTアレイ基板10内に入力される信号名称と、その入力端子とは、同一のアルファベット記号を信号及び端子Tの後に夫々付与して称する。即ち、例えば、信号名称である「クロック信号CLX」に対して、その入力端子を「端子TCLX」と呼称することとする。
以下では、データ線6a、走査線3a、TFT30等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の画素部に係る実際の構成について、図6及び図7を参照して説明する。ここに図6は、本実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図7は、そのA−A’断面図である。
次に、図7を参照して説明した画素部の断面構造に対応させて、特に本実施形態に係る、外部回路接続端子に接続された各種信号配線の断面構成について以下に説明する。ここに、図8は、図4または図5のB−B’断面図であり、図9は、図4または図5のC−C’断面図である。
次に図10及び図11を参照して、上述した実施形態の変形形態について説明する。ここに図10及び図11は夫々、変形形態に係る主配線及び冗長配線の断面図であり、図10は、それらの伸延方向に垂直な断面で、即ち図9と同じく図4または図5のC−C’断面に対応する個所で切った断面図であり、図11は、それらの伸延方向に沿った断面で切った断面図である。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図12は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
Claims (9)
- 素子基板と、
該素子基板とシール材を介して貼り合わされた対向基板と、
前記シール材の内側に画像表示領域を囲むように設けられた額縁遮光膜と、
前記画像表示領域の画素部に設けられた画素電極及び該画素電極と対向する対向電極と、
前記素子基板の第1辺に沿って第1方向に配列された複数の外部回路接続端子と、
前記複数の外部回路接続端子と前記画像表示領域との間にデータ線駆動回路と、
前記素子基板の第1辺と交差する第2辺に沿って配置され、前記額縁遮光膜と重なるように配置された走査線駆動回路と、
前記複数の外部回路接続端子のうちの第1外部回路接続端子と接続され、前記対向電極に対向電極電位を供給する対向電極電位線と、
前記複数の外部回路接続端子のうちの第2外部回路接続端子と前記走査線駆動回路とを接続する走査線駆動回路用配線と、
前記複数の外部回路接続端子のうちの第3外部回路接続端子から入力される画像信号を供給する画像信号線とを備え、
前記対向電極電位線、前記走査線駆動回路用配線及び前記画像信号線は、それぞれ前記データ線駆動回路と前記素子基板の第1辺との間を前記第1方向に延在すると共に、前記データ線駆動回路と前記素子基板の第2辺との間を前記第1方向と交差する第2方向に延在し、
前記対向電極電位線は、前記走査線駆動回路用配線よりも前記素子基板の縁側に配置され、前記走査線駆動回路用配線は、前記対向電極電位線と前記画像信号線との間に配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記複数の外部回路接続端子のうちの第4外部回路接続端子と前記データ線駆動回路とを接続するデータ線駆動回路用配線とを備え、
前記画像信号線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第1外部回路接続端子は、前記第2外部回路接続端子よりも前記素子基板の第2辺側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第2外部回路接続端子は、前記第1外部回路接続端子と前記第3外部回路接続端子との間に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記走査線駆動回路用配線は、クロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記走査線駆動回路用配線は、クロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、電源信号を供給するための電源配線とを含み、
前記一対のクロック信号線と前記電源配線とは交差しないことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記対向電極電位線及び走査線駆動回路用配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記対向電極電位線及び走査線駆動回路用配線は少なくとも部分的に、別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011096894A JP5218593B2 (ja) | 2003-06-02 | 2011-04-25 | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003156832 | 2003-06-02 | ||
JP2003156832 | 2003-06-02 | ||
JP2011096894A JP5218593B2 (ja) | 2003-06-02 | 2011-04-25 | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007277295A Division JP5194714B2 (ja) | 2003-06-02 | 2007-10-25 | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011191772A JP2011191772A (ja) | 2011-09-29 |
JP5218593B2 true JP5218593B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=44796681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011096894A Expired - Lifetime JP5218593B2 (ja) | 2003-06-02 | 2011-04-25 | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5218593B2 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11109403A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3792375B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
JP3900714B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2007-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP3589005B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2004-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP3536639B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2004-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP3624703B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2005-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びそれを用いた投射型表示装置 |
JP3876583B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
JP3855575B2 (ja) * | 2000-02-02 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器 |
JP3734664B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2006-01-11 | 株式会社日立製作所 | 表示デバイス |
JP3858572B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
JP2002334994A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-11-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板、投射型表示装置並びに電子機器 |
-
2011
- 2011-04-25 JP JP2011096894A patent/JP5218593B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011191772A (ja) | 2011-09-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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