JP5215846B2 - イオンビーム角度広がりの制御技術 - Google Patents
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Description
[項目1]
イオンビーム角度広がりの制御方法であって、
一以上のイオンビームを二以上の異なる入射角度において基板面に対して導き、それにより、複数のイオンビーム入射角度よりなる制御された広がりへと基板面を暴露すること、
基板面に対する走査を一以上のイオンビームで実行し、走査中のイオンビームを偏向させることによって入射角度を調整すること、を含む、方法。
[項目2]
二以上の入射角度を、一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変磁場により偏向させることにより導入する、
項目1に記載の方法。
[項目3]
二以上の入射角度を、一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変静電場により偏向させることにより導入する、
項目1に記載の方法。
[項目4]
基板面を一以上のイオンビームの少なくとも一つに対する二以上の異なる角度へと傾斜させることをさらに含む、
項目1に記載の方法。
[項目5]
基板面を一以上の所定方位へと回転させることを更に含む、項目1に記載の方法。
[項目6]
二以上の異なる入射角度を、基板面に対する一以上の走査の間に導入する、
項目1に記載の方法。
[項目7]
二以上の異なる入射角度は、複数の実質的に連続的なイオンビーム入射角度を含む、
項目1に記載の方法。
[項目8]
二以上の異なる入射角度は、複数のインクリメンタルに異なるイオンビーム入射角度を含む、
項目1に記載の方法。
[項目9]
イオンビームにより、第一レートにおいて基板面を走査することと、
イオンビームの入射角度を、第一レートより実質的に速い第二レートにおいて変化させること、を更に含む、項目1に記載の方法。
[項目10]
二以上のイオンビームにより、同時に基板面を走査することを更に含む、
項目1に記載の方法。
[項目11]
項目1に記載の方法を実施するためのコンピュータ処理を少なくとも一つのプロセッサに実行するよう指示する、該少なくとも一つのプロセッサにより読み取り可能に構成された複数の指示を含むコンピュータプログラムを伝達する少なくとも一つの搬送波により具現化される少なくとも一つの信号。
[項目12]
項目1に記載の方法を実施するためのコンピュータ処理を少なくとも一つのプロセッサに実行するよう指示する、該少なくとも一つのプロセッサにより読み取り可能に構成された複数の指示を含むコンピュータプログラムを記憶する少なくとも一つのプロセッサ読み取り可能なキャリア。
[項目13]
イオンビーム角度広がりの制御システムであって、
一以上のイオンビームを二以上の異なる入射角度において基板面に対して導き、それにより、複数のイオンビーム入射角度よりなる制御された広がりへと基板面を暴露する手段と、
基板面に対する走査を一以上のイオンビームで実行し、走査中のイオンビームを偏向させることによって入射角度を調整する手段と、を含む、システム。
[項目14]
二以上の入射角度を、一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変磁場により偏向させることにより導入する、
項目13に記載のシステム。
[項目15]
二以上の入射角度を、一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変静電場により偏向させることにより導入する、
項目13に記載のシステム。
[項目16]
基板面を一以上のイオンビームの少なくとも一つに対する二以上の異なる角度へと傾斜させる手段をさらに含む、
項目13に記載のシステム。
[項目17]
基板面を一以上の所定方位へと回転させる手段を更に含む、項目13に記載のシステム。
[項目18]
二以上の異なる入射角度を、基板面に対する一以上の走査の間に導入する、
項目13に記載のシステム。
[項目19]
イオンビームにより第一レートにおいて基板面を走査する手段と、
イオンビームの入射角度を、第一レートより実質的に速い第二レートにおいて変化させる手段と、を更に含む、項目13に記載のシステム。
[項目20]
二以上のイオンビームにより、同時に基板面を走査する手段を更に含む、
項目13に記載のシステム。
Claims (19)
- イオンビーム角度広がりの制御方法であって、
一以上のイオンビームを二以上の異なる入射角度において基板面に対して導き、それにより、複数のイオンビーム入射角度よりなる制御された広がりへと前記基板面を暴露すること、
前記基板面に対する走査を前記一以上のイオンビームで実行し、走査中の前記イオンビームを偏向させることによって入射角度を調整すること
を含む、方法。 - 前記二以上の入射角度を、前記一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変磁場により偏向させることにより導入する、
請求項1に記載の方法。 - 前記二以上の入射角度を、前記一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変静電場により偏向させることにより導入する、
請求項1に記載の方法。 - 前記基板面を前記一以上のイオンビームの少なくとも一つに対する二以上の異なる角度へと傾斜させることをさらに含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記基板面を一以上の所定方位へと回転させること
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記二以上の異なる入射角度を、前記基板面に対する一以上の走査の間に導入する、
請求項1に記載の方法。 - 前記二以上の異なる入射角度は、複数の実質的に連続的なイオンビーム入射角度を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記二以上の異なる入射角度は、複数のインクリメンタルに異なるイオンビーム入射角度を含む、
請求項1に記載の方法。 - イオンビームにより、第一レートにおいて前記基板面を走査することと、
前記イオンビームの入射角度を、前記第一レートより実質的に速い第二レートにおいて変化させること
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 二以上のイオンビームにより、同時に前記基板面を走査することを更に含む、
請求項1に記載の方法。 - 請求項1に記載の前記方法を実施するためのコンピュータ処理を少なくとも一つのプロセッサに実行するよう指示する、該少なくとも一つのプロセッサにより読み取り可能に構成された複数の指示を含むコンピュータプログラムを記憶する少なくとも一つのプロセッサ読み取り可能なキャリア。
- イオンビーム角度広がりの制御システムであって、
一以上のイオンビームを二以上の異なる入射角度において基板面に対して導き、それにより、複数のイオンビーム入射角度よりなる制御された広がりへと前記基板面を暴露する手段と、
前記基板面に対する走査を前記一以上のイオンビームで実行し、走査中の前記イオンビームを偏向させることによって入射角度を調整する手段と
を含む、システム。 - 前記二以上の入射角度を、前記一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変磁場により偏向させることにより導入する、
請求項12に記載のシステム。 - 前記二以上の入射角度を、前記一以上のイオンビームの少なくとも一つを可変静電場により偏向させることにより導入する、
請求項12に記載のシステム。 - 前記基板面を前記一以上のイオンビームの少なくとも一つに対する二以上の異なる角度へと傾斜させる手段をさらに含む、
請求項12に記載のシステム。 - 前記基板面を一以上の所定方位へと回転させる手段
を更に含む、請求項12に記載のシステム。 - 前記二以上の異なる入射角度を、前記基板面に対する一以上の走査の間に導入する、
請求項12に記載のシステム。 - イオンビームにより第一レートにおいて前記基板面を走査する手段と、
前記イオンビームの入射角度を、前記第一レートより実質的に速い第二レートにおいて変化させる手段と
を更に含む、請求項12に記載のシステム。 - 二以上のイオンビームにより、同時に前記基板面を走査する手段を更に含む、
請求項12に記載のシステム。
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