JP5213887B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device Download PDF

Info

Publication number
JP5213887B2
JP5213887B2 JP2010036067A JP2010036067A JP5213887B2 JP 5213887 B2 JP5213887 B2 JP 5213887B2 JP 2010036067 A JP2010036067 A JP 2010036067A JP 2010036067 A JP2010036067 A JP 2010036067A JP 5213887 B2 JP5213887 B2 JP 5213887B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing member
conductor
substrate
space
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010036067A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010119141A (en
Inventor
徹 深野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2010036067A priority Critical patent/JP5213887B2/en
Publication of JP2010119141A publication Critical patent/JP2010119141A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5213887B2 publication Critical patent/JP5213887B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスを良好な状態で封止した封
止構造を有し、安定して作動させることができる弾性表面波素子に関するものである。
The present invention has a sealing structure that seals the surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave filter elements in a good condition, it relates to a surface acoustic wave device which can be operated in a constant safe.

近年、センサやスイッチ等の機能素子を3次元可動構造体としてSiチップ上などに実現するMEMSデバイスが注目されている。MEMSデバイスは半導体形成技術を応用して作製するため、既存の機能部品よりはるかに小型化および高性能化を実現することができるものである。また、その製造工程が通常の半導体であるCMOS等の製造工程との共通化を図れることから、LSI部品と個別部品であるMEMSデバイスとの集積化が可能であり、半導体素子上への実装寸法を小さくできるほか、消費電力を下げることができる等の効果が期待されている。   In recent years, attention has been focused on MEMS devices that realize functional elements such as sensors and switches on a Si chip as a three-dimensional movable structure. Since the MEMS device is manufactured by applying a semiconductor formation technology, it can realize much smaller size and higher performance than existing functional components. In addition, since the manufacturing process can be shared with the manufacturing process of CMOS or the like which is a normal semiconductor, it is possible to integrate LSI parts and MEMS devices which are individual parts, and the mounting dimensions on the semiconductor element. It is expected that the power consumption can be reduced and the power consumption can be reduced.

このようなMEMSデバイスを実現して使用するには、デバイス作製技術のほか、作製したデバイスを封止してデバイス装置とするためのパッケージング技術が重要な要素となる。デバイス装置において、MEMSデバイスは微細な駆動体が電気信号に応じて機械的な動作を行なうことにより機能することから、その駆動部の機械的な動作空間を確保しつつ、安定した環境を維持できるように封止することが必要である。   In order to realize and use such a MEMS device, in addition to the device manufacturing technique, a packaging technique for sealing the manufactured device into a device device is an important factor. In a device apparatus, a MEMS device functions by a mechanical operation of a fine driving body in response to an electric signal, so that a stable environment can be maintained while ensuring a mechanical operating space of the driving unit. Sealing is necessary.

一方、MEMSデバイスを用いたデバイス装置と同じように、内部に封止するデバイスの駆動部について機械的な動作空間を有するとともに安定した環境を維持できる封止構造を必要とするデバイス装置として、薄膜バルク振動子,水晶振動子等の圧電デバイス、および弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスを用いたデバイス装置があげられる。   On the other hand, as a device device using a MEMS device, as a device device that requires a sealing structure that has a mechanical operation space and can maintain a stable environment for a drive unit of a device sealed inside, a thin film Examples thereof include device devices using piezoelectric devices such as bulk vibrators and crystal vibrators, and surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave filter elements.

薄膜バルク振動子や水晶振動子等のような圧電デバイスおよび弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスは、音響波の共振現象を利用しているため、音響波が伝搬するデバイスの機能面を直接封止材料で覆うことができず、デバイスの機能面とこれを封止する封止材料との間に駆動部の機械的な動作空間を確保する必要がある。   Piezoelectric devices such as thin-film bulk resonators and crystal resonators and surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave filter elements use the resonance phenomenon of acoustic waves. It cannot be directly covered with the sealing material, and it is necessary to secure a mechanical operation space of the drive unit between the functional surface of the device and the sealing material for sealing the device.

これらのMEMSデバイスや、薄膜バルク振動子,水晶振動子等の圧電デバイスや、弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスを用いたデバイス装置は、これまで例えばセラミックパッケージへの実装および封止や、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics:低温同時焼成セラミックス)基板や有機多層基板へデバイスの機能面を基板表面
に間隔を開けて対向させて実装することにより、必要な動作空間を確保することが行なわれてきた。また、近年は、デバイスを個片化する前のいわゆる多数個取りウェハ上に、キャビティを有するシリコンウェハやガラスウェハ等から成る封止用の別ウェハを配置し、デバイスを封止するキャビティ内に動作空間を確保する構成も提案されている。なお、これらの封止のための基板と封止用部材との接合には、フリットガラス,BCB(ベンゾシクロブテン)樹脂,熱可塑性樹脂等の接着材を使用することが提案されている(例えば、非特許文献1,非特許文献2,特許文献1を参照。)。
These MEMS devices, piezoelectric devices such as thin film bulk resonators and crystal resonators, and device devices using surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave filter elements have so far been mounted and sealed in ceramic packages, for example. The required operating space can be secured by mounting the functional surfaces of devices on the LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate or organic multilayer substrate with the substrate surface facing the substrate surface with a gap. Has been done. In recent years, another wafer for sealing made of a silicon wafer or glass wafer having a cavity is arranged on a so-called multi-piece wafer before the device is singulated, and the device is sealed in the cavity for sealing the device. A configuration for securing an operating space has also been proposed. In addition, it has been proposed to use an adhesive such as frit glass, BCB (benzocyclobutene) resin, or thermoplastic resin for joining the sealing substrate and the sealing member (for example, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2, and Patent Document 1).

また、圧電デバイスチップをウエハレベルで基板上に封止する構造として、基板上にチップを配置するとともにそのチップに基板上の配線導体を介してパッドを接続し、次にそ
のチップを犠牲材料で覆い、次に、その犠牲材料を覆い、パッドを露出させて樹脂材料から成る封止材を形成して、その上面から犠牲材料にかけて貫通孔を形成し、次にその貫通孔を通して犠牲材料をエッチングにより除去した後、封止材の上面をシーリング樹脂で覆って貫通孔を塞ぐことによって、封止材とシーリング樹脂とで内部の空間にチップを封止する構造が提案されている。これによれば、樹脂材料を用いてウエハレベルで半導体チップを封止することができ、パッドにボンディングワイヤを接続することによって、基板と封止材との間を通して引き出された配線導体を介して圧電デバイスチップを動作させることができる。
In addition, as a structure for sealing the piezoelectric device chip on the substrate at the wafer level, the chip is arranged on the substrate, and a pad is connected to the chip via a wiring conductor on the substrate, and then the chip is made of a sacrificial material. Cover, then cover the sacrificial material, expose the pad to form a sealant made of resin material, form a through hole from the top surface to the sacrificial material, and then etch the sacrificial material through the through hole After the removal, a structure is proposed in which the top surface of the sealing material is covered with a sealing resin to close the through hole, thereby sealing the chip in the internal space with the sealing material and the sealing resin. According to this, the semiconductor chip can be sealed at the wafer level using the resin material, and by connecting the bonding wire to the pad, via the wiring conductor drawn through between the substrate and the sealing material The piezoelectric device chip can be operated.

ティー・セキ(T. Seki)他著「ローロス・アールエフ・メムス・メタル・コンタクト・スウィッチ・ウィズ・シーエスピー・ストラクチャー」(Low-LossRF MEMS Metal Contact Switch With CSP Structure),トランスデューサーズ '03(TRANSDUCERS '03),p.340−341T. Seki et al., “Low-LossRF MEMS Metal Contact Switch with CSP Structure”, Transducers '03 (TRANSDUCERS '03), p. 340-341 エー・ジョーダイン(A. JOUDAIN)他著「インベスティゲーション・オブ・ザ・ハーメティシティ・オブ・ビーシービーシールド・キャビティ・フォー・ハウジング・アールエフメムス・デバイスイズ」(INVESTIGATION OF THE HERMETICITY OF BCB-SEALED CAVITIES FOR HOUSING RF-MEMS DEVICES),メムス2002(MEMS2002),P.677−680A. JOUDAIN et al. “INVESTIGATION OF THE HERMETICITY OF BCB-” SEALED CAVITIES FOR HOUSING RF-MEMS DEVICES), Mems 2002 (MEMS 2002), P.M. 677-680

特開平9−45804号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-45804

しかしながら、これら従来の技術には、以下に述べる理由による問題点がある。   However, these conventional techniques have problems due to the following reasons.

まず、非特許文献1にて提案された構成では、MEMSデバイスが形成された基板と封止用部材としてのキャビティを有するガラス基板とを接合する際に、フリットガラスを用いることとしている。そのため、接合には450℃程度の熱処理が必要となり、MEMSデ
バイスに使用される材料が耐熱性の点から限定されるという問題点があるほか、接合部の残留応力が大きくなることにより接合部の強度劣化等が生じるという問題点がある。
First, in the configuration proposed in Non-Patent Document 1, frit glass is used when bonding a substrate on which a MEMS device is formed and a glass substrate having a cavity as a sealing member. For this reason, the heat treatment at about 450 ° C. is required for the joining, and there is a problem that the material used for the MEMS device is limited from the viewpoint of heat resistance, and the residual stress of the joining portion is increased due to the increased residual stress of the joining portion. There is a problem that strength deterioration occurs.

次に、非特許文献2では、この問題点に鑑みて、MEMSデバイスを封止する封止材料として、ベンゾシクロブテン(BCB)等の樹脂材料を用いた封止構造を提案している。しかしながら、この構成においては、封止部に樹脂材料を使用しているため、封止した空間内へ湿気が透過しやすく、MEMSデバイスや圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの動作を不安定にさせたり、共振周波数特性を変動させたりするという問題点がある。   Next, in view of this problem, Non-Patent Document 2 proposes a sealing structure using a resin material such as benzocyclobutene (BCB) as a sealing material for sealing the MEMS device. However, in this configuration, since a resin material is used for the sealing portion, moisture is easily transmitted into the sealed space, and the operation of the MEMS device, the piezoelectric device, or the surface acoustic wave device is unstable. There is a problem that the resonance frequency characteristic is changed.

さらに、これらのいずれの方法においても、MEMSデバイスや圧電デバイスまたは弾性表面波デバイス上にガラス基板等のバルク材料を実装することにより封止空間を形成した後、機械的強度を保つことを目的に、これらの上からいわゆるポッティング樹脂による封止を行なうためにさらに樹脂材料にて覆う必要があった。そのため、製造工程が複雑かつ長くなり、生産性を悪化させるという問題点がある。   Furthermore, in any of these methods, after forming a sealed space by mounting a bulk material such as a glass substrate on a MEMS device, a piezoelectric device, or a surface acoustic wave device, the purpose is to maintain mechanical strength. In order to perform sealing with a so-called potting resin from above, it was necessary to further cover with a resin material. Therefore, the manufacturing process becomes complicated and long, and there is a problem that productivity is deteriorated.

また、特許文献1に示されている構成では、樹脂材料に熱可塑性樹脂を用いて基板と封止用部材とを接合することが提案されている。しかしながら、熱可塑性樹脂は複雑な形状や微細なサイズの所望のパターンを精度良く形成することが難しく、ひいては、封止用部材にキャビティを形成して駆動部の機械的な動作空間を確保する等の工夫が必要となると
いう問題点がある。
Moreover, in the structure shown by patent document 1, joining a board | substrate and the member for sealing using a thermoplastic resin for a resin material is proposed. However, it is difficult for a thermoplastic resin to form a desired pattern with a complicated shape or a fine size with high accuracy. As a result, a cavity is formed in a sealing member to secure a mechanical operation space of the drive unit, etc. There is a problem that it is necessary to devise.

さらに、封止用部材にもBCB樹脂や熱可塑性樹脂を使用しようとすると、これらの樹脂は封止材料として用いられるはんだやフリットガラスと比較すると透湿性が高いため、耐湿性が要求されるMEMSデバイスや、薄膜バルク振動子,水晶振動子等の圧電デバイスや、弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスに対しては、適用が難しいという問題点もある。   Furthermore, when BCB resin or thermoplastic resin is used for the sealing member, these resins have higher moisture permeability than solder or frit glass used as a sealing material, and therefore, MEMS that require moisture resistance are required. There is also a problem that it is difficult to apply to devices, piezoelectric devices such as thin film bulk vibrators and crystal vibrators, and surface acoustic wave devices such as surface acoustic wave filter elements.

そして、樹脂から成る封止材とシーリング樹脂とで内部空間に圧電デバイスチップを封止する構造のものでは、ウエハレベルで圧電デバイスチップを封止することができるものの、その動作のための配線導体は基板上に形成されて基板と封止材との界面を通して引き出されているので、その配線導体が引き出された部分では、基板と配線導体という異質の材料で形成された段差について、それぞれの材料に対して一つの封止材が良好に密着することによって気密に封止しなければならず、その部分を一つの封止材で良好に長期にわたって安定して封止することが難しいため、気密封止の信頼性に劣ることとなるという問題点がある。   And in the structure of sealing the piezoelectric device chip in the internal space with the sealing material made of resin and the sealing resin, the piezoelectric device chip can be sealed at the wafer level, but the wiring conductor for the operation Is formed on the substrate and pulled out through the interface between the substrate and the sealing material. Therefore, in the portion where the wiring conductor is pulled out, each material is formed with respect to the step formed by the different materials of the substrate and the wiring conductor. Therefore, it is difficult to seal the portion well and stably over a long period of time with a single sealing material. There is a problem that the reliability of hermetic sealing is inferior.

本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、本発明の目的は、MEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの機械的駆動部を良好に封止して保護し、長期間にわたって安定して動作させることができるとともに、生産性に優れたデバイス装置を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above problems in the prior art, and the object of the present invention is to satisfactorily seal the mechanical drive unit of a MEMS device, a piezoelectric device, or a surface acoustic wave device. Thus, it is possible to provide a device apparatus that can be protected and stably operated over a long period of time and is excellent in productivity.

本発明のデバイス装置は、基板と、前記基板上に配置されたMEMSデバイス、圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスのいずれかよりなる機械的駆動部と、前記基板上に配置され前記機械的駆動部に接続された配線導体と、前記基板との間に前記機械的駆動部を収容する空間を設けて形成され、且つ上面が研磨されることにより平坦化されている封止部材と、前記封止部材の上面から前記空間内に貫通して前記配線導体に接続された金属材料から成る貫通導体と、を備えることを特徴とするものである。   The device apparatus of the present invention includes a substrate, a mechanical drive unit including any one of a MEMS device, a piezoelectric device, and a surface acoustic wave device disposed on the substrate, and a mechanical drive unit disposed on the substrate. A sealing member which is formed by providing a space for accommodating the mechanical drive unit between the connected wiring conductor and the substrate, and is flattened by polishing the upper surface; and the sealing member And a through conductor made of a metal material penetrating into the space from the upper surface and connected to the wiring conductor.

また、本発明のデバイス装置は、上記構成において、前記封止部材の前記空間側の内面に、無機絶縁材料から成る被着層が形成されていることを特徴とするものである。   Moreover, the device apparatus of the present invention is characterized in that, in the above configuration, an adhesion layer made of an inorganic insulating material is formed on the inner surface of the sealing member on the space side.

本発明のデバイス装置は、上記構成において、前記貫通導体がその外周の一部が前記封止部材に覆われるとともに、他の一部が前記空間に露出するように配置されていることを特徴とするものである。   The device device according to the present invention is characterized in that, in the above-described configuration, the through conductor is arranged such that a part of the outer periphery thereof is covered with the sealing member and the other part is exposed to the space. To do.

また、本発明のデバイス装置は、前記機械的駆動部が、前記弾性表面波デバイスであることを特徴とするものである。   In the device apparatus of the present invention, the mechanical drive unit is the surface acoustic wave device.

本発明のデバイス装置によれば、基板上に機械的駆動部が配置されてなるMEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの機械的駆動部と、基板上に形成され前記機械的駆動部に接続された配線導体とを、基板上にこの基板との間に空間を設けて形成された樹脂材料から成る封止部材のその空間内に封止しており、封止部材に、上面から空間内に貫通して配線導体に接続された、金属材料から成る貫通導体が形成されていることから、封止部材の内部に封止されたデバイスの機械的駆動部と外部の電子回路との電気的な接続は、配線導体および貫通導体を介して封止部材の上面側で行なうことができ、基板と封止部材との間から配線導体を引き出す必要はないので、基板に対して段差等がない状態で封止部材が良好に密着し接合することができるとともに、貫通導体に対しても異質
の材料からなる段差等がない状態で封止部材が良好に密着し接合することができるため、封止部材の空間内に収容された機械的駆動部を長期にわたって良好に安定して気密に封止することができるため、気密封止の信頼性に優れたデバイス装置となる。
According to the device apparatus of the present invention, a mechanical drive unit of a MEMS device, a piezoelectric device or a surface acoustic wave device in which a mechanical drive unit is arranged on a substrate, and a connection formed on the substrate and connected to the mechanical drive unit. The wiring conductor is sealed in the space of the sealing member made of a resin material formed by providing a space between the substrate and the substrate. Since a through conductor made of a metal material is formed so as to pass through and connected to the wiring conductor, the electrical drive between the mechanical drive unit of the device sealed inside the sealing member and the external electronic circuit The connection can be made on the upper surface side of the sealing member via the wiring conductor and the through conductor, and there is no step or the like with respect to the substrate because there is no need to draw out the wiring conductor from between the substrate and the sealing member. The sealing member adheres well in the state The sealing member can be well adhered and bonded to the through conductor without any step made of a different material, and the machine accommodated in the space of the sealing member. Since the target driving section can be stably and airtightly sealed well over a long period of time, a device apparatus having excellent airtight sealing reliability is obtained.

また、封止部材は樹脂材料から成るものであることから、基板に対して100℃から300℃程度の低い温度にて接合させて基板との間の空間内にデバイスの機械的駆動部を封止することが可能であり、封止する機械的駆動部へのダメージを低減させて所望の動作を安定して行なわせることができる。   In addition, since the sealing member is made of a resin material, the device is bonded to the substrate at a low temperature of about 100 ° C. to 300 ° C., and the mechanical drive unit of the device is sealed in the space between the substrate. It is possible to stop, and damage to the mechanical drive unit to be sealed can be reduced, and a desired operation can be stably performed.

さらに、樹脂材料からなる封止部材の内側の空間は、犠牲材料を用いて機械的駆動部を覆い、これを樹脂材料で覆った後に、貫通導体を形成するための貫通孔を通して犠牲材料を除去することによって形成できるので、従来の封止構造のようにデバイス上または機械的駆動部上にガラス基板等のバルク材料を実装することにより空間を形成する必要がなく、ガラス等の基板材料を実装する工程を省くことが可能となり、生産性に優れたデバイス装置を供給することができる。   Furthermore, the space inside the sealing member made of a resin material covers the mechanical drive unit using the sacrificial material, and after covering this with the resin material, the sacrificial material is removed through the through hole for forming the through conductor. Since it can be formed by mounting a bulk material such as a glass substrate on a device or a mechanical drive part as in a conventional sealing structure, it is not necessary to form a space, and a substrate material such as glass is mounted. Therefore, it is possible to omit a process to be performed, and it is possible to supply a device device having excellent productivity.

このとき、犠牲材料を除去するのに利用した封止部材の貫通孔の部分は、金属材料から成る貫通導体によって封止されていることから、封止の信頼性に優れるものとなるとともに、内側の空間内に封止された配線導体へ信号を入出力するための配線の引き出し部を貫通導体の形成時に同時に形成することができるものとなるので、大幅な生産性の向上が可能となる。   At this time, since the portion of the through hole of the sealing member used for removing the sacrificial material is sealed by the through conductor made of a metal material, the sealing reliability is excellent and the inner side Since a wiring lead-out portion for inputting / outputting signals to / from the wiring conductor sealed in the space can be formed simultaneously with the formation of the through conductor, the productivity can be greatly improved.

そして、本発明のデバイス装置によれば、デバイスの基板上にその機械的駆動部を覆うようにして封止部材が接合されており、その封止部材の上面に貫通導体によって機械的駆動部に対する電気的な接続部が引き出されているので、デバイスの大きさと同等程度の極めて小型の、回路基板への表面実装が可能なデバイス装置となる。   And according to the device apparatus of this invention, the sealing member is joined so that the mechanical drive part may be covered on the board | substrate of a device, and with respect to a mechanical drive part by the penetration conductor on the upper surface of the sealing member Since the electrical connection portion is drawn out, the device device can be mounted on a circuit board, which is extremely small and approximately the size of the device.

また、本発明のデバイス装置によれば、封止部材の空間側の内面に、無機絶縁材料から成る被着層を形成したときには、内部に封止した機械的駆動部の耐湿性に対して、この機械的駆動部を覆っている封止部材の樹脂材料の透湿性が大きい場合であっても、透湿性が極めて小さい無機絶縁材料から成る被着層によって空間内への湿気の侵入を確実に防ぐことができるので、耐湿性に優れた封止を実現することができ、デバイス装置の動作特性および信頼性をさらに向上させることができるものとなる。   Further, according to the device device of the present invention, when the adherent layer made of an inorganic insulating material is formed on the inner surface of the sealing member on the space side, the moisture resistance of the mechanical driving unit sealed inside is as follows. Even when the resin material of the sealing member covering the mechanical drive part has a high moisture permeability, the moisture-permeable infiltration of the moisture is surely ensured by the adherent layer made of an inorganic insulating material having a very low moisture permeability. Therefore, sealing with excellent moisture resistance can be realized, and the operating characteristics and reliability of the device apparatus can be further improved.

以上により、本発明によれば、MEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの機械的駆動部を封止部材の内側の空間内に良好な気密信頼性をもって封止して保護することができ、そのデバイスを良好に長期間にわたって安定して動作させることができ、かつ生産性にも優れたデバイス装置およびその製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, the mechanical driving unit of the MEMS device, the piezoelectric device, or the surface acoustic wave device can be sealed and protected with good airtight reliability in the space inside the sealing member. It is possible to provide a device apparatus that can stably operate the device for a long period of time and has excellent productivity, and a method for manufacturing the device.

(a)および(b)は、それぞれ本発明のデバイス装置の実施の形態の例を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the example of embodiment of the device apparatus of this invention, respectively. (a)および(b)は、それぞれ本発明のデバイス装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the other example of embodiment of the device apparatus of this invention, respectively. (a)〜(e)は、それぞれ本発明のデバイス装置の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。(A)-(e) is sectional drawing for every process which shows an example of embodiment of the manufacturing method of the device apparatus of this invention, respectively.

以下、本発明のデバイス装置およびその製造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。   Hereinafter, a device apparatus and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1(a)および(b)は、それぞれ本発明のデバイス装置の実施の形態の例を示す断面図である。図1(a)および(b)において、1はMEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイス(以下、デバイスと総称する。)の基板、2は基板1上に配置されたMEMSデバイスの駆動部、または圧電デバイスの発振部、または弾性表面波デバイスの共振部(以下、機械的動作部と総称する。)であり、デバイスはその基板1上に機械的駆動部2が配置されて構成されている。3は基板1上に基板1との間に空間5を設けて形成された樹脂材料から成る封止部材、4は基板1上に形成され機械的動作部2に接続された配線導体、5は機械的動作部2が収容されて封止される空間である。また、6は封止部材3に形成された、その上面から空間5内に貫通して配線導体4に至る貫通孔、7は貫通孔6内に形成された、封止部材3の上面から空間5内に貫通して配線導体4に接続された金属材料から成る貫通導体である。   1A and 1B are cross-sectional views showing examples of embodiments of the device apparatus of the present invention. 1A and 1B, 1 is a substrate of a MEMS device, a piezoelectric device, or a surface acoustic wave device (hereinafter collectively referred to as a device), 2 is a drive unit of the MEMS device disposed on the substrate 1, Or it is an oscillation part of a piezoelectric device, or a resonance part (hereinafter, collectively referred to as a mechanical operation part) of a surface acoustic wave device, and the device is configured by arranging a mechanical drive part 2 on a substrate 1 thereof. . 3 is a sealing member made of a resin material formed by providing a space 5 between the substrate 1 and the substrate 1, 4 is a wiring conductor formed on the substrate 1 and connected to the mechanical operation unit 2, It is a space in which the mechanical operation unit 2 is accommodated and sealed. Reference numeral 6 denotes a through hole formed in the sealing member 3 from the upper surface thereof into the space 5 to reach the wiring conductor 4. Reference numeral 7 denotes a space formed from the upper surface of the sealing member 3 formed in the through hole 6. 5 is a through conductor made of a metal material that penetrates through 5 and is connected to the wiring conductor 4.

基板1はデバイスの基体部であり、この上に配置された機械的動作部2は、基板1上に形成されて機械的動作部2に接続された配線導体4とともに封止部材3にて形成された空間5内に収容されている。この空間5の内部は、機械的動作部2およびこのデバイスを用いたデバイス装置に対して要求される仕様に応じて、真空状態であっても不活性ガス雰囲気であってもよい。   The substrate 1 is a base portion of the device, and the mechanical operation portion 2 disposed thereon is formed by the sealing member 3 together with the wiring conductor 4 formed on the substrate 1 and connected to the mechanical operation portion 2. It is accommodated in the space 5 formed. The space 5 may be in a vacuum state or an inert gas atmosphere according to specifications required for the mechanical operating unit 2 and the device apparatus using the device.

基板1上に形成されて機械的動作部2に接続された配線導体4は、機械的動作部2が配置された位置から引き出されて、空間5内に封止されて収容されている。この配線導体4は、全部が空間5内に位置していてもよいし、その一部例えば端部が基板1と封止部材3との接合部内に位置していてもよい。   The wiring conductor 4 formed on the substrate 1 and connected to the mechanical operating unit 2 is drawn out from the position where the mechanical operating unit 2 is arranged, and is sealed and accommodated in the space 5. The wiring conductor 4 may be entirely located in the space 5, or a part, for example, an end portion thereof may be located in a joint portion between the substrate 1 and the sealing member 3.

そして、封止部材3には、その上面から空間5内に貫通するようにして金属材料から成る貫通導体7が形成されており、これによって封止部材3にて形成された空間5と外部との間を貫通する貫通孔6がこの金属材料から成る貫通導体7により封止されているとともに、貫通導体7が配線導体4に接続されていることによって機械的動作部2の入出力端子として機能するものとなり、封止部材3の上面に位置するその上側端面が機械的動作部2への入出力電極パッドとして機能するものとなっている。   A through conductor 7 made of a metal material is formed in the sealing member 3 so as to penetrate from the upper surface into the space 5, thereby the space 5 formed by the sealing member 3 and the outside. A through-hole 6 penetrating between the two is sealed with a through-conductor 7 made of this metal material, and the through-conductor 7 is connected to the wiring conductor 4 so that it functions as an input / output terminal of the mechanical operation unit 2. The upper end surface located on the upper surface of the sealing member 3 functions as an input / output electrode pad to the mechanical operation unit 2.

このような貫通導体7は、例えば図1(a)に示すように貫通孔6の内部を金属材料で充填して形成された、いわゆるビアホール導体であってもよいし、図1(b)に示すように貫通孔6の内面に金属材料から成る導体層が被着された、いわゆるスルーホール導体であってもよい。図1(a)に示すように貫通導体7を金属材料から成る柱状に形成した場合には、その上面をそのまま電極パッドとして利用することができ、デバイス装置の小型化や入出力電極の高密度化に対して有利なものとなる。また、図1(b)に示すように貫通導体7を金属材料から成る導体層が被着されたものとして形成した場合には、その導体層を封止部材3の上面でさらに延長して引き出すことが容易となり、その引き出した部分を所望の配置や形状,大きさの電極パッドとして種々の入出力形態に適合させることができる。   Such a through-conductor 7 may be a so-called via-hole conductor formed by filling the inside of the through-hole 6 with a metal material as shown in FIG. 1A, for example, as shown in FIG. As shown, a so-called through-hole conductor in which a conductor layer made of a metal material is deposited on the inner surface of the through hole 6 may be used. When the through conductor 7 is formed in a columnar shape made of a metal material as shown in FIG. 1A, the upper surface can be used as an electrode pad as it is, and the device device can be downsized and the input / output electrodes can be made dense. This is advantageous for the conversion. 1B, when the through conductor 7 is formed as a conductor layer made of a metal material, the conductor layer is further extended on the upper surface of the sealing member 3 and pulled out. Thus, the drawn portion can be adapted to various input / output configurations as an electrode pad having a desired arrangement, shape and size.

また、貫通導体7の形成位置は、封止部材3の上面から封止部材3を空間5内に貫通して配線導体4に接続されるような位置であれば、機械的動作部2やデバイス装置の仕様等に応じて適宜設定すればよい。また、貫通導体7の個数も、機械的動作部2やデバイス装置の仕様等に応じて複数とすればよく、例えば、配線導体4とともに電源用配線,信号用配線,接地用配線等として必要に応じた個数を形成すればよい。これら貫通導体7の大きさや形状等も、配線導体4とともにその貫通導体7をどの配線として用いるのかに応じて、必要な大きさや形状とすればよい。また、封止部材3を貫通した貫通導体7の下部は、その外周の一部が封止部材3に埋まって他の一部が空間5内に露出するように配置されて
いてもよいし、その外周の全部が空間5内に露出するように配置されていてもよい。
Further, the through conductor 7 is formed at a position that penetrates the sealing member 3 from the upper surface of the sealing member 3 into the space 5 and is connected to the wiring conductor 4. What is necessary is just to set suitably according to the specification etc. of an apparatus. Further, the number of through conductors 7 may be plural according to the specifications of the mechanical operating unit 2 and the device device. For example, the through conductors 7 are necessary as power wiring, signal wiring, ground wiring, etc. together with the wiring conductor 4. A corresponding number may be formed. The size, shape, and the like of these through conductors 7 may be set to a necessary size and shape according to which wiring the through conductor 7 is used together with the wiring conductor 4. Further, the lower portion of the through conductor 7 penetrating the sealing member 3 may be arranged such that a part of the outer periphery thereof is buried in the sealing member 3 and the other part is exposed in the space 5. You may arrange | position so that the whole outer periphery may be exposed in the space 5. FIG.

次に、図2(a)および(b)は、それぞれ本発明のデバイス装置の実施の形態の他の例を示す図1と同様の断面図である。図2(a)および(b)において、図1と同様の箇所には同じ符号を付してあり、1はデバイスの基板、2はデバイスの機械的動作部、3は樹脂材料から成る封止部材、4は機械的動作部2に接続された配線導体、5は機械的動作部2が収容されて封止される空間、6は封止部材3に形成された貫通孔、7は封止部材3の上面から空間5内に貫通して配線導体4に接続された金属材料から成る貫通導体である。   Next, FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views similar to FIG. 1 showing another example of the embodiment of the device device of the present invention. 2 (a) and 2 (b), the same reference numerals are given to the same parts as in FIG. 1, 1 is a device substrate, 2 is a mechanical operation part of the device, and 3 is a sealing made of a resin material. Members 4 are wiring conductors connected to the mechanical operating unit 2, 5 is a space in which the mechanical operating unit 2 is accommodated and sealed, 6 is a through-hole formed in the sealing member 3, and 7 is sealed This is a through conductor made of a metal material that penetrates into the space 5 from the upper surface of the member 3 and is connected to the wiring conductor 4.

さらに、図2(a)および(b)に示す例においては、封止部材3の空間5側の内面に無機絶縁材料から成る被着層8が形成されている。このように被着層8を形成したときには、封止部材3の空間5の内部に封止した機械的動作部2の耐湿性に対してこれを封止している封止部材3の樹脂材料の透湿性が大きい場合であっても、無機絶縁材料から成る被着層8によって空間5内への湿気の侵入を確実に防ぐことができるので、耐湿性に優れた封止を実現することができ、機械的動作部2を長期にわたって安定して所望の特性で動作させることができ、デバイス装置の動作特性および信頼性をさらに向上させることができるものとなる。   Further, in the example shown in FIGS. 2A and 2B, an adhesion layer 8 made of an inorganic insulating material is formed on the inner surface of the sealing member 3 on the space 5 side. When the adherent layer 8 is formed in this way, the resin material of the sealing member 3 that seals it against the moisture resistance of the mechanical operating portion 2 sealed inside the space 5 of the sealing member 3. Even when the moisture permeability is high, moisture can be surely prevented from entering the space 5 by the adherent layer 8 made of an inorganic insulating material, so that it is possible to realize sealing with excellent moisture resistance. Thus, the mechanical operation unit 2 can be stably operated with desired characteristics over a long period of time, and the operation characteristics and reliability of the device apparatus can be further improved.

このように封止部材3の空間5側の内面に被着層8を形成したときは、貫通導体7は、封止部材3の上面から封止部材3と被着層8とを貫通して配線導体4に接続されるように形成されることとなる。   When the adherend layer 8 is thus formed on the inner surface of the sealing member 3 on the space 5 side, the through conductor 7 penetrates the sealing member 3 and the adherent layer 8 from the upper surface of the sealing member 3. It is formed so as to be connected to the wiring conductor 4.

本発明のデバイス装置を構成する基板1は、MEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスであるデバイスを構成する基板であり、例えば、シリコン,リチウムタンタレート(LT),サファイヤ等の単結晶基板、あるいはガラス,セラミックス等から成る無機絶縁性基板、あるいは樹脂等から成る有機絶縁性基板等を用いることができる。また、デバイス装置の仕様に応じて、絶縁性材料から成る基板の他にも導電性材料から成る基板等、種々の基板材料から成るものが選択可能である。   The substrate 1 constituting the device apparatus of the present invention is a substrate constituting a device which is a MEMS device, a piezoelectric device or a surface acoustic wave device, for example, a single crystal substrate such as silicon, lithium tantalate (LT), sapphire, Alternatively, an inorganic insulating substrate made of glass, ceramics, or the like, or an organic insulating substrate made of resin or the like can be used. In addition to the substrate made of an insulating material, those made of various substrate materials such as a substrate made of a conductive material can be selected in accordance with the specifications of the device apparatus.

基板1上に配置される機械的動作部2は、マイクロメカニカルリレー,加速度センサ,圧力センサ,アクチュエータ等のMEMSデバイスの駆動部、または薄膜バルク振動子,水晶振動子等の圧電デバイスの発振部、または弾性表面波フィルタ素子等の弾性表面波デバイスの共振部である。   The mechanical operation unit 2 disposed on the substrate 1 includes a drive unit of a MEMS device such as a micromechanical relay, an acceleration sensor, a pressure sensor, and an actuator, or an oscillation unit of a piezoelectric device such as a thin film bulk resonator and a crystal resonator. Or it is a resonance part of surface acoustic wave devices, such as a surface acoustic wave filter element.

また、基板1上には、これら機械的動作部2を動作させるための信号用配線や電源用配線,接地用配線等としての配線導体4が形成されて、機械的動作部2の対応する端子と接続されている。本発明のデバイス装置においては、この配線導体4は機械的動作部2とともに封止部材3の空間5内に封止されるように形成されている。すなわち、その配線導体4の全部が空間5内に位置するように形成されているか、あるいはその一部例えば端部が基板1と封止部材3との接合部に進入するように形成されていてもよいが、基板1と封止部材3との接合部を越えて封止部材3の外部へ引き出されてはいない。このように配線導体4が封止部材3の空間5内に封止されるように形成されていることにより、基板1と封止部材3との接合部には異質の材料からなる段差等がない状態で両者が良好に密着し接合することができるため、封止部材3の空間5内に収容された機械的動作部2を長期にわたって良好に安定して気密に封止することができ、気密封止の信頼性に優れたデバイス装置となる。   On the substrate 1, wiring conductors 4 are formed as signal wirings, power supply wirings, grounding wirings, etc. for operating these mechanical operating units 2, and corresponding terminals of the mechanical operating units 2. Connected with. In the device apparatus of the present invention, the wiring conductor 4 is formed so as to be sealed in the space 5 of the sealing member 3 together with the mechanical operation unit 2. That is, all of the wiring conductors 4 are formed so as to be located in the space 5, or a part thereof, for example, an end portion is formed so as to enter the joint portion between the substrate 1 and the sealing member 3. However, it is not drawn out of the sealing member 3 beyond the joint between the substrate 1 and the sealing member 3. Since the wiring conductor 4 is formed so as to be sealed in the space 5 of the sealing member 3 as described above, a step made of a different material or the like is formed at the joint between the substrate 1 and the sealing member 3. Since both can be closely adhered and joined in a state without being present, the mechanical operation unit 2 accommodated in the space 5 of the sealing member 3 can be stably stably and airtightly sealed over a long period of time. It becomes a device device excellent in the reliability of hermetic sealing.

このような配線導体4は、機械的動作部2の種類に応じて従来より使用されているものを用いればよい。例えば、Cr/Au,Ti/Pt/Au,Al,Cu等の導体層を形成
し、これをドライエッチングやリフトオフの手法により配線パターンに加工することによって形成される。
Such a wiring conductor 4 may be one that has been conventionally used in accordance with the type of the mechanical operation unit 2. For example, it is formed by forming a conductor layer such as Cr / Au, Ti / Pt / Au, Al, or Cu, and processing it into a wiring pattern by dry etching or lift-off techniques.

基板1上に基板1との間に空間5を設けて形成され、機械的動作部2を空間5内に封止している樹脂材料から成る封止部材3は、機械的動作部2およびデバイス装置の特性・用途・仕様等に応じて、樹脂材料として熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂あるいはUV硬化性樹脂のいずれも用いることができる。封止部材3に樹脂材料を用いて空間5を形成していることにより、同様の空間5を薄膜材料で形成する場合と比較して、より高い機械的強度を確保でき、外部からの衝撃吸収性に優れ、さらに、後述するように、ガラス基板等のバルク材料の実装などを必要とせずに所望の形状や大きさの空間5を容易に形成することが可能である。   A sealing member 3 made of a resin material, which is formed on the substrate 1 with a space 5 between the substrate 1 and seals the mechanical operating portion 2 in the space 5, includes the mechanical operating portion 2 and the device. Depending on the characteristics, application, specifications, etc. of the apparatus, any of a thermosetting resin and a thermoplastic resin or a UV curable resin can be used as the resin material. By forming the space 5 using a resin material for the sealing member 3, higher mechanical strength can be ensured compared to the case where the similar space 5 is formed of a thin film material, and shock absorption from the outside is achieved. Further, as will be described later, it is possible to easily form the space 5 having a desired shape and size without requiring the mounting of a bulk material such as a glass substrate.

このような封止部材3に用いられる樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,フェノール樹脂,シロキサン樹脂,アクリル樹脂,ポリメチルメタクリート(PMMA)樹脂,ポリカーボネート(PC)樹脂,ベンゾシクロブテン(BCB)樹脂等が挙げられる。これらの樹脂材料を用いることにより、基板1に対して100℃から300℃程度の低い温度にて封止部材3を接合させて空間5内に機械的動作部2を封止することが可能であり、封止する機械的動作部2へのダメージを低減させて所望の動作を安定して行なわせることができる。   Examples of the resin material used for such a sealing member 3 include polyimide resin, epoxy resin, phenol resin, siloxane resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, polycarbonate (PC) resin, and benzocyclobutene. (BCB) resin etc. are mentioned. By using these resin materials, it is possible to join the sealing member 3 to the substrate 1 at a low temperature of about 100 ° C. to 300 ° C. to seal the mechanical operation unit 2 in the space 5. In addition, it is possible to reduce the damage to the mechanical operation unit 2 to be sealed and perform a desired operation stably.

図1(a)および図2(a)に示す例においては、配線導体4は空間5の端に引き出された部位において柱状の貫通導体7と接続されており、この柱状の貫通導体7によって配線導体4による配線は基板1の上面から封止部材3の上面へと上方に引き上げられている。ここで、貫通導体7は、外部の電気回路と基板1の上面の配線導体4との間の電気的な入出力部として機能するほか、封止部材3の上面から空間5内にかけて封止部材3を貫通して形成された貫通孔6を封止する封止部材としての役割を持つ。   In the example shown in FIG. 1A and FIG. 2A, the wiring conductor 4 is connected to the columnar through conductor 7 at a portion drawn out to the end of the space 5, and the wiring is provided by the columnar through conductor 7. The wiring by the conductor 4 is pulled upward from the upper surface of the substrate 1 to the upper surface of the sealing member 3. Here, the through conductor 7 functions as an electrical input / output unit between an external electric circuit and the wiring conductor 4 on the upper surface of the substrate 1, and also the sealing member extends from the upper surface of the sealing member 3 into the space 5. 3 has a role as a sealing member for sealing the through hole 6 formed through 3.

また、図1(b)および図2(b)に示す例においては、貫通導体7を導体層で形成しており、この導体層を封止部材3の上面に延長させることで、その部位をワイヤボンディング接続のためのワイヤボンディングパッドあるいはフリップチップ接続のための端子パッドとして利用し、封止部材3の上面から空間5内にかけて封止部材3を貫通して形成された貫通孔6を導体層で封止しており、このように貫通導体7を形成してもよい。   Further, in the example shown in FIGS. 1B and 2B, the through conductor 7 is formed of a conductor layer, and the conductor layer is extended to the upper surface of the sealing member 3 so that the portion is A conductive layer is used as a wire bonding pad for wire bonding connection or a terminal pad for flip chip connection, and a through-hole 6 formed through the sealing member 3 from the upper surface of the sealing member 3 to the space 5 The through conductor 7 may be formed in this way.

このような貫通導体7を形成するための金属材料としては、例えば金錫(AuSn),錫−銀−銅(Sn−Ag−Cu)等のはんだ材料や、銅(Cu)ペーストあるいは銀(Ag)ペースト等を使用すればよい。これら金属材料を用いれば、300℃以下と比較的低い
温度で貫通導体7を形成して、配線導体4と接続するとともに貫通孔6を封止することができる。
Examples of the metal material for forming the through conductor 7 include a solder material such as gold tin (AuSn) and tin-silver-copper (Sn-Ag-Cu), a copper (Cu) paste, or silver (Ag). ) Paste or the like may be used. If these metal materials are used, the through conductor 7 can be formed at a relatively low temperature of 300 ° C. or lower, and can be connected to the wiring conductor 4 and the through hole 6 can be sealed.

このような金属材料から成る貫通導体7は、はんだ材料や金属ペースト等を印刷法等によって貫通孔6に充填することによって図1(a)または図2(a)に示すように、あるいはメッキ法によって図1(b)または図2(b)に示すように形成することができる。貫通孔6を充填して貫通導体7を形成する場合は、印刷法等の比較的簡易な方法によって貫通導体7を形成することができる。また、メッキ法によって貫通導体7を形成する場合は、樹脂材料から成る封止部材3と金属材料から成る貫通導体7との間に封止部材3の樹脂材料と貫通導体7の金属材料との密着性を向上させるための接着層を形成することが可能なため、樹脂材料から成る封止部材3と金属材料から成る貫通導体7との間に隙間があくことがなくなるので、より封止性に優れた貫通導体7を形成することができる。さらに、メッキ法によって貫通導体7を形成する場合は、印刷法のように圧力を印加しながら金属材料を埋め込む必要がないので、貫通導体7を形成するための金属材料が空間5内へ流
れ込むことが効果的に防止できる。なお、メッキ法の場合は密着層にスパッタリングや蒸着等の薄膜形成技術を使用するため、貫通孔6のような凹形状の部分の内部への薄膜のカバレッジを考慮すると、空間5の高さが約300μm以下のときに有効である。
The through conductor 7 made of such a metal material is filled with a solder material, a metal paste or the like in the through hole 6 by a printing method or the like as shown in FIG. 1A or FIG. 1 (b) or 2 (b). When the through conductor 7 is formed by filling the through hole 6, the through conductor 7 can be formed by a relatively simple method such as a printing method. When the through conductor 7 is formed by plating, the resin material of the sealing member 3 and the metal material of the through conductor 7 are interposed between the sealing member 3 made of a resin material and the through conductor 7 made of a metal material. Since an adhesive layer for improving the adhesion can be formed, there is no gap between the sealing member 3 made of a resin material and the through conductor 7 made of a metal material. Can be formed. Further, when the through conductor 7 is formed by a plating method, it is not necessary to embed a metal material while applying pressure as in the printing method, so that the metal material for forming the through conductor 7 flows into the space 5. Can be effectively prevented. In the case of the plating method, since a thin film forming technique such as sputtering or vapor deposition is used for the adhesion layer, the height of the space 5 is determined in consideration of the coverage of the thin film inside the concave portion such as the through hole 6. Effective when the thickness is about 300 μm or less.

図2(a)および(b)に示す例において、封止部材3の空間5側の内面に形成される無機絶縁材料から成る被着層8は、樹脂材料から成る封止部材3の空間5側の内面を覆うようにして、その全面に形成することが好ましいが、封止部材3の形状や樹脂材料の種類等によって透湿性が大きい部分があるときに、その部分に対応させて形成するようにしてもよい。この被着層8を形成する無機絶縁材料としては、SiO,SiN,ガラス材料等が、耐湿性が高いことから好適である。また、その厚みは、連続膜として機能する5μm程度の厚さから形成が可能な数百μm程度が好ましい。この被着層8を封止部材3の内面に形成するには、例えば後述するような本発明のデバイス装置の製造方法によればよい。 In the example shown in FIGS. 2A and 2B, the adherent layer 8 made of an inorganic insulating material formed on the inner surface of the sealing member 3 on the space 5 side is the space 5 of the sealing member 3 made of a resin material. It is preferable to form it on the entire surface so as to cover the inner surface of the side, but when there is a portion with high moisture permeability depending on the shape of the sealing member 3, the type of the resin material, etc., it is formed corresponding to that portion. You may do it. As the inorganic insulating material for forming the deposition layer 8, SiO 2 , SiN, glass material, and the like are preferable because of high moisture resistance. Further, the thickness is preferably about several hundred μm which can be formed from a thickness of about 5 μm which functions as a continuous film. In order to form this adherent layer 8 on the inner surface of the sealing member 3, for example, a method for manufacturing a device of the present invention as described later may be used.

次に、図3を参照しつつ、本発明のデバイス装置の製造方法における各工程を説明する。図3(a)〜(e)は、それぞれ本発明のデバイス装置の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図であり、図1(a)に示す例の本発明のデバイス装置を製造する場合について、その各工程を順に示したものである。なお、図3においても図1と同様の箇所には同じ符号を付してあり、1はデバイスの基板、2はデバイスの機械的動作部、3は封止部材、4は配線導体、5は空間、6は貫通孔、7は貫通導体である。また、9は犠牲材料である。   Next, referring to FIG. 3, each step in the method for manufacturing a device of the present invention will be described. 3A to 3E are cross-sectional views for each process showing an example of the embodiment of the device device manufacturing method of the present invention, and the device device of the example of the present invention shown in FIG. Each process is shown in order in the case of manufacturing. 3, the same reference numerals are given to the same parts as in FIG. 1, 1 is a device substrate, 2 is a mechanical operation unit of the device, 3 is a sealing member, 4 is a wiring conductor, 5 is A space, 6 is a through hole, and 7 is a through conductor. 9 is a sacrificial material.

まず、最初の工程にて、図3(a)に示すように、上面に機械的動作部2が配置されて基板1上の配線導体4と接続された基板1を準備し、その基板1上の空間5を形成する場所に、後の工程にて除去されることとなる犠牲材料9を、機械的動作部2と配線導体4とを覆うようにして空間5の形状に形成する。   First, in the first step, as shown in FIG. 3A, a substrate 1 having a mechanical operation unit 2 disposed on the upper surface and connected to a wiring conductor 4 on the substrate 1 is prepared. A sacrificial material 9 to be removed in a later step is formed in the shape of the space 5 so as to cover the mechanical operation unit 2 and the wiring conductor 4 at a place where the space 5 is formed.

この犠牲材料9の材料としては、例えばシリコン(Si),燐酸シリケートガラス,酸化シリコン(SiO),フォトレジスト等を用いることができるが、材料の選定に当たっては、この犠牲材料9を形成することによる機械的動作部2への影響や、後の工程で機械的動作部2を覆う封止部材3の樹脂材料と除去のためのエッチング等における選択比が十分にとれることや、犠牲材料9を後の工程で除去する際に機械的動作部2を劣化させることのないことなどを考慮する。 As the material of the sacrificial material 9, for example, silicon (Si), phosphate silicate glass, silicon oxide (SiO 2 ), photoresist or the like can be used. In selecting the material, the sacrificial material 9 is formed. The selection of the sacrificial material 9 with a sufficient selection ratio between the influence on the mechanical operation part 2 by the etching, the resin material of the sealing member 3 that covers the mechanical operation part 2 in the later process, and etching for removal, etc. Considering that the mechanical operation unit 2 is not deteriorated when removed in a later process.

例えば、封止部材3にSiOを使用する場合は、犠牲材料9には、フォトレジスト,Si,SiN等、封止部材3とは異なる材料を使用することが好ましい。 For example, when SiO 2 is used for the sealing member 3, it is preferable to use a material different from that for the sealing member 3, such as a photoresist, Si, or SiN, for the sacrificial material 9.

なお、犠牲材料9は、空間5を形成する箇所のみに空間5の形状・大きさとなるように形成することが必要であることから、所望の精度で形成するには、上記の材料を用いてフォトリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングするとよい。   Note that the sacrificial material 9 needs to be formed only in a portion where the space 5 is formed so as to have the shape and size of the space 5. Patterning may be performed by photolithography and etching.

次の工程にて、図3(b)に示すように、基板1上から犠牲材料9を覆って樹脂材料から成る封止部材3を形成する。この封止部材3として用いられる樹脂材料としては、前述のように、ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,フェノール樹脂,シロキサン樹脂,アクリル樹脂,ポリメチルメタクリート(PMMA)樹脂,ポリカーボネート(PC)樹脂,ベンゾシクロブテン(BCB)樹脂等が挙げられる。この封止部材3には、基板1との間に空間5を形成するほか、空間5や機械的動作部2を衝撃等から十分な強度で保護する機能を持たせることが必要であることから、例えばエポキシ樹脂を使用するのが好適である。また、この封止部材3の形成には、例えばスピンコーティング等の手法が好適である。   In the next step, as shown in FIG. 3B, a sealing member 3 made of a resin material is formed so as to cover the sacrificial material 9 from above the substrate 1. As described above, the resin material used as the sealing member 3 includes polyimide resin, epoxy resin, phenol resin, siloxane resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, polycarbonate (PC) resin, and benzocyclo. Examples include butene (BCB) resin. This sealing member 3 needs to have a function of protecting the space 5 and the mechanical operation part 2 with sufficient strength from impacts and the like in addition to forming the space 5 with the substrate 1. For example, it is preferable to use an epoxy resin. Further, for example, a method such as spin coating is suitable for forming the sealing member 3.

なお、図2(a)に示すように被着層8を形成した本発明のデバイス装置を作製する場合には、この封止部材3を形成する工程の前に、基板1上から犠牲材料9を覆って無機絶縁材料から成る被着層8を形成する工程を行なう。この被着層8を形成するには、無機絶縁材料に前述のような材料を用いて、例えばCVD,スパッタリング,蒸着等の薄膜形成方法やスピンコーティングにより形成する。   2A, when the device device of the present invention in which the deposition layer 8 is formed is manufactured, the sacrificial material 9 is formed on the substrate 1 before the step of forming the sealing member 3. A step of forming a deposition layer 8 made of an inorganic insulating material is performed. In order to form this adherent layer 8, it is formed by a thin film forming method such as CVD, sputtering, vapor deposition or spin coating using the above-described inorganic insulating material.

次の工程にて、図3(c)に示すように、後の工程で犠牲層8を除去するために利用し、また貫通導体7を形成するために使用する貫通孔6を、封止部材3にその上面から犠牲材料9の一部を通って配線導体4まで貫通させて形成する。このとき、犠牲材料9と封止部材3との間に被着層8が形成されている場合には、貫通孔6は封止部材3の上面から被着層8の一部および犠牲材料9の一部を通って配線導体4まで貫通させて形成される。この貫通孔6の形成方法には、レーザ加工や感光性材料を使用したフォトリソグラフィーによる加工を用いればよいが、生産性を考慮すると、感光性材料を使用したフォトリソグラフィーによる加工が好ましい。   In the next step, as shown in FIG. 3C, the through hole 6 used for removing the sacrificial layer 8 in the subsequent step and used for forming the through conductor 7 is used as a sealing member. 3 is formed so as to penetrate from the upper surface thereof to the wiring conductor 4 through a part of the sacrificial material 9. At this time, when the deposition layer 8 is formed between the sacrificial material 9 and the sealing member 3, the through-hole 6 extends from the upper surface of the sealing member 3 to a part of the deposition layer 8 and the sacrificial material 9. The wiring conductor 4 is formed so as to pass through a part of the wiring conductor 4. The through hole 6 may be formed by laser processing or photolithography processing using a photosensitive material, but in consideration of productivity, photolithography processing using a photosensitive material is preferable.

次の工程にて、図3(d)に示すように、貫通孔6を通して犠牲材料9を除去し、封止部材3の内側に基板1との間に犠牲材料9が除去されることによって形成された空間5を形成する。これにより、基板1上に配置された機械的動作部2が封止部材3の空間5内に収容されることとなる。このとき、犠牲材料9と封止部材3との間に被着層8が形成されている場合には、封止部材3の空間5側の内面に被着層8が形成されたものとして空間5が形成される。   In the next step, as shown in FIG. 3 (d), the sacrificial material 9 is removed through the through hole 6, and the sacrificial material 9 is removed between the sealing member 3 and the substrate 1. Formed space 5 is formed. Thereby, the mechanical operation unit 2 arranged on the substrate 1 is accommodated in the space 5 of the sealing member 3. At this time, when the deposition layer 8 is formed between the sacrificial material 9 and the sealing member 3, it is assumed that the deposition layer 8 is formed on the inner surface of the sealing member 3 on the space 5 side. 5 is formed.

貫通孔6を通して犠牲材料9を除去する方法は、犠牲材料9の材料により前述のように機械的動作部2への影響等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、非晶質シリコン(a−Si)を犠牲材料9に使用した場合であれば、フッ化キセノンによるガスエッチングによりa−Siの除去が可能であり、酸化シリコン(SiO)を犠牲材料9に使用した場合であれば、弗化水素(HF)水溶液によるウェットエッチングやHF蒸気によるガスエッチングによりSiOの除去が可能である。 The method for removing the sacrificial material 9 through the through-hole 6 may be selected as appropriate depending on the material of the sacrificial material 9 in consideration of the influence on the mechanical operation unit 2 as described above. For example, if amorphous silicon (a-Si) is used as the sacrificial material 9, a-Si can be removed by gas etching with xenon fluoride, and silicon oxide (SiO 2 ) is used as the sacrificial material 9. If it is used for the above, SiO 2 can be removed by wet etching with an aqueous hydrogen fluoride (HF) solution or gas etching with HF vapor.

次の工程にて、図3(e)に示すように、貫通孔6を、AuSn,Sn−Ag−Cu等のはんだ材料やCuペーストあるいはAgペーストの金属ペースト材料等を用いて、印刷技術またはメッキ法等により、封止部材3の上面から配線導体4に至る金属材料から成る貫通導体7を貫通孔6を充填するように形成して塞ぐ。これによって、封止部材3に形成した貫通孔6が貫通導体7で封止されて機械的動作部2および配線導体4が封止部材3の内側の空間5内に封止されるとともに、配線導体4が貫通導体7と電気的に接続されて封止部材3の上面まで引き出されることとなる。このようにして、図1(a)に示した例の本発明のデバイス装置が得られる。また、封止部材3の空間5側の内面に被着層8が形成されている場合には、図2(a)に示した本発明のデバイス装置が得られる。   In the next step, as shown in FIG. 3 (e), the through hole 6 is printed using a soldering material such as AuSn, Sn-Ag-Cu, a Cu paste, a metal paste material of Ag paste, or the like. A through conductor 7 made of a metal material extending from the upper surface of the sealing member 3 to the wiring conductor 4 is formed and filled so as to fill the through hole 6 by plating or the like. As a result, the through hole 6 formed in the sealing member 3 is sealed with the through conductor 7 so that the mechanical operation unit 2 and the wiring conductor 4 are sealed in the space 5 inside the sealing member 3. The conductor 4 is electrically connected to the through conductor 7 and drawn to the upper surface of the sealing member 3. In this way, the device device of the present invention of the example shown in FIG. 1A is obtained. In addition, when the adherend layer 8 is formed on the inner surface of the sealing member 3 on the space 5 side, the device apparatus of the present invention shown in FIG. 2A is obtained.

なお、この貫通導体7を形成する工程において、貫通導体7として貫通孔6を充填するようにして形成する代わりに貫通孔6の内面に金属材料から成る導体層を被着したものとして形成すれば、図1(b)に示した、あるいは図2(b)に示した例の本発明のデバイス装置が得られる。   In the step of forming the through conductor 7, instead of forming the through conductor 6 so as to fill the through hole 6, a conductor layer made of a metal material is attached to the inner surface of the through hole 6. The device apparatus of the present invention shown in FIG. 1B or the example shown in FIG. 2B is obtained.

上述のデバイス装置の製造方法によれば、基板上に機械的駆動部が配置されてなるMEMSデバイスまたは圧電デバイスまたは弾性表面波デバイスの機械的駆動部と基板上に形成され機械的駆動部に接続された配線導体とを犠牲材料で覆う工程と、基板上から犠牲材料を覆って樹脂材料から成る封止部材を形成する工程と、封止部材に上面から犠牲材料の一部を通って配線導体まで貫通する貫通孔を形成する工程と、貫通孔を通して犠牲材料を除去して、機械的駆動部と封止部材との間に空間を形成する工程と、しかる後、貫通孔を
封止部材の上面から配線導体に至る金属材料から成る貫通導体を形成して塞ぐ工程とを具備することから、封止部材の内側に空間を形成するのに従来のように基板上に配置されたデバイス上または機械的駆動部上にガラス基板等のバルク材料を実装する必要がなく、またその空間は犠牲材料によって所望の形状・大きさのものを容易に形成することができ、気密信頼性に優れデバイスの機械的駆動部の動作の安定性にも優れた本発明のデバイス装置を得ることができる。
According to the device device manufacturing method described above, a mechanical drive unit of a MEMS device, a piezoelectric device, or a surface acoustic wave device in which a mechanical drive unit is arranged on a substrate, and the mechanical drive unit formed on the substrate are connected. A step of covering the formed wiring conductor with a sacrificial material, a step of covering the sacrificial material from the substrate and forming a sealing member made of a resin material, and passing through a part of the sacrificial material from the upper surface of the sealing member to the wiring conductor A step of forming a through-hole penetrating to the through-hole, a step of removing a sacrificial material through the through-hole to form a space between the mechanical drive unit and the sealing member, and then the through-hole of the sealing member Forming a through conductor made of a metal material from the upper surface to the wiring conductor and closing it, so that a space on the inside of the sealing member is conventionally formed on the device disposed on the substrate or Mechanical drive It is not necessary to mount a bulk material such as a glass substrate on the surface, and the space can be easily formed in a desired shape and size with a sacrificial material, which has excellent hermetic reliability and the mechanical drive part of the device. It is possible to obtain the device of the present invention that is excellent in operational stability.

また、上述のデバイス装置の製造方法において、空間の内面に無機絶縁材料から成る被着層を形成することにより、樹脂材料が透湿性の大きいものであっても空間内への湿気の侵入を確実に防止することができる。これにより耐湿性の低い機械的駆動部であっても長期にわたって安定して動作させることができ、気密信頼性にさらに優れデバイスの機械的駆動部の動作の安定性にも優れた本発明のデバイス装置を得ることができる。   Further, in the above device device manufacturing method, by forming an adhesion layer made of an inorganic insulating material on the inner surface of the space, even if the resin material has a high moisture permeability, moisture can surely enter the space. Can be prevented. As a result, even a mechanical drive unit with low moisture resistance can be operated stably over a long period of time, and the device of the present invention is superior in hermetic reliability and excellent in the operation stability of the mechanical drive unit of the device. A device can be obtained.

以下のようにして、図1(a)に示す例の本発明のデバイス装置を作製した。   The device device of the present invention of the example shown in FIG. 1A was produced as follows.

まず、上面に機械的動作部2としてMEMSスイッチが多数形成されているとともに、各機械的動作部2から配線導体4がその周囲の領域に引き出されている単結晶シリコンから成る基板1を用意した。   First, a substrate 1 made of single crystal silicon, in which a large number of MEMS switches are formed on the upper surface as the mechanical operation units 2 and the wiring conductors 4 are drawn from the mechanical operation units 2 to the surrounding area, was prepared. .

次に、その機械的動作部2および配線導体4を基板1上から覆うようにしてa−Si膜をCVD法にて5μmの厚みで形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法によりパターニングして、図3(a)に示すように犠牲材料9を作製した。   Next, an a-Si film having a thickness of 5 μm is formed by the CVD method so as to cover the mechanical operation unit 2 and the wiring conductor 4 from above the substrate 1, and then patterned by a photolithography method and an etching method, A sacrificial material 9 was produced as shown in FIG.

次に、熱硬化性樹脂で感光性材料であるエポキシ樹脂(ここでは商品名SU−8のエポキシ樹脂を用いた。)を基板1上から犠牲材料9を覆うようにスピンコーティング法にて塗布した。なお、スピンコーティングの回転数やエポキシ樹脂の粘度を調整し、エポキシ樹脂の厚さを100μmとした。これにより、図3(b)に示すように封止部材3を形成し
た。
Next, an epoxy resin (here, an epoxy resin having a trade name of SU-8 was used) which is a thermosetting resin and a photosensitive material was applied by spin coating so as to cover the sacrificial material 9 from the substrate 1. . The thickness of the epoxy resin was set to 100 μm by adjusting the rotation speed of the spin coating and the viscosity of the epoxy resin. This formed the sealing member 3 as shown in FIG.3 (b).

次に、図3(c)に示すように、このエポキシ樹脂から成る封止部材3の上面から犠牲材料9の一部を通って配線導体4に至るようにフォトリソグラフィー法により直径が100
μmの貫通孔6を1チップあたり3個形成した。
Next, as shown in FIG. 3C, the diameter is 100 by photolithography so as to reach the wiring conductor 4 through a part of the sacrificial material 9 from the upper surface of the sealing member 3 made of this epoxy resin.
Three through-holes 6 of μm were formed per chip.

次に、フッ化キセノンガス雰囲気にこの基板1を10分間保持し、貫通孔6を通して犠牲材料9を除去し、図3(d)に示すように、封止部材3の内側に基板1との間に空間5を形成した。   Next, the substrate 1 is held in a xenon fluoride gas atmosphere for 10 minutes, the sacrificial material 9 is removed through the through-hole 6, and the substrate 1 is placed inside the sealing member 3 as shown in FIG. A space 5 was formed between them.

次に、真空中にて貫通孔6にCuペーストを埋め込み印刷により充填してメタルポストを形成し、金属材料から成る貫通導体7を形成した。その後、封止部材3の上面を研磨することにより平滑化し、最終的にダイシング装置により個片化して、図1(a)に示すような、約1mm角の大きさの本発明のデバイス装置を得た。   Next, a Cu paste was embedded in the through hole 6 in vacuum and filled by printing to form a metal post, thereby forming a through conductor 7 made of a metal material. Thereafter, the upper surface of the sealing member 3 is smoothed by polishing and finally separated into pieces by a dicing apparatus, and the device apparatus of the present invention having a size of about 1 mm square as shown in FIG. Obtained.

以上のようにして得た本発明のデバイス装置は、内部に機械的動作部2として多数のMEMSスイッチが良好に封止され、その空間5内を1×10−1Torr以下の真空度に保つことができた。また、湿度の侵入によりMEMSスイッチの駆動部が基板1に貼りつくような不具合が発生することがなく、1011回の繰り返しスイッチング動作を実現することができた。 In the device device of the present invention obtained as described above, a number of MEMS switches are well sealed as the mechanical operation unit 2, and the space 5 is maintained at a vacuum level of 1 × 10 −1 Torr or less. I was able to. Further, there was no problem that the drive part of the MEMS switch was stuck to the substrate 1 due to the intrusion of humidity, and a switching operation of 10 11 times could be realized.

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。
In addition, this invention is not limited to the example of the above embodiment, A various change may be added in the range which does not deviate from the summary of this invention.

1・・・基板
2・・・機械的動作部(MEMSデバイスの駆動部、または圧電デバイスの発振部、または弾性表面波デバイスの共振部)
3・・・封止部材
4・・・配線導体
5・・・空間
6・・・貫通孔
7・・・貫通導体
8・・・被着層
9・・・犠牲材料
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate 2 ... Mechanical operation | movement part (The drive part of a MEMS device, the oscillation part of a piezoelectric device, or the resonance part of a surface acoustic wave device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Sealing member 4 ... Wiring conductor 5 ... Space 6 ... Through-hole 7 ... Through-conductor 8 ... Adhering layer 9 ... Sacrificial material

Claims (3)

基板と、
前記基板上に配置された弾性表面波デバイスの共振部と、
前記基板上に配置され前記共振部に接続された配線導体と、
前記基板との間に前記共振部を収容する空間を設けて形成された、樹脂材料からなる封止部材と、
前記封止部材の上面から前記空間内に貫通する貫通孔を埋める金属材料から成り、前記配線導体に接続されるとともにメッキ法によって形成された貫通導体と、を備え、
前記封止部材の上面は研磨されることによって平滑化されており、
前記貫通導体は、前記基板の上面のうち前記封止部材と前記空間との境界部に位置しており、前記貫通導体の側面の一部が前記空間に露出しているとともに、前記貫通導体の前記空間より外側に位置している部分の側面が厚み方向全体に亘って前記封止部材に接していることを特徴とする弾性表面波素子。
A substrate,
A resonant portion of a surface acoustic wave device disposed on the substrate;
A wiring conductor disposed on the substrate and connected to the resonance unit;
A sealing member made of a resin material, which is formed by providing a space for accommodating the resonance part between the substrate and the substrate;
Wherein the top surface of the sealing member made of a metal material to fill the through hole penetrating in the space, and a through conductor that is formed by the connected Rutotomoni plating on the wiring conductors,
The upper surface of the sealing member is smoothed by polishing,
The through conductor is located at a boundary between the sealing member and the space in the upper surface of the substrate, and a part of the side surface of the through conductor is exposed in the space, and the through conductor A surface acoustic wave element, wherein a side surface of a portion located outside the space is in contact with the sealing member over the entire thickness direction.
前記封止部材の前記空間側の内面に、無機絶縁材料から成る被着層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波素子。   2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein an adhesion layer made of an inorganic insulating material is formed on an inner surface of the sealing member on the space side. 前記貫通導体と前記封止部材との間には、前記貫通導体の金属材料と前記封止部材の樹脂材料との密着性を向上させるための接着層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の弾性表面波素子。   An adhesive layer for improving adhesion between the metal material of the through conductor and the resin material of the sealing member is formed between the through conductor and the sealing member. Item 3. The surface acoustic wave device according to Item 1 or 2.
JP2010036067A 2010-02-22 2010-02-22 Surface acoustic wave device Expired - Fee Related JP5213887B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010036067A JP5213887B2 (en) 2010-02-22 2010-02-22 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010036067A JP5213887B2 (en) 2010-02-22 2010-02-22 Surface acoustic wave device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004156638A Division JP4535778B2 (en) 2004-05-26 2004-05-26 Device device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010119141A JP2010119141A (en) 2010-05-27
JP5213887B2 true JP5213887B2 (en) 2013-06-19

Family

ID=42306432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010036067A Expired - Fee Related JP5213887B2 (en) 2010-02-22 2010-02-22 Surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5213887B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014036081A (en) * 2012-08-08 2014-02-24 Seiko Epson Corp Method for manufacturing electronic device, electronic device, electronic equipment, and movable body

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07112142B2 (en) * 1986-10-21 1995-11-29 東洋通信機株式会社 Piezoelectric resonator sealing structure
JPH09107257A (en) * 1995-10-12 1997-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of quartz oscillator
JP3045089B2 (en) * 1996-12-19 2000-05-22 株式会社村田製作所 Device package structure and method of manufacturing the same
JP2000269775A (en) * 1999-03-16 2000-09-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Thin crystal vibrator
JP4404450B2 (en) * 2000-06-30 2010-01-27 京セラ株式会社 Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP2004129223A (en) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd Piezoelectric component and manufacturing method thereof
KR100725010B1 (en) * 2003-05-26 2007-06-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Piezoelectric electronic component, and production method therefor, communication equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010119141A (en) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7868448B2 (en) Electrical component and production thereof
JP5054703B2 (en) MEMS microphone, method for manufacturing MEMS microphone, and method for incorporating MEMS microphone
JP4212137B2 (en) Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top including a protective acoustic mirror
US7913367B2 (en) Method of manufacturing a piezoelectric component
KR100730854B1 (en) Manufacturing method of electronic component, electronic component, and electronic equipment
US20100053922A1 (en) Micropackaging method and devices
EP1743868A2 (en) Sealed semiconductor device with an inorganic bonding layer and method for manufacturing the semiconductor device
JP2007318058A (en) Electronic component and manufacturing method thereof
JP5206377B2 (en) Electronic component module
CN106487350B (en) Acoustic wave device and method for manufacturing the same
JP2009159195A (en) Piezoelectric component, and manufacturing method thereof
KR20170111913A (en) Acoustic wave device and manufacturing method thereof
KR102254806B1 (en) Electronic device and method of manufacturing electronic device
JP2004017171A (en) Electronic component and method of manufacturing the same
JP2006202918A (en) Function element package body and manufacturing method thereof
JP2008135971A (en) Elastic wave device
JP4535778B2 (en) Device device manufacturing method
JP4385145B2 (en) Device equipment
JP2008182014A (en) Packaging board and its manufacturing method
JP5213887B2 (en) Surface acoustic wave device
JP4825111B2 (en) Method for manufacturing piezoelectric thin film device
KR20170024520A (en) Acoustic wave device and manufacturing method thereof
JP2007165949A (en) Surface acoustic wave device, manufacturing method of surface acoustic wave device, and communication terminal mounted with surface acoustic wave device
JP2009213174A (en) Surface acoustic wave device and mounting structure body
US6639150B1 (en) Hermetic package for surface acoustic wave device having exposed device substrate contacts and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5213887

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees