JP5212138B2 - パターン検査方法およびパターン検査装置 - Google Patents
パターン検査方法およびパターン検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5212138B2 JP5212138B2 JP2009013969A JP2009013969A JP5212138B2 JP 5212138 B2 JP5212138 B2 JP 5212138B2 JP 2009013969 A JP2009013969 A JP 2009013969A JP 2009013969 A JP2009013969 A JP 2009013969A JP 5212138 B2 JP5212138 B2 JP 5212138B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- correlation value
- defect
- patterns
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
従来、フォトマスク品質における重要項目として、欠陥・寸法精度・アライメントの3項目が特に重視されており、半導体の微細化が進む現在ではそれぞれの項目を計測するための高精度なフォトマスク専用検査装置が開発され使用されている。
しかしフォトマスクパターンの微細化による高精度化への要求は、前記3項目以外のあらゆる品質項目(パターン形状、パターンデータ保証、耐久性、クリーン度等)が重要視されるようになってきた。特にパターン形状の精度については、直接、LSI回路の精度および性能に関わる。
この違いはマスク上で数十〜数百ナノメートル程度の大きさであることがほとんどであるが、近年の超LSIの微細化の進展によって、これが半導体回路の特性に影響を与えることが懸念され始めている。すなわち、微細なパターンであるほど、パターン自体に対して前記のパターン形状の違いが相対的に大きくなり、特性値に影響するようになってきたということである。
なお、ここで、欠陥パターンの抽出数は任意に設定してよく、1以上の自然数であり、画像パターンの総数より小さい範囲であればよい。
また、本発明では、相関値を算出する手法について、比較するパターン形状同士が近似しているほど大きな数値として評価される一般的な手法を用いたものとするものであり、比較するパターン形状同士が近似しているほど小さな数値として評価される手法を用いた場合は、合計相関値が大きい順に画像パターンを選択するものとする。
これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。
本発明におけるパターン検査方法の手順を図1に示す。まず最初に、パターン検査をするSEM画像入力処理(S1)を実施する。
次に、このSEM画像からパターンの輪郭線を抽出するための輪郭抽出処理(S2)を行う。抽出された輪郭線の情報からパターン数の取得(S3)により、SEM画像中にいくつパターンがあるかを調べる。
次に、相関値マトリックスを参照し、相関値マトリックスの合計相関値が小さい順にN個のパターンを抽出(S7)する。合計相関値とは、あるパターンAに対して画像中の他のパターン(B〜J)(パターンが全部で10個あると仮定)との相関値をそれぞれ計算し、それらの値を全て合算したものである。つまり合計相関値が大きいほど、他のパターンとの相関が高く、逆に合計相関値が小さいほど、他のパターンとの相関が低くなるため、欠陥パターンである可能性が高くなる。従って、S7で抽出されたN個のパターンが欠陥パターンである。
以上の処理により、複数パターンが含まれたSEM画像から2つの欠陥パターンと、基準パターンが抽出された。
例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア(ハードディスク、光学メディアなど)、医療用部材(分析検査用チップ、マイクロニードルなど)、バイオデバイス(バイオセンサ、細胞培養基板など)、精密検査機器用部材(検査プローブ、試料保持部材など)、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス(太陽電池、燃料電池など)、マイクロ流路、マイクロリアクタ、MEMSデバイス、インプリントモールド、フォトマスク、EUVフォトマスクなどの分野が挙げられる。
S2・・・輪郭抽出処理
S3・・・パターン数の取得
S4・・・全パターンについて他のパターンとの相関値を計算
S5・・・相関値マトリックスの生成処理
S6・・・検査する欠陥パターン数Nを入力
S7・・・相関値マトリックスの合計相関値が小さい順にN個のパターンを抽出
S8・・・相関値マトリックスからN個のパターンの相関値を除く
S9・・・相関値マトリックスの合計相関値が最も大きいものを基準パターンとする
S10・・・基準パターンとの比較計測
S11・・・計測結果を表示
Claims (3)
- 複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法であって、
一つの画像パターンについて、他の画像パターンとのパターン形状の相関値を算出するパターン形状相関値算出工程と、
全ての画像パターンについて、前記パターン形状相関値算出工程を行い、各画像パターン毎にパターン形状相関値を並べた相関値マトリックスを生成する相関値マトリックス生成工程と、
前記相関値マトリックスから、各画像パターン毎にパターン形状相関値を合算し、合計相関値を算出する合計相関値算出工程と、
抽出する欠陥パターンの抽出数を入力し、前記抽出数の数だけ前記合計相関値が小さい順に画像パターンを選択し、選択された画像パターンを欠陥パターンとして抽出する欠陥パターン抽出工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 請求項1に記載のパターン検査方法であって、
更に、
相関値マトリックスから欠陥パターンとした画像パターンに関する相関値データを取り除いた後、各画像パターン毎にパターン形状相関値を合算し合計相関値を算出し、該合計相関値が最も大きい画像パターンを基準パターンとして抽出する基準パターン抽出工程と、
前記基準パターンと前記欠陥パターンを比較計測しパターン形状の相関値を算出することにより、欠陥パターンを定量的に評価する欠陥パターン評価工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のパターン検査方法を行うパターン検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013969A JP5212138B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009013969A JP5212138B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010170002A JP2010170002A (ja) | 2010-08-05 |
JP5212138B2 true JP5212138B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=42702203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009013969A Expired - Fee Related JP5212138B2 (ja) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5212138B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109491210A (zh) * | 2017-09-12 | 2019-03-19 | Imec 非营利协会 | 一种用于检测光刻图案的缺陷的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3212777B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2001-09-25 | 三菱電機株式会社 | 画像処理装置 |
JP3490490B2 (ja) * | 1994-01-28 | 2004-01-26 | 株式会社東芝 | パターン画像処理装置及び画像処理方法 |
JP2006220644A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
JP4074624B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-04-09 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | パターン検査方法 |
-
2009
- 2009-01-26 JP JP2009013969A patent/JP5212138B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109491210A (zh) * | 2017-09-12 | 2019-03-19 | Imec 非营利协会 | 一种用于检测光刻图案的缺陷的方法 |
CN109491210B (zh) * | 2017-09-12 | 2021-07-23 | Imec 非营利协会 | 一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010170002A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6326465B2 (ja) | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための方法 | |
US9418199B2 (en) | Method and apparatus for extracting systematic defects | |
US20150110384A1 (en) | Image inspection method of die to database | |
KR101381309B1 (ko) | 계측 샘플링 계획을 생성하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 캐리어 매체들 및 시스템들 | |
US9335277B2 (en) | Region-of-interest determination apparatus, observation tool or inspection tool, region-of-interest determination method, and observation method or inspection method using region-of-interest determination method | |
JP3668215B2 (ja) | パターン検査装置 | |
US20190086340A1 (en) | Smart defect calibration system and the method thereof | |
US7760347B2 (en) | Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system | |
EP1946372B1 (en) | Method of fabricating a semiconductor die | |
US8675949B2 (en) | Reviewed defect selection processing method, defect review method, reviewed defect selection processing tool, and defect review tool | |
JP5450180B2 (ja) | 測定装置と測定座標設定方法と測定座標数算出方法 | |
JP2010522972A (ja) | 欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する方法、設計、欠陥レビュー・ツールおよびシステム | |
JP5501303B2 (ja) | レシピ生成装置、検査支援装置、検査システムならびに記録媒体。 | |
US20200372630A1 (en) | Computer Assisted Weak Pattern Detection and Quantification System | |
JP2006284447A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP2007115991A (ja) | 半導体検査装置及び半導体検査方法 | |
CN112074936B (zh) | 产生用于阵列区的缺陷样本 | |
US20140019927A1 (en) | Waferless measurement recipe | |
JP5391774B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP5212138B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
US20100021040A1 (en) | Pattern evaluation apparatus and pattern evaluation method | |
CN107924850A (zh) | 自定向计量和图案分类 | |
Toyoda et al. | SEM-Contour shape analysis based on circuit structure for advanced systematic defect inspection | |
JPH10301258A (ja) | フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法ならびに該欠陥解析プログラムを記録した記録媒体 | |
JPH10293393A (ja) | フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5212138 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |