JP5211487B2 - 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 82
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 8
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000012407 engineering method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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Claims (14)
- 光源からのパルス光を複数の可動ミラーを有する可変成形マスクに照射し、前記可変成形マスクを介した光で、任意のパターンを基板に露光する露光方法であって、
前記複数の可動ミラーを動作させることと、
前記複数の可動ミラーの動作状態を検出し、前記複数の可動ミラーが静止している期間である安定期間にあるか否かを判断することと、
前記複数の可動ミラーが動作している期間である動作期間には、前記パルス光を前記可変成形マスクに照射せず、前記安定期間には、前記パルス光を前記可変成形マスクに照射するように、前記光源または前記複数の可動ミラーの動作を制御することと、
を含む露光方法。 - 光源からのパルス光を複数の可動ミラーを有する可変成形マスクに照射し、前記可変成形マスクを介した光で、任意のパターンを基板に露光する露光方法であって、
前記複数の可動ミラーの動作状態を検出し、前記複数の可動ミラーが静止している期間である安定期間にあるか否かを判断することと、
前記複数の可動ミラーの前記動作状態に合わせて、前記光源または前記複数の可動ミラーの動作を制御することを特徴とする露光方法。 - 前記光源は、Qスイッチレーザでパルス光を射出することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。
- 前記判断することは、前記複数の可動ミラーの動作を開始させる駆動信号から前記複数の可動ミラーの安定期間が開始される開始時間までの経過時間を計測し、前記駆動信号から前記経過時間経過後を前記複数の可動ミラーの安定期間と判断することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の露光方法。
- 前記制御することは、前記基板に露光される前記任意のパターンを複数の階調に設定可能であり、所望の階調が得られる安定期間に合わせて、前記パルス光の照射を行うことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の露光方法。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載の露光方法により所定のパターンを基板上に露光転写する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 光源からのパルス光を複数の可動ミラーを有する可変成形マスクに照射し、前記可変成形マスクを介した光で、任意のパターンを基板に露光する露光装置であって、
前記複数の可動ミラーを動作させる駆動装置と、
前記複数の可動ミラーの動作状態を検出する検出装置を有し、前記複数の可動ミラーが静止している期間である安定期間にあるか否かを判断する安定状態判断装置と、
前記複数の可動ミラーが動作している期間である動作期間に、前記パルス光を前記可変成形マスクに照射せず、前記安定期間に、前記パルス光を前記可変成形マスクに照射するように、前記光源または前記駆動装置を制御する制御装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 光源からのパルス光を複数の可動ミラーを有する可変成形マスクに照射し、前記可変成形マスクを介した光で、任意のパターンを基板に露光する露光装置であって、
前記複数の可動ミラーの動作状態を検出する検出装置を有し、前記複数の可動ミラーが静止している期間である安定期間にあるか否かを判断する安定状態判断装置と、
前記複数の可動ミラーの前記動作状態に合わせて、前記光源または前記複数の可動ミラーの動作を制御する制御装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記光源は、Qスイッチレーザを用いることを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
- 前記光源は、複数の光源ユニットから成り、
前記制御装置は、前記安定期間に前記複数の光源ユニットのパルス光を前記可変成形マスクに照射することを特徴とする請求項7乃至9の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記制御装置は、前記安定期間内に複数回前記パルス光を前記可変成形マスクに照射することを特徴とする請求項7乃至10の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記安定状態判断装置は、前記複数の可動ミラーの動作を開始させる駆動信号から前記複数の可動ミラーの安定期間が開始される開始時間までの経過時間を計測し、前記駆動信号から前記経過時間経過後を前記複数の可動ミラーの安定期間と判断することを特徴とする請求項7乃至11の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記基板に露光される前記任意のパターンを複数の階調に設定可能であり、所望の階調が得られる安定期間に合わせて、前記光源から射出される前記パルス光の照射を行うことを特徴とする請求項7乃至12の何れか一項に記載の露光装置。
- 請求項7乃至13の何れか一項に記載の露光装置を用い、所定のパターンを基板上に露光転写する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007015391A JP5211487B2 (ja) | 2007-01-25 | 2007-01-25 | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
PCT/JP2008/050943 WO2008090942A1 (ja) | 2007-01-25 | 2008-01-24 | 露光方法、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
US12/507,275 US8456617B2 (en) | 2007-01-25 | 2009-07-22 | Exposure method, exposure device, and micro device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007015391A JP5211487B2 (ja) | 2007-01-25 | 2007-01-25 | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182115A JP2008182115A (ja) | 2008-08-07 |
JP5211487B2 true JP5211487B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=39644516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007015391A Active JP5211487B2 (ja) | 2007-01-25 | 2007-01-25 | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8456617B2 (ja) |
JP (1) | JP5211487B2 (ja) |
WO (1) | WO2008090942A1 (ja) |
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US11366070B2 (en) | 2016-05-26 | 2022-06-21 | Nikon Corporation | Pulsed light generation device, pulsed light generation method, exposure apparatus having pulsed light generation device and inspection apparatus having pulsed light generation device |
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