JP5203367B2 - 測定動作時に較正可能な磁気3dセンサ - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、参照点において、磁界の空間成分を検出するためのホールセンサに関し、かつ、それにおいて使用する較正および測定の方法に関する。
【背景技術】
【0002】
量および方向に関して磁界を測定する以外に、ホール効果に基くホールセンサ素子は、この技術分野では、スィッチやアクチュエータの位置を摩耗を伴わずに検出するための、無接点非接触信号発生器に使用されることが多い。他に考えられる応用分野は、ホールセンサ素子を導電トレース付近に置いて、導電トレースにおける電流により発生する磁界を検出することにより、非接触態様で導電トレースの電流を測定する、電流測定がある。実際の応用では、ホールセンサ素子は、汚染等の外部影響に対してかなり感受性が低いため、特に有用であることがわかっている。
【0003】
この技術分野においては、いわゆる水平または横型ホールセンサ素子および縦型センサ素子の両方が知られており、図9aは、先行技術の横型ホールセンサ素子の例を示し、図9bは、先行技術の縦型ホールセンサ素子を示す。
【0004】
一般には、ホールセンサ素子は、外部制御回路に電気的に接続のために設けられた4つの接点端子を有する半導体ダイからなる。ホールセンサ素子の4つの接点端子のうち、2つの接点端子は、活性半導体領域により動作電流印加のために設けられ、他の2つの接点端子は、ホール電圧を検出するために設けられる。動作電流保持半導体ダイを、インダクションB(ベクトル)を有する磁界に対し露出した場合、磁界内を移動する帯電キャリアに作用する「ローレンツ力」により生じる、電流路のずれが起こる。ホール電圧は、電流の流れる方向に直角にかつ活性半導体領域にかけられた磁界に対して直角に生じる。
【0005】
基本的に図9aに示す通り、先行技術による横型ホールセンサ素子900は、典型的には、p型をドープした半導体基板904上のn型をドープした半導体領域902からなる。チップ表面(x−y平面)に平行に配設されるホールセンサを横型と呼ぶ。
【0006】
n型ドープの活性領域902は、通常、それぞれ対抗する対で活性領域902に配設される4つの接点電極906a〜dを介して外部制御または評価論理に接続される。明瞭化のため、制御または評価論理は、それぞれ図9には図示されていない。4つの接点電極906a〜dは、活性領域902を介して電流IHを発生するために設けられた2つの対抗する制御電流接点電極906aおよび906cに細分化され、かつ、さらには、活性領域910における電流の流れおよびセンサ信号として印加される磁界に直角をなす磁界B(ベクトル)の付与により生じるホール電圧UHをタッピングするために設けられる2つの対抗する電圧タッピング接点電極906bおよび906dに細分化される。異なる接点電極の間に電流IHを印加し、応じて電流の流れに直角をなす他方の接点電極にホール電圧UHをタッピングすることで、補償方法が実現でき、数回の測定サイクルにわたる生産の許容誤差等によりホールセンサに生じる許容誤差の補償を行うことができる。
【0007】
図9aに示す横型ホールセンサ素子900から分かるとおり、接点端子906a〜dの間に活性領域が規定され、この活性領域が有効長さLと有効幅Wとを有するようになっている。図9aに示す横型ホールセンサ900は、半導体構造を製造するための従来のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)プロセスにより比較的容易に製造できる。
【0008】
さらに、先行技術では、横型ホールセンサ素子とは別に、いわゆる縦型ホールセンサ素子構成の実現例が知られており、これもCMOSプロセス等の標準的半導体製造技術の利用が可能である。縦型ホールセンサ素子920の一例の基本を図9bに示す。縦型とは、チップ表面の平面(X−Y平面)に対して直角を成す平面をさす。図9bに示す、縦型ホールセンサ素子920においては、好ましくはn型ドープの活性半導体領域922が、p型ドープの半導体基板924におけるウェルという形で延在し、活性半導体領域922が深さTを有する。図9bに示すとおり、縦型ホールセンサ素子は、3つの接点領域926a〜cを有し、これらは半導体基板924の主表面上で境を接している。接点端子926a〜cは、すべてこの活性半導体領域922内にある。これら3つの接点領域により、縦型ホールセンサ素子のこの変形例を、3ピンセンサとも呼ぶ。
【0009】
こうして、図9bの縦型ホールセンサ素子920は、活性半導体領域922の主表面に沿って3つの接点領域926a〜cを有し、接点領域926aは、接点端子Aに接続され、接点領域926bは、接点端子Bに接続され、接点領域926cは、接点端子Cに接続される。2つの接点端子AおよびC間に電圧が印加されると、活性半導体領域922を介する電流IHが生じ、電流IHおよび磁界B(ベクトル)に直角を成すホール電圧UHを接点端子Bで測定することができる。活性半導体領域922の有効領域は、活性半導体領域922の深さTおよび給電接点電極926bおよび926c間の距離Lによって予め定められる。
【0010】
横型および縦型ホールセンサならびに汚染、非対称性、圧電効果、老朽化の影響等の装置の許容誤差から生じるオフセットを減じるための方法、たとえばスピン電流法が、非特許文献1等の文献によりすでに知られている。スピン電流により作動される縦型センサは、たとえば特許文献1および特許文献2に記載されるように、2つまたは4つの個別のセンサから構成されることが多い。
【0011】
さらに、3ピン縦型ホールセンサ素子の変形例以外に、いわゆる5ピン縦型ホールセンサ素子があり、これもまた特許文献1および特許文献2に記載される。この5ピンホールセンサ素子においても、個々の装置の許容誤差により補償される測定をいくつかの測定段階にわたって、ある補償法で行うことが可能であり、たとえばここでもスピン電流法を使用することができる。
【0012】
スピン電流技術は、あるクロック周波数でホールセンサ素子でのホール電圧を検出するために測定方向を連続的にたとえば90°周期的に回転させ、360°の一回転全部のすべての測定信号にわたって合計することから成立する。こうして、2つずつ対にされた4つの接点領域を有するホールセンサ素子においては、接点対の各々を給電のための制御電流接点領域としてかつスピン電流段階によってはホール信号をタッピングするための測定接点領域の両方として使用される。こうして、スピン電流段階またはスピン電流サイクルそれぞれにおいて、動作電流(制御電流IH)が、2つの関連する接点領域の間を流れ、互いに関連する他の2つの接点領域で、ホール電圧がタッピングされる。
【0013】
次のサイクルでは、測定方向は、さらに90°回転され、それにより前のサイクルでホール電圧をタッピングするために使用した接点領域は、こんどは制御電流を供給するために使用されるようになる。4つすべてのサイクルまたは段階にわたって合計することで、製造または材料により生じるオフセット電圧は、相互に概ね打ち消し合い、それによって信号のうち実際に磁界に依存する部分のみが残る。この工程も、多数の接点対に適用することができ、たとえば4つの接点対(8つの接点領域を有する)で、スピン電流段階を周期的に45°で回転させて、360°一回転をする間の測定信号をすべて合計する。
【0014】
横型ホールセンサでは、4つのセンサを使うことが多く、適切な構成では、オフセットを空間スピン電流動作によりかなり大量にさらに減らすことができる。これについては、たとえば特許文献3を参照。
【0015】
磁界をいくつかの空間方向に関して測定する場合、多くは、別々のホールセンサ素子を使用する。磁界の3つの空間方向を検出するためにたとえば別々のセンサを使用することは、一般に測定予定の磁界が1点ではなく異なる3点で測定されるという問題を引き起こす。図10は、この様子を示し、図10において、3つのホールセンサ1002,1004および1006が示される。第1のホールセンサ1002は、y空間成分を検出するために設けられ、第2のホールセンサ1004は、z空間成分を検出するために設けられ、かつ第3のホールセンサ1006は、x空間成分を検出するために設けられる。個々のセンサ1002,1004および1006は、個々のセンサのそれぞれおよそ中心で、磁界の対応する空間成分を測定する。
【0016】
個々のセンサは、また、いくつかのホールセンサ素子から構成することができる。図10は、各々4つのホールセンサ素子を有する3つの個別のホールセンサを例示し、図10では、例として測定する磁界のz成分を検出する横型ホールセンサ1004を想定し、かつ縦型ホールセンサ1002と1006は各々測定する磁界のyまたはx成分を検出する。図10に例示する空間磁界成分を検出する構成は、磁界が1点ではなく、個々のセンサのそれぞれ中心で測定されるという問題がある。このため、異なる位置で検出された磁界センサの磁界成分に基いては磁界の評価が正確にできず、改変は避けられない。
【0017】
ホールセンサ素子による磁界の検出および評価の他の局面は、個々の素子の較正である。先行技術によれば、ホールセンサ素子は、概ね、個々のセンサの測定点に規定される磁界の発生を可能にする、所謂励磁線が設けられており、測定されたホール電圧を規定された磁界と、比較又は関連付けて、その後センサの較正を行う。
【0018】
励磁導体は、ホールセンサにおける人工的磁界の発生を可能にし、それにより単純な基板試験、すなわち基板の直接上での試験および動作中の自己試験ならびに感受性の較正を可能にする。これについては、非特許文献2を参照。これは、動作中のセンサの自己監視が可能なため、自動車産業や医学技術等、安全性が重要な分野において、特に興味深い。
【0019】
たとえば、図10に例示するように磁界の空間成分を検出するためにいくつか個別のセンサを使用する場合、個々のセンサは、すべて較正のための励磁線をそれぞれ必要とし、かつ個々のセンサは、さらに個別に較正される。結果として、較正の作業は個々のセンサ素子の数にあわせて増減し、3つの磁界成分を空間的に検出する場合には、1つのセンサの較正作業に対して3倍に作業が増える。
【0020】
磁界の評価、すなわち1点での測定を可能にする1つの方法は、スイス連邦工科大学ローザンヌ校の3Dセンサの使用であり、これについては、非特許文献3を参照。図11は、半導体基板1102上に実現される、ホールセンサ1100を模式的に示す。まず、3Dセンサは、4つの接点領域1104a〜dを有し、半導体基板1102では、これらの領域にわたって、電流を印加する。さらに、3Dセンサは、4つの測定接点領域106a〜dを有しており、これらの領域を介して、異なる磁気成分を検出することができる。配線1110を、図11の右側に示す。4つの演算増幅器1112a〜dから構成される図示された配線は、個々の磁界成分に比例するホール電圧を評価して、それぞれの成分を信号Vx,VyおよびVzという形で端子1114a〜cで出力する。
【0021】
図示のセンサは、規定された外部で発生した磁界によってしか較正することができず、個別の励磁線を有していないという問題がある。さらに、その構造と動作モードにより、このセンサをスピン電流法等の補償法とともに作動させることはできない。また、図11の構造のもう1つの問題は、半導体材料の汚染、接点配置の非対称性、結晶構造のばらつき等によって、この半導体装置がオフセット電圧を有する点である。これらは、それぞれスピンニング電流に適した補償配線によって抑制することはできない。こうして、センサは、合焦点で磁界成分を測定するが、高いオフセットを有しかつ制限された態様でしか正確な測定に適さない。図12は、補償(スピン電流)に適した3Dセンサを示し、このセンサは、測定点で、空間磁界成分を検出する。これについては、非特許文献4、非特許文献5に記述される。図12の上の部分は、3つの個別のセンサからなる図10の3Dセンサを示す。図12の上の部分は、空間磁界成分を検出するための3つの別個のセンサ1002,1004および1006を示す。図12の底部は、個々のセンサの別の構成を示す。この構成では、センサ1004の測定点は、図12の構成1200の中心にあるので、センサ1004は、変わらないままである。さらに、2つの個別のセンサ1002および1006は、分離することができる個別の素子からなる。センサ1002は、2つのセンサ部1202aおよび1202bにさらに分けられ、センサ素子1004の中心の周りに対称に配設される。センサ1006で同様の方法を行い、それによりこのセンサもそれぞれの空間軸に沿って、センサ素子1004の中心の周りに対称に配設された2つのセンサ部1206aと1206bに分けられる。個々のセンサ素子を対称に配設することで、磁界が構成の幾何学的中心にある1点で検出される。この構成の1つの欠点は、センサがいくつかの励磁線にわたってのみ較正できることである。以下では、図12の下の部分の構成1200については、較正のない画素セルと呼ぶことにする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0022】
【特許文献1】
DE10150955
【特許文献2】
DE10150950
【特許文献3】
DE19943128
【非特許文献】
【0023】
【非特許文献1】
R.S.ポポヴィッチ、「ホール効果装置、磁気センサおよび半導体の特徴付け」、アダム・ヒルガー、1991年、ISBN0−7503−0096−5
【非特許文献2】
ヤネス・トロンテル、「混合信号処理による集積磁気センサの最適化」、第16回、IEEE予稿集、Vol.1
【非特許文献3】
C.スコット、R.S.ポポヴィッチ、「集積3Dホール磁界センサ」、会議Transducers ’99、6月7日から10日、仙台、日本、VOL.1、第168頁から171頁、1999年
【非特許文献4】
エンリコ・シューリッヒ、「CMOS技術における高感受性縦型ホールセンサ」
【非特許文献5】
アルトング・ゴルレ・ヴェルラグ・コンスタンツ、2005年、EPFL論文N°3134(2004年) からの再版、ISSN1438−0609、ISBN3−86628−023−8WW185ff
【発明の概要】
【0024】
本発明の目的は、参照点で磁界成分を空間的に検出するための磁界センサを提供することである。その許容誤差は、好ましくは、高い信頼度で、苦もなく較正できるスピン電流動作によって、異なる動作段階における測定により効率的に補償でき、較正は測定動作中に実行でき、オン・ウエハテスト中および動作中の両方で、苦もなく効率的にテストすることができる。
【0025】
この目的は、請求項1に記載の測定動作中に較正可能な磁界センサおよび請求項11に記載の測定動作中に磁界センサを較正するための方法により達成される。
【0026】
本発明は、参照点における磁界の第1、第2および第3の空間成分Bz、 ByおよびBxを検出するための測定動作中に較正可能な磁界センサであって、磁界が、第1、第2および第3の測定磁界成分BMz、 BMyおよびBMxならびに第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、 BKyおよびBKxを有するセンサを提供し、該センサは、参照点における第1の空間軸zに対しての、第1の測定磁界成分BMzおよび第1の較正磁界成分BKzを有する第1の磁界成分Bzを検出するための第1のセンサ素子構成と、参照点における第2の空間軸yに対しての、第2の測定磁界成分BMyおよび第2の較正磁界成分BKyを有する第2の磁界成分Byを検出するための第2のセンサ素子構成と、参照点における第3の空間軸xに対しての、第3の測定磁界成分BMxおよび第3の較正磁界成分BKxを有する第3の磁界成分Bxを検出するための第3のセンサ素子構成を備える。磁界センサは、所定の電流を励磁線に印加する際に、第1のセンサ素子構成における第1の空間軸zに対して第1の所定の較正磁界成分BKzが発生し、第2のセンサ素子構成における第2の空間軸yに対して第2の所定の較正磁界成分BKyが発生し、かつ第3のセンサ素子構成における第3の空間軸xに対して第3の所定の較正磁界成分BKxが発生するように、第1のセンサ素子構成、第2のセンサ素子構成および第3のセンサ素子構成に対して配設された励磁線をさらに含み、3つの空間軸z、yおよびxは、一次独立の位置ベクトルに沿って存在する。
【0027】
発明の目的は、参照点における磁界の第1、第2および第3の空間成分Bz、 ByおよびBxを検出することにより、測定動作中に磁界センサを較正するための方法により解決され、磁界が、第1、第2および第3の測定磁界成分BMz、 BMyおよびBMxならびに第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、 BKyおよびBKxを有し、該方法は、参照点における第1の空間軸zに対して、第1の測定磁界成分BMzおよび第1の較正磁界成分BKzを有する第1の磁界成分Bzを検出するステップと、参照点における第2の空間軸yに対して、第2の測定磁界成分BMyおよび第2の較正磁界成分BKyを有する第2の磁界成分Byを検出するステップとを含む。方法は、さらに、参照点における第3の空間軸xに対して、第3の測定磁界成分BMxおよびの第3の較正磁界成分BKxを有する第3の磁界成分Bxを検出するステップと、第1、第2および第3の空間軸z、yおよびxに対して、第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、 BKyおよびBKxを発生するステップとを含み、第1、第2、および第3の空間軸は、一次独立の位置ベクトルに沿って存在する。
【0028】
本発明は、ある1点で磁界の成分を検出しかつスピン電流法等の補償法とともに作動させることが可能な、好ましくは対称に対にされる異なる磁界センサの空間的構成により、単一の励磁線により生じた較正磁界を付与することにより、動作中にこれを較正する可能性が提供されるとする知見に基く。本発明の磁界センサは、測定磁界と較正磁界に同時に存在することが可能で、かついくつかの測定段階からなる測定法、好ましくはスピン電流において作動させることができる。
【0029】
個々の段階の測定結果の第1の結合により、測定予定の磁界から生じた測定成分の抽出が可能になり、かつ較正磁界から生じる成分および装置の許容誤差から生じる成分の両方が実質的に排除される。さらに、個々の測定段階の測定結果の第2の結合により、較正磁界から生じる測定成分の抽出が可能になり、測定予定の磁界の成分が実質的に排除される。
【0030】
発明の磁界センサおよび発明の方法は、スピン電流法など従来の補償法を使用する場合でも、較正のためにあらたな測定段階を追加する必要がないという利点がある。
【0031】
その幾何学的形状のため、すべての空間方向に較正磁界成分を発生する励磁線が給電され、すなわち較正磁界は、個々の測定段階からの測定結果の2つの結合が、記載の態様でできるような方向決めがされている。こうして、較正磁界の発生および方向が補償法の測定段階に適用されるかまたはこれに組み込まれる。これは、構成が単一の励磁線しか必要としないため、単純で、複雑でない試験の選択肢を発明の磁界センサが提供する点で有利である。たとえば、いくつかの発明の磁界センサの励磁線を継続接続にして、オンウエハテストでともに試験することもできる。
【0032】
また、発明の磁界センサおよび方法は、動作中に磁界センサを較正でき、かつあらたなハードウエアや作業時間を必要としない点が有利である。たとえば、個々の測定段階の測定結果を、マイクロコントローラやプロセッサでそれぞれ結合したり評価して、追加の作業は一回の計算作業にとどめる。測定磁界成分および較正成分は、各々、同時にかつ補償された態様で得られる。これは、磁界センサを連続的に較正できたり調節できかつその機能性を測定の量または質に関して妥協する必要なく同時に監視できるため、自動車産業や医療技術などセキュリティが重要な応用には特に有利である。
【0033】
本発明の好ましい実施例につて以下に添付の図面を参照して説明する。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明による測定動作中に較正可能な磁界センサの実施例によるホールセンサ素子の模式構成図である。
【図2】本発明の磁界センサの実施例における較正方法を示すための模式的磁力線の断面図である。
【図3】本発明の他の実施例によるホールセンサ素子の模式構成図である。
【図4a】本発明の補償方法を示すための実施例におけるホールセンサ素子の模式的配線図および等価図である。
【図4b】本発明の補償方法を示すための実施例におけるホールセンサ素子の模式的配線図および等価図である。
【図4c】本発明の補償方法を示すための実施例におけるホールセンサ素子の模式的配線図および等価図である。
【図4d】本発明の補償方法を示すための実施例におけるホールセンサ素子の模式的配線図および等価図である。
【図5】本発明の磁界センサの他の実施例によるホールセンサ素子の他の構成を示す図である。
【図6】較正方法を示すための他の実施例によるホールセンサ素子の模式構成図である。
【図7】他の実施例による較正法を示すための模式構成図である。
【図8】空間磁界成分を検出するためのいくつかのセンサ素子の配列の実施例の図である。
【図9a】先行技術による横型ホールセンサ素子の模式構造図である。
【図9b】先行技術による縦型ホールセンサ素子の模式構造図である。
【図10】先行技術による磁界成分を空間的に検出するための個々のセンサの模式構成図である。
【図11】先行技術による磁界の空間成分を検出するための他の3Dセンサの図である。
【図12】1点で空間磁界を検出するための個々のホールセンサ素子の模式構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0035】
なお、以下の説明に関しては、異なる実施例内の等しいまたは類似する機能素子については同じ参照番号を付与し、以下の様々な実施例内において交換可能とする。
【0036】
第1の実施例による動作中に較正可能な磁界センサ100の発明の構造について図1を参照して説明する。図1は、参照点101で磁界を検出するための発明の磁界センサ100の実施例を示す。また、図1は、第1のセンサ素子構成102、第2のセンサ素子構成104および第3のセンサ素子構成106を示す。また、励磁線108が図1に示される。
【0037】
磁界センサは、たとえば、構成のx−y平面に対して平行な主表面を有する基板上に実現でき、z成分は、それに直角をなす。応じて、磁界は、各々測定磁界成分BMz、BMyおよびBMxおよび較正磁界成分BKz、BKyおよびBKxからなる3つの成分Bz、ByおよびBxに分けられる。
【0038】
図1に示すとおり、参照点101で電流密度の磁界B(ベクトル)の第1、第2および第3の空間成分Bz、ByおよびBxを検出するために、磁界センサ100は、参照点101で、第1の空間軸zに関する第1の測定磁界成分BMzおよび第1の較正磁界成分BKzを有する第1の磁界成分Bzを検出するための第1のセンサ素子構成102を有する。一実施例では、センサ素子構成102は、測定点が参照点101にある横型ホールセンサ素子により実現されることが好ましい。
【0039】
また、磁界センサ100は、参照点101で、第2の空間軸yに関する第2の測定磁界成分BMyおよび第2の較正磁界成分BKyを有する第2の磁界成分Byを検出するための第2のセンサ素子構成104を有する。一実施例では、センサ素子構成104は、参照点101に対して対称な対にされた、いくつかの縦型ホールセンサ素子の配列により実現されることが好ましい。また、磁界センサ100は、参照点101で、第3の空間軸xに関する第3の測定磁界成分BMxおよび第3の較正磁界成分BKxを有する第3の磁界成分Bxを検出するための第3のセンサ素子構成106を備える。一実施例では、センサ素子構成106は、参照点101に対して対称な対にされたいくつかの縦型ホールセンサ素子の配列により実現されることが好ましい。
【0040】
励磁線108へ所定の電流を印加すれば、第1のセンサ素子構成102における第1の空間軸zに対する第1の所定の較正磁界成分BKzが発生し、第2のセンサ素子構成104における第2の空間軸yに対する第2の所定の較正磁界成分BKyが発生し、かつ第3のセンサ素子構成106における第3の空間軸xに対する所定の較正磁界成分BKxが発生するよう、磁界センサ100の励磁線108は、第1のセンサ構成102、第2のセンサ構成104および第3のセンサ構成106に関して、配設されることが好ましく、この3つの空間軸、z、yおよびxは、一次独立の位置ベクトルに沿って存在する。
【0041】
図1の実施例では、3つの空間軸z、yおよびxの位置ベクトルは直交し、かつ3つのセンサ素子構成は、その直交成分である、Bz=BMz+BKz、 By=BMy+BKyおよびBx=BMx+BKxによる磁界を検出する。簡素化のため、ここでかつこれ以降の記述においては、磁界は、その成分Bz、ByおよびBxによって、直交して配列されたセンサ素子構成によって検出されるものとする。本発明の他の実施例では、センサ素子は、測定磁界の空間成分を完全に検出できる限り、基本的にどの方向に配列されてもよい。
【0042】
図2は、較正磁界成分BKz、BKyおよびBKxの生成を説明するための磁界センサ100の断面図である。図2の断面図では、中央に第1のセンサ素子構成102が見られ、第2のセンサ素子構成106の断面が見られ、その断面は、各々第1のセンサ素子構成102の左と右に見える。基板の主表面(x−y平面)に関して、第2のセンサ素子構成106の上には、励磁線108がある。励磁線108の幾何学的形状、すなわち長さと寸法は、印加電流がわかっているので、励磁線108に帰することができる所定の磁気較正電流密度BKz、BKyおよびBKxが存在するように選択される。較正電流密度は、電流IEおよび高さ、幅、厚さ、材料、相対位置等の励磁線108の幾何学的形状または特性それぞれにより規定される態様で調整でき、かつセンサ素子構成は、関連ホール電圧を決定しかつ関連付けすることにより較正され得る。磁気較正電流密度がわかっていれば、それにより発生するホール電圧を関連付け、こうして磁界センサを較正可能にすることができる。
【0043】
磁気較正電流密度がわかっていれば、それにより発生したホール電圧を関連付けることができ、こうして磁界センサを較正可能にすることができる。
【0044】
説明した実施例では、電流IEが励磁線を流れ、図2の断面図では、電流が右の励磁線108を介して構成に流れ込みかつ再び励磁線108を介して左側へ出ると仮定する。励磁線108を介して流れる電流は、磁界を発生させ、その磁界線が図2の励磁線108を中心にした同心円200により示される。センサ素子構成102には、全ての磁界線200が同じ方向に散在していることがわかる。さらに、図2に示すセンサ素子構成の断面図には、逆の意味でも磁界線200が散在する。同様に、これは、明瞭化のために図2では図示を省略した、配列がセンサ素子構成106と等価な第3のセンサ素子構成104にも当てはまる。個々のセンサ素子構成に散在する磁界線200のパターンおよび磁界線200の配向は、励磁線108で発生させた磁界でセンサ素子構成102の較正が可能であることを示す一方、第2および第3のセンサ素子構成104および106の較正には、反対に作用する磁界線の補償が必要であることがわかる。
【0045】
図2からわかるとおり、磁界センサの較正および測定磁界の検出は、さまざまな動作段階で行うことが可能で、その間、励磁電流は、異なる極性(方向)が考えられ、かつセンサ素子構成は、交互にホール電圧を付与する。第1、第2および第3のセンサ素子構成102、104および106は、さまざまな動作段階で作動させることができ、全ての動作段階で、第1、第2および第3のセンサ素子構成102、104および106の各々がその動作段階に起因する測定信号を付与し、これら動作段階に起因する測定信号は、測定磁界成分の影響が、第1の合計測定値においては抑えられるよう、第1の一次結合により第1の合計測定値に結合され、または較正磁界成分の影響が第2の合計測定値においては抑えられるように、動作段階に起因する測定信号を、第2の一次結合により第2の合計測定値に結合することができる。第1または第2の合計測定値それぞれにおける、測定磁界成分または較正磁界成分のそれぞれの影響は、第1および第2の合計測定値の10%、1%または0.1%を下回るようにすることができる。動作段階および異なる較正磁界成分または測定磁界成分の検出それぞれについて、他の好ましい実施例について、図3および図4を参照しながら、以下に説明することにする。
【0046】
このため、本発明の他の好ましい実施例について、図3に示す。図3は、本発明の磁界センサ100の好ましい実施例を示す。同様に、磁界センサ100は、参照点101を中心に配置された第1のセンサ素子構成102と、第2のセンサ素子構成104と、第3のセンサ素子構成106とを含む。また、磁界センサ100は、励磁線108を含む。図3の構成では、センサ素子構成104および106は、各々、参照点101に対して対称な対104abと104cdまたは106abと106cdに配列される4つの個別のセンサ素子を有する。
【0047】
図3に示す実施例では、センサ素子構成104および106は、たとえば縦型ホールセンサ素子の配列により実現することが可能である。図3の実施例における第2のセンサ素子構成104は、4つの個別のセンサ素子104a〜dにより構成される。同じように、第3のセンサ素子構成106は、4つの好ましくは等しいセンサ素子106a〜dにより構成される。104a〜dおよび106a〜d等の個別のセンサ素子を使用することで、補償配線において個々の素子を配線することが可能になる。
【0048】
図4は、縦の個々の素子の発明による配線を示し、かつ補償概念の原理を説明する図である。図4aIは、たとえば、素子104a〜dを有する第2のセンサ素子構成104における4つの縦型ホールセンサ素子の配線を示す図である。図4aIに示す構成では、縦型3ピンホールセンサ素子が使用され、これらは図3による1つの軸上に配線されることが好ましい。図4aIは、2つの縦型ホールセンサ素子対104abと104cdを示す。2つのセンサ素子104aと104bは、センサ素子対104abを構成し、2つのセンサ素子104cと104dがセンサ素子対104cdを構成する。この実施例では、1つの縦型ホールセンサ素子対が各々図3に従う参照点101を中心として対称に配列される磁界成分を検出するためのセンサを構成する。センサ素子対104abと104cdは、たとえば磁界のBy成分を検出する。
【0049】
2つの縦型ホールセンサ素子対104abと104cdは、構造についてこれ以降、縦型ホールセンサ素子対104abを対象に説明できるように、同じ構造になっている。このことは、たとえば磁界のBx成分を検出するホールセンサ素子対106abおよび106cdにもあてはまる。縦型ホールセンサ素子対104abは、2つの縦型ホールセンサ素子104aおよび104bから構成される。好ましくは、全ての縦型ホールセンサ素子が、各々3つの接点領域を有し、ここで想定する実施例の構成では、外部接点115および116ならびに内部接点117および118が電気的に相互に結合されており、かつ接点19および120が、ホール電圧を検出するために実現される。図4aIに示すように、全体で、4つの接点端子T0〜T3があり、これにより2つのセンサ素子構成104abおよび104cdが並列に接続される。電流IHが接点端子T0およびT2の間に印加されると、図4aIに示すように、それぞれの成分を有する磁界が存在する場合、接点端子T1とT3の間でホール電圧UHを測定することができる。
【0050】
第2の縦型ホールセンサ素子対104cdの構造は同じである。ただし、接点端子T0〜T3の位置が縦型ホールセンサ素子対104abに対して1つずれている。つまり、接点115および116が端子T1に結合され、接点117および118が端子T3に結合され、接点119が端子T2に接続され、かつ接点120が端子T4に接続される。
【0051】
縦型ホールセンサ素子対104cdにおける接点端子T0およびT2の間に電流が印加されると、構成は分圧器として機能しかつ端子T1とT3との間ではホール電圧は測定できない。ブリッジ電圧は、装置の許容誤差または異質性等が発生する場合にのみT1とT3の間で測定可能である。これは、センサ素子対106abおよび106cdにもあてはまる。
【0052】
図4aIIは、図4aIに示すホールセンサ素子対構成の電気的等価図である。図4aIにおいては、説明目的で、個々の接点端子T0とT3との間のそれぞれのオーム抵抗が、点線で示される。第1の縦型ホールセンサ素子対104abについては、接点領域115と接点端子T1に接続された接点領域119との間に抵抗R11が生じ、接点端子T1と接点領域117との間に抵抗R12が生じ、接点領域118と接点端子T3に接続された接点領域との間に抵抗R13が生じ、かつ接点領域T3に接続された接点領域と接点領域116との間に抵抗R14が生じる。同様に、縦型ホールセンサ素子対104cdについての等価な抵抗器が、抵抗R21、R22、R23、およびR24により示される。
【0053】
図4aIIは、センサ素子対104abと104cdのそれぞれの端子T0〜T3の並列接続を有する電気的等価図であり、これは、ホイートストーンブリッジに相当する。図4aIに示す配線に基づき、磁界が存在せず、接点端子T0とT2との間に電圧Uが印加され、それにより電流Iが印加されたと仮定すれば、第1の測定段階である、測定段階0において、接点端子T1とT3の間に以下の式(1)で表す電圧が生じる。
【0054】
【数1】
【0055】
図4bIは、測定段階1の、2つの縦型ホールセンサ素子対104abおよび104cdの配線を示す。電圧Uに対して接点端子T1およびT3の間に電流が印加され、縦型ホールセンサ素子対104abは、今度は分圧器として機能し、一方、縦型ホールセンサ素子対104cdは、端子t0,T2でホール電圧を供給する。
【0056】
図4bIIは、磁界が存在しないと仮定した、測定段階1におけるセンサ素子構成の電気的等価図である。測定段階1について端子T0とT2の間には以下のような結果が得られる。
【0057】
【数2】
【0058】
同様に、図4cIは、測定段階2の構成を示す。電流Iを端子T2とT0間の電圧Uに対して印加して、縦型ホールセンサ素子対104cdが、測定段階2における分圧器として機能し、縦型ホールセンサ素子対104abが、測定段階0に対して逆極性の方向に作動される。
【0059】
図4cIIは、電気等価図であり、これも、磁界が存在しないと仮定している。この場合、端子T1とT3との間に以下の結果が得られる。
【0060】
【数3】
【0061】
図4dIは、測定段階3における、2つの縦型ホールセンサ素子対104abと104aの配列を示す図である。測定段階3では、電流Iが接点端子T3とT1との間に印加され、縦型ホールセンサ素子対104abが、分圧器として機能するようになっている。測定段階1と比べると、縦型ホールセンサ素子対104cdは、逆極性の方向に作動される。図4dIIは、電気的等価図であり、端子T0とT2の間に以下のような結果が生じる。
【数4】
【0062】
式(1)から(4)によれば、
【数5】
および
【数6】
【0063】
となる。これは、個々の量測定段階からの測定電圧を加算することにより、予想されるオフセット電圧を補償することができることを意味する。この電流の供給が接点端子を介して回転するため、これはまたスピン電流のことも意味する。こうして、上記の方法により、汚染、非対称性、圧電効果、老朽化等の装置の許容誤差から生じるばらつきを補償することができる。式(1)〜(6)は、センサ素子の特定の抵抗値についてなんらの仮定も行われていないので、いずれの抵抗値についても、これが可能であることを示す。
【0064】
また、図4a〜dでは、一方の測定段階において各々1つの縦型ホールセンサ素子対しか活性状態にないが、他方は分圧器として切り替えられる。図2を参照して、これは、個別の測定段階において、センサ素子構成106の一方側のみが磁界線200に反応し、他方は現在付与されている磁界とは無関係の分圧器として機能することを意味する。
【0065】
こうして、図3による実施例においては、縦型3ピンホールセンサ素子対を第2のセンサ素子構成104および第3のセンサ素子構成106を実現するために使用することが好ましい。図4a〜dに基き記述した測定段階は、ホールセンサ素子の空間方向に関係なく実施することができる。縦型3ピンセンサを使用して、スピン電流法を採用するため、すなわち補償法で、縦型3ピンセンサを作動させるには、動作中に2つの単純な素子を使用する必要がある。
【0066】
図3に示す、本発明の一実施例によれば、2つの縦型3ピンホールセンサ素子対を並列に接続する。これらは、これら2つがセンサとしてホール電圧を供給するように常に接続され、一方、他の2つは分圧器として機能し、オフセットを抑制する。たとえば、測定段階0で、制御電圧を接点端子T0とT2との間に印加し、図4aIを参照して、このことにより縦型ホールセンサ素子対104abにおける接点端子T1およびT3の間に、ホール電圧UHが形成される。縦型ホールセンサ素子対104cdは、接点が1段階ずれており、分圧器としてのみ動作し、かつホール電圧には寄与しない。縦型ホールセンサ素子対104cdの信号は、オフセットを抑えるためのみに使用される。
【0067】
測定段階1において、制御電圧が、接点端子T1とT3との間に印加される。これにより、縦型ホールセンサ素子対104cdでホール電圧が形成され、縦型ホールセンサ素子対104abは、分圧器としてのみ機能するという効果がある。測定段階2は、測定段階0と等価であり、制御電圧は、接点端子T2とT0との間に印加される。縦型ホールセンサ素子対104abは、ホール電圧を発生し、センサ2は、再び分圧器として機能する。同様に、測定段階3は、測定段階1と等価であり、制御電圧が接点端子T3とT1との間に印加される。そして、縦型ホールセンサ素子対104abが、分圧器として機能し、かつ縦型ホールセンサ素子対104cdがホール電圧を発生する。
【0068】
本発明におけるセンサには3ピンホールセンサを使用することが好ましい。基本的には、他の縦型ホールセンサ、たとえば、4ピン、5ピン、6ピン等の縦型ホールセンサとして実現される個々のセンサ素子を発明の範囲において使用することができる。重要なのは、これを動作段階において異なる感度で作動させることができること、または動作のそれぞれの動作モードによって異なる感度を発生できるということだけである。ここで、図4の実施例に関して、例として説明した、対称に構成された個々のセンサ素子および対称に構成された個々のセンサ素子の配線が可能である。たとえば、本発明の一実施例においては、5ピンセンサを使用することが可能で、5ピンの個別のセンサ素子をすでにスピン電流モードでかつ様々な感度の両方で作動させることができるため、5ピンの個々の素子ひとつひとつが発明のセンサ素子構成を実現する。この実施例では、対称配列された5ピンの個別センサ素子を異なる感度で同時に作動させ、反対に配向される較正磁界成分が互いに完全に補償し合わない様にし、かつ較正磁界成分および/または測定磁界成分が抽出されるようになっている。本発明によれば、2つの対称に配列されたセンサ素子は、測定量をそれぞれ結合することにより、個々の動作段階から抽出することが可能な様々な動作段階における測定磁界成分と較正磁界成分の両方を検出するのにも適している。こうして、このセンサは動作中にも較正することができる。
【0069】
参照点で磁界の空間成分を検出するため、並びに較正および測定方法の発明の思想の記述を簡素化するため、それぞれ較正磁界または測定磁界のyおよびx方向の成分を検出するための縦型3ピンセンサ素子に基く磁界センサの実現およびそれぞれのz方向の成分を検出するための横型センサ素子について説明する。基本的に、発明の磁界センサおよび発明の方法は、様々な個別のセンサ素子の他の組み合わせによっても可能である。
【0070】
図5は、本発明の他の実施例による磁界センサ100の他の実施例を示す図である。図5において、第1のセンサ素子構成102、第2のセンサ素子構成104および第3のセンサ素子構成106は、点線で示す。また、図5は、励磁線108を示す図である。前述の実施例に関してすでに述べたとおり、3つのセンサ素子構成102,104および106を実現するために個々の素子が接続される。こうして、たとえば、図4a〜dを参照して述べた3ピン縦型ホールセンサ素子およびホールセンサ素子対により第2のセンサ素子構成104および第3のセンサ素子構成106が実現される。図5では、第2のセンサ素子構成104を、4つの縦型ホールセンサ素子104a〜dにより実現し、第3のセンサ素子構成106を縦型ホールセンサ素子106a〜dにより実現する。
【0071】
ここまで、横型ホールセンサにより実現されるものとして説明した第1のセンサ素子構成102は、図5による実施例では、4つの個別の素子102a〜dを有する。こうして、図5に示す磁界センサ100は、4つの横型ホールセンサ102a〜d並びに8つの好ましくは縦型の3ピンホールセンサ104a〜dおよび106a〜dの組み合わせである。好ましい実施例においては、それぞれのセンサにより測定される測定平面が相互に直交しているが、一般に条件としては、個々のセンサの測定平面が一次独立の位置ベクトルに沿っていて、すべての空間方向の磁界成分を検出できれば十分である。
【0072】
図4に示す一実施例では、4つの縦型3ピンホールセンサ素子104a〜dおよび106a〜dを図5の表面に接線をなす各軸について使用し、すべてのセンサを中心または参照点101を中心に対称に配列する。縦型ホールセンサ素子は、上記の通り接続され、かつ上記の測定段階0〜3に従いスピン電流動作で作動させるものとする。発明の較正可能な磁界センサおよび較正方法をより詳しく説明するため、励磁線108にも測定段階中に、電流を供給する。
【0073】
図6は、再び図5の磁界センサ100の実施例を示し、説明を明瞭にするため、動作モードを説明するために関連の参照番号のみを示す。図6では、電流は励磁線108を介して流れ、こうして較正磁界が発生する。図6においては、較正磁界の磁界線の方向を示す矢印が、すべての縦型ホールセンサ素子の隣に存在する。また、図6のホールセンサ素子対106c〜d等のひとつのホールセンサ素子対内の2つの縦型3ピンホールセンサ素子は、スピン電流モードで作動させることを想定する。
【0074】
図7は、センサ素子106b,106d,102cおよび102dに関して磁界線200のパターンを再び示す図である。発生する磁界が、あるときは正の方向にまたあるときは負の方向に、縦型ホールセンサ素子106bおよび106dに作用するので、一本の励磁線での励磁は、当初無理のように思われる。縦型3ピンホールセンサ素子106a〜dおよび104a〜らdの、スピン電流動作、すなわち測定段階0〜3における動作のモードを考えれば、ひとつの測定段階で、1つのホールセンサ素子対が各々分圧器として機能して、磁界成分を検出しないのは明らかである。
【0075】
スピン電流動作で作動させる2つの縦型ホールセンサ素子対が、1つのセンサ素子構成において交互にのみ活性化されるので、単独の励磁線108を使用することが可能である。励磁線の電流は、個々の測定段階で切り替えられ、その励磁方向が変更され、それぞれの活性状態で同じ方向にホールセンサ素子対を励磁する。横型センサ102cおよび102dについては、それらは、一方の測定段階では正方向に、もう一方の測定段階では負の方向に励磁されることを意味する。したがって、完全なセンサが動作可能になるように、スピン電流動作の4つの段階すべてを考える必要がある。
【0076】
以下の表において発明の構成の制御を示す。制御電圧の列では、制御電流印加の端子を示し、ホールタッピングの列では、ホール電圧がタッピングされる端子を示し、励磁の列では、励磁電流の極性を示し、ホール電圧の列では、ホール電圧の符号を示し、かつ残りの2つの列では、較正磁界の較正磁界成分の極性を示す。
【0077】
【表1】
【0078】
励磁線108は、測定段階0における正の電流を給電され、測定段階1と2では負の電流を給電され、測定段階3では再び正の電流を給電される。このことは、較正が実行されている間に、ホール電圧が測定できるという効果がある。縦型ホールセンサ素子104a〜dおよび106a〜dについては、測定段階0と1の間に励磁線108の符号の変更が起こり、同じ方向にそれぞれ活性の縦型ホールセンサ素子に較正磁界が印加される。また、縦方向ホールセンサ素子104a〜dおよび106a〜dに関して、測定段階0〜1から測定段階2〜3に較正磁界の符号の変更が起こり、それにより4つすべてのスピン電流段階を加算すると、相互に相殺し合う較正磁界成分が生じる。4つの測定段階の間に、4つの測定されたホール電圧UHを加算する場合には、符号を訂正する方式で、実際のホール電圧を加算するので、この過程においては、測定磁界に起因し得る部分だけが残る。
【0079】
横型ホールセンサ素子102a〜dに関しては、較正磁界は、同方向にすべての横型ホールセンサ素子に印加される。これは、励磁線1208における電流の符号が変わるたびに、それぞれの較正磁界成分と起因測定電圧の符号の変更が生じることを意味する。これも、4つのスピン電流段階で測定されるすべての測定信号を加算する際に、較正磁界の部分が相互に相殺し合い、測定磁界の部分が建設的な形で重なり、かつ理想的な場合においては、較正磁界について調節されるという効果を有する。実際には、合計測定値の10%、1%または0.1%を下回るオーダの許容誤差の範囲までの較正磁界成分の減少が可能である。
【0080】
測定を行っている間、すなわち、磁界センサが磁界内にある時に、較正を行うことを可能にするため、同じ工程を適用する。縦型ホールセンサ素子104a〜dおよび106a〜dに関しては、較正磁界は、測定段階0および1においては正の方向に付与され、一方、測定段階2および3においては、活性の縦型ホールセンサ素子に対して負の方向に較正磁界が付与される。そこで、最初の2つの段階からの測定信号を加算し、かつ、次の2つの測定段階の測定信号を減算することにより、較正ホール電圧を得ることができる。これにより、測定される実際の信号が得られるが、これは、単に互いに相殺し合う、測定磁界に帰する測定信号を意味し、一方、較正磁界に起因する測定信号のみが建設的な態様で重なる。個々の測定段階からの測定信号をそれぞ結合させて、他に測定する磁界が同時に存在する場合でも、較正磁界成分を抽出することができる。
【0081】
横型ホールセンサ素子102a〜dに関しては、較正磁界は、測定段階0および3において、正の方向に印加され、かつ測定段階1および2においては負の方向に印加される。較正磁界に起因する較正ホール電圧は、こうして、測定段階0および3の測定信号を加算し、かつ、測定段階1および2の測定信号を減算することにより得ることができる。この場合、理想的な場合では、測定磁界成分が互いを完全に打ち消しあうので、それぞれ結合させることにより、較正磁界にのみ起因する測定信号を抽出することができる。実際には、合計測定値の10%、1%または0.1%を下回るオーダの許容誤差の範囲まで測定磁界成分を減少させることができる。
【0082】
4つのスピン電流測定段階において測定された測定信号を加算することによりすべてのホールセンサにおいて、測定磁界成分に起因する測定信号が得られる。
【0083】
最大ホール電圧=個々の測定段階0〜3の信号の合計
【0084】
較正磁界成分を抽出するために、4つの測定段階または、スピン電流段階それぞれからの測定信号を以下の通り加算する。
【0085】
縦型センサの較正磁界成分=測定段階0+測定段階1-測定段階2-測定段階3。
【0086】
横型センサの較正磁界成分=測定段階0−測定段階1-測定段階2+測定段階3。
【0087】
原則的には、励磁電流の極性を逆転させ、かつ測定段階を交換することにより他の結合の選択肢を提供することができる。本発明によれば、一般に、それぞれ測定信号の異なる結合により、測定磁界成分をより少ない較正磁界成分で、または較正磁界成分をより少ない測定磁界成分で抽出することが可能である。測定磁界に起因する測定信号成分は理論的にはこの一次結合により排除され、1つの較正磁界成分のみが残る。実際の応用においては、測定磁界の影響は、較正磁界成分を抽出する記載のタイプの一次結合によりかなり抑制することができる。他の一次結合によれば、オフセットが補償された測定磁界成分を抽出するため較正磁界成分を概ね抑制することが可能である。実際には、合計測定値の10%、1%または0.1%を下回るオーダでの割合まで較正磁界成分を減少させることができる。
【0088】
図8は、第1のセンサ素子構成102の他の実施例の図である。図8は、2つの横型ホールセンサ素子対を各々正方形に配置し、個々の横型ホールセンサ素子対が参照点101に対して対角線上に配列される実施例を示す図である。ここで、第1のセンサ素子構成102は、全部で4つの横型ホールセンサ素子102a〜dからなる。また、すべてのホールセンサ素子102a〜dは、4つの接点電極K1〜K4を有する。図8に示す実施例では、個々のホールセンサ素子102a〜dの接点電極K1、接点電極K2、接点電極K3および接点電極K4が並列に接続され、介在するスィッチなしに互いに直結されている。この図では、ホールセンサ素子102a〜dの接点電極K1および接点電極K3は、電流印加接点を構成し、一方、ホールセンサ素子102a〜dの接点電極K2および接点電極K4は、ホール電圧を検出するための測定端子を提供する。動作電流を供給するための接点電極とホール電圧を検出するための接点電極とが個々のホールセンサ素子に配設され、印加された動作電流の電流方向がそれぞれタッピングされたホール電圧の方向に対して直角をなすようになっている。
【0089】
本件の構成では、各ホールセンサ素子対の2つのホールセンサ素子、すなわち102aおよび102dまたは102bおよび102cにおける動作電流方向は、相互に90°回転させる。第2のホールセンサ素子対の電流方向は、第1のホールセンサ素子対の電流方向に関して45°の角度でオフセットされている。
【0090】
本発明のホールセンサ構成の実際の実現例では、すべての対の2つのホールセンサ素子における動作電流方向が、相互に対して回転させられる角度が、90°という理想的な値からずれる可能性があり、たとえば80°から100°という範囲にわたることが可能で、この範囲の角度は、本実施例の観点からは、実質的に90°という角度として考えることができる。ホールセンサ素子102a〜dの結線された接点電極K1、K2、K3およびK4が、各々、4つの位置、すなわち接点電極K1,K2,K3およびK4の間で切り替え可能なスィッチS1,S2,S3およびS4に接続される。スィッチS1〜S4で、接点電極K1〜K4は、動作電流IBを供給するための電源端子として、またはホールセンサ構成の個々の測定段階におけるホール電圧UHを検出するための測定端子としてともに切り替えることができる。こうして、スィッチを切り替えることにより、第1のセンサ素子構成102においてスピン電流法を行うことが可能になる。
【0091】
原則的には、他の実施例も可能である。ここに明示的に説明していないホールセンサ構成の他の実施例は、たとえば、2対を超える数のホールセンサ素子を使用するものなどが考えられる。これは、一般に2つまたは4つのホールセンサ素子の使用に限定されるわけではない、縦型ホールセンサ素子構成についてもあてはまる。より多い数のホールセンサが使用された場合でも、図8の実施例の場合と同様、各対の2つのホールセンサ素子における電流方向は相互に90°実質的にオフセットさせることが可能である。ここで、1対の2つのホールセンサ素子もホールセンサ素子の寸法に関して幾何学的に等しくかつ密に近接している必要があり、かつ、全体のセンサ構成において相互に下、隣、または対角線上に配列することができる。構成の幾何学的形状に関しては、ある一定の許容誤差の範囲において、測定する参照点を中心とした対称にすることが必要である。2以上のホールセンサ素子対の電流方向は、互いに対してかつ90°/nの角度で回転しており、nは使用されるすべてのホールセンサ素子対の数であり、2以上である。たとえば、3つのホールセンサ素子が使用される場合、個々のホールセンサ素子対における電流の方向は、実質的に30°の角度でオフセットされることになる。センサ構成のセンサ素子対は、相互に隣に配設されるか、または、二次対角に配列され、ホールセンサ素子が、できるだけ相互に近接して対にされている。
【0092】
要するに、測定動作中に較正可能な磁気3Dポイントセンサに関する発明の概念については、本発明の実施例の磁気センサも単一の励磁導体しか必要としないと言える。本件は、3つの磁界成分すべてが1点で非常に良好な近似値で測定でき、装置の許容誤差、半導体材料の汚染、半導体材料における構造的非均一性などで発生するオフセットを、たとえばスピン電流の原理により補償することができ、かつそのため測定値は、ほとんどオフセットなして得られる点が有利である。任意数の巻き線を有し得る励磁ループを使用することにより、3つ全部のセンサのオンチップテストである単純な基板テストが可能になる。また、測定磁界成分に起因する測定信号部分および較正磁界成分に起因する測定信号部分の両方をかなり減らすことができるため、個々の測定段階からの測定信号を結合することにより、測定動作を行っている間に自己テストを行うことが可能である。こうして、動作中に、この磁界センサにおける感度較正を行うことができる。別々の評価電子部品を有する3つのセンサ全てが故障する可能性は極めて低いので、励磁ループ自体をテストすることもできる。
【0093】
さらに、本発明について、縦型3ピンホールセンサを例にとって説明したが、発明は、一般にこれらのセンサについてのみ限定されるわけではない。たとえば、5ピンホールセンサ(たとえば特許文献1および特許文献2を参照)または一般にいずれのセンサを使用することも可能で、円形または円弧型の構成も可能である。磁界センサの幾何学的形状については、使用するセンサ素子構成が各々共通の参照点で磁界を検出する必要があり、これは、上記の説明と同様、対にして参照点を中心に対称に配置することで実質的に達成可能である。補償方法と較正方法を意味する測定方法は、こうしてそれぞれのホールセンサおよびその幾何学的形状に適用することができる。
【0094】
なお、状況に応じて、発明の方法はソフトウエアでも実現できる。これは、それぞれの方法を実行するようプログラマブル・コンピュータ・システムおよび/またはマイクロコントローラと協働可能な、電気的に読み出し可能な制御信号を用いて、特に、ディスクまたはCD等のデジタル記憶媒体上で実現可能である。一般には、本発明は、コンピュータプログラム製品がコンピュータおよび/またはマイクロコントローラ上で実行される場合に、機械読み出し可能なキャリア上に記憶された発明の方法を実行するためのプログラムコードを有するコンピュータプログラム製品からも構成される。言い換えれば、本発明は、方法を実施するためのプログラムコードを有する、コンピュータおよび/またはマイクロコントローラ上で実行されるコンピュータプログラムとしても実現できる。
【符号の説明】
【0095】
101 参照点、102、104、106 センサ素子構成、108 励磁線。
Claims (19)
- 共通の参照点(101)における磁界の第1、第2および第3の空間成分Bz、 ByおよびBxを検出するための測定動作中に較正可能な磁界センサ(100)であって、磁界が、第1、第2および第3の測定磁界成分BMz、 BMyおよびBMxならびに/または第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、BKyおよびBKxを有し、該センサは、
共通の参照点(101)における第1の空間軸zに対しての、第1の測定磁界成分BMzおよび/または第1の較正磁界成分BKzを有する第1の磁界成分Bzを検出するための第1のセンサ素子構成(102)と、
共通の参照点(101)における第2の空間軸yに対しての、第2の測定磁界成分BMyおよび/または第2の較正磁界成分BKyを有する第2の磁界成分Byを検出するための第2のセンサ素子構成(104)と、
共通の参照点(101)における第3の空間軸xに対しての、第3の測定磁界成分BMxおよび/または第3の較正磁界成分BKxを有する第3の磁界成分Bxを検出するための第3のセンサ素子構成(106)と、
所定の電流を励磁線(108)に印加する際に、第1のセンサ素子構成(102)における第1の空間軸zに対して第1の所定の較正磁界成分BKzを発生し、第2のセンサ素子構成(104)における第2の空間軸yに対して第2の所定の較正磁界成分BKyを発生し、かつ第3のセンサ素子構成(106)における第3の空間軸xに対して第3の所定の較正磁界成分BKxを発生するように、第1のセンサ素子構成(102)、第2のセンサ素子構成(104)および第3のセンサ素子構成(106)に対して配設された励磁線(108)とを含み、
3つの空間軸z、yおよびxは、一次独立の位置ベクトルに沿って存在する、磁界センサ。 - 第1のセンサ素子構成(102)、第2のセンサ素子構成(104)および第3のセンサ素子構成(106)を複数の動作段階で作動させることができ、第1のセンサ素子構成(102)、第2のセンサ素子構成(104)および第3のセンサ素子構成(106)の各々を全ての動作段階で、動作段階に起因する測定信号を与えるように実現する、請求項1に記載の磁界センサ。
- 第1のセンサ素子構成(102)、第2のセンサ素子構成(104)および第3のセンサ素子構成(106)の各々が、動作段階に起因する測定信号を与えるように実現され、動作段階に起因する測定信号が第1の一次結合によって第1の結合測定値に結合されることが可能で、それにより第1の結合測定値における測定磁界成分の影響が抑えられ、または動作段階に起因する測定信号を第2の一次結合によって第2の結合測定値に結合することが可能で、それにより、第2の結合測定値における較正磁界成分の影響が抑えられる、請求項2に記載の磁界センサ。
- 動作段階に起因する測定信号を、第1の一次結合により第1の結合測定値に結合することができ、それにより第1の結合測定値における測定磁界成分の影響が、第1の結合測定値の10%、1%または0.1%未満まで抑えられる、請求項3に記載の磁界センサ。
- 動作段階に起因する測定信号を、第2の一次結合により第2の結合測定値に結合することができ、それにより、第2の結合測定値における較正磁界成分の割合が、第2の結合測定値の10%、1%または0.1%未満まで抑えられる、請求項3に記載の磁界センサ。
- 第1のセンサ素子構成(102)が、磁界センサの主表面に対して水平なホールセンサ素子を有する、請求項1から5のいずれかに記載の磁界センサ。
- 第1のセンサ素子構成(102)が磁界センサの主表面に対して水平な複数のホールセンサ素子を有し、複数の横型ホールセンサ素子の幾何学的配列は、対にされて、共通の参照点(101)に対して対称であり、かつオフセットが補償された態様で磁界成分が検出できるように、ホールセンサ素子が相互に結合される、請求項1から6のいずれかに記載の磁界センサ。
- 第2のセンサ素子構成(104)が磁界センサの主表面に対して垂直な2つ以上のホールセンサ素子を有し、この2以上の縦型ホールセンサ素子の幾何学的配列は、対にされて、共通の参照点(101)に対して対称であり、かつオフセットが補償された態様で磁界成分が検出できるように、相互に結合される、請求項1から7のいずれかに記載の磁界センサ。
- 第3のセンサ素子構成(106)が、磁界センサの主表面に対して垂直な2以上のホールセンサ素子を有し、この2以上の縦型ホールセンサ素子の幾何学的配列は、対にされて、共通の参照点(101)に対して対称であり、かつオフセットが補償された態様で磁界成分が検出できるように、相互に結合される、請求項1から8のいずれかに記載の磁界センサ。
- 第1のセンサ素子構成(102)、第2のセンサ素子構成(104)および第3のセンサ素子構成(106)をスピン電流モードで作動できる、請求項1から9のいずれかに記載の磁界センサ。
- 共通の参照点(101)における磁界の第1、第2および第3の空間成分Bz、 ByおよびBxを検出することにより、測定動作中に磁界センサを較正するための方法であって、磁界が、第1、第2および第3の測定磁界成分BMz、 BMyおよびBMxならびに/または第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、BKyおよびBKxを有し、該方法は、
共通の参照点における第1の空間軸zに対して、第1の測定磁界成分BMzおよび/または第1の較正磁界成分BKzを有する第1の磁界成分Bzを検出するステップと、
共通の参照点における第2の空間軸yに対して、第2の測定磁界成分BMyおよび/または第2の較正磁界成分BKyを有する第2の磁界成分Byを検出するステップと、
共通の参照点における第3の空間軸xに対して、第3の測定磁界成分BMxおよび/または第3の較正磁界成分BKxを有する第3の磁界成分Bxを検出するステップと、
第1、第2および第3の空間軸z、yおよびxに対して、第1、第2および第3の較正磁界成分BKz、 BKyおよびBKxを発生するステップとを含み、第1、第2、および第3の空間軸は、一次独立の位置ベクトルに沿って存在する、方法。 - 検出ステップが、複数の動作段階の間に反復され、動作段階における第1の磁界成分Bz、第2の磁界成分Byおよび第3の磁界成分Bxに起因する測定信号が検出される、請求項11に記載の方法。
- 第1の結合測定値における測定磁界成分の影響が抑えられるよう、動作段階に起因する磁界成分の測定信号を第1の一次結合によって第1の結合測定値に結合するステップと、または、第2の結合測定値における測定磁界成分の影響が抑えられるよう、動作段階に起因する磁界成分の測定信号を第2の一次結合によって第2の結合測定値に結合するステップとをさらに含む、請求項11または12に記載の方法。
- 動作段階に起因する磁界成分の測定信号を、第1の一次結合により第1の結合測定値に結合するステップを、第1の結合測定値における測定磁界成分の割合が、第1の結合測定値の10%、1%または0.1%未満まで抑えられるように行う、請求項13に記載の方法。
- 動作段階に起因する磁界成分の測定信号を、第2の結合により第2の結合測定値に結合するステップを、第2の結合測定値における較正磁界成分の割合が、第2の結合測定値の10%、1%または0.1%未満まで抑えられるように行う、請求項13に記載の方法。
- 動作段階に起因する磁界成分の測定信号を、オフセットが補償された態様で磁界成分が検出できるように、結合するステップをさらに含む、請求項12から15のいずれかに記載の方法。
- 動作段階が、スピン電流法により実現される、請求項12から16のいずれかに記載の方法。
- 励磁電流強度、測定磁界成分または較正のための較正磁界成分を記憶するステップと、
励磁電流強度をそれぞれ較正磁界成分または磁界強度に帰するものとするステップと、
測定磁界成分と磁界強度の値の対を与えるステップとをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - コンピュータ上で実行される、請求項11に記載の方法を実行するためのコンピュータ上で実行されるプログラムコードを有するコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006037226.3 | 2006-08-09 | ||
DE200610037226 DE102006037226B4 (de) | 2006-08-09 | 2006-08-09 | Im Messbetrieb kalibrierbarer magnetischer 3D-Punktsensor |
PCT/EP2007/005690 WO2008017348A2 (de) | 2006-08-09 | 2007-06-27 | Im messbetrieb kalibrierbarer magnetischer 3d-punktsensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010500536A JP2010500536A (ja) | 2010-01-07 |
JP5203367B2 true JP5203367B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=38921986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523161A Expired - Fee Related JP5203367B2 (ja) | 2006-08-09 | 2007-06-27 | 測定動作時に較正可能な磁気3dセンサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9024622B2 (ja) |
EP (1) | EP2049910B1 (ja) |
JP (1) | JP5203367B2 (ja) |
DE (1) | DE102006037226B4 (ja) |
WO (1) | WO2008017348A2 (ja) |
Families Citing this family (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007041230B3 (de) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kalibrierbarer mehrdimensionaler magnetischer Punktsensor sowie entsprechendes Verfahren und Computerprogramm dafür |
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US8749005B1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-10 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and method of fabricating a magnetic field sensor having a plurality of vertical hall elements arranged in at least a portion of a polygonal shape |
US9606190B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-03-28 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor arrangements and associated methods |
US9417295B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-08-16 | Allegro Microsystems, Llc | Circuits and methods for processing signals generated by a circular vertical hall (CVH) sensing element in the presence of a multi-pole magnet |
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- 2007-06-27 US US12/376,750 patent/US9024622B2/en active Active
- 2007-06-27 WO PCT/EP2007/005690 patent/WO2008017348A2/de active Application Filing
- 2007-06-27 EP EP20070764888 patent/EP2049910B1/de active Active
Also Published As
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DE102006037226B4 (de) | 2008-05-29 |
DE102006037226A1 (de) | 2008-02-14 |
US20120016614A1 (en) | 2012-01-19 |
JP2010500536A (ja) | 2010-01-07 |
EP2049910A2 (de) | 2009-04-22 |
EP2049910B1 (de) | 2009-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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