JP5201538B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
本出願は、2007年3月7日に出願された日本国特許出願2007−056693を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
1−1.基本構造
図6は、本実施の形態に係る磁気メモリセル1(磁気抵抗素子)の一例を示している。磁気メモリセル1は、強磁性体層である磁気記録層10とピン層30、及び非磁性体層であるトンネルバリヤ層20を備えている。トンネルバリヤ層20は、磁気記録層10とピン層30に挟まれており、これら磁気記録層10、トンネルバリヤ層20、及びピン層30によって磁気トンネル接合(MTJ)が形成されている。
再度図6を参照して、本実施の形態に係る磁気メモリセル1は、更に、非磁性金属層51、52を備えている。非磁性金属層51は、磁気記録層10の第1磁化固定領域11の少なくとも一部に隣接して設けられている。非磁性金属層52は、磁気記録層10の第2磁化固定領域12の少なくとも一部に隣接して設けられている。非磁性金属層51、52は、磁化固定領域11、12に接触していてもよいし、Cu層やTa層を介して磁化固定領域11、12に接続されていてもよい。非磁性金属層51、52の材料としては、PtやPdが挙げられる。非磁性金属層51、52は、Pt、Pdの少なくともいずれかで形成されていればよい。
次に、磁気メモリセル1に対するデータの書き込み原理を説明する。データ書き込みは、スピン注入を利用した磁壁移動方式で行われる。書き込み電流は、MTJを貫通する方向ではなく、磁気記録層10内を平面的に流れる。その書き込み電流は、上記電流供給端子15、16から磁気記録層10に供給される。
本実施の形態における磁壁移動を更に詳細に説明することにより、制動領域R1、R2の作用及び効果を示す。
図12は、磁気記録層10の変形例を示している。図12において、第1制動領域R1は、第1磁化固定領域11と磁化反転領域13の第1境界B1との間に介在している。つまり、第1制動領域R1は、第1磁化固定領域11から独立して設けられている。第1磁化固定領域11は、第1制動領域R1を介して磁化反転領域13に接続されている。また、第2制動領域R2は、第2磁化固定領域12と磁化反転領域13の第2境界B2との間に介在している。つまり、第2制動領域R2は、第2磁化固定領域12から独立して設けられている。第2磁化固定領域12は、第2制動領域R2を介して磁化反転領域13に接続されている。このような構造でも同じ効果が得られる。
図15は、本実施の形態に係るMRAMの構成の一例を示している。図15において、MRAM60は、複数の磁気メモリセル1がマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ61を有している。このメモリセルアレイ61は、データの記録に用いられる磁気メモリセル1と共に、データ読み出しの際に参照されるリファレンスセル1rを含んでいる。リファレンスセル1rの構造は、磁気メモリセル1と同じである。
Claims (7)
- 磁壁移動方式の磁気ランダムアクセスメモリであって、
強磁性層である磁気記録層と、
非磁性層を介して前記磁気記録層に接続されたピン層と
を具備し、
前記磁気記録層は、
反転可能な磁化を有し前記ピン層とオーバーラップする磁化反転領域と、
前記磁化反転領域の第1境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、
前記磁化反転領域の第2境界に接続され、磁化の向きが第2方向に固定された第2磁化固定領域と
を有し、
前記第1方向及び前記第2方向は共に、前記磁化反転領域へ向かう方向、又は、前記磁化反転領域から離れる方向であり、
スピンの歳差運動に対する制動の強さが制動係数で表されるとき、
前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の少なくとも一部分における前記制動係数は、前記磁化反転領域における前記制動係数よりも大きく、
前記少なくとも一部分には、Pt、Pd、Bからなる群から選ばれた少なくとも1つのイオンが注入されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記少なくとも一部分は、前記第1境界及び前記第2境界に接している
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域は、互いに略平行となるように形成され、
前記磁化反転領域は、前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域との間をつなぐように形成された
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項3に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域は、前記第1方向と前記第2方向が同じになるように形成された
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項3に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記磁化反転領域、前記第1磁化固定領域、及び前記第2磁化固定領域は、同一平面上に直線状に形成され、
前記第1方向と前記第2方向は逆方向である
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域との間を流れる電流により、磁壁が前記磁化反転領域中を移動する
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 磁壁移動方式の磁気ランダムアクセスメモリであって、
強磁性層である磁気記録層と、
非磁性層を介して前記磁気記録層に接続されたピン層と
を具備し、
前記磁気記録層は、
反転可能な磁化を有し前記ピン層とオーバーラップする磁化反転領域と、
磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、
磁化の向きが第2方向に固定された第2磁化固定領域と、
前記磁化反転領域の第1境界と前記第1磁化固定領域との間に介在する第1制動領域と、
前記磁化反転領域の第2境界と前記第2磁化固定領域との間に介在する第2制動領域と
を有し、
前記第1方向及び前記第2方向は共に、前記磁化反転領域へ向かう方向、又は、前記磁化反転領域から離れる方向であり、
スピンの歳差運動に対する制動の強さが制動係数で表されるとき、
前記第1制動領域及び前記第2制動領域における前記制動係数は、前記磁化反転領域における前記制動係数よりも大きい
磁気ランダムアクセスメモリ。
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