JP5195903B2 - 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法 - Google Patents

電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5195903B2
JP5195903B2 JP2010505481A JP2010505481A JP5195903B2 JP 5195903 B2 JP5195903 B2 JP 5195903B2 JP 2010505481 A JP2010505481 A JP 2010505481A JP 2010505481 A JP2010505481 A JP 2010505481A JP 5195903 B2 JP5195903 B2 JP 5195903B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
electronic component
resin layer
conductive post
surface mount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010505481A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009122835A1 (ja
Inventor
豊 森木田
祐治 片岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010505481A priority Critical patent/JP5195903B2/ja
Publication of JPWO2009122835A1 publication Critical patent/JPWO2009122835A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5195903B2 publication Critical patent/JP5195903B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615Means for depositing
    • H01L2224/76151Means for direct writing
    • H01L2224/76155Jetting means, e.g. ink jet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07Electric details
    • H05K2201/0707Shielding
    • H05K2201/0715Shielding provided by an outer layer of PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10636Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4647Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer around previously made via studs
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、表面実装部品が搭載された回路基板と、表面実装部品を覆う樹脂層と、樹脂層の表面に設けられ、シールド層等として機能する導電体層とを有する電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法に関する。
移動体通信機等の電子機器に用いられる電子部品は、市場における小型化、多機能化の要求が強まるにつれて、セラミック、合成樹脂等で構成された回路基板上に各種の表面実装部品を搭載した高周波モジュールの形態で使用されることが多い。
このような高周波モジュールが配置される筐体、マザーボード等にて、周辺に配置される各種の電気素子から電磁気的な影響を受けるのを避けるため、又は各種の電気素子に対して電磁気的な影響を与えることを防ぐため、回路基板に搭載されている表面実装部品をグランド電位にあるシールド層で覆う構成を採用することがある。
例えば特許文献1には、表面実装部品の埋設された樹脂層の表面にシールド効果を有する導電膜を設け、回路基板上に設置された導電性を有するピン状のグランド端子を介して、回路基板と導電膜とを直接的に接続した高周波モジュールが開示されている。また、特許文献2には、同じく、表面実装部品の埋設された樹脂層の表面にシールド効果を有する導電膜を設け、回路基板上に設置された導電性を有するブロック状の仕切り部材を介して、回路基板と導電膜とを直接的に接続したモジュール部品が開示されている。
特開2000−223647号公報 特開2005−317935号公報
しかし、特許文献1及び2に開示されているいずれのモジュールにおいても、回路基板上にピン状のグランド端子、ブロック状の仕切り部材等を設置する必要があるため、回路基板上にグランド端子、仕切り部材等を設置するためのスペースが必要となり、回路基板の小型化、ひいては電子部品モジュールの小型化の妨げとなっている。
すなわち、表面実装部品が搭載された回路基板と、表面実装部品を覆う樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電膜とを備える構成を有した、いわゆる導電膜付き樹脂封止タイプの電子部品モジュールにおいて、回路基板と導電膜とをピン状のグランド端子、ブロック状の仕切り部材等の導電性部材で直接的に接続する構成では、回路基板上に導電性部材を設置するためのスペースが必要となるため、回路基板の小型化には限界がある。
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、回路基板上のスペースを有効に活用することができ、回路基板を小型化することができる電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも1つの表面実装部品が搭載された回路基板と、前記表面実装部品を覆う樹脂層と、該樹脂層の表面に形成された導電体層とを有する電子部品モジュールにおいて、前記表面実装部品上に少なくとも1つの導電性ポストが形成され、前記表面実装部品と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続され、前記導電性ポストは、前記表面実装部品側から前記導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有していることを特徴とする電子部品モジュールを提供する。
また本発明は、少なくとも1つの表面実装部品が搭載された回路基板を準備する工程、前記表面実装部品上に、所定高さの導電性ポストを形成する工程、前記回路基板上に前記表面実装部品を覆う樹脂層を設け、前記導電性ポストの一部を前記樹脂層の表面に露出させる工程、及び前記樹脂層の表面に、前記樹脂層の表面に露出した前記導電性ポストに導電接続する導電体層を形成する工程を含み、前記導電性ポストを、前記表面実装部品側から前記導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有するように形成することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法を提供する。
本発明の電子部品モジュールによれば、樹脂層表面の導電体層は、回路基板に搭載された表面実装部品上に形成された導電性ポストによって、表面実装部品に導電接続されているため、回路基板上のスペースを有効に活用することができ、回路基板の小型化、ひいては電子部品モジュールの小型化を図ることが可能となる。また、導電性ポストは、表面実装部品側から導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有しているので、樹脂層を形成する場合、特に樹脂シートをラミネートする場合に、導電性ポストを破損することなく、回路基板上に均一かつ平坦に樹脂層を形成することができる。
また、本発明の電子部品モジュールの製造方法によれば、電子部品モジュールを再現性良く製造することができ、特に回路基板に搭載された表面実装部品上に導電性ポストを形成してから樹脂層を設けるので、表面実装部品を覆う樹脂層に導電性ポストを形成するための穴をあらかじめ形成しておく必要がなく、電子部品モジュールを効率良く製造することができる。また、導電性ポストは、表面実装部品側から導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有しているので、樹脂層を形成する場合、特に樹脂シートをラミネートする場合に、導電性ポストを破損することなく、回路基板上に均一かつ平坦に樹脂層を形成することができる。
本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 導電体層が樹脂層の側面にも形成された場合の本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 回路基板と導電体層とを直接的に接続する導電性ポストを含む場合の本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの表面実装部品が搭載された状態を示す断面図である。 本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの導電性ポストを形成している状態を示す断面図である。 本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの樹脂層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの樹脂層を所定厚み分研磨する状態を示す断面図である。 本発明の実施例1に係る電子部品モジュールの導電性ポストの一部が硬化した樹脂層の表面に露出した状態を示す断面図である。 本発明の実施例2に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施例3に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施例4に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の実施例5に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
符号の説明
1 回路基板
2、3 表面実装部品
4 樹脂層
5 導電体層
6 導電性ポスト
7、8 電極パッド
9 はんだ
11 電子部品モジュール
以下、本発明を具体例に基づいて説明する。
<実施例1>
まず、図1を参照して実施例1の電子部品モジュールの構成を説明する。図1は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施例1の電子部品モジュール11は、表面実装部品2、3、3が搭載された回路基板1と、表面実装部品2、3、3を覆う樹脂層4と、樹脂層4の表面に形成された導電体層5とを有する。そして、表面実装部品3、3の上面に導電性ポスト6、6が形成されており、表面実装部品3と導電体層5とは導電性ポスト6を介して導電接続されている。
より具体的に言うと、電子部品モジュール11において、回路基板1の上側の面には複数の電極パッド8が設けられており、表面実装部品2、3、3は、回路基板1の各電極パッド8にはんだ9等の導電性接合材を介してそれぞれ電気的に接続されている。また、回路基板1の下側の面には、マザーボード(図示省略)等への接続用電極となる複数の電極パッド7が設けられている。また、表面実装部品2、3、3は、樹脂層4によって封止、密封されており、これによって、表面実装部品2、3、3の回路基板1への固定、ならびに、表面実装部品2、3、3の外部環境からの保護がなされている。
導電性ポスト6に接続された表面実装部品3は、一般的な積層型チップコンデンサのように、その直方体状の部品素体3aの端面および端面に隣接した側面の一部に連続的に形成された外部電極3bを有し、表面実装部品3の外部電極3bは、回路基板1側で回路基板1の電極パッド8に接続されるとともに、反対側で導電性ポスト6に接続されている。つまり、本実施例1において、導電性ポスト6は表面実装部品3の外部電極3b上に形成されており、導電体層5と表面実装部品3の外部電極3bとは、導電性ポスト6を介して電気的に接続されている。
特に、本実施例1では、表面実装部品3の外部電極3bはグランド電位にあり、外部電極3bと導電体層5とが導電性ポスト6を介して電気的に接続されることにより、導電体層5はシールド層として機能している。なお、シールド層として機能する導電体層5は、樹脂層4の上面全域に設けられていることが好ましいが、その一部、例えば他の電気素子に電磁気的な影響を与えやすい表面実装部品3、あるいは他の電気素子から電磁気的な影響を受けやすい表面実装部品3の上側部分のみに形成されていてもよい。また、導電体層5は、樹脂層4の上面に加えて、電子部品モジュール11の側面全域に形成されていてもよいし、あるいは樹脂層4の側面に形成されていてもよい。
図2は、導電体層5が樹脂層4の側面にも形成された場合の本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の構成を示す断面図である。図2に示すように、導電体層5は、表面実装部品3の上側部分のみではなく、樹脂層4の側面にも形成されている。
導電体層5を樹脂層4の側面にも形成する場合、樹脂層4が形成された状態で、電子部品モジュール11として切り出す境界部分において、所定の深さまで溝状の切り込み部をブレード等を用いて形成する。切り込み部の内部が流動性を持つ導電材料で十分に充填されるよう塗布することにより、切り出した電子部品モジュール11の側面に導電体層5が形成される。
切り込み部を形成する深さは、回路基板1に到達してもよいし、到達しなくてもよい。回路基板1に到達した場合にはより信頼性の高いシールド層として機能させることができ、到達していない場合であっても切り込み部の形成を樹脂層4だけに施せば足りることから、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
表面実装部品2は、半導体ベアチップ、半導体パッケージ等のチップ型能動部品であって、表面実装部品3は、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等のチップ型受動部品である。回路基板1としては、主としてセラミック材料からなるセラミック基板、合成樹脂材料からなる樹脂基板等を用いることができ、コンデンサ、インダクタ等の機能素子や引き回し配線等、所定の回路パターン(図示省略)を表面及び/又は内部に有する。また、樹脂層4としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、強度、誘電率、温度特性、粘性等をコントロールすることを目的として、材料中にセラミック等のフィラー成分を含有させてもよい。
また、導電性ポスト6は、本実施例1のように、複数形成することができる。なお、導電性ポスト6は、少なくとも1つの表面実装部品2又は3上に形成されていればよく、1つの電子部品モジュール11に複数の導電性ポスト6を有する場合、表面実装部品2、3と導電体層5とを接続する導電性ポスト6に加えて、回路基板1と導電体層5とを直接的に接続する導電性ポスト6が含まれていてもよい。また、シールド性の強化等の要求に応じて、1つの表面実装部品2又は3上に複数の導電性ポスト6、6、・・・を形成してもよい。
なお、導電性ポスト6は、流動性を持つ導電材料を積み重ねた後に固化させることにより形成したものであることが好ましく、特に積み重ねた導電材料を所定温度で焼成することによって得られた焼結金属であることが好ましい。導電性ポスト6が焼結金属である場合、導電性ポスト6自体の強度が高く、また樹脂層4の硬化時の熱に対しても変形しにくいので、樹脂層4の形成時等における導電性ポスト6の破損を最小限に抑制することができる。
また、導電性ポスト6は、表面実装部品2、3側から導電体層5側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有していることが好ましい。このように、導電体層5に近接するほど断面積が小さくなるような、すなわち先端部側が細くなるようなテーパ形状を有していることにより、樹脂層4を形成する場合、特に樹脂シートをラミネートする場合に、導電性ポスト6を破損することなく、回路基板1上に均一かつ平坦に樹脂層4を形成することができる。
なお、導電性ポスト6の高さ、すなわち表面実装部品2、3から導電体層5までの長さは、導電性ポスト6の強度、信頼性等を確保するために、30〜300μmが好ましく、また、その径は、断面が円形状である場合、表面実装部品2、3の小型化に対応するため、20〜100μmが好ましい。
図3は、回路基板1と導電体層5とを直接的に導電接続する導電性ポスト6を含む場合の本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の構成を示す断面図である。図3に示すように、導電性ポスト6は、表面実装部品2及び3の上側部分にて導電体層5と導電接続するだけでなく、回路基板1と導電体層5とを直接的に導電接続してもよい。
導電性ポスト6は、表面実装部品3の外部電極3b又は回路基板1の上に流動性を持つ導電材料を積み重ねていき、固化させることにより所定の高さに形成する。流動性を持つ導電材料としては、例えば導電性粉末を溶剤に分散してなる導電性溶液を用いる。導電性溶液を、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等に基づき、ノズルの吐出口から複数回にわたって吐出することによって、導電性粉末を積み重ね、堆積させ、固化する。これにより、様々な高さの導電性ポスト6を容易に形成することができる。
なお、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等に基づいて導電性ポスト6を形成する場合、導電性溶液中に含まれる溶剤を一定の高さごとに揮発させることにより、底部から段階的に安定させることができる。したがって、導電性ポスト6の高さが比較的高くなった場合でも、強度、信頼性等を確保することができる。
このように、樹脂層4の表面の導電体層5は、表面実装部品3の上であって樹脂層4の中に形成された導電性ポスト6によって、表面実装部品3に電気的に接続されているため、回路基板1表面のスペースを有効に活用することができ、電子部品モジュール11を小型化、高密度化することができる。
次に、図4乃至図8を参照して、本実施例1の電子部品モジュール11の製造方法を説明する。図4は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の表面実装部品2、3、3が搭載された状態を示す断面図である。
はじめに、図4に示すように、表面実装部品2、3、3を搭載する回路基板1を準備する。なお、図4乃至図8の例では、回路基板1としてセラミック多層基板を用いている。
まず、低温焼結セラミック材料に有機バインダ、有機溶剤等を所定量混合して、セラミックスラリーを調製する。次いで、PET等のキャリアフィルム上にドクターブレード法等によってセラミックスラリーを塗布し、キャリアフィルムとともに所定の大きさに切断して、セラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートにレーザ等を用いて層間接続導体用孔を形成した後、形成された層間接続導体用孔に、低融点金属に有機バインダ、溶剤等を所定量混合してなる導電性ペーストを充填して、セラミックグリーンシートの所定箇所に層間接続導体を形成する。
同じく低融点金属に有機バインダ、溶剤等を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷等によって印刷し、所定の回路パターンとなるように、セラミックグリーンシート上に面内配線導体を形成する。このようにして、所定の回路パターンを有する層間接続導体、面内配線導体等を形成したセラミックグリーンシートを所定の枚数積み重ねて、未焼成セラミック積層体を作製する。次に、未焼成セラミック積層体を所定の温度で焼成して、回路基板1の上側の面及び下側の面に電極パッドを有するセラミック多層基板を得る。その後、必要に応じて、表面の電極パッド等にめっき膜を形成する。
次に、セラミック多層基板の上側の面の電極パッドに、スクリーン印刷等によりはんだ9を供給し、さらに表面実装部品2、3、3を搭載した後、リフロー炉に投入することによってはんだ9を溶融、固化させて、表面実装部品2、3、3をセラミック多層基板(回路基板)1の上側の面に固定する。そして、必要に応じて、はんだフラックスの除去等の洗浄処理を行うことによって、各種の表面実装部品2、3、3を搭載したセラミック多層基板からなる回路基板1を得ることができる。
なお、低温焼結セラミック材料としては、例えば、アルミナ、フォルステライト、コージェライト等のセラミック粉末
、これらのセラミック粉末にホウ珪酸等のガラスを混合したガラス複合系材料、ZnO−MgO−Al23 −SiO2 系等の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系材料、BaO−Al23 −SiO2 系セラミック粉末、Al23 −CaO−SiO2 −MgO−B23 系セラミック粉末等の非ガラス系材料を挙げることができる。低温焼結セラミック材料を用いることによって、層間接続導体、面内配線導体等としてAg、Cu等の低抵抗の低融点金属を用いることができ、その結果、Ag、Cu等を主成分とする導体パターンと未焼成セラミック積層体とを例えば1050℃以下の低温で同時焼成することができる。
図5は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の導電性ポスト6を形成している状態を示す断面図である。図5に示すように、回路基板1の上側の面に搭載された表面実装部品3の上に、所定高さの導電性ポスト6を形成する。より具体的に言うと、表面実装部品3の外部電極3bの上に流動性を持つ導電材料16を積み重ねていき、固化させることにより、所定高さの導電性ポスト6を形成する。例えば、流動性を持つ導電材料16として、導電性粉末を溶剤に分散してなる導電性溶液を用い、導電性溶液を、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等に基づき、ノズル15の吐出口から複数回にわたって吐出することによって、導電性粉末を積み重ね、堆積させ、固化することによって、所定高さの導電性ポスト6を形成することができる。なお、導電性ポスト6は、導電性溶液を用いたインクジェット法、ジェットディスペンサー法等の他、導電性ペーストのような流動性を持つ導電材料16をスクリーン印刷等の手法で所定箇所に複数回塗り重ね、固化することによって形成することもできる。
図6は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の樹脂層4aが形成された状態を示す断面図である。図6に示すように、導電性ポスト6及び表面実装部品2、3、3を覆うように、回路基板1上に未硬化状態の樹脂層4aを設ける。より詳細には、まず所定の高さの導電性ポスト6を形成した回路基板1上に、軟化状態にある樹脂シートのラミネート、液状樹脂のトランスファモールド、同じく液状樹脂のコーティング等によって、未硬化状態の樹脂層4aを形成する。ここでは、所定温度の熱を加え、液状樹脂等の粘度を低下させて流動性を高めた状態で、樹脂層4aを形成することが好ましい。なお、図6における樹脂層4aの厚みH2は、導電性ポスト6の高さH1(つまり、導電性ポスト6自体の高さに表面実装部品3の高さを加えた高さ)よりも厚くしておくことが好ましい。
図7は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の樹脂層4aを所定厚み分研磨する状態を示す断面図である。図7に示すように、樹脂層4aの所定厚み分を研磨ロール18を図中矢印方向に動かす等によって研磨することにより、樹脂層4aの表面を平坦化するとともに、樹脂層4aの表面に導電性ポスト6の一部を確実に露出させることができる。
なお、上述したように、導電性ポスト6は、特に導電材料を所定温度で焼成することによって得られた焼結金属であることが好ましい。導電性ポスト6が焼結金属である場合、導電性ポスト6自体の強度が高く、また後述する樹脂層4aの硬化時の熱に対しても変形しにくいので、破損を最小限に抑制することができる。また、導電性ポスト6は、表面実装部品3側から導電体層5側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有していることが好ましい。このように、導電体層5に近接するほど断面積が小さくなるような、すなわち先端部側が細くなるようなテーパ形状を有していることにより、樹脂層4aを形成する場合、特に樹脂シートをラミネートする場合に、導電性ポスト6を破損することなく、回路基板1上に均一かつ平坦に樹脂層4aを設けることができる。
次いで、未硬化状態の樹脂層4aを硬化させる。図8は、本発明の実施例1に係る電子部品モジュール11の導電性ポスト6の一部が、硬化した樹脂層4の表面に露出した状態を示す断面図である。図8に示すように、導電性ポスト6の一部が硬化した樹脂層4の表面に露出した状態であって、かつ導電性ポスト6が樹脂層4によって支持、固定された状態となる。その後、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、スピンコート等の手法によって、樹脂層4の表面に流動性を持つ導電材料を塗布し、硬化させることで、導電性ポスト6の露出部分に電気的に接続した導電体層5を形成することができる(図1参照)。なお、導電体層5は、流動性を持った導電材料の硬化によって形成してもよいが、金属箔を張り合わせることによって形成してもよい。
このような電子部品モジュール11の製造方法によれば、特に、回路基板1に搭載された表面実装部品2、3、3の上に導電性ポスト6を形成してから樹脂層4にて覆うので、樹脂層4を形成した後に導電性ポスト6を形成するための穴を形成する必要がなく、レーザ加工等によって表面実装部品2、3、3がダメージを受けることを回避することができ、信頼性の高い電子部品モジュールを効率良く製造することができる。また、樹脂層4を形成した後に導電性ポスト6を形成するための穴を形成する場合、このような用途に用いられる樹脂は一般的に黒色をしているので、穴の位置合わせが困難であるが、表面実装部品2、3、3の上に導電性ポスト6を形成してから樹脂層4を形成することにより、このような問題を回避することもできる。
以上、電子部品モジュール11の製造工程を単体の電子部品モジュール11について説明したが、複数の回路基板(子基板)を格子状に配列してなる集合基板(親基板)について、同様の工程を適用することができる。
この場合、上述の手順と同様の手順でセラミック多層基板の集合基板を作製し、集合基板の分割ライン上にブレイク用の溝を形成した後、上述の手順と同様の手順で表面実装部品2、3、3を搭載し、さらに、導電性ポスト6を形成する。上述の手順と同様にして、表面に導電性ポスト6の一部が露出するように樹脂層4を形成した後、樹脂層4にも分割ラインに沿ってブレイク用の溝を形成する。樹脂層4の表面に流動性を持った導電材料を塗布し、硬化させることで、導電性ポスト6の露出部分に電気的に接続した導電体層5を形成することができる。すなわち、樹脂層4に形成されるブレイク用の溝の深さをコントロールすることにより、樹脂層4の側面にも形成される導電体層5の幅をコントロールすることができる。なお、樹脂層4にブレイク用の溝を形成する前に導電体層5を形成すれば、樹脂層4の上面にのみ導電体層5を形成することができる。
このように、複数の回路基板1、1、・・・の集合体である集合基板についても、表面実装部品2、3、3の上に導電性ポスト6を形成する以外は、特別な工程を付加することなく、小型化、高密度化を達成しうる電子部品モジュール11を作製することができる。
次に、本発明の他の具体例について説明する。
<実施例2>
図9は、本発明の実施例2に係る電子部品モジュール21の構成を示す断面図である。図9に示す電子部品モジュール21は、表面実装部品2、3、3が搭載された回路基板22と、表面実装部品2、3、3を覆う樹脂層4と、樹脂層4の表面に形成され、アンテナとして機能する導電体層24とを有する。そして、表面実装部品3上には導電性ポスト23が形成されており、表面実装部品3と導電体層24とは導電性ポスト23を介して導電接続されている。
より具体的に言うと、表面実装部品3の外部電極3bは、上述した実施例1と同様、回路基板22側で回路基板22の電極パッド8に接続されるとともに、反対側で導電性ポスト23に接続されている。つまり、導電性ポスト23は表面実装部品3の外部電極3b上に形成されており、導電体層24と表面実装部品3の外部電極3bとは導電性ポスト6を介して電気的に接続されている。
そして、表面実装部品3の外部電極3bは導電体層24に接続される給電電極であって、外部電極3bと導電体層24とが導電性ポスト23を介して電気的に接続されることにより、導電体層24はアンテナとして機能する。
<実施例3>
図10は、本発明の実施例3に係る電子部品モジュール31の構成を示す断面図である。図10に示す電子部品モジュール31は、回路基板1の上側の面に表面実装部品2、3、3が搭載され、回路基板1の下側の面に表面実装部品3、3、・・・が搭載された両面実装型の回路基板32をコア基板とするものであり、さらに、回路基板1の上側の面には表面実装部品2、3、3を覆う樹脂層33、回路基板1の下側の面には表面実装部品3、3、・・・を覆う樹脂層34が形成されている。回路基板1の上側の面に搭載された表面実装部品3上には、上述した実施例1と同様の導電性ポスト6が形成されており、表面実装部品3と導電体層5とは導電性ポスト6を介して接続されている。そして、回路基板1の下側の面に搭載された表面実装部品3の外部電極3bは、上述した例と同様、回路基板32側で回路基板32の電極パッド8に接続されるとともに、反対側で導電性ポスト35に接続されている。つまり、導電性ポスト35は表面実装部品3の外部電極3b上に形成されており、導電体層36と表面実装部品3の外部電極3bとは導電性ポスト35を介して電気的に接続されている。
そして、回路基板1の下側の面に搭載された表面実装部品3の外部電極3bはマザーボード(図示省略)に接続される入出力端子であって、外部電極3bと導電体層36とが導電性ポスト35を介して電気的に接続されることにより、導電体層36はマザーボードへの接続電極として機能する。接続電極として機能する導電体層36は、樹脂層34の表面にLGA端子として配列されている。
<実施例4>
図11は、本発明の実施例4に係る電子部品モジュール41の構成を示す断面図である。図11に示す電子部品モジュール41は、表面実装部品2、3、3が搭載された回路基板42と、表面実装部品2、3、3を覆う樹脂層43と、樹脂層43の表面に設けられた導電体層45とを有する。そして、表面実装部品2上には導電性ポスト44が形成されており、表面実装部品2の素体と導電体層45とは導電性ポスト44を介して接続されている。
ここで、表面実装部品2は、半導体ベアチップ、半導体パッケージ等の能動部品であって、例えばパワーアンプのような発熱性を有する表面実装部品である。表面実装部品2と導電体層45とが導電性ポスト44を介して電気的に接続されることにより、導電体層45が放熱用電極として機能する。
なお、表面実装部品2の回路基板42への接続面とは反対面にグランド電位にある表面電極を有している場合は、表面電極と導電体層45とを導電性ポスト44を介して電気的に接続し、導電体層45をシールド層として機能させることもできる。
<実施例5>
図12は、本発明の実施例5に係る電子部品モジュール51の構成を示す断面図である。図12に示す電子部品モジュール51は、表面実装部品3、3、表面実装部品52が搭載された回路基板53と、表面実装部品3、3、52を覆う樹脂層54と、樹脂層54の上面に形成された導電体層55とを有するものである。そして、表面実装部品52上には導電性ポスト56が形成されており、表面実装部品52と導電体層55とは導電性ポスト56を介して電気的に接続されている。
より具体的に言うと、表面実装部品52は、基板57上に各種の表面実装部品(図示省略)が搭載され、基板57上の表面実装部品がグランド電位にある金属ケース58で覆われた構成を有するものであり、表面実装部品52の金属ケース58と導電体層55とが導電性ポスト56によって電気的に接続されている。したがって、導電体層55もグランド電位にあり、シールド層として機能する。
なお、本発明は上記実施例1乃至5に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内であれば多種の変形、置換等が可能であることは言うまでもない。

Claims (11)

  1. 少なくとも1つの表面実装部品が搭載された回路基板と、
    前記表面実装部品を覆う樹脂層と、
    該樹脂層の表面に形成された導電体層と
    を有する電子部品モジュールにおいて、
    前記表面実装部品上に少なくとも1つの導電性ポストが形成され、前記表面実装部品と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続され、
    前記導電性ポストは、前記表面実装部品側から前記導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有していることを特徴とする電子部品モジュール。
  2. 前記導電性ポストは、流動性を持つ導電材料を所定の厚みに積み重ねた後に固化させることにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュール。
  3. 前記表面実装部品は、前記回路基板側とは反対側の表面にも外部電極を備える表面実装部品であって、前記導電性ポストは前記外部電極と導電接続するように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品モジュール。
  4. グランド電位にある前記外部電極と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続されることを特徴とする請求項3に記載の電子部品モジュール。
  5. 前記外部電極はアンテナに接続される給電電極であり、前記外部電極と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続されることを特徴とする請求項に記載の電子部品モジュール。
  6. 前記外部電極はマザーボードに接続される入出力端子であり、前記外部電極と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続されることを特徴とする請求項に記載の電子部品モジュール。
  7. 前記表面実装部品は発熱性の表面実装部品であり、前記表面実装部品と前記導電体層とが前記導電性ポストを介して導電接続されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品モジュール。
  8. 少なくとも1つの表面実装部品が搭載された回路基板を準備する工程、
    前記表面実装部品上に、所定高さの導電性ポストを形成する工程、
    前記回路基板上に前記表面実装部品を覆う樹脂層を設け、前記導電性ポストの一部を前記樹脂層の表面に露出させる工程、及び
    前記樹脂層の表面に、前記樹脂層の表面に露出した前記導電性ポストに導電接続する導電体層を形成する工程
    を含み、
    前記導電性ポストを、前記表面実装部品側から前記導電体層側に向かって断面積が漸次小さくなるテーパ形状を有するように形成することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法
  9. 前記導電性ポストを、流動性を持つ導電材料を所定の厚みに積み重ねた後に固化させることにより形成することを特徴とする請求項8に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  10. 前記流動性を持つ導電材料として導電性溶液を用い、前記導電性溶液を吐出口から複数回にわたって吐出して積み重ねることを特徴とする請求項9に記載の電子部品モジュールの製造方法。
  11. 前記導電性ポストが覆われるよう前記樹脂層を設け、前記樹脂層の表面に前記導電性ポストの一部が露出するまで前記樹脂層を研磨することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
JP2010505481A 2008-03-31 2009-03-02 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法 Active JP5195903B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010505481A JP5195903B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-02 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008090534 2008-03-31
JP2008090534 2008-03-31
PCT/JP2009/053835 WO2009122835A1 (ja) 2008-03-31 2009-03-02 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法
JP2010505481A JP5195903B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-02 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009122835A1 JPWO2009122835A1 (ja) 2011-07-28
JP5195903B2 true JP5195903B2 (ja) 2013-05-15

Family

ID=41135230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010505481A Active JP5195903B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-02 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8315060B2 (ja)
JP (1) JP5195903B2 (ja)
CN (1) CN101978490B (ja)
WO (1) WO2009122835A1 (ja)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101070799B1 (ko) 2010-06-03 2011-10-06 삼성전기주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
KR101070814B1 (ko) 2010-06-03 2011-10-06 삼성전기주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101255892B1 (ko) * 2010-10-22 2013-04-17 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
JP5668627B2 (ja) * 2011-07-19 2015-02-12 株式会社村田製作所 回路モジュール
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US9799627B2 (en) * 2012-01-19 2017-10-24 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package structure and method
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
CN103633457B (zh) * 2012-08-23 2015-12-02 联想(北京)有限公司 一种电子设备
CN104112727B (zh) * 2013-04-18 2018-06-05 费查尔德半导体有限公司 与包括半导体管芯的改进封装件相关的方法和装置
US9177925B2 (en) * 2013-04-18 2015-11-03 Fairfchild Semiconductor Corporation Apparatus related to an improved package including a semiconductor die
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9735112B2 (en) 2014-01-10 2017-08-15 Fairchild Semiconductor Corporation Isolation between semiconductor components
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
KR101616625B1 (ko) * 2014-07-30 2016-04-28 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20160049383A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Invensas Corporation Device and method for an integrated ultra-high-density device
US10319674B2 (en) * 2014-10-29 2019-06-11 Infineon Technologies Americas Corp. Packaged assembly for high density power applications
CN107005228B (zh) 2014-12-04 2020-07-14 株式会社村田制作所 电子部件及其制造方法
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
WO2016158338A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US20170040266A1 (en) 2015-05-05 2017-02-09 Mediatek Inc. Fan-out package structure including antenna
US20160329299A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Mediatek Inc. Fan-out package structure including antenna
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
EP3327775B1 (en) * 2015-07-22 2024-02-07 Alps Alpine Co., Ltd. High-frequency module
JP6631905B2 (ja) * 2015-07-28 2020-01-15 ローム株式会社 マルチチップモジュールおよびその製造方法
JP6500700B2 (ja) * 2015-08-26 2019-04-17 株式会社村田製作所 抵抗素子用の集合基板
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9691710B1 (en) * 2015-12-04 2017-06-27 Cyntec Co., Ltd Semiconductor package with antenna
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US20170208710A1 (en) * 2016-01-18 2017-07-20 Apple Inc. Electrical component with electrical terminal in wall of shield frame
JP6787406B2 (ja) * 2016-03-21 2020-11-18 株式会社村田製作所 パッケージ回路システム構造体
CN109075151B (zh) 2016-04-26 2023-06-27 亚德诺半导体国际无限责任公司 用于组件封装电路的机械配合、和电及热传导的引线框架
DE102016110862B4 (de) 2016-06-14 2022-06-30 Snaptrack, Inc. Modul und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Modulen
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
EP3280047A1 (en) * 2016-08-02 2018-02-07 Centre For Development Of Telematics Resonance mitigation in rf high power amplifier enclosure
JP2018026435A (ja) * 2016-08-09 2018-02-15 株式会社村田製作所 部品内蔵基板
WO2018079278A1 (ja) * 2016-10-25 2018-05-03 株式会社村田製作所 回路モジュール
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2018181709A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10497635B2 (en) 2018-03-27 2019-12-03 Linear Technology Holding Llc Stacked circuit package with molded base having laser drilled openings for upper package
US10930604B2 (en) 2018-03-29 2021-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Ultra-thin multichip power devices
JP6791189B2 (ja) * 2018-03-30 2020-11-25 株式会社村田製作所 複合電子部品、定温加熱装置、および複合電子部品の製造方法
US10564679B2 (en) * 2018-04-05 2020-02-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic device module, method of manufacturing the same and electronic apparatus
JP7047904B2 (ja) 2018-05-08 2022-04-05 株式会社村田製作所 高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール
US10872866B2 (en) 2018-10-08 2020-12-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and method of manufacturing the same
KR102526908B1 (ko) 2018-11-02 2023-04-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈, 송신 전력 증폭기 및 통신 장치
US11410977B2 (en) 2018-11-13 2022-08-09 Analog Devices International Unlimited Company Electronic module for high power applications
US10971455B2 (en) * 2019-05-01 2021-04-06 Qualcomm Incorporated Ground shield plane for ball grid array (BGA) package
CN112020199B (zh) * 2019-05-29 2022-03-08 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 内埋式电路板及其制作方法
CN112020222A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 内埋电路板及其制作方法
KR20210084039A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 삼성전자주식회사 무선 통신 시스템에서 안테나의 최적 빔 구현을 위한 커버 장치
KR20210124840A (ko) * 2020-04-07 2021-10-15 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 열 확산층을 포함하는 전자 어셈블리
US11844178B2 (en) 2020-06-02 2023-12-12 Analog Devices International Unlimited Company Electronic component
KR20220000087A (ko) * 2020-06-25 2022-01-03 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈
WO2022038887A1 (ja) * 2020-08-20 2022-02-24 株式会社村田製作所 モジュール
CN220172098U (zh) * 2020-11-12 2023-12-12 株式会社村田制作所 电子部件模块

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2001244688A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp 高周波モジュール部品及びその製造方法
JP2003258009A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1146988C (zh) * 1997-12-08 2004-04-21 东芝株式会社 半导体功率器件的封装及其组装方法
JP2000223647A (ja) 1999-02-03 2000-08-11 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュールの製造方法
US6864574B1 (en) * 1999-11-29 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor package
JP3864029B2 (ja) * 2000-03-24 2006-12-27 松下電器産業株式会社 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US7141884B2 (en) * 2003-07-03 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with a built-in semiconductor and method for producing the same
JP2005223641A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型sawデバイス
JP2005317935A (ja) 2004-03-30 2005-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品およびその製造方法
WO2006098207A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-21 Ricoh Company, Ltd. Multilayer wiring structure and method of manufacturing the same
JP4404139B2 (ja) * 2005-10-26 2010-01-27 株式会社村田製作所 積層型基板、電子装置および積層型基板の製造方法
US7714535B2 (en) * 2006-07-28 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223321A (ja) * 1999-11-29 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2001244688A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp 高周波モジュール部品及びその製造方法
JP2003258009A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20110013349A1 (en) 2011-01-20
JPWO2009122835A1 (ja) 2011-07-28
US8315060B2 (en) 2012-11-20
CN101978490A (zh) 2011-02-16
CN101978490B (zh) 2012-10-17
WO2009122835A1 (ja) 2009-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5195903B2 (ja) 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法
US9226400B2 (en) Multilayer ceramic electronic device and method for manufacturing the same
JP5321592B2 (ja) 電子部品モジュールの製造方法
US7594316B2 (en) Method of manufacturing composite electronic component
EP1708258B1 (en) Composite ceramic substrate
JP4329884B2 (ja) 部品内蔵モジュール
JP4986507B2 (ja) 回路モジュール
US9591747B2 (en) Module board
JP5066830B2 (ja) セラミック多層基板
JP4752612B2 (ja) 突起電極付き回路基板の製造方法
JP2007305741A (ja) セラミック多層基板及びその製造方法
JPWO2006090827A1 (ja) 電子装置及びその製造方法
JP4158798B2 (ja) 複合セラミック基板
JP4826253B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法およびセラミック多層基板
JP2005235807A (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
WO2008004423A1 (fr) Carte de câblage ayant un conducteur en forme de colonne et son procédé de fabrication
JP4558004B2 (ja) 電子部品、シールドカバー、多数個取り用母基板、配線基板及び電子機器
WO2013099360A1 (ja) モジュールおよびこれを備えるモジュール搭載部品
JP2006041242A (ja) セラミック配線基板
JP2005136043A (ja) 配線基板及び電気装置
JP2013197564A (ja) 複合モジュールおよび複合モジュールの製造方法
JP2019029424A (ja) 積層回路基板および積層モジュール
JP2007305631A (ja) 樹脂多層基板、複合型電子部品及びそれぞれの製造方法
JP2006041241A (ja) セラミック配線基板
JP2004296946A (ja) 電子部品搭載用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5195903

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150