JP5192999B2 - Ionized air supply program - Google Patents

Description

本発明は、カセットに収納した半導体ウェーハ等の板状のワークを加工手段まで搬送して加工し、加工後のワークをカセットに戻す動作をとる加工装置に適用されるイオン化エア供給プログラムに関する。 The present invention relates to an ionized air supply program applied to a processing apparatus that performs an operation of transporting and processing a plate-shaped workpiece such as a semiconductor wafer stored in a cassette to a processing means and returning the processed workpiece to the cassette.

例えば半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やＰＣ（パーソナル・コンピュータ）等の各種電気・電子機器に広く用いられている。   For example, in the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular regions are defined on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer by grid-like division lines, and electronic circuits such as IC and LSI are formed on the surface of these rectangular regions, and then After performing necessary processing such as polishing after the back surface is ground, all the divided lines are cut, that is, diced to obtain a large number of semiconductor chips. The semiconductor chip thus obtained is packaged by resin sealing and widely used in various electric / electronic devices such as mobile phones and PCs (personal computers).

半導体ウェーハをダイシングする装置としては、チャックテーブルに吸着して保持した半導体ウェーハに対して、高速回転させた円板状の薄い切削ブレードを切り込ませていくブレード式の切削装置が知られている（例えば特許文献１）。   As a device for dicing a semiconductor wafer, a blade-type cutting device is known in which a thin disc-shaped cutting blade rotated at a high speed is cut into a semiconductor wafer adsorbed and held on a chuck table. (For example, patent document 1).

このような切削装置、あるいは研削を行う研削装置等の加工装置では、チャックテーブル上に保持した半導体ウェーハに所定の加工水を噴出しながらワークを加工し、さらに加工後のワークに洗浄水を噴出して洗浄している。ところで、ワークの加工時および洗浄時には静電気が発生して帯電し、この静電気が原因となってワークに形成された電子回路にダメージを与えて品質を低下させるといった問題が生じる。そこで、この問題を解消するために、半導体ウェーハの搬送手段やチャックテーブルの移動経路にイオン化されたエアを噴出するノズルを配設し、このノズルから、搬送中または移動中の半導体ウェーハにイオン化されたエアを吹き付けて半導体ウェーハに帯電した静電気を除去する技術が提案された（特許文献２）。   In such a cutting device or a processing device such as a grinding device that performs grinding, the workpiece is processed while jetting a predetermined processing water onto the semiconductor wafer held on the chuck table, and further cleaning water is jetted onto the processed workpiece. And washed. By the way, there is a problem that static electricity is generated and charged when the workpiece is processed and cleaned, and the electronic circuit formed on the workpiece is damaged due to the static electricity to deteriorate the quality. Therefore, in order to solve this problem, a nozzle for ejecting ionized air is arranged on the transfer path of the semiconductor wafer and the moving path of the chuck table, and ionized from the nozzle to the semiconductor wafer being transferred or moving. A technique has been proposed for removing static electricity charged on a semiconductor wafer by blowing air (Patent Document 2).

特開平８−２５２０９号公報JP-A-8-25209 特開２００２−６６８６５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-66865

上記特許文献２に開示された技術によれば、加工後または洗浄後の半導体ウェーハにイオン化されたエアを十分供給することによって、加工時または洗浄時に帯電した静電気を除去することができる。しかしながら、上記特許文献２のようにワークの上面からのみイオン化エアを吹き付ける形態では、静電気の除去が不十分となる。したがって、カセットに対するワークの搬入／搬出時における有効な静電気除去手段の開発が求められていた。   According to the technique disclosed in Patent Document 2, static electricity charged during processing or cleaning can be removed by sufficiently supplying ionized air to the semiconductor wafer after processing or cleaning. However, in the form in which ionized air is blown only from the upper surface of the workpiece as in Patent Document 2, the removal of static electricity is insufficient. Accordingly, there has been a demand for the development of an effective static eliminating means for loading / unloading workpieces to / from the cassette.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、カセットに対するワークの搬入／搬出時においてイオン化エアを十分に吹き付けることができ、その結果、静電気を確実に除去することができる加工装置に適用されるイオン化エア供給プログラムの提供を目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be applied to a processing apparatus that can sufficiently blow ionized air at the time of loading / unloading a workpiece with respect to a cassette and, as a result, can reliably remove static electricity. The purpose is to provide an ionized air supply program .

本発明は、板状のワークが収納されたカセットが載置されるカセットステージと、
該カセットステージに載置されたカセットにワークを搬入したり、該カセットに収納されたワークを該カセットから搬出したりする搬送手段と、ワークを保持する保持手段と、 該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、を具備し、搬送手段は、ワークの一面における少なくとも一部、および該ワークの他面における少なくとも一部が露出する状態に該ワークを保持する保持部を有しており、該搬送手段には、一面にイオン化エアを吹き出す第１のブローノズルと、他面にイオン化エアを吹き出す第２のブローノズルと、カセットと搬送手段とを、該カセットに収納されたワークの厚さ方向に相対的に移動させる移動手段を有し、第１のブローノズルおよび第２のブローノズルから吹き出されるイオン化エアの吹き出し方向がカセットに向かう方向とされた加工装置に適用される制御用のイオン化エア供給プログラムであって、搬送手段をカセットに近接させるステップと、移動手段によって、カセットと搬送手段とを該カセットに収納されたワークの厚さ方向に相対的に移動させて、ワークを第１のブローノズルおよび第２のブローノズルに位置付けるステップと、該ワークに向けて、第１のブローノズルおよび第２のブローノズルからイオン化エアを噴出するステップと、を備えることを特徴としている。 The present invention includes a cassette stage on which a cassette in which a plate-like workpiece is stored is placed;
A conveying means for carrying a work into a cassette placed on the cassette stage, and a work housed in the cassette being taken out from the cassette, a holding means for holding the work, and a holding means held by the holding means Processing means for processing the workpiece, and the conveying means has a holding portion for holding the workpiece in a state where at least a portion of one surface of the workpiece and at least a portion of the other surface of the workpiece are exposed. The conveying means includes a first blow nozzle that blows ionized air on one side, a second blow nozzle that blows ionized air on the other side , a cassette, and a conveying means for the work housed in the cassette. A moving means for relatively moving in the thickness direction, and the direction in which the ionized air blown out from the first blow nozzle and the second blow nozzle blows out is a cassette. An ionized air supply program for control applied to a processing apparatus directed to the machine, wherein the cassette and the conveying means are stored in the cassette by the step of bringing the conveying means close to the cassette and the moving means. Moving the workpiece relative to the thickness direction of the workpiece to position the workpiece on the first blow nozzle and the second blow nozzle, and moving the workpiece toward the workpiece from the first blow nozzle and the second blow nozzle. And a step of ejecting ionized air .

本発明によれば、ワークを収納するカセットに対してワークを搬入／搬出する搬送手段の、ワークを保持する保持部を有する搬送手段に、ワークにイオン化エアを吹き出すブローノズルを有するため、カセットに対するワークの搬入／搬出時において、ワークへ常にイオン化エアを吹き付けることができる。ブローノズルは、ワークの一面および他面のそれぞれにイオン化エアを吹き出す第１のブローノズルおよび第２のブローノズルを備えているため、板状のワークの両面にイオン化エアを十分に行き渡らせることができる。これらの結果、カセットに対するワークの搬入／搬出時に発生する静電気を確実に除去することができる。   According to the present invention, since the conveying means for carrying in / out the work with respect to the cassette for storing the work has the blow nozzle for blowing ionized air to the work in the conveying means having the holding unit for holding the work, At the time of loading / unloading a workpiece, ionized air can be constantly blown onto the workpiece. Since the blow nozzle includes the first blow nozzle and the second blow nozzle that blow ionized air on one surface and the other surface of the workpiece, the ionized air can be sufficiently distributed on both surfaces of the plate-shaped workpiece. it can. As a result, it is possible to reliably remove static electricity generated when the work is carried in / out of the cassette.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の上記半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラスあるいはシリコン系の基板、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種板状加工材料等が挙げられる。   The work referred to in the present invention is not particularly limited. For example, the semiconductor wafer such as a silicon wafer, an adhesive member such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of the wafer for chip mounting, a package of a semiconductor product, Examples thereof include ceramic, glass, or silicon substrates, and various plate-like processed materials that require micron-order accuracy.

本発明によれば、ワークを収納するカセットに対するワークの搬入／搬出時においてイオン化エアを十分に吹き付けることができ、その結果、静電気を確実に除去することができる加工装置に適用されるイオン化エア供給プログラムを提供することができるといった効果を奏する。 According to the present invention, ionized air supply can be applied to a processing apparatus that can sufficiently blow ionized air at the time of loading / unloading a workpiece with respect to a cassette that stores the workpiece, and as a result, can reliably remove static electricity. There is an effect that a program can be provided.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図１は一実施形態の切削加工装置１０の全体を示している。この切削加工装置１０は、図２に示す半導体ウェーハ（以下、ウェーハと略称）１を、図示せぬ切削ブレードにより自動制御で切削してダイシングするダイシング装置である。当該切削加工装置１０の動作の制御は、図１に示す制御手段１０Ａによりなされる。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an entire cutting apparatus 10 according to an embodiment. The cutting device 10 is a dicing device that cuts and dices the semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) 1 shown in FIG. 2 with a cutting blade (not shown) by automatic control. The operation of the cutting apparatus 10 is controlled by the control means 10A shown in FIG.

（１）ウェーハ
図２により先にウェーハ１を説明すると、このウェーハ１はシリコン等の単結晶材料からなる円板状のもので、厚さが例えば１００〜７００μｍ程度であり、外周部の一部に、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット１ａが形成されている。ウェーハ１の表面には、格子状に形成された分割予定ライン２により多数の矩形状のチップ３が区画されている。各チップ３の表面には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。ウェーハ１は、切削加工装置１０により全ての分割予定ライン２が切削加工されて個々のチップ３にダイシングされる。 (1) Wafer The wafer 1 will be described first with reference to FIG. 2. The wafer 1 is a disc-shaped one made of a single crystal material such as silicon and has a thickness of about 100 to 700 μm, for example, and a part of the outer periphery. Further, an orientation flat 1a is formed as a mark indicating the crystal orientation. A large number of rectangular chips 3 are partitioned on the surface of the wafer 1 by division lines 2 formed in a lattice pattern. On the surface of each chip 3, electronic circuits such as IC and LSI (not shown) are formed. The wafer 1 is diced into individual chips 3 by cutting all the planned division lines 2 by the cutting apparatus 10.

ウェーハ１は単体では取り扱いが困難なため、切削加工装置１０に供給される際には、図２に示すように環状のフレーム４の内側の開口部４ａに同心状に配設され、粘着テープ５を介してフレーム４に一体に支持された状態とされる。粘着テープ５は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム４とウェーハ１が貼着される。フレーム４は、金属等の板材からなる剛性を有するものであり、このフレーム４を支持することにより、ウェーハ１を損傷することなく安全に搬送することができる。   Since the wafer 1 is difficult to handle by itself, when it is supplied to the cutting apparatus 10, it is disposed concentrically in the opening 4a inside the annular frame 4 as shown in FIG. It is made into the state supported by the flame | frame 4 through this. The adhesive tape 5 has an adhesive surface on one side, and the frame 4 and the wafer 1 are attached to the adhesive surface. The frame 4 has rigidity made of a plate material such as metal, and by supporting the frame 4, the wafer 1 can be safely transported without being damaged.

粘着テープ５を介してウェーハ１を支持したフレーム４（以下、ウェーハ付きフレーム６と称する）は、図１に示すウェーハ収納用のカセット９内に、ウェーハ１を上側にした状態で収納される。カセット９の内部には、フレーム４が載置される左右一対のトレー部が上下方向に多数設けられており、多数のウェーハ付きフレーム６が水平、かつ、隙間が空いた状態で上下方向に積層して収納される。   A frame 4 (hereinafter referred to as a frame 6 with a wafer) that supports a wafer 1 via an adhesive tape 5 is stored in a wafer storage cassette 9 shown in FIG. 1 with the wafer 1 facing upward. Inside the cassette 9, a large number of paired left and right trays on which the frame 4 is placed are provided in the vertical direction, and a large number of frames 6 with wafers are stacked in the vertical direction with a horizontal gap. And stored.

（２）切削加工装置
（２−１）全体構成および基本動作
次に、切削加工装置１０の全体構成を、基本動作と併せながら説明する。
図１の符号１１はキャビネットである。このキャビネット１１の内部には、切削ブレードによってウェーハ１をダイシングする切削加工手段（図示略）が配設されている。キャビネット１１のＹ方向一端側（図１で手前側）には、タッチパネル式の操作表示盤１２が設けられており、切削加工の自動運転に係わる各種設定などは、この操作表示盤１２を利用して行われる。また、操作表示盤１２には、内部の運転状況を表示する機能なども付加されている。操作表示盤１２の上方の、キャビネット１１の天板には、運転状態を表示したり警告を発したりする表示灯１３が取り付けられている。 (2) Cutting Device (2-1) Overall Configuration and Basic Operation Next, the overall configuration of the cutting device 10 will be described in conjunction with the basic operation.
Reference numeral 11 in FIG. 1 denotes a cabinet. Inside the cabinet 11, cutting means (not shown) for dicing the wafer 1 with a cutting blade is disposed. A touch panel type operation display panel 12 is provided on one end side of the cabinet 11 in the Y direction (front side in FIG. 1), and various settings related to automatic operation of the cutting process are used. Done. The operation display panel 12 is also provided with a function for displaying the internal operation status. On the top plate of the cabinet 11 above the operation display panel 12, an indicator lamp 13 for displaying an operation state or issuing a warning is attached.

キャビネット１１の側面１１ａ側には、基台１４が併設されている。この基台１４上の中央が、円板状のチャックテーブル（保持手段）２０に対してウェーハ１を着脱するウェーハ着脱位置に設定されている。チャックテーブル２０は、基台１４上のウェーハ着脱位置と、キャビネット１１内の上記切削加工手段による加工位置との間をＸ方向に往復移動させられる。ウェーハ着脱位置の、図１においてＹ方向手前側にはカセットステージ１５が配設され、反対側のＹ方向奥側にはスピンナ式の洗浄装置６０が配設されている。   A base 14 is provided on the side surface 11 a side of the cabinet 11. The center on the base 14 is set to a wafer attachment / detachment position where the wafer 1 is attached to and detached from the disk-shaped chuck table (holding means) 20. The chuck table 20 is reciprocated in the X direction between a wafer attachment / detachment position on the base 14 and a processing position by the cutting means in the cabinet 11. A cassette stage 15 is disposed on the front side in the Y direction in FIG. 1 at the wafer attaching / detaching position, and a spinner type cleaning device 60 is disposed on the far side in the Y direction on the opposite side.

多数のウェーハ付きフレーム６が収納された上記カセット９は、カセットステージ１５にセットされる。カセットステージ１５は、図５に示す移動手段１６によって昇降させられる。移動手段１６は、カセットステージ１５に貫通して螺合する上下方向（図１でのＺ方向）に延びるボールねじ１６ａと、ボールねじ１６ａを回転させるモータ１６ｂとを備えるもので、モータ１６ｂによりボールねじ１６ａが回転させられると、その回転方向に応じてカセットステージ１５が上昇したり下降したりするようになっている。   The cassette 9 containing a large number of frames 6 with wafers is set on a cassette stage 15. The cassette stage 15 is moved up and down by the moving means 16 shown in FIG. The moving means 16 includes a ball screw 16a extending in the vertical direction (Z direction in FIG. 1) that penetrates and screws into the cassette stage 15, and a motor 16b that rotates the ball screw 16a. When the screw 16a is rotated, the cassette stage 15 is raised or lowered according to the rotation direction.

カセットステージ１５にセットされたカセット９内のウェーハ付きフレーム６は、カセットステージ１５が上昇または下降して所定の高さに位置付けられた後、カセット９の上記ウェーハ着脱位置側に開口する搬入／搬出口からチャックテーブル２０に移されて保持される。チャックテーブル２０は一般周知の負圧吸着式のもので、矩形状のベーステーブル２１にＺ方向（上下方向）を回転軸として回転自在に支持されており、ベーステーブル２１内に配設された図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。   The wafer-attached frame 6 in the cassette 9 set on the cassette stage 15 is loaded / carried out after the cassette stage 15 is raised or lowered and positioned at a predetermined height and then opened to the wafer attaching / detaching position side of the cassette 9. It is moved from the outlet to the chuck table 20 and held. The chuck table 20 is of a generally known negative pressure adsorption type, and is supported on a rectangular base table 21 so as to be rotatable about the Z direction (vertical direction) as a rotation axis. It is rotated in one direction or both directions by a rotational drive mechanism (not shown).

基台１４上のウェーハ着脱位置から、キャビネット１１内の上記切削加工手段による加工位置にわたっては、Ｘ方向に延びる矩形状の凹所１７がベーステーブル２１の移動スペースとして設けられている。ベーステーブル２１は、凹所１７の底面に設けられた図示せぬ往復移動手段によってＸ方向に往復移動させられるようになっており、したがってチャックテーブル２０はベーステーブル２１とともにＸ方向に往復移動させられる。ベーステーブル２１のＸ方向の両端部には、蛇腹状のカバー１８がそれぞれ取り付けられている。これらカバー１８は、凹所１７内に切削屑等が落下することを防ぐもので、ベーステーブル２１の移動に追従して伸縮するようになっている。   A rectangular recess 17 extending in the X direction is provided as a moving space for the base table 21 from the wafer attachment / detachment position on the base 14 to the processing position by the cutting processing means in the cabinet 11. The base table 21 is reciprocated in the X direction by a reciprocating means (not shown) provided on the bottom surface of the recess 17, so that the chuck table 20 is reciprocated in the X direction together with the base table 21. . Bellows-shaped covers 18 are attached to both ends of the base table 21 in the X direction. These covers 18 prevent cutting chips and the like from falling into the recess 17 and extend and contract following the movement of the base table 21.

チャックテーブル２０には図示せぬ空気吸引手段が接続されており、この空気吸引手段が運転されると、チャックテーブル２０の上方の空気が吸引されて負圧となり、ウェーハ１がチャックテーブル２０の上面に吸着されて保持されるようになっている。チャックテーブル２０の外径はウェーハ１とほぼ同等であり、ウェーハ１の全体がチャックテーブル２０の上面に粘着テープ５を介して同心状に保持される。また、ウェーハ１の周囲のフレーム４は、チャックテーブル２０の外周面に取り付けられた複数のクランプ２２で保持される。   An air suction means (not shown) is connected to the chuck table 20, and when this air suction means is operated, the air above the chuck table 20 is sucked and becomes a negative pressure, and the wafer 1 is placed on the upper surface of the chuck table 20. It is adsorbed to and held. The outer diameter of the chuck table 20 is substantially the same as that of the wafer 1, and the entire wafer 1 is concentrically held on the upper surface of the chuck table 20 via the adhesive tape 5. The frame 4 around the wafer 1 is held by a plurality of clamps 22 attached to the outer peripheral surface of the chuck table 20.

洗浄装置６０は、ウェーハ付きフレーム６が保持されるスピンナテーブル６１と、フレーム４を保持するクランプ６２を有している。スピンナテーブル６１はチャックテーブル２０と同様の負圧吸着式のもので、ウェーハ付きフレーム６を上面に吸着して保持する。図１のスピンナテーブル６１はウェーハ受け渡し位置に位置付けられており、この位置から基台１４内のウェーハ洗浄位置に下降するようになっている。洗浄装置６０によると、ウェーハ１を保持したスピンナテーブル６１がウェーハ洗浄位置において回転し、回転するウェーハ１に図示せぬ洗浄水ノズルから洗浄水が噴出されてウェーハ１が洗浄される。   The cleaning device 60 includes a spinner table 61 that holds the frame 6 with a wafer and a clamp 62 that holds the frame 4. The spinner table 61 is of a negative pressure adsorption type similar to the chuck table 20, and adsorbs and holds the frame 6 with a wafer on the upper surface. The spinner table 61 in FIG. 1 is positioned at the wafer delivery position, and descends from this position to the wafer cleaning position in the base 14. According to the cleaning device 60, the spinner table 61 holding the wafer 1 rotates at the wafer cleaning position, and cleaning water is jetted from a cleaning water nozzle (not shown) to the rotating wafer 1 to clean the wafer 1.

次に、図１によりウェーハ付きフレーム６を搬送する搬送系とともに、本装置１０による切削加工の工程を説明する。   Next, the cutting process by this apparatus 10 will be described together with the conveyance system for conveying the frame 6 with a wafer with reference to FIG.

上記カセット９内に収納された１枚のウェーハ付きフレーム６は、第１搬送手段３０によってＹ方向奥側に水平に搬出され、カセットステージ１５の前方（Ｙ方向奥側）、かつ、ウェーハ着脱位置の上方に配設された一対のＹ方向に延びるフレームガイドレール３４で受けられる。第１搬送手段３０は、キャビネット１１の側面１１ａに設けられたリニアガイド３１によってＹ方向に往復移動させられるアーム３２の先端に、フレーム４を把持するクランプ（挟持部）３３が設けられたものである。一対のフレームガイドレール３４は、Ｘ方向に同期して互いに近付いたり離れたりするように作動し、両者の中間位置が常にチャックテーブル２０の中心に一致するようになされている。   The single frame 6 with a wafer housed in the cassette 9 is unloaded horizontally by the first transfer means 30 to the back side in the Y direction, in front of the cassette stage 15 (back side in the Y direction), and at the wafer attachment / detachment position. Is received by a pair of frame guide rails 34 extending in the Y direction. The first transport means 30 is provided with a clamp (clamping part) 33 for gripping the frame 4 at the tip of an arm 32 that is reciprocated in the Y direction by a linear guide 31 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. is there. The pair of frame guide rails 34 operate so as to approach and separate from each other in synchronization with the X direction, and the intermediate position between them is always coincident with the center of the chuck table 20.

ウェーハ付きフレーム６は、第１搬送手段３０のクランプ３３によって把持され、ウェーハ１はその状態で上下の面の全面が露出する。クランプ３３によって把持されたウェーハ付きフレーム６は、アーム３２の移動によって２つのフレームガイドレール３４に架け渡される状態に載置される。そしてフレームガイドレール３４が互いに近付いてフレーム４の外周縁に接触することによりウェーハ付きフレーム６のＸ方向の位置決めがなされる。なお、Ｙ方向の位置決めはアーム３２の移動によってなされる。これによりウェーハ１は、チャックテーブル２０と同心状にセンタリング（Ｘ・Ｙ方向の位置決め）される。第１搬送手段３０は本発明に係るものであり、後で詳述する。   The frame 6 with the wafer is held by the clamp 33 of the first transfer means 30, and the entire upper and lower surfaces of the wafer 1 are exposed in this state. The wafer-mounted frame 6 gripped by the clamp 33 is placed in a state of being spanned between the two frame guide rails 34 by the movement of the arm 32. Then, the frame guide rails 34 come close to each other and come into contact with the outer peripheral edge of the frame 4, thereby positioning the frame 6 with a wafer in the X direction. The positioning in the Y direction is performed by moving the arm 32. As a result, the wafer 1 is centered (positioned in the X and Y directions) concentrically with the chuck table 20. The first conveying means 30 is according to the present invention and will be described in detail later.

次に、フレームガイドレール３４に載置されているフレーム４が、上方の第２搬送手段４０によって保持され、この後、フレームガイドレール３４は離間し、ウェーハ付きフレーム６は第２搬送手段４０のみで保持される。第２搬送手段４０は、キャビネット１１の側面１１ａに設けられたリニアガイド４１に沿ってＹ方向に往復移動させられる伸縮アーム４２の先端に、フレーム４の上面に吸着してフレーム４を保持する複数の負圧吸着式の吸着パッド４３が設けられたものである。   Next, the frame 4 placed on the frame guide rail 34 is held by the upper second transfer means 40. Thereafter, the frame guide rail 34 is separated, and the frame 6 with a wafer is only the second transfer means 40. Held in. A plurality of second conveying means 40 hold the frame 4 by adsorbing to the upper surface of the frame 4 at the tip of the telescopic arm 42 reciprocated in the Y direction along the linear guide 41 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. The negative pressure suction type suction pad 43 is provided.

第２搬送手段４０の伸縮アーム４２はＺ方向に伸縮するように作動し、伸縮アーム４２が下方に伸び、吸着パッド４３の吸着が解除されることにより、ウェーハ１は、ウェーハ着脱位置に位置付けられているチャックテーブル２０上に載置される。   The telescopic arm 42 of the second transfer means 40 operates so as to expand and contract in the Z direction, the telescopic arm 42 extends downward, and the suction of the suction pad 43 is released, so that the wafer 1 is positioned at the wafer attachment / detachment position. Is placed on the chuck table 20.

次いで、ウェーハ１へのダイシング工程に移る。それにはまず、ウェーハ付きフレーム６を吸着、保持したチャックテーブル２０が、ベーステーブル２１が移動することによりキャビネット１１内の加工位置に移動させられる。そしてこの加工位置で、上記切削加工手段によりウェーハ１の分割予定ライン２に切削ブレードが切り込んで切削加工が施され、ウェーハ１がダイシングされる。   Next, the process proceeds to a dicing process for the wafer 1. First, the chuck table 20 that sucks and holds the frame 6 with a wafer is moved to a processing position in the cabinet 11 by moving the base table 21. At this processing position, a cutting blade is cut into the division line 2 of the wafer 1 by the above-mentioned cutting means, the cutting process is performed, and the wafer 1 is diced.

ウェーハ１のダイシングは、例えば、チャックテーブル２０をＸ方向に加工送りしながら切削ブレードを分割予定ライン２に切り込む動作と、切削ブレードがＹ方向に移動して切削位置を分割予定ライン２に合わせる割り出し送りとが交互に繰り返されるといった動作によって遂行される。また、分割予定ライン２の延びる方向を切削方向に合わせるにはチャックテーブル２０を回転させることによりなされる。全ての分割予定ライン２に切削加工が施されてウェーハ１のダイシングが完了したら、チャックテーブル２０がウェーハ着脱位置に戻り、次いで、ウェーハ１は第２搬送手段４０によって洗浄装置６０に搬送され、洗浄工程に移される。   The dicing of the wafer 1 includes, for example, an operation of cutting the cutting blade into the division line 2 while feeding the chuck table 20 in the X direction, and an index for adjusting the cutting position to the division line 2 by moving the cutting blade in the Y direction. This is accomplished by an operation in which feeding and feeding are repeated alternately. In addition, the chuck table 20 is rotated in order to match the extending direction of the division line 2 with the cutting direction. When all the division lines 2 are cut and the dicing of the wafer 1 is completed, the chuck table 20 returns to the wafer attaching / detaching position, and then the wafer 1 is transferred to the cleaning device 60 by the second transfer means 40 and cleaned. Moved to the process.

まず、チャックテーブル２０上のウェーハ１は、第２搬送手段４０の伸縮アーム４２が下方に伸びて吸着パッド４３がフレーム６に吸着し、チャックテーブル２０の負圧吸着の運転が解除されることにより、吸着パッド４３に保持される。そして、伸縮アーム４２が縮小してウェーハ１を上昇させてからＹ方向奥側に移動し、再び伸縮アーム４２が下方に伸びて吸着パッド４３の吸着が解除されることにより、ウェーハ付きフレーム６は、スピンナ装置６０のウェーハ受け渡しに位置付けられたスピンナテーブル６１に同心状に載置される。   First, with respect to the wafer 1 on the chuck table 20, the telescopic arm 42 of the second transfer means 40 extends downward, the suction pad 43 is attracted to the frame 6, and the negative pressure suction operation of the chuck table 20 is released. , Held by the suction pad 43. Then, the telescopic arm 42 contracts to raise the wafer 1 and then moves to the back in the Y direction. The telescopic arm 42 extends downward again and the suction pad 43 is released from the suction, so that the frame 6 with a wafer is The spinner device 60 is placed concentrically on a spinner table 61 positioned at the wafer delivery.

スピンナテーブル６１は予め負圧吸着の運転がなされており、ウェーハ付きフレーム６はスピンナテーブル６１に吸着、保持される。続いて、スピンナテーブル６１がウェーハ洗浄位置に下降して回転し、さらにクランプ６２によってフレーム４が保持される。次いで、回転するウェーハ１に上記洗浄水ノズルから洗浄水が噴出されて、ウェーハ１が洗浄される。洗浄後、ウェーハ１は乾燥空気が吹き付けられるなどの乾燥処理がなされる。   The spinner table 61 is previously operated for negative pressure adsorption, and the frame 6 with a wafer is adsorbed and held on the spinner table 61. Subsequently, the spinner table 61 is lowered and rotated to the wafer cleaning position, and the frame 4 is held by the clamp 62. Next, the cleaning water is ejected from the cleaning water nozzle onto the rotating wafer 1 to clean the wafer 1. After cleaning, the wafer 1 is subjected to a drying process such as blowing dry air.

ウェーハ１の洗浄・乾燥が終わったら、スピンナテーブル６１がウェーハ受け渡し位置に上昇し、スピンナテーブル６１上のウェーハ付きフレーム６が、第３搬送手段５０によってフレームガイドレール３４に戻される。第３搬送手段５０は第２搬送手段４０と同様の構成であって、キャビネット１１の側面１１ａのリニアガイド４１の下側に設けられたリニアガイド５１に沿ってＹ方向に往復移動させられる伸縮アーム５２の先端に、フレーム４の上面に吸着して該フレーム４を保持する複数の負圧吸着式の吸着パッド５３が設けられたものである。   When the cleaning and drying of the wafer 1 is completed, the spinner table 61 is raised to the wafer delivery position, and the wafer-attached frame 6 on the spinner table 61 is returned to the frame guide rail 34 by the third transport means 50. The third transport unit 50 has the same configuration as the second transport unit 40, and is an extendable arm that is reciprocated in the Y direction along a linear guide 51 provided below the linear guide 41 on the side surface 11a of the cabinet 11. A plurality of negative-pressure suction-type suction pads 53 that are sucked onto the upper surface of the frame 4 and hold the frame 4 are provided at the front end of the frame 52.

洗浄工程を終えた後は、第３搬送手段５０の伸縮アーム５２が下方に伸びて吸着パッド５３がフレーム４に吸着し、スピンナテーブル６１の負圧吸着の運転が解除されることにより、吸着パッド５３に保持される。そして、伸縮アーム５２が縮小してからＹ方向手前側に移動し、再び伸縮アーム５２が伸びて吸着パッド５３の吸着が解除されることにより、ウェーハ付きフレーム６は一対のフレームガイドレール３４に載置される。フレームガイドレール３４に載置されたウェーハ付きフレーム６は第１搬送手段３０によってフレーム４が保持され、アーム３２がＹ方向手前側に移動することによりカセット９内に搬入される。   After finishing the cleaning process, the telescopic arm 52 of the third transport means 50 extends downward, the suction pad 53 is sucked onto the frame 4, and the operation of the negative pressure suction of the spinner table 61 is released, whereby the suction pad is released. 53. Then, after the telescopic arm 52 is contracted and moved to the front side in the Y direction, the telescopic arm 52 is extended again and the suction of the suction pad 53 is released, so that the frame 6 with a wafer is placed on the pair of frame guide rails 34. Placed. The frame 6 with a wafer placed on the frame guide rail 34 is held in the cassette 9 by the first conveying means 30 holding the frame 4 and moving the arm 32 forward in the Y direction.

以上のように、ウェーハ１はカセット９から搬出されてダイシング工程と洗浄工程がなされ、カセット９に戻される。続いて、カセット９に収納されているウェーハ１をカセット９から搬出したり、ウェーハ１をカセット９に搬入したりする上記第１搬送手段３０について詳述する。   As described above, the wafer 1 is unloaded from the cassette 9, subjected to the dicing process and the cleaning process, and returned to the cassette 9. Next, the first transfer means 30 for unloading the wafer 1 housed in the cassette 9 from the cassette 9 and loading the wafer 1 into the cassette 9 will be described in detail.

（２−２）第１搬送手段の構成
図３（ａ）に示すように、上記アーム３２の先端には、ウェーハ付きフレーム６を保持する保持部３５が設けられている。この保持部３５は、アーム３２の先端に固定された直方体状のブロック３６と、ブロック３６に取り付けられた上下一対のブローノズル３７Ａ，３７Ｂとを備えている。 (2-2) Configuration of First Conveying Unit As shown in FIG. 3A, a holding portion 35 that holds the frame 6 with a wafer is provided at the tip of the arm 32. The holding portion 35 includes a rectangular parallelepiped block 36 fixed to the tip of the arm 32 and a pair of upper and lower blow nozzles 37A and 37B attached to the block 36.

ブロック３６は、図１におけるＸ方向の位置が、上記フレームガイドレール３４の間であってカセットステージ１５に載置されるカセット９のＸ方向の中央に対応する位置に配されており、カセット９への対向面３６ａの下方に、ウェーハ付きフレーム６のフレームを把持する上記クランプ３３が配設されている。ブロック３６のカセット９への対向面３６ａは、ウェーハ付きフレーム６をカセット９に搬入する時にフレーム４を押す突き当て部として構成されている。   The block 36 is disposed at a position in the X direction in FIG. 1 between the frame guide rails 34 and corresponding to the center in the X direction of the cassette 9 placed on the cassette stage 15. The clamp 33 for holding the frame of the frame 6 with a wafer is disposed below the facing surface 36a. The opposing surface 36 a of the block 36 to the cassette 9 is configured as an abutting portion that pushes the frame 4 when the frame 6 with a wafer is carried into the cassette 9.

上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂはパイプからなるもので、上側ブローノズル（第１のブローノズル）３７Ａはブロック３６の上面への固定部から上方に延びた後、Ｙ方向手前側に向かって屈曲し、下りながら傾斜した形状をなしている。また、下側ブローノズル（第２のブローノズル）３７Ｂはブロック３６の下面への固定部から下方に延びた後、Ｙ方向手前側に向かって屈曲し、上がりながら傾斜した形状をなしている。これらブローノズル３７Ａ，３７Ｂの先端は、ブロック３６の突き当て部３６ａからカセット９側に突出しない長さとされている。   The upper and lower blow nozzles 37A and 37B are formed of pipes, and the upper blow nozzle (first blow nozzle) 37A extends upward from the fixing portion to the upper surface of the block 36 and then bends toward the front side in the Y direction. The shape is inclined while descending. Further, the lower blow nozzle (second blow nozzle) 37B extends downward from the fixing portion to the lower surface of the block 36, then bends toward the front side in the Y direction, and has an inclined shape while rising. The tips of the blow nozzles 37A and 37B have a length that does not protrude from the abutting portion 36a of the block 36 toward the cassette 9 side.

図４に示すように、各ブローノズル３７Ａ，３７Ｂは、エア配管７１を介してエアポンプ等のエア供給手段７２に連通されており、ブローノズル３７Ａ，３７Ｂからはエアが噴出するようになっている。エア配管７１は、アーム３２の内部からキャビネット１１の内部を経てエア供給手段７２に接続されている。上側ブローノズル３７Ａから噴出するエアは、クランプ３３で把持されたウェーハ付きフレーム６のウェーハ１の上面（表面）全面に吹き付けられるようになっている。また、下側ブローノズル３７Ｂから噴出するエアは、クランプ３３で把持されたウェーハ付きフレーム６のウェーハ１の下面（ウェーハ１の裏面、この場合、厳密にはウェーハ１の裏面に貼着されている粘着テープ５の裏面）全面に吹き付けられるようになっている。   As shown in FIG. 4, each of the blow nozzles 37A and 37B is connected to an air supply means 72 such as an air pump via an air pipe 71, and air is ejected from the blow nozzles 37A and 37B. . The air pipe 71 is connected to the air supply means 72 from the inside of the arm 32 through the inside of the cabinet 11. Air blown from the upper blow nozzle 37 </ b> A is blown over the entire upper surface (front surface) of the wafer 1 of the frame 6 with a wafer held by the clamp 33. The air blown from the lower blow nozzle 37B is attached to the lower surface of the wafer 1 of the frame 6 with a wafer held by the clamp 33 (the back surface of the wafer 1, in this case, strictly speaking, the back surface of the wafer 1). The back surface of the adhesive tape 5 is sprayed on the entire surface.

また、上記ブロック３６内には、エア配管７１から上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂに送られるエアをイオン化するイオン化エア生成手段７３が設けられている。イオン化エア生成手段７３としては、例えば、針状の電極に電圧をかけてコロナ放電を起こし、該電極周辺を通過するエアをイオン化するものなどが好適に用いられる。このようなイオン化エア生成手段７３にあっては、印加する電圧をコントロールすることにより、プラスイオンとマイナスイオンとを適宜に発生させることができる。このイオン化エア生成手段７３を作動させながらエア供給手段７２からブローノズル３７Ａ，３７Ｂにエアを供給すると、クランプ３３に把持されたウェーハ付きフレーム６のウェーハ１の上下の面には、ブローノズル３７Ａ，３７Ｂからイオン化されたエアが吹き付けられる。   In the block 36, ionized air generating means 73 for ionizing air sent from the air pipe 71 to the upper and lower blow nozzles 37A and 37B is provided. As the ionized air generating means 73, for example, a device that applies voltage to a needle-like electrode to cause corona discharge and ionizes air passing around the electrode is suitably used. In such ionized air generating means 73, positive ions and negative ions can be appropriately generated by controlling the applied voltage. When air is supplied from the air supply means 72 to the blow nozzles 37A and 37B while operating the ionized air generation means 73, the blow nozzles 37A and 37B are formed on the upper and lower surfaces of the wafer 1 of the frame 6 with a wafer held by the clamp 33. Ionized air is blown from 37B.

（２−３）第１搬送手段の動作ならびに作用効果
上記第１搬送手段３０は、前述のように、切削加工前のウェーハ１を備えたウェーハ付きフレーム６をカセット９から搬出したり、切削加工および洗浄処理されたウェーハ１を備えたウェーハ付きフレーム６をカセット９に搬入したりする。 (2-3) Operation and Effect of First Conveying Unit As described above, the first conveying unit 30 carries out the wafer-attached frame 6 including the wafer 1 before the cutting process from the cassette 9 or performs the cutting process. Then, the wafer-mounted frame 6 including the cleaned wafer 1 is carried into the cassette 9.

ウェーハ付きフレーム６のカセット９からの搬出は、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、フレームガイドレール３４よりも洗浄装置６０側（図５で右側）に位置している保持部３５がカセット９方向に前進し、ウェーハ付きフレーム６のフレーム４をクランプ３３で把持し、次いで、図５（ｃ）に示すように保持部３５が後退することにより、ウェーハ付きフレーム６をフレームガイドレール３４上に引き出す。そして、クランプ３３による把持を解除して、ウェーハ付きフレーム６がフレームガイドレール３４上に載置される。保持部３５のカセット９に対する前進・後退はアーム３２のＹ方向への移動による。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the frame 6 with a wafer is unloaded from the cassette 9, as shown in FIGS. 5A and 5B, the holding unit 35 positioned on the cleaning device 60 side (right side in FIG. 5). Advances in the direction of the cassette 9, the frame 4 of the frame 6 with wafer is held by the clamp 33, and then the holding portion 35 is retracted as shown in FIG. 34 Pull out on top. Then, the holding by the clamp 33 is released, and the frame 6 with a wafer is placed on the frame guide rail 34. Advancement / retraction of the holding portion 35 relative to the cassette 9 is caused by movement of the arm 32 in the Y direction.

ここで、少なくともクランプ３３でウェーハ付きフレーム６を把持してからフレームガイドレール３４上にウェーハ付きフレーム６を載置するまでの間においては、イオン化エア生成手段７３を作動させながらエア供給手段７２よりエアを上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂに供給する。これにより上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂからウェーハ付きフレーム６のウェーハ１の上下の面にイオン化エアが吹き付けられる。   Here, at least from the time when the frame 6 with a wafer is held by the clamp 33 until the frame 6 with a wafer is placed on the frame guide rail 34, the air supply means 72 operates while the ionized air generation means 73 is operated. Air is supplied to the upper and lower blow nozzles 37A and 37B. As a result, ionized air is blown from the upper and lower blow nozzles 37A and 37B onto the upper and lower surfaces of the wafer 1 of the frame 6 with a wafer.

一方、洗浄処理されてフレームガイドレール３４上に載置されたウェーハ付きフレーム６のカセット９への搬入は、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、保持部３５のブロック３６の突き当て部３６ａをフレーム４に突き当て、保持部３５をカセット９方向に前進させる。これにより、ウェーハ付きフレーム６はブロック３６に押されてカセット９に搬入される。この搬入時においても、イオン化エア生成手段７３を作動させながらエア供給手段７２よりエアを上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂに供給し、これらブローノズル３７Ａ，３７Ｂからウェーハ１の上下の面にイオン化エアを吹き付けることを行う。   On the other hand, as shown in FIGS. 6A to 6C, the wafer 6 with the wafer 6 that has been cleaned and placed on the frame guide rail 34 is loaded into the cassette 9 as shown in FIGS. The abutting portion 36 a is abutted against the frame 4 and the holding portion 35 is advanced in the direction of the cassette 9. Thereby, the frame 6 with a wafer is pushed by the block 36 and carried into the cassette 9. At the time of loading, air is supplied from the air supply means 72 to the upper and lower blow nozzles 37A and 37B while operating the ionized air generating means 73, and ionized air is supplied to the upper and lower surfaces of the wafer 1 from these blow nozzles 37A and 37B. Do spraying.

本実施形態では、フレームガイドレール３４からカセット９にウェーハ１を搬入する動作の間、およびカセット９からウェーハ１を搬出してフレームガイドレール３４上にウェーハ１を載置する動作の間においては、常にイオン化エアをウェーハ１に吹き付けることができる。これは、ウェーハ１に近接する保持部３５にブローノズル３７Ａ，３７Ｂを設けているために可能となっている。そして、イオン化エアをウェーハ１に吹き付けるブローノズル３７Ａ，３７Ｂは、それぞれウェーハ１の上面および下面にイオン化エアを吹き付けるため、ウェーハ１の両面にイオン化エアを十分に行き渡らせることができる。その結果、カセット９に対する搬入／搬出時においてウェーハ１に発生する静電気を確実に除去することができる。   In the present embodiment, during the operation of loading the wafer 1 from the frame guide rail 34 into the cassette 9 and during the operation of unloading the wafer 1 from the cassette 9 and placing the wafer 1 on the frame guide rail 34, It is always possible to blow ionized air onto the wafer 1. This is possible because the blow nozzles 37 </ b> A and 37 </ b> B are provided in the holding unit 35 close to the wafer 1. The blow nozzles 37 </ b> A and 37 </ b> B that blow ionized air onto the wafer 1 blow ionized air onto the upper surface and the lower surface of the wafer 1, respectively, so that the ionized air can be sufficiently distributed on both surfaces of the wafer 1. As a result, static electricity generated on the wafer 1 during loading / unloading with respect to the cassette 9 can be reliably removed.

（２−４）カセット内のウェーハの除電
本実施形態によれば、カセット９に対するウェーハ１の搬入／搬出時の他に、カセット９に収納されている多数のウェーハ１にイオン化エアを吹き付けて静電気を除去することができる。図７はその動作例を示しており、保持部３５をカセット９に近接させて上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂからイオン化エアを噴出しながら、移動手段１６によってカセット９を断続的に昇降させることにより、カセット９に積層状態で収納されている各ウェーハ１の上下の面にイオン化エアを吹き付けることができる。このように保持部３５のブローノズル３７Ａ，３７Ｂからカセット９内にイオン化エアを吹き付けることにより、除電手段を別途設けることなくカセット９内のウェーハ１の除電を行うことができる。 (2-4) Static elimination of wafers in cassette According to this embodiment, in addition to loading / unloading of wafers 1 to / from cassette 9, ionization air is blown onto a large number of wafers 1 accommodated in cassette 9 to discharge static electricity. Can be removed. FIG. 7 shows an example of the operation. By moving the holding unit 35 close to the cassette 9 and ejecting ionized air from the upper and lower blow nozzles 37A and 37B, the cassette 9 is lifted and lowered intermittently by the moving means 16. The ionized air can be blown onto the upper and lower surfaces of each wafer 1 stored in the cassette 9 in a stacked state. In this manner, by blowing ionized air into the cassette 9 from the blow nozzles 37A and 37B of the holding unit 35, it is possible to remove electricity from the wafer 1 in the cassette 9 without providing any electricity removing means.

ここで、カセット９内のウェーハ１へのイオン化エアの吹き付けは、上記制御手段１０Ａが有する図８に示すイオン化エア供給プログラムによって実行される。すなわち、該プログラムによるウェーハ１へのイオン化エアの吹き付けは、保持部３５をカセット９方向に前進させて近接させ（ステップＳ１）、次いで、移動手段１６によってカセット９を昇降させてカセット９内のウェーハ１を上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂに位置付け（ステップＳ２）、ウェーハ１に向けてブローノズル３７Ａ，３７Ｂからイオン化エアを噴出する（ステップＳ３）ことによってなされる。   Here, the blowing of ionized air onto the wafer 1 in the cassette 9 is executed by an ionized air supply program shown in FIG. That is, the ionized air is blown onto the wafer 1 by the program by moving the holding portion 35 forward in the direction of the cassette 9 (step S1), and then moving the cassette 9 up and down by the moving means 16 to move the wafer in the cassette 9 1 is positioned on the upper and lower blow nozzles 37A and 37B (step S2), and ionized air is ejected from the blow nozzles 37A and 37B toward the wafer 1 (step S3).

また、カセット９内のウェーハ１にイオン化エアを吹き付けるタイミングは任意であり、例えば、ウェーハ１を収納したカセット９をカセットステージ１５に載置した直後に未加工のウェーハ１全てに行うか、カセット９から搬出されたウェーハ１が切削加工されていたり洗浄されていたりする最中に行うといったタイミングが考えられる。あるいは、全てのウェーハ１を加工してカセット９に収納した後に行ってもよい。   Also, the timing at which ionized air is blown onto the wafer 1 in the cassette 9 is arbitrary. For example, it is performed on all the unprocessed wafers 1 immediately after the cassette 9 containing the wafer 1 is placed on the cassette stage 15, or the cassette 9 A timing may be considered in which the wafer 1 unloaded from the wafer 1 is being cut or washed. Alternatively, it may be performed after all the wafers 1 are processed and stored in the cassette 9.

（３）保持部の他の実施形態
図９は、第１搬送手段３０における保持部３５の他の実施形態を示している。この保持部３５は、図２に示したように粘着テープ５を介してフレーム４で支持したウェーハ１ではなく、ウェーハ１単体を、アーム３２の先端に形成された水平なトレー３８により直接保持するものである。そして、カセット９にはウェーハ１が単体の状態で収納される。また、この場合にはフレームガイドレール３４は用いられない。トレー３８のカセットステージ１５側には、Ｕ字状の切欠き３８ａが形成され、かつ、切欠き３８ａの両側に受け部３８ｂが形成されている。左右一対の受け部３８ｂの上面には、ウェーハ１の外周部の裏面に負圧の作用で吸着する吸着部３９が設けられている。この保持部３５によれば、トレー３８の受け部３８ｂの上にウェーハ１を受け、吸着部３９でウェーハ１の外周部を吸着することによってウェーハ１を保持する。受け部３８ｂで保持されたウェーハ１においては、上面は全面が露出しており、下面はトレー３８で覆われる外周部以外の大部分が露出した状態となる。 (3) Other Embodiments of Holding Unit FIG. 9 shows another embodiment of the holding unit 35 in the first transport unit 30. The holding unit 35 directly holds the wafer 1 alone, not the wafer 1 supported by the frame 4 via the adhesive tape 5 as shown in FIG. 2, by a horizontal tray 38 formed at the tip of the arm 32. Is. The cassette 1 stores the wafer 1 in a single state. In this case, the frame guide rail 34 is not used. A U-shaped notch 38a is formed on the cassette stage 15 side of the tray 38, and receiving portions 38b are formed on both sides of the notch 38a. On the upper surface of the pair of left and right receiving portions 38b, an adsorption portion 39 is provided that adsorbs to the back surface of the outer peripheral portion of the wafer 1 by the action of negative pressure. According to the holding part 35, the wafer 1 is received on the receiving part 38 b of the tray 38, and the wafer 1 is held by adsorbing the outer peripheral part of the wafer 1 by the adsorbing part 39. In the wafer 1 held by the receiving portion 38 b, the entire upper surface is exposed, and the lower surface is in a state where most of the portion other than the outer peripheral portion covered with the tray 38 is exposed.

トレー３８の、洗浄装置６０側の端部には、上記と同様のブロック３６および上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂが設けられている。ブロック３６はトレー３８を貫通する状態で固定され、トレー３８の上下面に突出しており、ブロック３６の上面に上側ブローノズル３７Ａが取り付けられ、下面に下側ブローノズル３７Ｂが取り付けられている。この保持部３５によれば、ウェーハ１がトレー３８上で受けられ左右の吸着部３９に吸着した状態で、上記イオン化エア生成手段７３を作動させながら上記エア供給手段７２よりブローノズル３７Ａ，３７Ｂにエアが供給されると、ウェーハ１の上下の面にブローノズル３７Ａ，３７Ｂからイオン化されたエアが吹き付けられるようになっている。   The same block 36 and upper and lower blow nozzles 37A and 37B are provided at the end of the tray 38 on the cleaning device 60 side. The block 36 is fixed in a state of penetrating the tray 38, protrudes from the upper and lower surfaces of the tray 38, the upper blow nozzle 37A is attached to the upper surface of the block 36, and the lower blow nozzle 37B is attached to the lower surface. According to the holding unit 35, the wafer 1 is received on the tray 38 and adsorbed to the left and right adsorbing units 39, and the ionized air generating unit 73 is operated to the blow nozzles 37 </ b> A and 37 </ b> B from the air supply unit 72. When air is supplied, ionized air is blown onto the upper and lower surfaces of the wafer 1 from the blow nozzles 37A and 37B.

この保持部３５によるウェーハ１のカセット９からの搬出は、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、カセット９から洗浄装置６０側（図１０で右側）で待機している保持部３５がカセット９方向に前進し、トレー３８が１枚のウェーハ１の下面に沿ってカセット９内に進入する。そして負圧による吸着作用を発生させた吸着部３９にウェーハ１を吸着し、この後、図１０（ｃ）に示すように保持部３５が後退することにより、ウェーハ１を水平に引き出す。この後、吸着部３９による吸着が解除されると同時に、上記第２搬送手段４０、あるいは他の搬送手段でトレー３８上のウェーハ１が保持され、ウェーハ１はダイシング工程に移される。また、洗浄工程を終えたウェーハ１は、第２搬送手段４０、あるいは他の搬送手段でトレー３８上に載置され、吸着部３９により吸着、保持されてから、図１０（ａ）〜（ｃ）の逆の動作を行うことによりカセット９へ搬入される。   As shown in FIGS. 10A to 10B, the holding unit 35 carries the wafer 1 out of the cassette 9 and is waiting from the cassette 9 on the cleaning device 60 side (right side in FIG. 10). Advances in the direction of the cassette 9, and the tray 38 enters the cassette 9 along the lower surface of one wafer 1. Then, the wafer 1 is adsorbed to the adsorbing part 39 that has generated the adsorbing action due to the negative pressure, and then the holding part 35 is retracted as shown in FIG. Thereafter, the suction by the suction unit 39 is released, and at the same time, the wafer 1 on the tray 38 is held by the second transport unit 40 or another transport unit, and the wafer 1 is transferred to the dicing process. Further, after the cleaning process, the wafer 1 is placed on the tray 38 by the second transfer means 40 or other transfer means, and is sucked and held by the suction portion 39, and then the wafers 1A to 10C are used. ) Is carried into the cassette 9 by performing the reverse operation.

この保持部３５では、トレー３８によってウェーハ１を受けてから搬送している間、および搬出時において吸着部３９による吸着を解除してトレー３８からウェーハ１が離反するまでの間において、イオン化エア生成手段７３を作動させながらエア供給手段７２よりエアを上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂに供給する。これにより上下のブローノズル３７Ａ，３７Ｂからウェーハ１の上下の面にイオン化エアが吹き付けられ、カセット９に対する搬入／搬出時においてウェーハ１に発生する静電気が確実に除去される。また、トレー３８からウェーハ１が離反する時には剥離帯電が起こりやすいが、離反時にもイオン化エアを吹き付けていることにより、剥離帯電を確実に除去することができる。   The holding unit 35 generates ionized air while the wafer 1 is received by the tray 38 and then transported, and during the time when the wafer 1 is separated from the tray 38 after the adsorption by the adsorption unit 39 is released. While operating the means 73, air is supplied from the air supply means 72 to the upper and lower blow nozzles 37A, 37B. Thereby, ionized air is blown onto the upper and lower surfaces of the wafer 1 from the upper and lower blow nozzles 37A and 37B, and static electricity generated on the wafer 1 during loading / unloading with respect to the cassette 9 is reliably removed. In addition, peeling electrification is likely to occur when the wafer 1 is separated from the tray 38, but the peeling electrification can be surely removed by blowing ionized air at the time of separation.

以上が本発明の実施形態であるが、本発明は上記切削加工装置に限られず、レーザ光照射によるダイシング、レーザ光を用いた孔あけ加工、研削加工、研磨加工、エキスパンド分割加工を行う装置など、種々の加工装置に適用することが可能である。   The above is the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the above-described cutting apparatus, but is an apparatus for performing dicing by laser light irradiation, drilling using laser light, grinding, polishing, expanded division, and the like. It can be applied to various processing apparatuses.

本発明の一実施形態に係る切削加工装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cutting apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 同装置で切削加工される半導体ウェーハが粘着テープを介してフレームに支持されている状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the semiconductor wafer cut by the same apparatus is supported by the flame | frame via the adhesive tape. 同装置に適用された一実施形態の保持部を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。It is (a) perspective view and (b) side view which show the holding | maintenance part of one Embodiment applied to the apparatus. 保持部のブローノズルとエア供給手段の接続状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the connection state of the blow nozzle of an holding | maintenance part, and an air supply means. 一実施形態の第１搬送手段の保持部によりウェーハをカセットから搬出する動作を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the operation | movement which carries a wafer out of a cassette by the holding part of the 1st conveyance means of one Embodiment. 一実施形態の第１搬送手段の保持部によりウェーハをカセットに搬入する動作を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the operation | movement which carries a wafer in a cassette by the holding part of the 1st conveyance means of one Embodiment. 一実施形態の第１搬送手段の保持部によりカセット内のウェーハにイオン化エアを吹き付ける動作を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the operation | movement which sprays ionized air on the wafer in a cassette by the holding | maintenance part of the 1st conveyance means of one Embodiment. 制御手段が有するカセット内へのイオン化エア供給プログラムのフローチャートである。It is a flowchart of the ionization air supply program into the cassette which a control means has. 第１搬送手段における保持部の他の実施形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。It is the (a) perspective view and (b) side view which show other embodiment of the holding | maintenance part in a 1st conveyance means. 他の実施形態の第１搬送手段の保持部によりウェーハをカセットから搬出する動作を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically operation | movement which carries out a wafer from a cassette by the holding part of the 1st conveyance means of other embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１…半導体ウェーハ（ワーク）、４…フレーム、４ａ…フレームの開口部、５…粘着テープ、９…カセット、１０…切削加工装置、１０Ａ…制御手段、 １５…カセットステージ、１６…移動手段、２０…チャックテーブル（保持手段）、３０…第１搬送手段、３３…クランプ（挟持部）、３４…フレームガイドレール、３５…保持部、３６ａ…突き当て部、３７Ａ…上側ブローノズル（第１のブローノズル）、３７Ｂ…下側ブローノズル（第２のブローノズル）、７２…エア供給手段、７３…イオン化エア生成手段。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer (workpiece), 4 ... Frame, 4a ... Frame opening, 5 ... Adhesive tape, 9 ... Cassette, 10 ... Cutting device, 10A ... Control means, 15 ... Cassette stage, 16 ... Moving means, 20 ... chuck table (holding means), 30 ... first conveying means, 33 ... clamp (clamping part), 34 ... frame guide rail, 35 ... holding part, 36a ... abutment part, 37A ... upper blow nozzle (first blower) Nozzle), 37B ... Lower blow nozzle (second blow nozzle), 72 ... Air supply means, 73 ... Ionized air generation means.

Claims (1)

板状のワークが収納されたカセットが載置されるカセットステージと、
該カセットステージに載置された前記カセットにワークを搬入したり、該カセットに収納されたワークを該カセットから搬出したりする搬送手段と、
ワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたワークを加工する加工手段と、を具備し、
前記搬送手段は、ワークの一面における少なくとも一部、および該ワークの他面における少なくとも一部が露出する状態に該ワークを保持する保持部を有しており、該搬送手段には、前記一面にイオン化エアを吹き出す第１のブローノズルと、前記他面にイオン化エアを吹き出す第２のブローノズルと、
前記カセットと前記搬送手段とを、該カセットに収納されたワークの厚さ方向に相対的に移動させる移動手段を有し、
前記第１のブローノズルおよび前記第２のブローノズルから吹き出される前記イオン化エアの吹き出し方向がカセットに向かう方向とされた加工装置に適用される制御用のイオン化エア供給プログラムであって、
前記搬送手段を前記カセットに近接させるステップと、
前記移動手段によって、前記カセットと前記搬送手段とを該カセットに収納されたワークの厚さ方向に相対的に移動させて、ワークを前記第１のブローノズルおよび前記第２のブローノズルに位置付けるステップと、
該ワークに向けて、前記第１のブローノズルおよび前記第２のブローノズルからイオン化エアを噴出するステップと、
を備えることを特徴とするイオン化エア供給プログラム。 A cassette stage on which a cassette storing plate-like workpieces is placed;
Conveying means for loading a workpiece into the cassette placed on the cassette stage, or unloading the workpiece stored in the cassette;
Holding means for holding the workpiece;
Machining means for machining the workpiece held by the holding means ,
The transport means includes a holding portion that holds the work in a state where at least a part of one surface of the work and at least a part of the other surface of the work are exposed. A first blow nozzle that blows ionized air; a second blow nozzle that blows ionized air to the other surface ;
Moving means for relatively moving the cassette and the transport means in the thickness direction of the workpieces stored in the cassette;
An ionized air supply program for control applied to a processing apparatus in which the blowing direction of the ionized air blown out from the first blow nozzle and the second blow nozzle is a direction toward the cassette,
Bringing the transport means close to the cassette;
A step of positioning the work on the first blow nozzle and the second blow nozzle by moving the cassette and the transport means relative to each other in the thickness direction of the work housed in the cassette by the moving means; When,
Ejecting ionized air from the first blow nozzle and the second blow nozzle toward the workpiece;
An ionized air supply program comprising:

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