JP5183717B2 - 電子部品 - Google Patents
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
の平滑性が要求されるセラミック部材101には相応しい方法とは言えなかった。
102の製造方法はセラミックグリーンシートに貫通孔を形成したものと貫通孔のないものを貼り合わせ焼成する方法や焼結後の基板にサンドブラスト等で凹部を形成する方法が採用されていて、これらの方法はいずれもコスト高になるという課題があった。
リカが偏在していることがわかる。
に溶融層116や、またマイクロクラック117が存在すると、端面電極7の密着強度を大幅に低下することになる。また、前述した方法により、溶融層116を除去したとしても、電極形成面積が小さいことから、その密着強度を満足できなかったが、前記したように、端面電極7を形成するペースト中に含まれる添加剤の一部とセラミック部材1中の添加剤とが互いに移動し合い相互拡散することにより、セラミックの融点より低い成分の添加剤が一様に分散しているセラミック部材1と端面電極7との密着強度より、セラミック部材1と端子電極7との密着強度が向上しやすくなる。そして、セラミックより低い融点の成分が凹部2の表層部2aに偏在することにより、偏在させていない場合と比較し、密着強度が向上するのが80%以下の凹部2の表層部2aの面積に主成分のセラミックより低い融点の成分が存在する条件下である。
溶融層116は存在しないが、その下部のセラミックスの結晶粒子13まで破壊されているので凹部102の表層部102aは粒内破壊面となる。
ラツキd5とし、一般には、赤色探傷液を凹部2に塗布後、凹部2に沿って分割し工場顕微鏡で着色部分の深さを測定するが、本実施形態品では上記深さdのバラツキd5が小さいために工場顕微鏡による測定では測定誤差範囲内となることがある。したがって、凹部2に沿って分割後に、その分割した側面に表面分析用の金を蒸着してSEM分析写真を撮り、その写真から深さdのバラツキd5を求めた。
の境界線間距離のバラツキDや深さdのバラツキを抑制した加工が可能となる。
を13m/分とした。試料数は5シートで試料番号1〜5である。ここで本実施形態の実施例である熱照射の温度はレーザー光21の照射面において約1850℃である。
移動速度sを8m/分で凹部102を加工した。試料数は5シートで試料番号6〜10である。ここで比較例のレーザー光21の照射面における温度は約3400℃である。
0μsec.とし、パルス周期を100μsec.(周波数10KHz)で照射し、レー
ザー光21の移動速度sを8、9、10、13、20m/分でおこない、それぞれ試料番号を11〜15とした。
上記ON信号26の時間を33μsec.とし、パルス周期を111μsec.(周波数9000Hz)、試料番号18は上記ON信号26の時間を30μsec.とし、パルス
周期を100μsec.(周波数10KHz)、試料番号19は上記ON信号26の時間
を25μsec.とし、パルス周期を87μsec.(周波数11.5KHz)、試料番
号20は上記ON信号26の時間を23μsec.とし、パルス周期を77μsec.(
周波数13KHz)で加工した。ここで、上記レーザー光21の照射面における温度は試
料番号16が約2030℃、一方で、試料番号17〜20は約1770℃〜1950℃である。
ある試料番号17〜20は、いずれも上記シリカは表層部102aで偏在し、その分布の割合は表層部102aの面積において50〜80%を占めていた。これにより、上記シリカと電極17中のシリカとが相互拡散することによって、セラミック部材1と電極17との密着強度が向上したため、電極17の剥離強度が増大した。
2、102:凹部
2a、102a:表層部
3、103:分割用溝
4、104:半導体チップ搭載用凹部
5、105:電子部品
6、106:回路パターン
7、107:端面電極
8:薄膜金属層
9:金属層
10:半導体チップ
11:導電体
13:結晶粒子
14:ガラス質
15:添加剤
16:セラミック基板
17:電極
18:変質層
19:亀裂
20:熱照射
21:レーザー光
22:集光レンズ
23:加工テーブル
24:パルス波形
25:ノーマルレーザーの発振信号
26:ON信号
116:溶融層
117:マイクロクラック
118:溶着物
119:亀裂
Claims (1)
- Al 2 O 3 91〜99.6質量%、添加成分としてSiO 2 ,MgO,CaOとを含有してなるセラミック基板の少なくとも一方の主面に導電体を形成し、前記セラミック基板の側面表層部にSiを前記側面表層部の表面の面積の50〜90%で存在させ、該側面表層部にSiを含有する電極を形成するとともに、該電極と前記導電体とを導通したことを特徴とする電子部品。
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