JP5178002B2 - レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態において、複数のマーカーの相対位置を検出して、レーザ照射位置の所望の照射位置からのずれを補正する方法を説明する。なお、図4において図1〜図3と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図4は、XYステージ及びXYステージ上に設けられた試料の一部を示す図である。
本実施の形態では、半導体膜を結晶化する工程について説明する。なお、図5において図1〜図4と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図5に、本実施の形態におけるレーザ照射装置の一部を示す。
M2=f(s+D)/s=150×(0.5+0.5)/0.5=300mm・・・(式4)
本実施の形態においては、薄膜トランジスタ(TFT)を作製する工程について説明する。なお、本実施の形態ではトップゲート型(順スタガ型)TFTの作製方法を記載しているが、トップゲート型TFTに限らず、ボトムゲート型(逆スタガ型)TFTなどでも同様に本発明を用いることができる。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて用いることができる。
本発明のレーザ照射位置のずれを補正する方法を用いて作製した半導体装置を用いて様々な電子機器を作製することができる。電子機器の具体例を図を用いて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて用いることができる。
101 レーザビーム
103 光学系
104 ガラス基板
105 照明
106 カメラ
107 画像処理装置
108 モニター
109 XYステージ
110 駆動装置
111 コントローラ
Claims (6)
- レーザビームを射出するレーザ発振器と、
XYステージと、
前記XYステージ上に設けられる少なくとも2つのアライメントマーカーが形成された被照射体の表面において前記レーザビームを線状ビームに形成する光学系と、
前記2つのアライメントマーカーを撮像するカメラと、
前記カメラで検出した画像から前記2つのアライメントマーカー間の距離を検出する画像処理装置と、を有し、
前記2つのアライメントマーカー間の距離とあらかじめ決められた前記2つのアライメントマーカー間の距離の差を補正して前記線状ビームの照射位置のずれを補正することを特徴とするレーザ照射装置。 - レーザビームを射出するレーザ発振器と、
XYステージと、
前記XYステージ上に設けられる少なくとも2つのアライメントマーカーが形成された被照射体の表面において前記レーザビームを線状ビームに形成する光学系と、
前記被照射体の表面に光を照射する照明と、
前記2つのアライメントマーカー及び前記被照射体表面の前記線状ビームが照射された領域での前記光の反射光を検出するカメラと、
前記カメラで検出した画像から前記2つのアライメントマーカー間の距離を検出する画像処理装置と、を有し、
前記2つのアライメントマーカー間の距離とあらかじめ決められた前記2つのアライメントマーカー間の距離の差を補正し、前記カメラで検出した前記反射光から検出された前記線状ビームの照射位置のずれを補正することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1又は2において、
前記被照射体はガラス基板上に形成された半導体膜であることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記レーザ発振器として、YAGレーザ、YVO4レーザ、GdVO4レーザ、YLFレーザ又はArレーザを用いることを特徴とするレーザ照射装置。 - 少なくとも2つのアライメントマーカーが設けられた半導体膜の表面をカメラで撮像し、
前記カメラで撮像した画像から前記2つのアライメントマーカー間の距離を検出し、
前記2つのアライメントマーカー間の距離とあらかじめ決められた前記2つのアライメントマーカー間の距離の差を補正して前記半導体膜表面に照射される線状ビームの照射位置のずれを補正することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 少なくとも2つのアライメントマーカーが設けられた半導体膜の表面をカメラで撮像し、
前記カメラで撮像した画像から前記2つのアライメントマーカー間の距離を検出し、
前記2つのアライメントマーカー間の距離とあらかじめ決められた前記2つのアライメントマーカー間の距離の差を補正して前記半導体膜表面に照射される線状ビームの照射位置のずれを補正し、
前記半導体膜表面に線状ビームを照射し、
前記半導体膜表面の前記線状ビームが照射された領域に照射された光の反射光をカメラで検出し、
前記カメラで検出した前記反射光から検出された前記線状ビームの照射位置のずれを補正することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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