JP5177570B2 - 有機elパネルの製造方法 - Google Patents
有機elパネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5177570B2 JP5177570B2 JP2009212589A JP2009212589A JP5177570B2 JP 5177570 B2 JP5177570 B2 JP 5177570B2 JP 2009212589 A JP2009212589 A JP 2009212589A JP 2009212589 A JP2009212589 A JP 2009212589A JP 5177570 B2 JP5177570 B2 JP 5177570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- wiring
- panel
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 2
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
次に、比較例としての有機ELパネルの製造方法について説明する。比較例においては、熱処理工程S6を行わず、陽極配線部4及び陰極配線部5の形成後に支持基板1を200℃、30分の陽極配線部4及び陰極配線部5の低抵抗化を目的とする熱処理を窒素環境下にて行い、正孔注入層9aの形成後に200℃で1時間、5.0×10−4Paの環境下で真空加熱脱水処理を行った。その他の工程については実施例と同様にして有機ELパネルを得た。
2 発光領域
3 ドライバーIC
4 陽極配線部
5 陰極配線部
5a 透明導電体層
5b 第一のキャップ層
5c 導体層
5d 第二のキャップ層
6 陽極
7 絶縁膜
7a 開口部
7b コンタクトホール
8 隔壁
9 有機層
10 陰極
11 封止部材
Claims (6)
- 少なくともアルミニウムとニッケルとを含有する導体層を含む配線部が形成される基体上に、前記基体側に形成される第一電極とこの第一電極と対向する第二電極とで少なくとも正孔注入層と有機発光層を狭持してなる発光部を形成してなり、前記配線部は前記第一,第二電極の少なくとも一方と電気的に接続されてなる有機ELパネルの製造方法であって、
少なくとも前記配線部を形成し、前記正孔注入層をウェット工程で形成した後に前記基体を加熱して前記配線部の抵抗率を下げる熱処理を行うことを特徴とする有機ELパネルの製造方法。 - 前記有機ELパネルは、前記基体上に、少なくとも前記第一電極の端部を覆うように形成される絶縁膜と、前記第二電極を複数に分離するように形成される隔壁と、を形成してなり、
少なくとも前記配線部,前記絶縁膜,前記隔壁及び前記正孔注入層を形成した後に前記基体を加熱して前記配線部の抵抗を下げる熱処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。 - 前記配線部は、モリブデンまたはモリブデン合金を含有するキャップ層を前記導体層上に形成してなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。
- 前記配線部は、前記基体と前記導体層との間に透明導電体層を形成してなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。
- 前記配線部は、モリブデンまたはモリブデン合金を含有するキャップ層を前記透明導電体層と前記導体層との間に形成してなることを特徴とする請求項4に記載の有機ELパネルの製造方法。
- 前記配線部は、前記第一,第二電極の少なくとも一方と駆動回路とを電気的に接続するための配線であることを特徴とする請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009212589A JP5177570B2 (ja) | 2009-09-15 | 2009-09-15 | 有機elパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009212589A JP5177570B2 (ja) | 2009-09-15 | 2009-09-15 | 有機elパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011060738A JP2011060738A (ja) | 2011-03-24 |
JP5177570B2 true JP5177570B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=43948115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009212589A Expired - Fee Related JP5177570B2 (ja) | 2009-09-15 | 2009-09-15 | 有機elパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5177570B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5724828B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-05-27 | 株式会社デンソー | 発光素子 |
JP6441306B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2018-12-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187062A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子 |
JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
JP4022891B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2007-12-19 | 日立金属株式会社 | 配線膜用Al合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 |
JP2005183208A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP4821670B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2011-11-24 | 旭硝子株式会社 | 補助配線付き電極基体の製造方法 |
JP2009105424A (ja) * | 2008-12-12 | 2009-05-14 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
-
2009
- 2009-09-15 JP JP2009212589A patent/JP5177570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011060738A (ja) | 2011-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4728448B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
TWI523295B (zh) | 包含可撓式基板之有機發光裝置及其製備方法 | |
JP4732084B2 (ja) | 発光素子用の基板、その製造方法、発光素子用の電極、及びこれを備えた発光素子 | |
JP5676689B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
EP2592672B1 (en) | Organic light-emitting device and method for manufacturing same | |
US20130140597A1 (en) | Organic Light Emitting Device and Manufacturing Method Thereof | |
CN101989613B (zh) | 有机el显示装置 | |
US9281492B2 (en) | Electro-optic device and method for manufacturing same | |
US20090167169A1 (en) | Organic light emitting diode and method for manufacturing the same | |
JP5986200B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
JP5645251B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
JP5177570B2 (ja) | 有機elパネルの製造方法 | |
US11462599B2 (en) | Display panel with a thermal insulation layer, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
KR102661845B1 (ko) | 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2007026684A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 | |
JP2007335105A (ja) | 発光素子とその製造方法 | |
US8729792B2 (en) | Sign board | |
KR100696584B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JP2010080269A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
WO2010113727A1 (ja) | 有機el素子及び有機el素子の製造方法 | |
JP2003045665A (ja) | 有機el表示装置 | |
US10707437B2 (en) | Top-emitting OLED device, method of manufacturing the same, and display panel | |
WO2010092882A1 (ja) | 有機el発光装置 | |
WO2018235594A1 (ja) | 透明電極の製造方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2010231927A (ja) | 有機el装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5177570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |