JP5169893B2

JP5169893B2 - Method for manufacturing molded product and method for manufacturing storage medium

Info

Publication number: JP5169893B2
Application number: JP2009026051A
Authority: JP
Inventors: 弘敬大島; 明大猪又
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2009-02-06
Filing date: 2009-02-06
Publication date: 2013-03-27
Anticipated expiration: 2029-02-06
Also published as: JP2010182380A

Description

本発明は、成型加工品の製造方法、記憶媒体の製造方法、及び、情報記憶装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a molded product, a method for manufacturing a storage medium, and an information storage device.

従来、マイクロオーダやナノオーダの微細形状を有する成型加工品の作成に関して、様々な技術が用いられている。なお、成型加工品は、マイクロオーダやナノオーダの凹凸を表面に備え、例えば、型（スタンパ、モールド）として用いられる。 Conventionally, various techniques have been used for producing a molded product having a micro-order or nano-order fine shape. The molded product has micro-order or nano-order irregularities on the surface, and is used as, for example, a mold (stamper, mold).

例えば、パターン転写技術では、図１２に示すように、製造装置が、シリカ粒子などの微粒子を配列させたＳｉＯ_２基板に対して、ＣＦ_４ガスを用いたエッチングを行うことで、微粒子の配列パターンをＳｉＯ_２基板上に転写する。なお、図１２は、従来のパターン転写技術を説明するための図である。 For example, in the pattern transfer technique, as shown in FIG. 12, the manufacturing apparatus performs etching using CF ₄ gas on the SiO ₂ substrate on which fine particles such as silica particles are arranged, thereby arranging the fine particle arrangement pattern. Is transferred onto the SiO ₂ substrate. FIG. 12 is a diagram for explaining a conventional pattern transfer technique.

また、例えば、スリミング技術では、図１３に示すように、製造装置が、ＳｉＯ_２基板上に配列されたポリスチレン粒子に対して、配列パターンの転写時に行うエッチングよりも弱い条件下にてＯ２ガスを用いたエッチングを行うことで、粒径を小さくする。なお、図１３は、従来のスリミング技術を説明するための図である。図１３では、スリミング技術を実行した後に、ポリスチレン粒子の配列パターンをＳｉＯ_２基板上に転写する場合を例に示した。なお、スリミング技術では、微粒子として、ポリスチレン粒子が用いられる。 Further, for example, in the slimming technique, as shown in FIG. 13, the manufacturing apparatus applies O 2 gas to polystyrene particles arranged on the SiO ₂ substrate under conditions weaker than etching performed at the time of transferring the arrangement pattern. The particle size is reduced by performing the etching used. FIG. 13 is a diagram for explaining a conventional slimming technique. FIG. 13 shows an example in which the arrangement pattern of polystyrene particles is transferred onto the SiO ₂ substrate after executing the slimming technique. In the slimming technique, polystyrene particles are used as the fine particles.

特開平１０―３２０７７２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-320772 特開２００５―３３９６３３号公報JP 2005-339633 A 特開２００７―２７３７４６号公報JP 2007-273746 A

Wang et al., J. Crystal Growth 288, 200(2006)Wang et al., J. Crystal Growth 288, 200 (2006)

しかしながら、上記した従来の技術では、成型加工品の品質を向上できないという課題があった。例えば、上記したパターン転写技術を単純に用いただけでは、縦横比を示すアスペクト比を１以上にすることができなかった。また、例えば、上記したスリミング技術では、シリカ粒子を用いた場合には均一に小さくできず、ポリスチレン粒子を用いた場合には、ポリスチレン粒子の粒径がシリカ粒子と比較して大きいために凹凸を高密度に作成できなかった。 However, the above-described conventional technique has a problem in that the quality of the molded product cannot be improved. For example, the aspect ratio indicating the aspect ratio could not be increased to 1 or more simply by using the pattern transfer technique described above. Further, for example, in the above slimming technique, when silica particles are used, it cannot be uniformly reduced. When polystyrene particles are used, the particle size of polystyrene particles is larger than that of silica particles, resulting in unevenness. Could not create high density.

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、成型加工品の品質を向上可能な成型加工品の製造方法、記憶媒体の製造方法、及び、情報記憶装置を提供することを目的とする。 The disclosed technology has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a molded product, a method for manufacturing a storage medium, and an information storage device capable of improving the quality of the molded product. To do.

本願の開示する成型加工品の製造方法は、一つの態様において、凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品の製造方法であって、基板上に、マスク層を形成する工程と、前記マスク層上に、表面加工層を形成する工程と、前記表面加工層上に、微粒子を配列する工程と、前記微粒子と前記表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、前記微粒子と、前記表面加工層の一部をエッチングして当該表面加工層を島状に形成し、前記マスク層の表面の一部を露出させる工程と、前記マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、当該マスク層を島状に形成し、前記基板の表面の一部を露出させる工程と、前記第一のエッチングガスで、露出した前記基板と島状の前記表面加工層とをエッチングし、前記所定の凹凸パターンを当該基板に形成する工程とを含む。 In one embodiment, a method for manufacturing a molded product disclosed in the present application is a method for manufacturing a molded product having a predetermined concavo-convex pattern having a concave portion and a convex portion, and a step of forming a mask layer on a substrate And a step of forming a surface processed layer on the mask layer, a step of arranging fine particles on the surface processed layer, and a first etching showing a chemical reaction with respect to the fine particles and the surface processed layer Etching the fine particles and a part of the surface processed layer with a gas to form the surface processed layer into an island shape, exposing a part of the surface of the mask layer; The step of forming the mask layer in an island shape with a second etching gas showing a reaction and exposing a part of the surface of the substrate; and the step of exposing the substrate and the island shape with the first etching gas. Etching the surface processed layer It said predetermined concavo and a step of forming on the substrate.

本願の開示する成型加工品の製造方法の一つの態様によれば、成型加工品の品質を向上可能である。 According to one aspect of the method for manufacturing a molded product disclosed in the present application, the quality of the molded product can be improved.

図１は、実施例１に係る成型加工品の製造方法の概要を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an outline of a method for manufacturing a molded product according to the first embodiment. 図２は、実施例１に係る成型加工品の製造装置の構成を説明するためのブロック図である。FIG. 2 is a block diagram for explaining the configuration of the molded product manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図３は、実施例１における基板とマスク層と表面加工層とを説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the substrate, the mask layer, and the surface processed layer in the first embodiment. 図４−１は、実施例１における凸状壁部が形成された基板を説明するための断面図である。FIG. 4-1 is a cross-sectional view for explaining the substrate on which the convex wall portion is formed in the first embodiment. 図４−２は、実施例１における凸状壁部が形成された基板を説明するための俯瞰図である。FIG. 4-2 is an overhead view for explaining the substrate on which the convex wall portion is formed in the first embodiment. 図４−３は、実施例１における樹脂層形成工程を説明するための図である。4-3 is a figure for demonstrating the resin layer formation process in Example 1. FIGS. 図４−４は、実施例１における樹脂層と対向するスタンパとを説明するための図である。FIGS. 4-4 is a figure for demonstrating the stamper facing the resin layer in Example 1. FIGS. 図４−５は、実施例１における樹脂層に凸部を形成する工程を説明するための図である。4-5 is a figure for demonstrating the process of forming a convex part in the resin layer in Example 1. FIGS. 図４−６は、実施例１における樹脂残渣を除去しての凸状壁部を形成する工程を説明するための図である。4-6 is a figure for demonstrating the process of forming the convex-shaped wall part by removing the resin residue in Example 1. FIGS. 図５−１は、実施例１における微粒子が配列された基板を説明するための断面図である。FIG. 5-1 is a cross-sectional view for explaining a substrate on which fine particles are arranged in Example 1. FIG. 図５−２は、実施例１における微粒子が配列された基板を説明するための俯瞰図である。FIG. 5-2 is an overhead view for explaining the substrate on which the fine particles are arranged in the first embodiment. 図６は、実施例１におけるエッチング工程を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the etching process in the first embodiment. 図７は、実施例１における成型加工品の製造処理の流れを説明するためのフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart for explaining the flow of the manufacturing process of the molded product in the first embodiment. 図８は、実施例２に係る成型加工品製造装置の構成を説明するためのブロック図である。FIG. 8 is a block diagram for explaining the configuration of the molded product manufacturing apparatus according to the second embodiment. 図９−１は、実施例２における記憶媒体用の基板を説明するための図である。FIG. 9A is a schematic diagram illustrating a storage medium substrate according to the second embodiment. 図９−２は、実施例２における樹脂層と対向する成型加工品を説明するための図である。9-2 is a figure for demonstrating the molded product facing the resin layer in Example 2. FIGS. 図９−３は、実施例２における樹脂層に対する成型加工品の凹凸パターン転写を説明するための図である。9-3 is a figure for demonstrating the uneven | corrugated pattern transfer of the molded product with respect to the resin layer in Example 2. FIGS. 図９−４は、実施例２における樹脂層の凹部に形成されたレジストを説明するための図である。9-4 is a figure for demonstrating the resist formed in the recessed part of the resin layer in Example 2. FIG. 図９−５は、実施例２における樹脂層の除去について説明するための図である。9-5 is a figure for demonstrating the removal of the resin layer in Example 2. FIGS. 図９−６は、実施例２における磁性ドットが形成された基板を説明するための図である。FIG. 9-6 is a diagram for explaining the substrate on which the magnetic dots are formed in Example 2. 図１０は、実施例２における記憶ディスクの製造処理の流れを説明するためのフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart for explaining the flow of the manufacturing process of the storage disk in the second embodiment. 図１１は、実施例３に係る情報記憶装置の一例を説明するための図である。FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of an information storage device according to the third embodiment. 図１２は、従来のパターン転写技術を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a conventional pattern transfer technique. 図１３は、従来のスリミング技術を説明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a conventional slimming technique.

以下に、本願の開示する成型加工品の製造方法、記憶媒体の製造方法、及び、情報記憶装置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a molded product manufacturing method, a storage medium manufacturing method, and an information storage device disclosed in the present application will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.

［成型加工品製造方法の概要］
まず最初に、図１を用いて、実施例１に係る成型加工品の製造方法の概要を説明する。図１は、実施例１に係る成型加工品の製造方法の概要を説明するための図である。 [Outline of molded product manufacturing method]
First, an outline of a method for manufacturing a molded product according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram for explaining an outline of a method for manufacturing a molded product according to the first embodiment.

実施例１に係る成型加工品の製造方法では、製造装置は、凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品を製造する。実施例１に係る成型加工品の製造方法により製造される成型加工品は、マイクロオーダやナノオーダの凹凸を表面に備え、例えば、磁気ディスクなどの記憶媒体を製造する際に用いる型（スタンパ）やモールドとして用いられる。 In the method for manufacturing a molded product according to the first embodiment, the manufacturing apparatus manufactures a molded product having a predetermined concavo-convex pattern having a concave portion and a convex portion. The molded product manufactured by the method of manufacturing a molded product according to Example 1 has micro-order or nano-order irregularities on the surface, and is, for example, a mold (stamper) used when manufacturing a storage medium such as a magnetic disk. Used as a mold.

すなわち、図１の（１）に示すように、実施例１に係る成型加工品の製造方法では、製造装置は、基板１０上にマスク層２０を形成し、マスク層２０上に表面加工層３０を形成し、表面加工層３０上に微粒子４０を配列する。例えば、製造装置は、基板１０と表面加工層３０とにＳｉＯ_２を用い、マスク層にＲｕ金属を用い、微粒子４０にシリカ粒子を用いる。 That is, as shown in FIG. 1 (1), in the method for manufacturing a molded product according to Example 1, the manufacturing apparatus forms the mask layer 20 on the substrate 10 and the surface processed layer 30 on the mask layer 20. And fine particles 40 are arranged on the surface processed layer 30. For example, the manufacturing apparatus uses SiO ₂ for the substrate 10 and the surface processing layer 30, uses Ru metal for the mask layer, and uses silica particles for the fine particles 40.

そして、図１の（２）と（３）とに示すように、製造装置は、微粒子４０と表面加工層３０とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、微粒子４０と表面加工層３０の一部とをエッチングして表面加工層３０を島状に形成し、マスク層２０の表面の一部を露出させる。例えば、製造装置は、微粒子４０と表面加工層３０とに対して、Ｒｕ金属がマスクとして機能してＳｉ材料をエッチングするＣＦ_４ガスを用いて、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching、反応性イオンエッチング）を行う。 Then, as shown in FIGS. 1 (2) and (3), the manufacturing apparatus uses the first etching gas that chemically reacts with the fine particles 40 and the surface processed layer 30, and the fine particles 40 and the surface processed layer. The surface processed layer 30 is formed in an island shape by etching a part of the mask 30, and a part of the surface of the mask layer 20 is exposed. For example, the manufacturing apparatus performs RIE (Reactive Ion Etching) on the fine particles 40 and the surface processed layer 30 by using CF ₄ gas that Ru metal functions as a mask and etches Si material. Do.

そして、図１の（３）と（４）とに示すように、製造装置は、マスク層２０に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、マスク層２０を島状に形成し、基板１０の表面の一部を露出させる。例えば、製造装置は、ＳｉＯ_２がマスクとして機能してＲｕ金属をエッチングするＯ２ガスを用いて、ＲＩＥを行う。 Then, as shown in (3) and (4) of FIG. 1, the manufacturing apparatus forms the mask layer 20 in an island shape with the second etching gas that shows a chemical reaction with respect to the mask layer 20, and the substrate. A part of the surface of 10 is exposed. For example, the manufacturing apparatus performs RIE using O 2 gas that etches Ru metal with SiO ₂ functioning as a mask.

そして、図１の（４）に示すように、製造装置は、第一のエッチングガスで、露出した基板１０と島状の表面加工層３０とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板１０に形成する。例えば、製造装置は、Ｒｕ金属がマスクとして機能してＳｉ材料をエッチングするＣＦ_４ガスを用いて、ＲＩＥを行う。 Then, as shown in FIG. 1 (4), the manufacturing apparatus etches the exposed substrate 10 and the island-shaped surface processed layer 30 with the first etching gas to form a predetermined uneven pattern on the substrate 10. To do. For example, the manufacturing apparatus performs RIE using CF ₄ gas that etches Si material with Ru metal functioning as a mask.

このようなことから、実施例１によれば、成型加工品の品質を向上可能な成型加工品製造方法を提供可能である。具体的には、図１の（５）に示すように、アスペクト比（高さ／凸部の幅）を１以上にすることが可能である。 For this reason, according to Example 1, it is possible to provide a method for manufacturing a molded product that can improve the quality of the molded product. Specifically, as shown in FIG. 1 (5), the aspect ratio (height / width of the convex portion) can be set to 1 or more.

［成型加工品製造装置の構成］
次に、図２を用いて、図１を用いて説明した成型加工品の製造方法を実行する成型加工品製造装置の構成を説明する。図２は、実施例１に係る成型加工品の製造装置の構成を説明するためのブロック図である。図２に示すように、成型加工品製造装置１００は、入力部１０１を有する。また、成型加工品製造装置１００は、マスク層形成部２０１と、表面加工層形成部２０２と、基板加工部２０３と、微粒子配列部２０４と、マスク層露出エッチング部２０５と、基板露出エッチング部２０６と、凹凸形成エッチング部２０７とを有する。 [Configuration of molded product manufacturing equipment]
Next, the configuration of a molded product manufacturing apparatus that executes the method of manufacturing a molded product described with reference to FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a block diagram for explaining the configuration of the molded product manufacturing apparatus according to the first embodiment. As illustrated in FIG. 2, the molded product manufacturing apparatus 100 includes an input unit 101. Further, the molded product manufacturing apparatus 100 includes a mask layer forming unit 201, a surface processed layer forming unit 202, a substrate processing unit 203, a fine particle array unit 204, a mask layer exposed etching unit 205, and a substrate exposed etching unit 206. And a concavo-convex formation etching portion 207.

このうち、入力部１０１は、マスク層形成部２０１と接続され、成型加工品製造装置１００を利用する利用者から指示を受け付け、例えば、成型加工品を製造する旨の指示を受け付けると、マスク層形成部２０１に送る。 Among these, the input unit 101 is connected to the mask layer forming unit 201 and receives an instruction from a user who uses the molded product manufacturing apparatus 100. For example, when the input unit 101 receives an instruction to manufacture a molded product, the mask layer Send to forming unit 201.

マスク層形成部２０１は、入力部１０１と表面加工層形成部２０２と接続され、成型加工品を製造する旨の指示を入力部１０１から受け付けると、基板１０上にマスク層２０を形成する。具体的には、マスク層形成部２０１は、まず、Ｓｉを含む材料を用いて基板１０を形成し、例えば、ＳｉＯ_２を用いて形成する。なお、マスク層形成部２０１は、ＳｉＯ_２膜が予め付与されたＳｉ基板を用いても良い。 When the mask layer forming unit 201 is connected to the input unit 101 and the surface processed layer forming unit 202 and receives an instruction from the input unit 101 to manufacture a molded product, the mask layer 20 is formed on the substrate 10. Specifically, the mask layer forming unit 201 first forms the substrate 10 using a material containing Si, and uses, for example, SiO ₂ . The mask layer forming unit 201 may use a Si substrate provided with a SiO ₂ film in advance.

また、マスク層形成部２０１は、基板１０上に、Ｒｕなどの金属を用いてマスク層２０を形成する。例えば、マスク層形成部２０１は、基板１０上に、スパッタリング法を用いてＲｕ金属を５ｎｍ積層させることで、マスク層２０を形成する。 Further, the mask layer forming unit 201 forms the mask layer 20 on the substrate 10 using a metal such as Ru. For example, the mask layer forming unit 201 forms the mask layer 20 on the substrate 10 by stacking 5 nm of Ru metal using a sputtering method.

表面加工層形成部２０２は、マスク層形成部２０１と基板加工部２０３と接続され、マスク層２０上に表面加工層３０を形成する。具体的には、表面加工層形成部２０２は、マスク層形成部２０１によって形成されたマスク層２０上に、Ｓｉを含む材料を用いて表面加工層３０を形成する。例えば、表面加工層形成部２０２は、ＳｉＯ_２を用いて表面加工層３０を形成する。また、例えば、表面加工層形成部２０２は、マスク層２０上に、スパッタリング法を用いてＳｉＯ_２を２０ｎｍ積層させることで、表面加工層３０を形成する。 The surface processing layer forming unit 202 is connected to the mask layer forming unit 201 and the substrate processing unit 203 and forms the surface processing layer 30 on the mask layer 20. Specifically, the surface processed layer forming unit 202 forms the surface processed layer 30 on the mask layer 20 formed by the mask layer forming unit 201 using a material containing Si. For example, the surface processed layer forming unit 202 forms the surface processed layer 30 using SiO ₂ . Further, for example, the surface processed layer forming unit 202 forms the surface processed layer 30 on the mask layer 20 by laminating 20 nm of SiO ₂ using a sputtering method.

ここで、図３を用いて、基板１０とマスク層２０と表面加工層３０とについて説明する。図３は、実施例１における基板とマスク層と表面加工層とを説明するための断面図である。図３に示すように、成型加工品製造装置１００は、基板１０上にマスク層２０を形成し、マスク層２０上に表面加工層３０を形成する。 Here, the substrate 10, the mask layer 20, and the surface processed layer 30 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the substrate, the mask layer, and the surface processed layer in the first embodiment. As shown in FIG. 3, the molded product manufacturing apparatus 100 forms the mask layer 20 on the substrate 10 and forms the surface processed layer 30 on the mask layer 20.

また、基板１０と表面加工層３０とは、第一のエッチングガスに反応し、第二のエッチングガスに反応しない材料によって形成され、例えば、ＳｉＯ_２などによって形成される。つまり、第一のエッチングガスを用いてエッチングした場合には、基板１０や表面加工層３０はエッチングされ、第二のエッチングガスを用いてエッチングした場合には、基板１０や表面加工層３０がマスクとして機能する。 The substrate 10 and the surface processed layer 30 are formed of a material that reacts with the first etching gas and does not react with the second etching gas, and is formed of, for example, SiO ₂ . That is, when etching is performed using the first etching gas, the substrate 10 and the surface processing layer 30 are etched, and when etching is performed using the second etching gas, the substrate 10 and the surface processing layer 30 are masked. Function as.

マスクとして機能する点について補足する。基板１０や表面加工層３０は、第二のエッチングガスを用いてエッチングした場合には、エッチングされず、基板１０や表面加工層３０に覆われた部分がエッチングされることを防止する。また、多少エッチングされる場合であったとしても、エッチングされる速度がエッチング対象となる材料と比較して著しく低ければ、マスクとなる材料に覆われていない部分がエッチングされる間、覆っている部分がエッチングされることを防止でき、マスクとして機能する。 It supplements about the point which functions as a mask. When the substrate 10 and the surface processed layer 30 are etched using the second etching gas, the substrate 10 and the surface processed layer 30 are not etched, and the portion covered with the substrate 10 and the surface processed layer 30 is prevented from being etched. Further, even if the etching is performed to some extent, if the etching rate is significantly lower than the material to be etched, the portion not covered by the material to be masked is covered while being etched. The portion can be prevented from being etched, and functions as a mask.

また、マスク層２０は、第二のエッチングガスに反応し、第一のエッチングガスに反応しない材料によって形成され、例えば、Ｒｕなどの金属によって形成される。つまり、第二のエッチングガスを用いてエッチングした場合には、マスク層２０はエッチングされ、第一のエッチングガスを用いてエッチングした場合には、マスク層２０がマスクとして機能する。 The mask layer 20 is formed of a material that reacts with the second etching gas and does not react with the first etching gas, and is formed of a metal such as Ru, for example. That is, when etching is performed using the second etching gas, the mask layer 20 is etched, and when etching is performed using the first etching gas, the mask layer 20 functions as a mask.

なお、エッチングガスに反応しない材料とは、エッチングレートが「０」になる材料に限定されるものではない。例えば、基板１０や表面加工層３０は、第二のエッチングガスに反応するマスク層２０が第二のエッチングガスに対して示すエッチングレートと比較して、第二のエッチングガスに対するエッチングレートが相対的に見て著しく低い材料であればよい。 Note that the material that does not react with the etching gas is not limited to a material with an etching rate of “0”. For example, the substrate 10 and the surface processing layer 30 have a relative etching rate with respect to the second etching gas as compared with the etching rate that the mask layer 20 that reacts with the second etching gas exhibits with respect to the second etching gas. Any material that is remarkably low may be used.

基板加工部２０３は、表面加工層形成部２０２と微粒子配列部２０４と接続され、表面加工層形成部２０２によって形成された表面加工層３０上に、所定のパターンを示す凸状壁部８０を形成する。例えば、図４−１や図４−２に示すように、基板加工部２０３は、表面加工層３０上に並行に配置された直線になる凸状壁部８０を形成する。なお、図４−１は、実施例１における凸状壁部が形成された基板を説明するための断面図である。また、図４−２は、実施例１における凸状壁部が形成された基板を説明するための俯瞰図である。 The substrate processing unit 203 is connected to the surface processing layer forming unit 202 and the fine particle array unit 204, and forms a convex wall 80 showing a predetermined pattern on the surface processing layer 30 formed by the surface processing layer forming unit 202. To do. For example, as illustrated in FIG. 4A and FIG. 4B, the substrate processing unit 203 forms a convex wall 80 that is a straight line arranged in parallel on the surface processing layer 30. FIG. 4A is a cross-sectional view for explaining the substrate on which the convex wall portion is formed in the first embodiment. FIG. 4B is an overhead view for explaining the substrate on which the convex wall portion is formed in the first embodiment.

基板加工部２０３が凸状壁部８０を形成する工程の一例について、具体的に説明する。まず、基板加工部２０３は、図４−３に示すように、表面加工層３０上に、樹脂層５０を形成する。なお、図４−３は、実施例１における樹脂層形成工程を説明するための図である。 An example of a process in which the substrate processing unit 203 forms the convex wall 80 will be specifically described. First, the substrate processing unit 203 forms the resin layer 50 on the surface processing layer 30 as shown in FIG. 4-3. 4-3 is a figure for demonstrating the resin layer formation process in Example 1. FIG.

ここで、樹脂層５０の材料としては、特に制限はないが、例えば、メタクリル酸メチル樹脂を用いる。また、樹脂層５０の膜厚としては、特に制限はないが、例えば、８０ｎｍ程度に設定する。 Here, the material of the resin layer 50 is not particularly limited, but, for example, methyl methacrylate resin is used. Moreover, there is no restriction | limiting in particular as the film thickness of the resin layer 50, For example, it sets to about 80 nm.

例えば、基板加工部２０３は、まず、スピンコート法を用いて、メタクリル酸メチル樹脂を表面加工層３０上に塗布する。具体的な例をあげて説明すると、基板加工部２０３は、メタクリル酸メチル樹脂を２．５％の濃度で酢酸エチルに溶解させた樹脂膜作成用溶液を作成し、表面加工層３０を回転させつつ、上記溶液を表面加工層３０上に滴下する。そして、基板加工部２０３は、表面加工層３０上に塗布したメタクリル酸メチル樹脂を約１００℃の高温下で焼き固めることで、樹脂層５０を形成する。 For example, the substrate processing unit 203 first applies methyl methacrylate resin onto the surface processing layer 30 by using a spin coating method. Explaining with a specific example, the substrate processing unit 203 creates a resin film forming solution in which methyl methacrylate resin is dissolved in ethyl acetate at a concentration of 2.5%, and rotates the surface processed layer 30. Meanwhile, the solution is dropped onto the surface processed layer 30. And the board | substrate process part 203 forms the resin layer 50 by baking and solidifying the methyl methacrylate resin apply | coated on the surface process layer 30 at about 100 degreeC high temperature.

また、基板加工部２０３は、図４−４に示すように、樹脂層５０に対向するように、所定の凹凸パターンを有するスタンパ６０を配置する。なお、図４−４は、実施例１における樹脂層と対向するスタンパとを説明するための図である。スタンパ６０は、表面加工層３０上に形成する凸状壁部８０のパターンに対応する凹凸パターンを有し、例えば、磁気ディスクの記憶トラックの幅に対応する幅を有する凸部が同心円状に形成されている。 Further, as shown in FIG. 4-4, the substrate processing unit 203 arranges a stamper 60 having a predetermined uneven pattern so as to face the resin layer 50. FIG. 4-4 is a diagram for explaining the resin layer and the stamper facing the resin layer in the first embodiment. The stamper 60 has a concavo-convex pattern corresponding to the pattern of the convex wall portion 80 formed on the surface processed layer 30. For example, convex portions having a width corresponding to the width of the storage track of the magnetic disk are formed concentrically. Has been.

また、基板加工部２０３は、図４−５に示すように、スタンパ６０を用いてナノインプリントを行い、スタンパ６０の凸部に対応する凹部を樹脂層５０に形成する。なお、図４−５は、実施例１における樹脂層に凸部を形成する工程を説明するための図である。ここで、図４−５に示すように、スタンパ６０の凸部に対応する樹脂層５０の凹部を形成した段階においては、樹脂層５０の凹部に樹脂残渣７０が残存している。 Further, as shown in FIG. 4-5, the substrate processing unit 203 performs nanoimprinting using the stamper 60, and forms a concave portion corresponding to the convex portion of the stamper 60 in the resin layer 50. 4-5 is a figure for demonstrating the process of forming a convex part in the resin layer in Example 1. FIG. Here, as shown in FIG. 4-5, the resin residue 70 remains in the concave portion of the resin layer 50 at the stage where the concave portion of the resin layer 50 corresponding to the convex portion of the stamper 60 is formed.

また、基板加工部２０３は、図４−６に示すように、樹脂残渣７０を除去して凸状壁部８０を形成する。なお、図４−６は、実施例１における樹脂残渣を除去しての凸状壁部を形成する工程を説明するための図である。 Moreover, the board | substrate process part 203 removes the resin residue 70 and forms the convex-shaped wall part 80, as shown to FIGS. 4-6. 4-6 is a figure for demonstrating the process of forming the convex-shaped wall part by removing the resin residue in Example 1. FIG.

例えば、基板加工部２０３は、酸素プラズマを利用した酸素プラズマアッシング処理を実行することにより、樹脂残渣７０を除去する。ここで、酸素プラズマアッシング処理は、例えば、チャンバ内に、酸素（Ｏ２）ガスを１００ｓｃｃｍの流量で導入し、高周波パワーを５０Ｗに設定することで、基板加工部２０３が実行する。樹脂残渣７０を基板加工部２０３が除去すると、表面加工層３０の表面が部分的に露出する。このように、図４−３〜図４−６を用いて説明した工程を基板加工部２０３が実行することで、表面加工層３０上に、所定の間隔を置いて配列された凸状壁部８０が同心円状に形成される。 For example, the substrate processing unit 203 removes the resin residue 70 by executing an oxygen plasma ashing process using oxygen plasma. Here, the oxygen plasma ashing process is executed by the substrate processing unit 203 by introducing oxygen (O 2) gas into the chamber at a flow rate of 100 sccm and setting the high frequency power to 50 W, for example. When the substrate processing unit 203 removes the resin residue 70, the surface of the surface processing layer 30 is partially exposed. As described above, the substrate processing unit 203 executes the steps described with reference to FIGS. 4-3 to 4-6, so that the convex wall portions arranged at a predetermined interval on the surface processing layer 30. 80 is formed concentrically.

微粒子配列部２０４は、基板加工部２０３とマスク層露出エッチング部２０５と接続され、基板加工部２０３によって凸状壁部８０が形成された表面加工層３０上に、微粒子４０を配列する。図５−１や図５−２に示す例では、微粒子配列部２０４は、表面加工層３０上における凸状壁部８０で挟まれた空間に、微粒子４０を２列に配列する。なお、図５−１は、実施例１における微粒子が配列された基板を説明するための断面図である。また、図５−２は、実施例１における微粒子が配列された基板を説明するための俯瞰図である。 The fine particle arrangement unit 204 is connected to the substrate processing unit 203 and the mask layer exposed etching unit 205, and arranges the fine particles 40 on the surface processing layer 30 on which the convex wall 80 is formed by the substrate processing unit 203. In the example shown in FIGS. 5A and 5B, the fine particle arrangement unit 204 arranges the fine particles 40 in two rows in the space sandwiched between the convex wall portions 80 on the surface processed layer 30. FIG. 5A is a cross-sectional view for explaining the substrate on which the fine particles are arranged in the first embodiment. FIG. 5B is an overhead view for explaining the substrate on which the fine particles are arranged in the first embodiment.

例えば、微粒子配列部２０４は、引き上げ法を用いて、表面加工層３０上に微粒子４０を配列する。引き上げ法を用いる場合に、微粒子配列部２０４は、微粒子４０を所定の溶媒に溶解させた懸濁液を作成し、表面加工層３０を懸濁液に浸漬した後に機械的に引き上げることにより、微粒子４０の膜を表面加工層３０上に作成して微粒子４０を配列する。表面加工層３０の引き上げ速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、微粒子配列部２０４は、平均粒子径１００ｎｍの微粒子４０の濃度が１％の懸濁液を用いた場合には、１μｍ／ｓｅｃ程度の速度にて引き上げるのが好ましい。この場合、図５−１や図５−２に示すように、微粒子４０を表面加工層３０上に単層配列することができ、しかも、微粒子４０の自己組織化により最密化した状態の単層構造を得ることができる。 For example, the fine particle arrangement unit 204 arranges the fine particles 40 on the surface processed layer 30 by using a pulling method. When the pulling method is used, the fine particle array unit 204 creates a suspension in which the fine particles 40 are dissolved in a predetermined solvent, and after the surface processed layer 30 is immersed in the suspension, the fine particle arrangement unit 204 mechanically lifts the fine particles. 40 films are formed on the surface processed layer 30 to arrange the fine particles 40. There is no restriction | limiting in particular as the raising speed | rate of the surface processing layer 30, According to the objective, it can select suitably. For example, the fine particle arrangement unit 204 is preferably pulled up at a speed of about 1 μm / sec when a suspension in which the concentration of the fine particles 40 having an average particle diameter of 100 nm is 1% is used. In this case, as shown in FIGS. 5A and 5B, the fine particles 40 can be arranged in a single layer on the surface processing layer 30, and the single particles in a state of being close-packed by self-organization of the fine particles 40 can be used. A layer structure can be obtained.

なお、表面加工層３０上に微粒子４０を配列する方法としては、引き上げ法に限定されるものではなく、目的に応じて適宜選択してよい。 The method of arranging the fine particles 40 on the surface processed layer 30 is not limited to the pulling method, and may be appropriately selected according to the purpose.

ここで、微粒子４０は、第一のエッチングガスに反応する材料であればよく、材料、形状、大きさなどについては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択してよい。例えば、微粒子４０の材料としては、酸化珪素、金属酸化物又は金属から選択される少なくとも１種を含むのが好ましい。なお、以下では、特に言及しない限り、微粒子４０としてシリカ粒子を用いる場合について説明し、また、表面加工層３０上に最密化した状態の単粒子層を形成し易い点を考慮して、微粒子４０の形状として球状を選択した場合について説明する。 Here, the fine particles 40 may be any material that reacts with the first etching gas, and the material, shape, size, and the like are not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, the material of the fine particles 40 preferably includes at least one selected from silicon oxide, metal oxide, or metal. In the following description, unless otherwise specified, the case where silica particles are used as the fine particles 40 will be described, and in consideration of the fact that a single particle layer in a close-packed state can be easily formed on the surface processed layer 30. A case where a spherical shape is selected as the shape of 40 will be described.

マスク層露出エッチング部２０５は、微粒子配列部２０４と基板露出エッチング部２０６と接続される。マスク層露出エッチング部２０５は、微粒子配列部２０４によって微粒子４０が配列された基板に対して、微粒子４０と表面加工層３０とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスを用いたエッチングを行う。 The mask layer exposed etching unit 205 is connected to the fine particle array unit 204 and the substrate exposed etching unit 206. The mask layer exposed etching unit 205 performs etching on the substrate on which the fine particles 40 are arranged by the fine particle arranging unit 204 using a first etching gas that chemically reacts with the fine particles 40 and the surface processing layer 30. .

具体的には、図６の（１）に示すように、マスク層露出エッチング部２０５は、微粒子４０と、表面加工層３０の一部をエッチングして表面加工層３０を島状に形成し、マスク層２０の表面の一部を露出させる。言い換えると、マスク層露出エッチング部２０５は、マスク層２０の表面の一部が露出するまで、第一のエッチングガスを用いてエッチングする。なお、図６は、実施例１におけるエッチング工程を説明するための図である。 Specifically, as shown in (1) of FIG. 6, the mask layer exposed etching unit 205 etches the fine particles 40 and a part of the surface processed layer 30 to form the surface processed layer 30 in an island shape. A part of the surface of the mask layer 20 is exposed. In other words, the mask layer exposed etching unit 205 performs etching using the first etching gas until a part of the surface of the mask layer 20 is exposed. In addition, FIG. 6 is a figure for demonstrating the etching process in Example 1. FIG.

ここで、島状に形成された表面加工層３０について説明する。表面加工層３０の島各々の間隔は、微粒子４０の配列パターンによって決定される値となり、具体的には、島の中心と隣接する島の中心との距離は、微粒子４０の長径に対応する。つまり、島の中心各々は、微粒子４０の中心に対応する位置になり、島の数各々は、微粒子４０の数に対応することになる。また、マスク層２０上に残って島を形成する表面加工層３０の量や形状は、エッチングする時間によって制御可能である。 Here, the surface processed layer 30 formed in an island shape will be described. The distance between the islands of the surface processed layer 30 is a value determined by the arrangement pattern of the fine particles 40, and specifically, the distance between the center of the island and the center of the adjacent island corresponds to the major axis of the fine particles 40. That is, each of the island centers corresponds to the center of the fine particles 40, and each of the island numbers corresponds to the number of the fine particles 40. In addition, the amount and shape of the surface processed layer 30 that remains on the mask layer 20 and forms an island can be controlled by the etching time.

また、島状に形成するとは、例えば、マスク層２０上の一部には、表面加工層３０が残り、マスク層２０上の他の部分には、表面加工層３０がないことを示す。つまり、マスク層２０上に残った表面加工層３０各々がつながっておらず、残った表面加工層３０の間には露出したマスク層２０がある状態を示す。 In addition, forming in an island shape indicates that, for example, the surface processed layer 30 remains in a part on the mask layer 20 and the surface processed layer 30 does not exist in another part on the mask layer 20. That is, each of the surface processed layers 30 remaining on the mask layer 20 is not connected, and there is an exposed mask layer 20 between the remaining surface processed layers 30.

例えば、マスク層露出エッチング部２０５は、第一のエッチングガスを用いたエッチングの際に、第一のエッチングガスとしてＣＦ_４ガスを用いて、ＣＦ_４ガス５０sccm，ＲＦパワー４０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。また、マスク層露出エッチング部２０５は、表面加工層３０に転写される微粒子４０の配列パターンが所望の寸法に到達した時点で、例えば、マスク層２０上に残った表面加工層３０の大きさが所定の大きさになった時点で、ＲＩＥを終了する。 For example, in the etching using the first etching gas, the mask layer exposed etching portion 205 uses CF ₄ gas as the first etching gas, RIE under the conditions of CF ₄ gas 50 sccm, RF power 40 W. I do. In addition, the mask layer exposed etching unit 205 has a size of the surface processing layer 30 remaining on the mask layer 20 at the time when the arrangement pattern of the fine particles 40 transferred to the surface processing layer 30 reaches a desired dimension. When the predetermined size is reached, RIE is terminated.

ここで、第一のエッチングガスは、微粒子４０と表面加工層３０と基板１０に対して化学反応を示し、例えば、ＣＦ_４ガスなどが該当する。また、第一のエッチングガスを用いた場合には、マスク層２０がマスクとして機能し、微粒子４０や表面加工層３０がエッチングされる。なお、マスク層露出エッチング部２０５によるエッチングでは、基板１０はマスク層２０により表面全てが覆われているため、エッチングされない。 Here, the first etching gas exhibits a chemical reaction with respect to the fine particles 40, the surface processed layer 30, and the substrate 10, and corresponds to, for example, CF ₄ gas. When the first etching gas is used, the mask layer 20 functions as a mask, and the fine particles 40 and the surface processed layer 30 are etched. In the etching by the mask layer exposed etching portion 205, the substrate 10 is not etched because the entire surface of the substrate 10 is covered with the mask layer 20.

具体的な例をあげて説明すると、ＣＦ_４ガスを用いた場合におけるＲｕに対するエッチングレートは、ＳｉやＳｉＯ_２のエッチングレートの１／１０以下になる。つまり、ＣＦ_４ガスを用いエッチングすると、Ｒｕなどで形成されるマスク層２０がマスクとして機能し、Ｓｉ材料で形成される微粒子４０や表面加工層３０、基板１０がエッチングされる。なお、エッチングレートとは、エッチングが進行する速度である。 To explain with a specific example, the etching rate for Ru when CF ₄ gas is used is 1/10 or less of the etching rate of Si or SiO ₂ . That is, when etching using CF ₄ gas, the mask layer 20 formed of Ru or the like functions as a mask, and the fine particles 40, the surface processed layer 30, and the substrate 10 formed of Si material are etched. The etching rate is the speed at which etching proceeds.

なお、マスク層露出エッチング部２０５によるエッチングにより、微粒子４０が完全に必ず無くなるわけではなく、微粒子４０は残存しうる。また、凸状壁部８０は、ＰＭＭＡ等の樹脂の場合、エッチングレートが十分大きいため、第一のエッチングガスによるエッチングにより消滅する。つまり、凸状壁部８０は、後の工程に影響をおよぼさない。 Note that the etching by the mask layer exposed etching portion 205 does not necessarily completely eliminate the fine particles 40, but the fine particles 40 may remain. Further, in the case of a resin such as PMMA, the convex wall portion 80 disappears by etching with the first etching gas because the etching rate is sufficiently high. That is, the convex wall 80 does not affect the subsequent process.

基板露出エッチング部２０６は、マスク層露出エッチング部２０５と凹凸形成エッチング部２０７と接続される。基板露出エッチング部２０６は、マスク層露出エッチング部２０５よってエッチングされた基板に対して、マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスを用いてエッチングする。 The substrate exposed etching part 206 is connected to the mask layer exposed etching part 205 and the unevenness forming etching part 207. The substrate exposed etching unit 206 etches the substrate etched by the mask layer exposed etching unit 205 using a second etching gas that exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer.

具体的には、図６の（２）に示すように、基板露出エッチング部２０６は、マスク層２０をエッチングしてマスク層２０を島状に形成し、基板１０の表面の一部を露出させる。つまり、基板露出エッチング部２０６は、第二のエッチングガスを用いてエッチングすることで、マスク層２０上に残った表面加工層３０がマスクとして機能し、マスク層露出エッチング部２０５によって露出させられたマスク層２０部分のみがエッチングされる。言い換えると、基板露出エッチング部２０６は、マスク層２０の内表面加工層３０に覆われていない部分のみをエッチングする。 Specifically, as shown in FIG. 6B, the substrate exposure etching unit 206 etches the mask layer 20 to form the mask layer 20 in an island shape and exposes a part of the surface of the substrate 10. . That is, the substrate exposed etching portion 206 is etched using the second etching gas, so that the surface processed layer 30 remaining on the mask layer 20 functions as a mask and is exposed by the mask layer exposed etching portion 205. Only the mask layer 20 portion is etched. In other words, the substrate exposed etching part 206 etches only the part of the mask layer 20 that is not covered by the inner surface processed layer 30.

例えば、基板露出エッチング部２０６は、第二のエッチングガスを用いたエッチングの際に、第二のエッチングガスとしてＯ２ガスを用いて、Ｏ２ガス２５sccm，ＲＦパワー５０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。 For example, the substrate exposed etching unit 206 performs RIE using the O 2 gas as the second etching gas under the conditions of O 2 gas 25 sccm and RF power 50 W during etching using the second etching gas.

ここで、第二のエッチングガスは、マスク層２０に対して化学反応を示し、例えば、Ｏ２ガスなどが該当する。また、第二のエッチングガスを用いた場合には、微粒子４０や表面加工層３０、基板１０がマスクとして機能し、マスク層２０がエッチングされる。 Here, the second etching gas exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer 20 and corresponds to, for example, O 2 gas. When the second etching gas is used, the fine particles 40, the surface processed layer 30, and the substrate 10 function as a mask, and the mask layer 20 is etched.

具体的な例をあげて説明すると、Ｏ２ガスを用いた場合におけるＲｕに対するエッチングレートは、十分な速度になるが、一方、ＳｉやＳｉＯ_２に対するエッチングレートが「０」に近い値となる。つまり、Ｏ２ガスを用いてエッチングすると、ＳｉやＳｉＯ_２がエッチングされない。つまり、Ｏ２ガスを用いてエッチングすると、Ｓｉ材料で形成される微粒子４０や表面加工層３０、基板１０がマスクとして機能し、Ｒｕで形成されるマスク層２０がエッチングされる。 When a specific example is given and explained, the etching rate with respect to Ru when O 2 gas is used is a sufficient speed, while the etching rate with respect to Si and SiO ₂ becomes a value close to “0”. That is, when etching is performed using O 2 gas, Si and SiO ₂ are not etched. That is, when etching is performed using O 2 gas, the fine particles 40, the surface processed layer 30, and the substrate 10 formed of Si material function as a mask, and the mask layer 20 formed of Ru is etched.

凹凸形成エッチング部２０７は、基板露出エッチング部２０６と接続される。また、凹凸形成エッチング部２０７は、基板露出エッチング部２０６によってエッチングされた基板に対して、第一のエッチングガスを用いたエッチングを行う。 The unevenness formation etching unit 207 is connected to the substrate exposure etching unit 206. Further, the unevenness formation etching unit 207 performs etching using the first etching gas on the substrate etched by the substrate exposure etching unit 206.

具体的には、凹凸形成エッチング部２０７は、図６の（３）に示すように、露出した基板１０と島状に残った表面加工層３０とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板１０に形成する。つまり、凹凸形成エッチング部２０７は、第一のエッチングガスを用いてエッチングすることで、基板１０上に残ったマスク層２０がマスクとして機能し、基板露出エッチング部２０６によって露出させられた基板１０がエッチングされる。言い換えると、凹凸形成エッチング部２０７は、基板１０の内マスク層２０に覆われていない部分のみをエッチングする。 Specifically, as shown in FIG. 6 (3), the concavo-convex formation etching unit 207 etches the exposed substrate 10 and the surface processed layer 30 remaining in an island shape, and forms a predetermined concavo-convex pattern on the substrate 10. Form. That is, the concavo-convex formation etching portion 207 is etched using the first etching gas, so that the mask layer 20 remaining on the substrate 10 functions as a mask, and the substrate 10 exposed by the substrate exposure etching portion 206 is exposed. Etched. In other words, the concavo-convex formation etching portion 207 etches only the portion of the substrate 10 that is not covered by the inner mask layer 20.

例えば、凹凸形成エッチング部２０７は、第一のエッチングガスを用いたエッチングの際に、第一のエッチングガスとしてＣＦ_４ガスを用いて、ＣＦ_４ガス５０sccm，ＲＦパワー４０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。また、凹凸形成エッチング部２０７は、所望の深さまで基板１０をエッチングした段階でエッチングを終了する。この結果、アスペクト比の高い凹凸が形成される。 For example, the concavo-convex formation etching unit 207 performs RIE using CF ₄ gas as the first etching gas under the conditions of CF ₄ gas 50 sccm and RF power 40 W during etching using the first etching gas. Do. Further, the unevenness formation etching unit 207 ends the etching when the substrate 10 is etched to a desired depth. As a result, irregularities with a high aspect ratio are formed.

また、第一のエッチングガスに対するエッチングレートが、基板１０と比較して著しく低い材料をマスク層２０に用いれば用いるほど、エッチング量を深くすることができ、アスペクト比をより高くすることが可能である。つまり、例えば、マスク層２０が第一のエッチングガスによって全くエッチングされなければ、製造装置は、いくらでも基板１０をエッチングすることができ、アスペクト比の高い凹凸を形成できる。 Further, as the mask layer 20 is made of a material whose etching rate with respect to the first etching gas is significantly lower than that of the substrate 10, the etching amount can be deepened and the aspect ratio can be further increased. is there. That is, for example, if the mask layer 20 is not etched at all by the first etching gas, the manufacturing apparatus can etch the substrate 10 in any number, and can form unevenness with a high aspect ratio.

また、例えば、マスク層２０が第一のエッチングガスによって多少エッチングされたとしても、製造装置は、基板１０上に残ったマスク層２０がある限り、いくらでも基板１０をエッチングすることができる。この結果、マスク層２０が第一のエッチングガスによってエッチングされ難ければ難いほど、基板１０が第一のエッチングガスによってエッチングされ易ければ易いほど、アスペクト比の高い凹凸を形成できる。 For example, even if the mask layer 20 is slightly etched by the first etching gas, the manufacturing apparatus can etch the substrate 10 as much as the mask layer 20 remains on the substrate 10. As a result, as the mask layer 20 is harder to be etched by the first etching gas, and the substrate 10 is easier to be etched by the first etching gas, it is possible to form unevenness with a higher aspect ratio.

なお、凹凸形成エッチング部２０７は、必ずしも、マスク層露出エッチング部２０５にて用いられたエッチングガスと同じガスを用いなくても良い。凹凸形成エッチング部２０７とマスク層露出エッチング部２０５とが同じエッチングガスを用いた場合には、製造プロセスを簡略化することが可能である。 Note that the concavo-convex formation etching unit 207 does not necessarily need to use the same gas as the etching gas used in the mask layer exposure etching unit 205. In the case where the same etching gas is used for the concavo-convex formation etching part 207 and the mask layer exposed etching part 205, the manufacturing process can be simplified.

また、凹凸形成エッチング部２０７は、露出した基板１０と島状に残った表面加工層３０とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板１０に形成するが、エッチング終了時に、表面加工層３０が多少残っていてもよい。表面加工層３０が多少残っていたとしても、実用しうるからである。 Further, the concavo-convex formation etching portion 207 etches the exposed substrate 10 and the surface processed layer 30 remaining in an island shape to form a predetermined concavo-convex pattern on the substrate 10. It may remain. This is because even if the surface processed layer 30 remains to some extent, it can be practically used.

ここで、凹凸形成エッチング部２０７によるエッチングが終了した基板が、実施例１における成型加工品となる。 Here, the substrate that has been etched by the concavo-convex formation etching unit 207 is a molded product in the first embodiment.

［成型加工品製造装置による処理］
次に、図７を用いて、成型加工品製造装置１００による成型加工品製造処理の流れについて説明する。図７は、実施例１における成型加工品製造処理の流れを説明するためのフローチャートである。 [Processing by molded product manufacturing equipment]
Next, the flow of the molded product manufacturing process by the molded product manufacturing apparatus 100 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart for explaining the flow of the molded product manufacturing process in the first embodiment.

図７に示すように、成型加工品製造装置１００では、成型加工品を製造する製造指示を受けると（ステップＳ１０１肯定）、マスク層形成部２０１が、基板１０上にマスク層２０を形成する（ステップＳ１０２）。例えば、マスク層形成部２０１は、スパッタリング法を用いて、基板１０上にＲｕ金属を５ｎｍ積層させることで、マスク層２０を形成する。 As shown in FIG. 7, in the molded product manufacturing apparatus 100, when a manufacturing instruction for manufacturing a molded product is received (Yes at Step S101), the mask layer forming unit 201 forms the mask layer 20 on the substrate 10 ( Step S102). For example, the mask layer forming unit 201 forms the mask layer 20 by stacking 5 nm of Ru metal on the substrate 10 by using a sputtering method.

そして、表面加工層形成部２０２は、マスク層２０上に表面加工層３０を形成する（ステップＳ１０３）。例えば、表面加工層形成部２０２は、スパッタリング法を用いて、マスク層２０上にＳｉＯ_２を２０ｎｍ積層させることで、表面加工層３０を形成する。 Then, the surface processed layer forming unit 202 forms the surface processed layer 30 on the mask layer 20 (step S103). For example, the surface processed layer forming unit 202 forms the surface processed layer 30 by laminating 20 nm of SiO ₂ on the mask layer 20 using a sputtering method.

そして、基板加工部２０３は、表面加工層３０上に凸状壁部８０を形成する（ステップＳ１０４）。例えば、基板加工部２０３は、表面加工層３０上に樹脂層５０を形成し、スタンパ６０を用いてナノインプリントを行って凹部を樹脂層５０に形成することで、凸状壁部８０を形成する。 And the board | substrate process part 203 forms the convex-shaped wall part 80 on the surface process layer 30 (step S104). For example, the substrate processing unit 203 forms the convex wall portion 80 by forming the resin layer 50 on the surface processing layer 30 and performing nanoimprinting using the stamper 60 to form the concave portion in the resin layer 50.

そして、微粒子配列部２０４は、凸上壁部８０が形成された表面加工層３０上に、微粒子４０を配列する（ステップＳ１０５）。例えば、粒子配列部２０４は、引き上げ法を用いて、表面加工層３０上に微粒子４０を配列する。 The fine particle arranging unit 204 arranges the fine particles 40 on the surface processed layer 30 on which the convex upper wall 80 is formed (step S105). For example, the particle arrangement unit 204 arranges the fine particles 40 on the surface processed layer 30 using a pulling method.

そして、マスク層露出エッチング部２０５は、第一のエッチングガスで、微粒子４０と、表面加工層３０の一部をエッチングして表面加工層３０を島状に形成し、マスク層２０の表面の一部を露出させる（ステップＳ１０６）。例えば、マスク層露出エッチング部２０５は、第一のエッチングガスとしてＣＦ_４ガスを用いて、ＣＦ_４ガス５０sccm、ＲＦパワー４０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。 Then, the mask layer exposed etching unit 205 etches the fine particles 40 and a part of the surface processed layer 30 with a first etching gas to form the surface processed layer 30 in an island shape, Part is exposed (step S106). For example, the mask layer exposed etching unit 205 performs RIE under the conditions of CF ₄ gas 50 sccm and RF power 40 W using CF ₄ gas as the first etching gas.

そして、基板露出エッチング部２０６は、第二のエッチングガスで、マスク層２０を島状に形成し、基板１０の表面の一部を露出させる（ステップＳ１０７）。例えば、基板露出エッチング部２０６は、第二のエッチングガスとしてＯ２ガスを用いて、Ｏ２ガス２５sccm，ＲＦパワー５０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。 And the board | substrate exposure etching part 206 forms the mask layer 20 in an island shape with 2nd etching gas, and exposes a part of surface of the board | substrate 10 (step S107). For example, the substrate exposed etching unit 206 performs RIE under the conditions of O 2 gas 25 sccm and RF power 50 W using O 2 gas as the second etching gas.

そして、凹凸形成エッチング部２０７は、第一のエッチングガスで、露出した基板１０と島状の表面加工層３０とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板１０に形成する（ステップＳ１０８）。例えば、凹凸形成エッチング部２０７は、第一のエッチングガスとしてＣＦ_４ガスを用いて、ＣＦ_４ガス５０sccm，ＲＦパワー４０Ｗの条件下にてＲＩＥを行う。 Then, the concavo-convex formation etching unit 207 etches the exposed substrate 10 and the island-shaped surface processed layer 30 with the first etching gas to form a predetermined concavo-convex pattern on the substrate 10 (step S108). For example, the unevenness forming etching unit 207 performs RIE under the conditions of CF ₄ gas 50 sccm and RF power 40 W using CF ₄ gas as the first etching gas.

［実施例１の効果］
上記したように、実施例１によれば、基板１０上にマスク層２０を形成し、マスク層２０上に表面加工層３０を形成し、表面加工層３０上に微粒子４０を配列する。そして、第一のエッチングガスで、微粒子４０と、表面加工層３０の一部をエッチングして表面加工層３０を島状に形成し、マスク層２０の表面の一部を露出させる。そして、第二のエッチングガスで、マスク層２０を島状に形成し、基板１０の表面の一部を露出させる。そして第一のエッチングガスで、露出した基板１０と島状の表面加工層３０とをエッチングし、所定の凹凸パターンを基板に形成するので、成型加工品の品質を向上可能である。具体的には、高アスペクト比の凹凸を基板１０に作成可能である。 [Effect of Example 1]
As described above, according to the first embodiment, the mask layer 20 is formed on the substrate 10, the surface processed layer 30 is formed on the mask layer 20, and the fine particles 40 are arranged on the surface processed layer 30. Then, the fine particles 40 and a part of the surface processed layer 30 are etched with the first etching gas to form the surface processed layer 30 in an island shape, and a part of the surface of the mask layer 20 is exposed. Then, the mask layer 20 is formed in an island shape with the second etching gas, and a part of the surface of the substrate 10 is exposed. Then, the exposed substrate 10 and the island-shaped surface processed layer 30 are etched with the first etching gas to form a predetermined uneven pattern on the substrate, so that the quality of the molded product can be improved. Specifically, high aspect ratio irregularities can be formed on the substrate 10.

次に、実施例１では、成型加工品を出力する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、実施例１にて形成した成型加工品を型としてナノインプリントリソグラフィ法を用いることにより、パターンドメディアや、磁気抵抗効果素子、フォトニック結晶等に適した構造を実現することが可能である。 Next, in the first embodiment, the case of outputting a molded product has been described, but the present invention is not limited to this. For example, by using the nanoimprint lithography method using the molded product formed in Example 1 as a mold, it is possible to realize a structure suitable for patterned media, magnetoresistive elements, photonic crystals, and the like.

そこで、以下では、実施例２として、実施例１にて形成した成型加工品を用いて、記憶媒体（パターンドメディア）を作成する手法について説明する。なお、以下では、実施例１に係る成型加工品製造装置と同様の点については、簡単に説明し、または、説明を省略する。 Therefore, in the following, as a second embodiment, a method for creating a storage medium (patterned media) using the molded processed product formed in the first embodiment will be described. In addition, below, the point similar to the molded product manufacturing apparatus based on Example 1 is demonstrated easily, or description is abbreviate | omitted.

図８に示すように、実施例２に係る成型加工品製造装置２００は、図２を用いて説明した構成に加えて、凹凸パターン転写部２０８と、磁性ドット形成部２０９とをさらに備える。なお、図８は、実施例２に係る成型加工品製造装置の構成を説明するためのブロック図である。 As illustrated in FIG. 8, the molded product manufacturing apparatus 200 according to the second embodiment further includes a concavo-convex pattern transfer unit 208 and a magnetic dot formation unit 209 in addition to the configuration described with reference to FIG. 2. FIG. 8 is a block diagram for explaining the configuration of the molded product manufacturing apparatus according to the second embodiment.

実施例２に係る成型加工品製造装置２００では、凹凸パターン転写部２０８は、凹凸形成エッチング部２０７と磁性ドット形成部２０９と接続される。また、凹凸パターン転写部２０８は、凹凸形成エッチング部２０７にて形成された成型加工品を、記憶媒体用の基板上にある磁性層上に形成された樹脂層に押圧することによって、所定の凹凸パターンを樹脂層に転写する。 In the molded product manufacturing apparatus 200 according to the second embodiment, the concavo-convex pattern transfer unit 208 is connected to the concavo-convex formation etching unit 207 and the magnetic dot formation unit 209. Further, the concavo-convex pattern transfer unit 208 presses the molded processed product formed by the concavo-convex formation etching unit 207 against a resin layer formed on the magnetic layer on the substrate for the storage medium, thereby causing the predetermined concavo-convex pattern. The pattern is transferred to the resin layer.

例えば、凹凸パターン転写部２０８は、図９−１に示すように、予め、記憶媒体用基板３００上に磁性層３１０を形成し、磁性層３１０上に樹脂層３２０を形成する。なお、図９は、図９−１は、実施例２における記憶媒体用の基板を説明するための図である。凹凸パターン転写部２０８は、例えば、スパッタリング法を用いることで、磁性層３１０や樹脂層３２０を形成する。 For example, as shown in FIG. 9A, the uneven pattern transfer unit 208 forms the magnetic layer 310 on the storage medium substrate 300 and forms the resin layer 320 on the magnetic layer 310 in advance. FIG. 9 is a diagram for explaining the substrate for the storage medium according to the second embodiment. The concave / convex pattern transfer unit 208 forms the magnetic layer 310 and the resin layer 320 by using, for example, a sputtering method.

なお、例えば、記憶媒体用基板３００としてガラス基板などを用い、また、磁性膜３１０として、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等の金属やそのいずれかを含む合金を用い、また、樹脂膜３２０として、メタクリル酸メチル樹脂膜などを用いる。 For example, a glass substrate or the like is used as the storage medium substrate 300, a metal such as Co, Fe, or Ni is used as the magnetic film 310, or an alloy containing one of them, and methacrylic acid is used as the resin film 320. A methyl resin film or the like is used.

そして、例えば、凹凸パターン転写部２０８は、図９−２に示すように、樹脂層３２０に、実施例１にて作成した成型加工品４００を対向させるように配置する。なお、図９−２は、実施例２における樹脂層と対向する成型加工品を説明するための図である。 Then, for example, as shown in FIG. 9B, the concave / convex pattern transfer unit 208 is arranged so that the molded product 400 created in Example 1 is opposed to the resin layer 320. FIG. 9-2 is a diagram for explaining a molded product facing the resin layer in Example 2.

そして、例えば、凹凸パターン転写部２０８は、図９−３に示すように、実施例１にて作成した成型加工品４００を磁性層３１０上の樹脂層３２０に押圧することで、成型加工品４００の凹凸パターンを樹脂層３２０に転写する。なお、図９−３は、実施例２における樹脂層に対する成型加工品の凹凸パターン転写を説明するための図である。この結果、成型加工品４００の凹凸パターンの凸部４１０に対応する樹脂層３２０の部位に、凹部３３０が形成され、凹部４２０に対応する樹脂層３２０の部位はそのまま残る。なお、樹脂層３２０の凹部３３０に樹脂残渣が残存している場合には、例えば、酸素プラズマを利用した酸素プラズマアッシング処理を実行することにより、樹脂残渣を除去し、磁性層３１０を部分的に露出させる。 Then, for example, as shown in FIG. 9C, the concave / convex pattern transfer unit 208 presses the molded product 400 created in Example 1 against the resin layer 320 on the magnetic layer 310, thereby forming the molded product 400. The uneven pattern is transferred to the resin layer 320. 9-3 is a diagram for explaining the uneven pattern transfer of the molded product to the resin layer in Example 2. FIG. As a result, the concave portion 330 is formed in the portion of the resin layer 320 corresponding to the convex portion 410 of the concave and convex pattern of the molded product 400, and the portion of the resin layer 320 corresponding to the concave portion 420 remains as it is. In addition, when the resin residue remains in the concave portion 330 of the resin layer 320, for example, by performing an oxygen plasma ashing process using oxygen plasma, the resin residue is removed, and the magnetic layer 310 is partially Expose.

ここで、図８に戻ると、実施例２に係る成型加工品製造装置１００では、磁性ドット形成部２０９は、凹凸パターン転写部２０８と接続される。また、磁性ドット形成部２０９は、凹凸パターン転写部２０８により所定の凹凸パターンが転写された樹脂層３２０を用いて磁性層３１０を加工することにより、所定の凹凸パターンに対応する所定の形状の磁性ドットを作成する。 Here, returning to FIG. 8, in the molded product manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment, the magnetic dot forming unit 209 is connected to the concavo-convex pattern transfer unit 208. In addition, the magnetic dot forming unit 209 processes the magnetic layer 310 using the resin layer 320 to which the predetermined uneven pattern has been transferred by the uneven pattern transfer unit 208, so that the magnetic dot having a predetermined shape corresponding to the predetermined uneven pattern is obtained. Create a dot.

例えば、磁性ドット形成部２０９は、図９−４に示すように、樹脂層３２０の凹部３３０に、レジスト３４０を充填する。なお、図９−４は、実施例２における樹脂層の凹部に形成されたレジストを説明するための図である。なお、例えば、磁性ドット形成部２０９は、レジスト３４０として、シリコン含有樹脂などを用いる。 For example, the magnetic dot forming unit 209 fills the concave portion 330 of the resin layer 320 with a resist 340 as shown in FIG. 9-4. 9-4 is a diagram for explaining the resist formed in the concave portion of the resin layer in Example 2. FIG. For example, the magnetic dot forming unit 209 uses a silicon-containing resin or the like as the resist 340.

そして、例えば、磁性ドット形成部２０９は、図９−５に示すように、レジスト３４０がマスクとして機能し、樹脂層３２０をエッチングするエッチングガスを用いてＲＩＥを実行することで、樹脂層３２０のみを選択的に除去する。つまり、磁性ドット形成部２０９は、図９−５に示すように、磁性層３１０を露出させる。なお、図９−５は、実施例２における樹脂層の除去について説明するための図である。 For example, as shown in FIG. 9-5, the magnetic dot forming unit 209 performs only RIE by performing RIE using an etching gas that etches the resin layer 320, with the resist 340 functioning as a mask. Is selectively removed. That is, the magnetic dot forming unit 209 exposes the magnetic layer 310 as shown in FIG. 9-5. FIG. 9-5 is a diagram for explaining the removal of the resin layer in the second embodiment.

そして、例えば、磁性ドット形成部２０９は、図９−６に示すように、レジスト３４０がマスクとして機能し、磁性層３１０がエッチングされるエッチングガスを用いてエッチングを実行することで、凸状の磁性ドット３５０を形成する。なお、図９−６は、実施例２における磁性ドットが形成された基板を説明するための図である。つまり、磁性ドット形成部２０９は、磁性層３１０の内レジスト３４０に覆われている部分に、凸状の磁性ドット３５０を形成する。つまり、磁性ドット形成部２０９は、磁性層３１０の内レジスト３４０に覆われている部分をエッチングすることで、磁性層３１０の内レジスト３４０に覆われている部分のみが残り、凸状の磁性ドットが形成される。 For example, as shown in FIG. 9-6, the magnetic dot forming unit 209 has a convex shape by performing etching using an etching gas in which the resist 340 functions as a mask and the magnetic layer 310 is etched. Magnetic dots 350 are formed. FIG. 9-6 is a diagram for explaining the substrate on which the magnetic dots are formed in the second embodiment. That is, the magnetic dot forming unit 209 forms the convex magnetic dots 350 on the portion of the magnetic layer 310 that is covered with the inner resist 340. That is, the magnetic dot forming unit 209 etches the portion of the magnetic layer 310 that is covered with the inner resist 340, so that only the portion of the magnetic layer 310 that is covered with the inner resist 340 remains, so that the convex magnetic dots are formed. Is formed.

ここで、レジスト３４０は、実施例１にて形成された成型加工品４００の凹凸パターンの凸部４１０に対応した樹脂層３２０の凹部３３０に充填されたものである。したがって、図９−３に示す成型加工品４００の凹凸パターンの内凸部４１０の下方位置に、磁性ドット３５０が形成され、記憶媒体が完成する。なお、必要に応じて、磁気ディスク３１の表面に、保護層、潤滑層等を形成してもよい。 Here, the resist 340 is filled in the concave portion 330 of the resin layer 320 corresponding to the convex portion 410 of the concave-convex pattern of the molded product 400 formed in Example 1. Therefore, the magnetic dots 350 are formed below the inner convex portions 410 of the concave / convex pattern of the molded product 400 shown in FIG. If necessary, a protective layer, a lubricating layer, or the like may be formed on the surface of the magnetic disk 31.

［記憶媒体製造方法］
次に、図１０を用いて、実施例２における記憶媒体の製造処理の流れを説明する。図１０は、実施例２における記憶媒体の製造処理の流れを説明するためのフローチャートである。 [Storage medium manufacturing method]
Next, the flow of the storage medium manufacturing process in the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a flowchart for explaining the flow of the storage medium manufacturing process according to the second embodiment.

図１０に示すように、実施例２に係る成型加工品製造装置１００では、成型加工品製造指示に記憶媒体を製造する指示が含まれていると（ステップＳ２０１肯定）、凹凸パターン転写部２０８が、成型加工品の凹凸パターンを樹脂層３２０に転写する（ステップＳ２０２）。例えば、凹凸パターン転写部２０８は、成型加工品４００を磁性層３１０上の樹脂層３２０に押圧することで、成型加工品４００の凹凸パターンを樹脂層３２０に転写し、例えば、樹脂層３２０に凹部３３０を形成する。 As illustrated in FIG. 10, in the molded product manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment, when the molded product manufacturing instruction includes an instruction to manufacture a storage medium (Yes in step S201), the uneven pattern transfer unit 208 Then, the concavo-convex pattern of the molded product is transferred to the resin layer 320 (step S202). For example, the concavo-convex pattern transfer unit 208 transfers the concavo-convex pattern of the molded product 400 to the resin layer 320 by pressing the molded product 400 against the resin layer 320 on the magnetic layer 310. 330 is formed.

そして、磁性ドット形成部２０９は、凹凸パターンが転写された樹脂層３２０を用いて磁性層３１０を加工することにより、凹凸パターンに対応する所定の形状の磁性ドット３５０を作成する（ステップＳ２０３）。例えば、磁性ドット形成部２０９は、凹部３３０にレジスト３４０を充填し、樹脂層３２０のみを選択的に除去し、レジスト３４０をマスクとして磁性層３１０をエッチングすることで、成型加工品４００の凹凸パターンに対応する凸状の磁性ドット３５０を形成する。 Then, the magnetic dot forming unit 209 creates the magnetic dots 350 having a predetermined shape corresponding to the concavo-convex pattern by processing the magnetic layer 310 using the resin layer 320 to which the concavo-convex pattern is transferred (step S203). For example, the magnetic dot forming unit 209 fills the concave portion 330 with the resist 340, selectively removes only the resin layer 320, and etches the magnetic layer 310 using the resist 340 as a mask, thereby forming the uneven pattern of the molded product 400. Convex magnetic dots 350 corresponding to are formed.

［実施例２の効果］
上記したように、実施例２によれば、実施例１にて作成した成型加工品を、記憶媒体用基板３００上の磁性層３１０上に形成された樹脂層３２０に押圧することによって、所定の凹凸パターンを樹脂層３２０に転写する。そして、所定の凹凸パターンを転写した樹脂層３２０を用いて磁性層３１０を加工することにより、所定の凹凸パターンに対応する所定の形状の磁性ドットを作成するので、高アスペクト比の記憶媒体を作成可能である。 [Effect of Example 2]
As described above, according to the second embodiment, by pressing the molded processed product created in the first embodiment against the resin layer 320 formed on the magnetic layer 310 on the storage medium substrate 300, a predetermined process is performed. The uneven pattern is transferred to the resin layer 320. Then, by processing the magnetic layer 310 using the resin layer 320 to which the predetermined concavo-convex pattern is transferred, magnetic dots having a predetermined shape corresponding to the predetermined concavo-convex pattern are created, so that a high aspect ratio storage medium is created. Is possible.

さて、これまで本発明の実施例について説明したが、本発明は上述した実施例以外にも、その他の実施例にて実施されてもよい。そこで、以下では、その他の実施例について説明する。 Although the embodiments of the present invention have been described so far, the present invention may be implemented in other embodiments besides the above-described embodiments. Therefore, other embodiments will be described below.

［情報記憶装置］
例えば、実施例２では、成型加工品４００をスタンパとして用いて記憶媒体を作成する場合について説明した。ここで、実施例３では、実施例２にて作成した記憶媒体を用いた情報記憶装置としてもよい。 [Information storage device]
For example, in the second embodiment, the case where the storage medium is created using the molded product 400 as a stamper has been described. In the third embodiment, an information storage device using the storage medium created in the second embodiment may be used.

つまり、実施例３における情報記憶装置は、実施例２にて記載した記憶媒体の製造方法により製造された記憶媒体と、記憶媒体に対して情報の記憶及び／または再生を行うヘッドと、ヘッドの記憶と再生動作を制御する信号処理回路とを備える。 That is, the information storage device according to the third embodiment includes a storage medium manufactured by the storage medium manufacturing method described in the second embodiment, a head that stores and / or reproduces information on the storage medium, A signal processing circuit for controlling storage and reproduction operations.

例えば、図１１に示すように、情報記憶装置５００は、円盤状の記憶媒体５０１と、記憶媒体５０１を回転駆動するスピンドルモータ５０２と、記憶媒体５０１に対して磁気情報の読み書きを行う磁気ヘッド５０３とを備える。また、情報記憶装置５００は、磁気ヘッド５０３を保持するアーム５０４と、アーム５０４を介して磁気ヘッド５０３を記憶媒体５０１の半径方向に駆動制御するアクチュエータ５０５とを備える。なお、図１１は、実施例３に係る情報記憶装置の一例を説明するための図である。 For example, as illustrated in FIG. 11, the information storage device 500 includes a disk-shaped storage medium 501, a spindle motor 502 that rotationally drives the storage medium 501, and a magnetic head 503 that reads and writes magnetic information from and to the storage medium 501. With. The information storage device 500 also includes an arm 504 that holds the magnetic head 503 and an actuator 505 that drives and controls the magnetic head 503 in the radial direction of the storage medium 501 via the arm 504. FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of an information storage device according to the third embodiment.

ここで、記憶媒体５０１は、実施例１にて作成された成型加工品４００をスタンパとして用いて作成される記憶媒体である。 Here, the storage medium 501 is a storage medium created using the molded product 400 created in the first embodiment as a stamper.

［記憶媒体の製造］
なお、実施例２では、成型加工品製造指示に記憶媒体を製造する指示が含まれていると、成型加工品を製造する工程と連続して記憶媒体を製造する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、成型加工品を製造する工程とは別個の製造工程にて、記憶媒体を製造しても良い。例えば、成型加工品を製造する製造装置とは別の装置が、記憶媒体を製造する指示を受け付けると、実施例１にて形成した成型加工品を用いて記憶媒体を製造してもよい。 [Manufacture of storage media]
In the second embodiment, the case where the storage medium is manufactured continuously with the process of manufacturing the molded product is described when the instruction to manufacture the storage medium is included in the molded product manufacturing instruction. Is not limited to this. For example, the storage medium may be manufactured in a manufacturing process separate from the process of manufacturing the molded product. For example, when a device other than a manufacturing device that manufactures a molded product receives an instruction to manufacture a storage medium, the storage medium may be manufactured using the molded product formed in the first embodiment.

［システム構成］
また、本実施例において説明した各処理のうち、自動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を手動的におこなうこともでき、あるいは、手動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を公知の方法で自動的におこなうこともできる。 [System configuration]
In addition, among the processes described in this embodiment, all or part of the processes described as being performed automatically can be performed manually, or the processes described as being performed manually can be performed. All or a part can be automatically performed by a known method.

この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については（例えば、図１〜図１１）、特記する場合を除いて任意に変更することができる。 In addition, the processing procedures, control procedures, specific names, and information including various data and parameters shown in the above-mentioned documents and drawings (for example, FIG. 1 to FIG. 11) are arbitrary unless otherwise specified. Can be changed.

以上の各実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。 The following supplementary notes are further disclosed with respect to the embodiments including the above examples.

（付記１）凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品の製造方法であって、
基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に、表面加工層を形成する工程と、
前記表面加工層上に、微粒子を配列する工程と、
前記微粒子と前記表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、前記微粒子と、前記表面加工層の一部をエッチングして当該表面加工層を島状に形成し、前記マスク層の表面の一部を露出させる工程と、
前記マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、当該マスク層を島状に形成し、前記基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記第一のエッチングガスで、露出した前記基板と島状の前記表面加工層とをエッチングし、前記所定の凹凸パターンを当該基板に形成する工程と、
を含むことを特徴とする成型加工品の製造方法。 (Additional remark 1) It is a manufacturing method of the molded product which has a predetermined uneven | corrugated pattern which has a recessed part and a convex part,
Forming a mask layer on the substrate;
Forming a surface treatment layer on the mask layer;
Arranging fine particles on the surface treatment layer;
Etching the fine particles and a part of the surface processed layer with a first etching gas that chemically reacts with the fine particles and the surface processed layer to form the surface processed layer in an island shape, and the mask Exposing a portion of the surface of the layer;
Forming a mask layer in an island shape with a second etching gas that exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer, and exposing a portion of the surface of the substrate;
Etching the exposed substrate and the island-shaped surface processed layer with the first etching gas to form the predetermined uneven pattern on the substrate;
A process for producing a molded product, comprising:

（付記２）前記微粒子と前記表面加工層とは、Ｓｉを含む材料で形成され、
前記第一のエッチングガスは、ＣＦ_４を含むガスであることを特徴とする付記１に記載の成型加工品の製造方法。 (Appendix 2) The fine particles and the surface processed layer are formed of a material containing Si,
The method for manufacturing a molded product according to appendix 1, wherein the first etching gas is a gas containing CF ₄ .

（付記３）前記マスク層は、Ｒｕを含む材料で形成され、
前記第一のエッチングガスは、Ｏ２を含むガスであることを特徴とする付記１または２に記載の成型加工品の製造方法。 (Supplementary Note 3) The mask layer is formed of a material containing Ru,
The method for manufacturing a molded product according to appendix 1 or 2, wherein the first etching gas is a gas containing O2.

（付記４）記憶媒体の製造方法であって、
基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に、表面加工層を形成する工程と、
前記表面加工層上に、微粒子を配列する工程と、
前記微粒子と前記表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、前記微粒子と、前記表面加工層の一部をエッチングして当該表面加工層を島状に形成し、前記マスク層の表面の一部を露出させる工程と、
前記マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、当該マスク層を島状に形成し、前記基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記第一のエッチングガスで、露出した前記基板と島状の前記表面加工層とをエッチングし、前記所定の凹凸パターンを当該基板に形成する工程と、
を含む凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品を製造する製造工程と、
前記成型加工品を、記憶媒体用基板上の磁性層上に形成された樹脂層に押圧することによって、前記所定の凹凸パターンを前記樹脂層に転写する凹凸パターン転写工程と、
前記所定の凹凸パターンを転写した前記樹脂層を用いて前記磁性層を加工することにより、前記所定の凹凸パターンに対応する所定の形状の磁性ドットを作成する磁性ドット作成工程と、
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。 (Appendix 4) A method for manufacturing a storage medium,
Forming a mask layer on the substrate;
Forming a surface treatment layer on the mask layer;
Arranging fine particles on the surface treatment layer;
Etching the fine particles and a part of the surface processed layer with a first etching gas that chemically reacts with the fine particles and the surface processed layer to form the surface processed layer in an island shape, and the mask Exposing a portion of the surface of the layer;
Forming a mask layer in an island shape with a second etching gas that exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer, and exposing a portion of the surface of the substrate;
Etching the exposed substrate and the island-shaped surface processed layer with the first etching gas to form the predetermined uneven pattern on the substrate;
A manufacturing process for manufacturing a molded product having a predetermined concavo-convex pattern having a concave portion and a convex portion including
An uneven pattern transfer step of transferring the predetermined uneven pattern to the resin layer by pressing the molded product against a resin layer formed on a magnetic layer on a storage medium substrate;
A magnetic dot creating step for creating a magnetic dot having a predetermined shape corresponding to the predetermined uneven pattern by processing the magnetic layer using the resin layer to which the predetermined uneven pattern is transferred;
A method for manufacturing a storage medium, comprising:

（付記５）前記微粒子と前記表面加工層とは、Ｓｉを含む材料で形成され、
前記第一のエッチングガスは、ＣＦ_４を含むガスであることを特徴とする付記４に記載の記憶媒体の製造方法。 (Supplementary Note 5) The fine particles and the surface processed layer are formed of a material containing Si,
The method for manufacturing a storage medium according to appendix 4, wherein the first etching gas is a gas containing CF ₄ .

（付記６）前記マスク層がＲｕは、Ｒｕを含む材料で形成され、
前記第一のエッチングガスは、Ｏ２を含むガスであることを特徴とする付記４または５に記載の記憶媒体の製造方法。 (Additional remark 6) The said mask layer is formed with the material containing Ru, Ru,
6. The method of manufacturing a storage medium according to appendix 4 or 5, wherein the first etching gas is a gas containing O2.

（付記７）付記４に記載の記憶媒体の製造方法により製造された記憶媒体と、
前記記憶媒体に対して情報の記憶及び／または再生を行うヘッドと、
前記ヘッドの記憶と再生動作を制御する信号処理回路と
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。 (Supplementary Note 7) A storage medium manufactured by the storage medium manufacturing method according to Supplementary Note 4,
A head for storing and / or reproducing information on the storage medium;
An information storage device comprising: a signal processing circuit that controls storage and reproduction operations of the head.

１０基板
２０マスク層
３０表面加工層
４０微粒子
５０樹脂層
６０スタンパ
７０樹脂残渣
１００成型加工品製造装置
１０１入力部
２０１マスク層形成部
２０２表面加工層形成部
２０３基板加工部
２０４微粒子配列部
２０５マスク層露出エッチング部
２０６基板露出エッチング部
２０７凹凸形成エッチング部
２０８凹凸パターン転写部
２０９磁性ドット形成部
３００記憶媒体用基板
３１０磁性層
３２０樹脂層
３３０凹部
３４０レジスト
４００成型加工品
４１０凸部
４２０凹部
５００情報記憶装置
５０１記憶媒体
５０２スピンドルモータ
５０３磁気ヘッド
５０４アーム
５０５アクチュエータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 20 Mask layer 30 Surface processed layer 40 Fine particle 50 Resin layer 60 Stamper 70 Resin residue 100 Molded product manufacturing apparatus 101 Input unit 201 Mask layer forming unit 202 Surface processed layer forming unit 203 Substrate processing unit 204 Fine particle array unit 205 Mask layer Exposed etching part 206 Substrate exposed etching part 207 Concavity and convexity formation etching part 208 Concavity and convexity pattern transfer part 209 Magnetic dot formation part 300 Storage medium substrate 310 Magnetic layer 320 Resin layer 330 Concave part 340 Resist 400 Molded product 410 Convex part 420 Concave part 500 Information storage Device 501 Storage medium 502 Spindle motor 503 Magnetic head 504 Arm 505 Actuator

Claims

凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品の製造方法であって、
基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に、Ｓｉを含む材料で形成される表面加工層を形成する工程と、
前記表面加工層上に、Ｓｉを含む材料で形成される微粒子を配列する工程と、
前記微粒子と前記表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、前記微粒子と、前記表面加工層の一部をエッチングして当該表面加工層を前記微粒子の径よりも径が小さい島状に形成し、前記マスク層の表面の一部を露出させる工程と、
前記マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、当該マスク層を島状に形成し、前記基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記第一のエッチングガスで、露出した前記基板と島状の前記表面加工層とをエッチングし、前記所定の凹凸パターンを当該基板に形成する工程と、
を含むことを特徴とする成型加工品の製造方法。 A method for producing a molded product having a predetermined concavo-convex pattern having a concave portion and a convex portion,
Forming a mask layer on the substrate;
Forming a surface treatment layer formed of a material containing Si on the mask layer;
Arranging fine particles formed of a material containing Si on the surface processed layer;
A first etching gas that exhibits a chemical reaction with the fine particles and the surface processed layer is used to etch the fine particles and a part of the surface processed layer so that the surface processed layer has a diameter larger than the diameter of the fine particles. Forming a small island and exposing a portion of the surface of the mask layer;
Forming a mask layer in an island shape with a second etching gas that exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer, and exposing a portion of the surface of the substrate;
Etching the exposed substrate and the island-shaped surface processed layer with the first etching gas to form the predetermined uneven pattern on the substrate;
A process for producing a molded product, comprising:

前記第一のエッチングガスは、ＣＦ_４を含むガスであることを特徴とする請求項１に記載の成型加工品の製造方法。 Before SL first etching gas, the production method of molding articles according to claim 1, characterized in that a gas containing CF _4.

前記マスク層は、Ｒｕを含む材料で形成され、
前記第二のエッチングガスは、Ｏ２を含むガスであることを特徴とする請求項１または２に記載の成型加工品の製造方法。 The mask layer is made of a material containing Ru,
The method for manufacturing a molded product according to claim 1, wherein the second etching gas is a gas containing O 2.

記憶媒体の製造方法であって、
基板上に、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層上に、Ｓｉを含む材料で形成される表面加工層を形成する工程と、
前記表面加工層上に、Ｓｉを含む材料で形成される微粒子を配列する工程と、
前記微粒子と前記表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、前記微粒子と、前記表面加工層の一部をエッチングして当該表面加工層を前記微粒子の径よりも径が小さい島状に形成し、前記マスク層の表面の一部を露出させる工程と、
前記マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、当該マスク層を島状に形成し、前記基板の表面の一部を露出させる工程と、
前記第一のエッチングガスで、露出した前記基板と島状の前記表面加工層とをエッチングし、所定の凹凸パターンを当該基板に形成する工程と、
を含む凹部と凸部とを有する所定の凹凸パターンを有する成型加工品を製造する製造工程と、
前記成型加工品を、記憶媒体用基板上の磁性層上に形成された樹脂層に押圧することによって、前記所定の凹凸パターンを前記樹脂層に転写する凹凸パターン転写工程と、
前記所定の凹凸パターンを転写した前記樹脂層を用いて前記磁性層を加工することにより、前記所定の凹凸パターンに対応する所定の形状の磁性ドットを作成する磁性ドット作成工程と、
を含むことを特徴とする記憶媒体の製造方法。 A method for manufacturing a storage medium, comprising:
Forming a mask layer on the substrate;
Forming a surface treatment layer formed of a material containing Si on the mask layer;
Arranging fine particles formed of a material containing Si on the surface processed layer;
A first etching gas that exhibits a chemical reaction with the fine particles and the surface processed layer is used to etch the fine particles and a part of the surface processed layer so that the surface processed layer has a diameter larger than the diameter of the fine particles. Forming a small island and exposing a portion of the surface of the mask layer;
Forming a mask layer in an island shape with a second etching gas that exhibits a chemical reaction with respect to the mask layer, and exposing a portion of the surface of the substrate;
In the first etching gas, and the substrate exposed and the island-shaped of the surface processed layer by etching, forming a Jo Tokoro concavo-convex pattern on the substrate,
A manufacturing process for manufacturing a molded product having a predetermined concavo-convex pattern having a concave portion and a convex portion including
An uneven pattern transfer step of transferring the predetermined uneven pattern to the resin layer by pressing the molded product against a resin layer formed on a magnetic layer on a storage medium substrate;
A magnetic dot creating step for creating a magnetic dot having a predetermined shape corresponding to the predetermined uneven pattern by processing the magnetic layer using the resin layer to which the predetermined uneven pattern is transferred;
A method for manufacturing a storage medium, comprising: