JP5166053B2 - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
4 反射器
8 第1配線
10 第2配線
12 第3配線
14 絶縁層
16 第4配線
22、24、26、28、30 IDT
Claims (13)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上に設けられた第1配線、第2配線及び第3配線であって、少なくとも一つが前記櫛型電極に接続され、前記第1配線と前記第3配線との間に前記第2配線が位置している、前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線と、
前記圧電基板の上、前記第1配線の前記第2配線側の領域の上、前記第2配線の上、及び前記第3配線の前記第2配線側の領域の上に設けられた絶縁層と、
前記第1配線の前記絶縁層が設けられていない領域と、前記第3配線の前記絶縁層が設けられていない領域とを通じて、前記第1配線及び前記第3配線と接続されるように、前記第1配線の上、前記第3配線の上、及び前記絶縁層の上に設けられた第4配線と、を具備し、
前記絶縁層は、端部にテーパー部を有し、
前記絶縁層の幅は前記第4配線の幅より大きいことを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記第4配線は、チタン層と、前記チタン層の上に設けられた金層とを含むことを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記絶縁層は、前記第1配線と前記第4配線とが接続された領域及び前記第3配線と前記第4配線とが接続された領域から見て、前記絶縁層の幅方向には設けられていないことを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線は、前記櫛型電極と同じ金属層で形成されていることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記絶縁層は感光性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1から4いずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記感光性樹脂はポジ型感光性ポリイミドであることを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線の各々は、異なる複数の前記櫛型電極の各々と接続されていることを特徴とする請求項1から6いずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記第1配線及び前記第3配線は、接地されていることを特徴とする請求項1から7いずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板上に、櫛型電極を設ける工程と、
前記圧電基板上に第1配線、第2配線及び第3配線を設ける工程であって、少なくとも一つが前記櫛型電極に接続され、前記第1配線と前記第3配線との間に前記第2配線が位置するように、前記圧電基板上に前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線を設ける工程と、
前記圧電基板の上、前記第1配線の前記第2配線側の領域の上、前記第2配線の上、及び前記第3配線の前記第2配線側の領域の上に絶縁層を設ける工程と、
前記第1配線の前記絶縁層が設けられていない領域と、前記第3配線の前記絶縁層が設けられていない領域とを通じて、前記第1配線及び前記第3配線と接続されるように、前記第1配線の上、前記第3配線の上、及び前記絶縁層の上に第4配線を設ける工程と、を有し、
前記絶縁層は端部にテーパー部を有し、前記絶縁層の幅は前記第4配線の幅より大きいことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 前記第4配線は、チタン層と、前記チタン層の上に設けられた金層とを含むことを特徴とする請求項9記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記櫛型電極を設ける工程と、前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線を設ける工程とは同時に行われ、同じ金属層から前記櫛型電極、前記第1配線、前記第2配線及び前記第3配線を設ける工程であることを特徴とする請求項9または10記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記絶縁層を設ける工程は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法により形成する工程と、前記形成された感光性樹脂を加熱して硬化する工程とを含むことを特徴とする請求項9から11いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記硬化する工程において、前記圧電基板の前記櫛型電極が設けられた面と、前記櫛型電極が設けられていない面との両面から加熱することを特徴とする請求項12記載の弾性波デバイスの製造方法。
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