JP5165830B2 - 接合によって積層構造を形成しているウェハを分離するための方法 - Google Patents
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Description
insulator”(J. Appl. Phys. 64 (10), November 1998)と題する文献によって提案されているような、クラック開裂手法と称されるような、測定技術に注意されたい。この手法においては、特に、互いに接合された2つのウェハからなる構造のエッジのところになおかつ接合平面のところに、ブレードを挿入する。この手法は、特に、分子接合の特性を評価するために開発された。この手法は、2つのウェハがどのようにして分離されるかについては、何らの情報をも提供しない。それどころか、一定厚さのブレードを挿入することによって開裂を開始していることにより、開裂波の停止状況を強調し、開裂波の停止距離を決定することを必要とする。
handling and transferring of thin semiconductor materials”(Microsystem
Technologies 9 (2003), pages 204 to 209 )と題する文献に与えられている。
2 ウェハ
3 シリコンウェハ(ウェハ)
4 ガラスウェハ(ウェハ)
5 予成形体
6 ウェハ
7 ガラスウェハ(ウェハ)
8 シリコンウェハ(ウェハ)
9 ガラスウェハ(ウェハ)
11 予成形体
12 予成形体
14 シリコンウェハ(ウェハ)
15 脆弱化領域、脆弱化層
16 薄層
17 ウェハ
18 積層構造
20 シリコンウェハ(ウェハ)
22 脆弱化層
23 薄層
31 ウェハ
32 ウェハ
33 予成形体
41 ウェハ
42 ウェハ
Claims (10)
- 互いに接合されることによって積層構造を形成している少なくとも2つのウェハ(1,2)を分離するための方法であって、
前記積層構造の全部または一部に対して少なくとも1つの曲げ力を印加し、これにより、所望の分離平面に沿って前記積層構造を2つの部材へと分離させ、
前記分離平面を、接合された前記2つのウェハ(1,2)の間の界面から構成し、
曲げ力の印加と曲げ力の解除とからなるサイクルを使用することによって、前記曲げ力を印加することを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記積層構造に対して、前記曲げ力に加えて、前記分離平面の方向に沿った力でありかつ前記2つの部材へと前記分離を助長し得るような力を印加することを特徴とする方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記所望の分離平面の方向に沿った前記力を、前記分離平面内へのブレードの挿入によって、または、前記分離平面内への楔の挿入によって、または、前記分離平面内への流体ジェットの挿入によって、または、前記分離平面内に局在化した開裂力の印加によって、生成することを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ウェハどうしが接合された後に、前記曲げ力を少なくとも部分的に印加することを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記ウェハどうしが接合された後に印加される前記曲げ力を、所定温度における前記ウェハどうしの接合に由来するものとし、
このような所定温度における接合を、前記ウェハどうしの熱膨張度合いの相違を引き起こすものとし、
これにより、接合温度とは異なる温度では前記分離が起こるものとされていることを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記ウェハどうしが接合された後に印加される前記曲げ力を、変形状態での前記ウェハ(41,42)どうしの接合に由来するものとすることを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記2つのウェハのうちの一方のウェハ(4)に対して作用する少なくとも1つの予成形体(5)を使用することによって、前記曲げ力を印加することを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記分離を容易とし得るよう、前記積層構造に対して、さらに、音響波を印加することを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
曲げ力の関数として前記積層構造を分離させることを可能とし得るよう、前記ウェハどうしの接合を、接合エネルギーを制御しつつ行うことを特徴とする方法。 - 請求項9記載の方法において、
接合前におけるウェハの表面粗さというパラメータと、接合前におけるウェハの表面の親水特性というパラメータと、積層構造に対して印加する熱処理の温度というパラメータと、の中の少なくとも1つのパラメータを制御することによって、前記接合エネルギーを制御することを特徴とする方法。
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