JP5164669B2 - 電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器 - Google Patents

Description

本発明は例えば、電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器に関する。

ガラス基板上に形成したアクティブマトリクス基板上に駆動用ＩＣをＣＯＧ（Chip On Glass）などの技術で実装して構成される液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などでは、駆動用ＩＣを実装する前にアクティブマトリクス基板を検査し、不良品を排除することで不良ロスによるコスト発生を低減する。この検査は、検査端子にタングステン製プローブなどをコンタクトして、駆動用ＩＣの代わりに、検査端子から駆動信号をアクティブマトリクス基板に与えることで行う。このとき、プローブによるコンタクトを容易にするために駆動用ＩＣの実装端子と検査端子を別々に設けることが特許文献１、特許文献２などで提案されている。

実装端子及びその引き出し配線は電気抵抗の低減のため、アルミニウムを含んだ配線を用いるのが効果的であり、検査端子も同様である。しかし、アルミニウムは直接露出すると水分によって腐食しやすく、実装あるいはコンタクト時にオーミックな接続抵抗が得にくいため、実装端子や検査端子の最表面はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やチタニウム、モリブデン、タングステンなどの材料を用いる。しかし、プローブによって検査端子にコンタクトする際、プローブによって検査端子表面にはキズが出来ることがあり、アルミニウムが露出してしまうことがある。この時、キズから腐食が進行して実装端子及びその引き出し配線まで腐食してしまうことがある。

特開２０００−１３７２３９号公報 特開２００６−３７４１号公報

本技術は、基板（実施の形態においてアクティブマトリクス基板１０１が対応する）上に、データ線（実施の形態において走査線２０１−１〜２０１−４８０が対応する）と走査線（実施の形態においてデータ線２０２−１〜２０２−１９２０が対応する）、及び前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた画素スイッチング素子（実施の形態において画素スイッチング素子４０１−ｎ−ｍが対応する）と、実装部材（実施の形態において駆動用ＩＣ９２１が対応する）と接続される実装端子（実施の形態において実装端子金属部５０２が対応する）と、前記実装端子と接続配線（実施の形態において接続配線５０６が対応する）を介して電気的に接続された検査端子（実施の形態において検査端子金属部５０８が対応する）と、を備える電気光学パネルであって、前記接続配線を構成する配線材料はアルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を構成する配線材料はアルミニウムを含有することを特徴とする電気光学パネルである。

このように構成することで検査端子がプローブによってキズをつけられて端子を構成するアルミニウム層が腐食しても、アルミニウムを含まない接続配線には、腐食が進まないため、接続配線を介して接続される検査スイッチング素子にも影響を与えず、検査スイッチング素子の不良によって短絡等が発生しない。また実装時には実装端子からの電位の印加により、検査端子と実装端子を電気的に切り離すことができる。

また本技術は、前記実装端子と前記検査端子の間にはスイッチング素子を挟んでなり、前記接続配線は前記スイッチング素子と前記検査端子の間に形成されてなることを提案する。

このように構成することで検査端子がプローブによってキズをつけられて端子を構成するアルミニウム層が腐食しても、アルミニウムを含まない接続配線には、腐食が進まないため、接続配線を介して接続されるスイッチング素子にも影響を与えず、スイッチング素子の不良によって短絡等が発生しない。

また本技術は、電気光学物質（実施の形態においてネマティック相液晶材料９２２が対応する）を介して対向する一対の基板（実施の形態においてアクティブマトリクス基板１０１および対向基板９１２が対応する）と、前記電気光学物質を駆動する一対の電極（実施の形態において画素電極４０２−ｎ−ｍと対向電極９３０が対応する）を備え、前記基板のすくなくとも一方に、実装部材（実施の形態において駆動用ＩＣ９２１が対応する）が接続される実装端子（実施の形態において実装端子金属部５０２が対応する）と、前記実装端子と接続配線（実施の形態において接続配線５０６が対応する）を介して電気的に接続される検査端子（実施の形態において検査端子金属部５０８が対応する）が形成される電気光学装置（実施の形態において液晶表示装置９１０が対応する）であって、前記接続配線を形成する導電材料はアルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を形成する導電材料はアルミニウムを含有することを特徴とする電気光学装置を提案する。

このように構成することで検査端子がプローブによってキズをつけられて端子を構成するアルミニウム層が腐食しても、アルミニウムを含まない接続配線には、腐食が進まないため、接続配線を介して接続される実装端子にも影響を与えないため、実装端子と駆動用ＩＣとの接続が、接続不良となることがない。

また本技術は、前記基板の一方は、他方の基板の外縁から外側へ張り出す張り出し部を有し、前記実装端子と検査端子は、前記張り出し部（実施の形態において張り出し部１１０が対応する）に配置されることを特徴とする電気光学装置を提案する。

このように構成することで、実装部材の実装を容易にすると共に、実装部材が対向基板の上面側に突出したとしても、その突出量を軽減することができる。

また本技術は、前記検査端子（実施の形態において破線枠Ｂが対応する）上に配置され、前記実装端子に電気的に接続されて、前記画素スイッチング素子を駆動するための駆動用ＩＣ（実施の形態において駆動用ＩＣ９２１が対応する）を備えてなることを特徴とする電気光学装置を提案する。

このように構成することで、検査端子が駆動用ＩＣと平面的に重なり、更に、実装端子を覆う異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を検査端子上に延在させることで、腐食を生じにくくすることができ、その上、腐食が生じてもゴミなどの異物になって不具合となることがない。不具合の原因となることがない。

また本技術は、上記の電気光学パネルを備えている電気光学装置（実施の形態において液晶表示装置９１０が対応する）とその電気光学装置を備えた電子機器（実施の形態において電子機器１０００が対応する）を提案する。これらの電気光学装置及び電子機器は信頼性が高く、製造コストを抑えて安価に製造することが可能になる。

以下、本技術を具体化した実施形態について図面に基づいて説明する。

［第１の実施形態］
図１は本実施例に係る液晶表示装置９１０の斜視構成図（一部断面図）である。液晶表示装置９１０は、アクティブマトリクス基板１０１と対向基板９１２とをシール材９２３により一定の間隔で貼り合わせ、ネマティック相液晶材料９２２を挟持してなる。アクティブマトリクス基板１０１上には図示しないがポリイミドなどからなる配向材料が塗布されラビング処理されて配向膜が形成されている。

また、対向基板９１２は、図示しないが画素に対応したカラーフィルタと、光抜けを防止し、コントラストを向上させるための低反射・低透過率樹脂よりなるブラックマトリクスと、アクティブマトリクス基板１０１上の対向導通部３３０と短絡されるＩＴＯ膜でなる対向電極（ＣＯＭ）９３０が形成される。対向基板９１２のネマティック相液晶材料９２２（図示しない）と接触する面にはポリイミドなどからなる配向材料が塗布され、アクティブマトリクス基板１０１の配向膜ラビング処理方向と直交する方向にラビング処理されている。

さらに対向基板９１２の上面側には、上偏光板９２４を、アクティブマトリクス基板１０１の底面側には、下偏光板９２５を各々配置し、互いの偏光方向が直交するよう（クロスニコル状）に配置する。さらに下偏光板９２５下には、バックライトユニット９２６と導光板９２７が配置され、バックライトユニット９２６から導光板９２７に向かって光が照射され、導光板９２７はバックライトユニット９２６からの光をアクティブマトリクス基板１０１に向かって垂直かつ均一な面光源となるように光を反射屈折させることで液晶表示装置９１０の光源として機能する。バックライトユニット９２６は、本実施例ではＬＥＤユニットであるが、冷陰極管（ＣＣＦＬ）であってもよい。バックライトユニット９２６はコネクタ９２９を通じて電子機器１０００本体の外部電源回路７８４（図４参照）に接続され、電源を供給される。

図示しないが、さらに必要に応じて、液晶表示装置９１０の周囲を外殻で覆っても良いし、あるいは上偏光板９２４のさらに上に保護用のガラスやアクリル板を取り付けても良いし、視野角改善のため光学補償フィルムを貼っても良い。また、導光板９２７と下偏光板９２５の間に輝度均一性向上のためのプリズムシートや輝度向上のための光学シートなどを配置しても良い。

また、アクティブマトリクス基板１０１は、対向基板９１２から張り出す張り出し部１１０が設けられ、その張り出し部１１０にはＦＰＣ（可撓性基板）９２８及び駆動用ＩＣ９２１がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して実装され電気的に接続されている。またＦＰＣ（可撓性基板）９２８は電子機器１０００本体に接続され、外部電源回路７８４及び映像処理回路７８０（いずれも図１では図示していない）から必要なら信号と電源を駆動用ＩＣ９２１及びアクティブマトリクス基板１０１に供給する。

図２はアクティブマトリクス基板１０１のブロック図である。アクティブマトリクス基板１０１上には４８０本の走査線２０１（２０１−１〜２０１−４８０）と１９２０本のデータ線２０２（２０２−１〜２０２−１９２０）が直交して形成されており、４８０本の容量線２０３（２０３−１〜２０３−４８０）は走査線２０１−１〜２０１−４８０と並行に配置されている。容量線２０３−１〜２０３−４８０は相互に短絡されて共通電位配線３３５と接続され、さらに対向導通部３３０とも接続される。共通電位配線３３５は張り出し部１１０の点線枠Ａ部に引き出されて駆動用ＩＣ９２１から共通電位（ＣＯＭ）を与えられる。本実施例ではいわゆる共通電位反転駆動を用いるので、共通電位（ＣＯＭ）は一定期間で反転する反転信号となる。走査線２０１−１〜２０１−４８０は走査線駆動回路３０１に接続され、またデータ線２０２−１〜２０２−１９２０はデータ線駆動回路３０２に接続され、それぞれ適切に駆動される。

走査線駆動回路３０１、データ線駆動回路３０２はアクティブマトリクス基板１０１上にポリシリコン薄膜トランジスターを集積することで形成されており、後述する画素スイッチング素子４０１（４０１−ｎ−ｍ）と同一工程で製造される、いわゆる駆動回路内蔵型の液晶表示装置となっている。走査線駆動回路３０１、データ線駆動回路３０２はその駆動のために必要な信号の配線が張り出し部１１０の点線枠Ａ部に引き出される。張り出し部１１０の点線枠Ａ部の破線枠Ｂは駆動用ＩＣ９２１が実装される領域であり、破線枠Ｃは同様にＦＰＣ（可撓性基板）９２８が実装される領域を示している。点線枠Ａ部内の詳細な構成については後述する。

図３は表示領域３１０におけるｍ番目のデータ線２０２−ｍとｎ番目の走査線２０１−ｎの交差部付近の回路図である。走査線２０１−ｎとデータ線２０２−ｍの各交点にはｎチャネル型電界効果ポリシリコン薄膜トランジスターよりなる画素スイッチング素子４０１−ｎ−ｍが形成されており、そのゲート電極は走査線２０１−ｎに、ソース・ドレイン電極はそれぞれデータ線２０２−ｍと画素電極４０２−ｎ−ｍに接続されている。画素電極４０２−ｎ−ｍ及び同一電位に短絡される電極は容量線２０３−ｎと補助容量コンデンサー４０３−ｎ−ｍを形成し、また液晶表示装置として組み立てられた際にはネマティック相液晶材料９２２をはさんで対向電極９３０とやはりコンデンサーを形成する。

図４は本実施例での電子機器１０００の具体的な構成を示すブロック図である。液晶表示装置９１０は図１で説明した液晶表示装置であって、外部電源回路７８４、映像処理回路７８０がＦＰＣ（可撓性基板）９２８およびコネクタ９２９を通じて必要な信号と電源を液晶表示装置９１０に供給する。中央演算回路７８１は外部Ｉ／Ｆ回路７８２を介して入出力機器７８３からの入力データを取得する。ここで入出力機器７８３とは例えばキーボード、マウス、トラックボール、ＬＥＤ、スピーカー、アンテナなどである。中央演算回路７８１は外部からのデータをもとに各種演算処理を行い、結果をコマンドとして映像処理回路７８０あるいは外部Ｉ／Ｆ回路７８２へ転送する。映像処理回路７８０は中央演算回路７８１からのコマンドに基づき映像情報を更新し、液晶表示装置９１０への信号を変更することで、液晶表示装置９１０の表示映像が変化する。ここで電子機器１０００とは具体的にはモニター、ＴＶ、ノートパソコン、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話、携帯フォトビューワー、携帯ビデオプレイヤー、携帯ＤＶＤプレイヤー、携帯オーディオプレヤーなどである。

図５は図２の張り出し部１１０の点線枠Ａ部の拡大図であり、図６は図５の点線部Ｄの拡大図である。図７は図８の線Ｅ−Ｅ’に沿った断面図である。図５、図６、図７は図面の見易さを優先して縮尺は一定でない。いずれも同一の網掛けは同一工程で製造された同一膜種・膜厚の配線層で形成されていることを示しており、それぞれの配線層については図中の凡例で示す。凡例に示す第１の配線層は厚さ３００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）よりなる配線であり、第２の配線層は厚さ５００ｎｍのアルミニウム・ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）配線を下層に、厚さ１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）配線を上層に積層させた配線であり、透明電極層は厚さ１００ｎｍのインディウム・錫酸化物合金（ＩＴＯ）よりなる電極である。第１の配線層と第２の配線層は間に５００ｎｍの酸化シリコンよりなる層間絶縁膜が形成されて互いに絶縁され、所定の位置にコンタクトホールが形成されて第１の配線層と第２の配線層が接続される。第２の配線層と透明電極層は間に２００ｎｍの窒化シリコンと約１μｍの有機平坦化膜よりなる層間絶縁膜が形成されて互いに絶縁され、所定の位置に第２のコンタクトホールが形成されて第２の配線層と透明電極層が接続される。ここで第１の配線層は前記の走査線２０１−１〜２０１−４８０と容量線２０３−１〜２０３−４８０を構成している配線と同一の工程で製造され同一の構成・膜厚を有した配線層であり、第２の配線層は前記のデータ線２０２−１〜２０２−１９２０を構成している配線と同一の工程で製造された同一の構成・膜厚を有した配線層であり、透明電極層は前記の画素電極４０２−ｎ−ｍを構成している層と同一の工程で製造された同一の構成・膜厚を有した電極層である。このように、表示領域内を構成する膜と同一の工程で端子部を構成しているので、製造コストを安く抑えることができる。

走査線駆動回路３０１、データ線駆動回路３０２から引き出された引き出し配線５０１は第２の配線層からなっており、同じく第２の配線層からなる実装端子金属部５０２に接続されている。実装端子金属部５０２は第１の開口部５０３を介して実装端子透明電極部５０４に接続される。図示しないが、実装端子透明電極部５０４には駆動用ＩＣ９２１の端子部に形成された金バンプがＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して接続される。実装端子金属部５０２は第１のコンタクトホール５０５を介して第１の配線層により構成される接続配線５０６に接続される。接続配線５０６は第２のコンタクトホール５０７を介して第２の配線層により構成される検査端子金属部５０８に接続される。検査端子金属部５０８は第２の開口部５０９を介して検査端子透明電極部５１０に接続される。

前記のように、第２の配線層はアルミニウム・ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）配線とモリブデン（Ｍｏ）配線を積層させてなるので、引き出し配線５０１はモリブデン（Ｍｏ）よりなる引き出し配線上層部５０１ａとアルミニウム・ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）よりなる引き出し配線下層部５０１ｂよりなり、実装端子金属部５０２はモリブデン（Ｍｏ）よりなる実装端子金属上層部５０２ａとアルミニウム・ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）よりなる実装端子金属下層部５０２ｂよりなり、検査端子金属部５０８はモリブデン（Ｍｏ）よりなる検査端子金属上層部５０８ａとアルミニウム・ネオジウム合金（ＡｌＮｄ）よりなる検査端子金属下層部５０８ｂよりなる。

なお、本実施例では第１の配線層にモリブデン（Ｍｏ）を用いたが、アルミニウムを含まない配線であればどのような配線でも良い。例えばクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）あるいはこれらの化合物、またそれらの積層配線などである。また本実施例では第２の配線層にアルミニウム・ネオジウム合金とモリブデン（Ｍｏ）配線の積層を用いたが、純アルミニウムやアルミニウムを含む合金、またはそれらを含む積層配線であっても差し支えない。

このように、本実施例では実装端子及び検査端子にアルミニウムを含む合金を用いているため、実装部の電気抵抗が低くなる。また、駆動用ＩＣ９２１の実装前にアクティブマトリクス基板１０１を検査する際は検査端子透明電極部５１０にタングステンプローブなどを接することでアクティブマトリクス基板１０１を駆動して検査することで実装前に不良のアクティブマトリクス基板１０１を確実に排除することで余分なコストをかけずに済む。また本実施例では実装端子透明電極部５０４より検査端子透明電極部５１０のサイズを大きくして、二列配置（千鳥配置）になるように配置しており、これによって検査時のプローブコンタクトを容易にしており、検査コストを抑えている。検査の際、検査端子透明電極部５１０及び検査端子金属上層部５０８ａにタングステンプローブが接することでキズがついて検査端子金属下層部５０８ｂが露出しても駆動用ＩＣ９２１の実装に支障が出ることは無く、また、検査端子金属下層部５０８ｂが空気中水分等によって腐食しても、接続配線５０６はアルミニウムを含まないので腐食はそれ以上進行することがなく、実装端子金属下層部５０２ｂに影響を及ぼす恐れが無いため、特に高温高湿条件での信頼性に悪影響を与えることが一切無い。また、検査端子金属下層部５０８ｂ自体が駆動用ＩＣ９２１と平面的に重なっていてＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）によって覆われるため、腐食自体も生じにくくなる上にゴミとなった腐食物が脱落して不具合の原因となることがない。

［第２の実施の形態］
図８は第１の実施の形態における図６に相当するものであって、第１の実施例で説明したアクティブマトリクス基板１０１の張り出し部１１０における点線枠Ａ部に相当する部位の拡大図である。いずれも図面の見易さを優先して縮尺は一定でない。第２の実施例においては液晶表示装置、アクティブマトリクス基板、電子機器１０００は点線枠Ａ部に相当する部位以外、第１の実施例と同一の構成であってかわるところがないので説明は省略する。図９は図８の線Ｆ−Ｆ’に沿った断面図である。いずれも同一の網掛けは同一の配線層で形成されていることを示しており、それぞれの配線層については凡例で示す。また、図面の見易さを優先して縮尺は一定でない。凡例に示す半導体層は厚さ５０ｎｍの多結晶シリコン薄膜であって、厚さ１００ｎｍの酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜によって第１の配線層と絶縁され、コンタクトホールを介して第２の配線層と接続される。半導体層は画素スイッチング素子４０１−ｎ−ｍの能動層と同一工程で製造された同一の構成・膜厚の薄膜である。第１の配線層、第２の配線層、透明電極層及びそれらの層間絶縁膜は第１の実施の形態で説明した構成と差異がないので説明は省略する。

本実施例では、実装端子金属部５０２は第３のコンタクトホール５１１を介して半導体層５１２と接続される。半導体層５１２は第４のコンタクトホール５１４及び第１のコンタクトホール５０５を介して接続配線５０６に接続される。半導体層５１２の上層にはゲート絶縁膜を挟んでゲート電極５１３が配置される。ゲート電極５１３と平面的に重なる部位の半導体層５１２は真性半導体であって、他の部位はリンイオンがドーズされたｎ＋型半導体となっていて、ｎチャネル型電界効果型トランジスター５１５を構成している。これら以外の構成については図７及び図８で説明した第１の実施例と何ら変わらないので同じ記号を付与することで説明を省略する。

図示しないが、ゲート電極５１３は実装端子と検査端子に接続されており、検査中は検査端子からゲート電極５１３に＋電位を印加してｎチャネル型電界効果型トランジスター５１５をＯＮ状態にして検査端子金属部５０８と引き出し配線５０１の間を導通させることで検査を可能とし、駆動用ＩＣ９２１の実装後は実装端子からゲート電極５１３に−電位を印加してｎチャネル型電界効果型トランジスター５１５をＯＦＦ状態にすることで検査端子金属部５０８と引き出し配線５０１の間を電気的に切り離す。これによって、一つの検査端子から複数の引き出し配線に対して同一電位を印加することができるようになり、検査端子の数を減らしてピッチを広くとれることから検査時のプロービングが容易となる。図８では一つの検査端子に対して２つの実装端子がトランジスターを介して接続され、検査中は同一の電位が与えられるようになっている。もちろん、同様にして一つの検査端子に対して３もしくはそれ以上の実装端子を対応させても良いし、例えばクロック信号やスタートパルス信号のように個別に駆動すべき部位は１実装端子に対して１検査端子の対応としてもよいし、そのような部位ではｎチャネル型電界効果型トランジスター５１５を省略して第１の実施例と同じ構成としてもよい。本構成では検査時のプローブコンタクトによって検査端子金属下層部５０８ｂが露出し、腐食した場合にｎチャネル型電界効果型トランジスター５１５にまで腐食が及んで破壊され、例えばゲート電極５１３のリーク電流が半導体層５１２を介して引き出し配線５０１へ流れるような不具合を防止できる。

なお、本技術の実施例の形態では、アクティブマトリクス基板１０１上に、実装端子金属部５０２、検査端子金属部５０８を備える構成とし、また、アクティブマトリクス基板１０１が、該基板の外縁から外側へ張り出す張り出し部を有する構成とし、また、アクティブマトリクス基板１０１が、駆動用ＩＣ９２１を備える構成としたが、対向基板９１２が、または、両方の基板が、前記構成を備える形態としてもよい。

本技術は実施例の形態に限定されるものではなく、ＴＮモードではなく垂直配向モード（ＶＡモード）、横電界を利用したＩＰＳモード、フリンジ電界を利用したＦＦＳモードなどの液晶表示装置に利用しても構わないし、有機ＥＬを用いたディスプレイ装置（ＯＬＥＤ）に用いても良い。またディスプレイ装置でなく、アクティブマトリクス基板を用いた画像センサーなどに用いても良い。また、アクティブ素子として多結晶ポリシリコン薄膜トランジスターでなく、アモルファスシリコン薄膜トランジスターを用い、データ線駆動回路や走査線駆動回路をガラス基板上でなく駆動用ＩＣ側に構成しても良い。

本技術の実施例に関する液晶表示装置９１０の斜視図。 本技術の実施例に関するアクティブマトリクス基板１０１の構成図。 本技術の実施例に関するアクティブマトリクス基板１０１の画素回路図。 本技術の電子機器１０００の実施例を示すブロック図。 本技術の実施例に関する図２の点線枠Ａ部の拡大図。 本技術の第１の実施例に関する図５の点線部Ｄの拡大図。 本技術の第１の実施例に関する図６の線Ｅ−Ｅ'の断面図。 本技術の第２の実施例に関する図５の点線部Ｄに相当する部位の拡大図。 本技術の第２の実施例に関する図８の線Ｆ−Ｆ'の断面図。

符号の説明

１０１…アクティブマトリクス基板、２０１…走査線、２０２…データ線、２０３…容量線、３０１…走査線駆動回路、３０２…データ線駆動回路、４０１…画素スイッチング素子、４０２…画素電極、５０１…引き出し配線、５０２…実装端子金属部、５０３…第１の開口部、５０４…実装端子透明電極部、５０５…第１のコンタクトホール、５０６…接続配線、５０７…第２のコンタクトホール、５０８…検査端子金属部、５０９…第２の開口部、５１０…検査端子透明電極部、５１１…第３のコンタクトホール、５１２…半導体層、５１３…ゲート電極、５１４…第４のコンタクトホール、５１５…ｎチャネル型電界効果型トランジスター、９１０…液晶表示装置。

Claims (5)

1. 基板上に、データ線と走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられる画素スイッチング素子と、実装部材と接続される実装端子と、前記実装端子と接続配線を介して電気的に接続される検査端子が形成された電気光学パネルであって、
   前記検査端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に接続し、前記実装端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に切り離す検査スイッチング素子を前記実装端子と前記検査端子の間に備え、
   前記接続配線は、前記検査スイッチング素子と前記検査端子の間に備えられ、
   前記接続配線を構成する配線材料は、アルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を構成する配線材料は、アルミニウムを含有することを特徴とする電気光学パネル。
2. 電気光学物質を介して対向する一対の基板と、前記電気光学物質を駆動する一対の電極を備え、
   前記基板のすくなくとも一方に、実装部材が接続される実装端子と、前記実装端子と接続配線を介して電気的に接続される検査端子が形成される電気光学装置であって、
   前記検査端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に接続し、前記実装端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に切り離す検査スイッチング素子を前記実装端子と前記検査端子の間に備え、
   前記接続配線は、前記検査スイッチング素子と前記検査端子の間に備えられ、
   前記接続配線を形成する導電材料は、アルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を形成する導電材料は、アルミニウムを含有することを特徴とする電気光学装置。
3. 前記基板の一方は、他方の基板の外縁から外側へ張り出す張り出し部を有し、
   前記実装端子と前記検査端子は、前記張り出し部に配置されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記検査端子上に配置され、前記実装端子に電気的に接続される駆動用ＩＣを備えてなることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電気光学装置。
5. 請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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