JP5164669B2 - 電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
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Description
図1は本実施例に係る液晶表示装置910の斜視構成図(一部断面図)である。液晶表示装置910は、アクティブマトリクス基板101と対向基板912とをシール材923により一定の間隔で貼り合わせ、ネマティック相液晶材料922を挟持してなる。アクティブマトリクス基板101上には図示しないがポリイミドなどからなる配向材料が塗布されラビング処理されて配向膜が形成されている。
図8は第1の実施の形態における図6に相当するものであって、第1の実施例で説明したアクティブマトリクス基板101の張り出し部110における点線枠A部に相当する部位の拡大図である。いずれも図面の見易さを優先して縮尺は一定でない。第2の実施例においては液晶表示装置、アクティブマトリクス基板、電子機器1000は点線枠A部に相当する部位以外、第1の実施例と同一の構成であってかわるところがないので説明は省略する。図9は図8の線F−F’に沿った断面図である。いずれも同一の網掛けは同一の配線層で形成されていることを示しており、それぞれの配線層については凡例で示す。また、図面の見易さを優先して縮尺は一定でない。凡例に示す半導体層は厚さ50nmの多結晶シリコン薄膜であって、厚さ100nmの酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜によって第1の配線層と絶縁され、コンタクトホールを介して第2の配線層と接続される。半導体層は画素スイッチング素子401−n−mの能動層と同一工程で製造された同一の構成・膜厚の薄膜である。第1の配線層、第2の配線層、透明電極層及びそれらの層間絶縁膜は第1の実施の形態で説明した構成と差異がないので説明は省略する。
Claims (5)
- 基板上に、データ線と走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられる画素スイッチング素子と、実装部材と接続される実装端子と、前記実装端子と接続配線を介して電気的に接続される検査端子が形成された電気光学パネルであって、
前記検査端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に接続し、前記実装端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に切り離す検査スイッチング素子を前記実装端子と前記検査端子の間に備え、
前記接続配線は、前記検査スイッチング素子と前記検査端子の間に備えられ、
前記接続配線を構成する配線材料は、アルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を構成する配線材料は、アルミニウムを含有することを特徴とする電気光学パネル。 - 電気光学物質を介して対向する一対の基板と、前記電気光学物質を駆動する一対の電極を備え、
前記基板のすくなくとも一方に、実装部材が接続される実装端子と、前記実装端子と接続配線を介して電気的に接続される検査端子が形成される電気光学装置であって、
前記検査端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に接続し、前記実装端子からの電位の印加によって前記実装端子と前記検査端子を電気的に切り離す検査スイッチング素子を前記実装端子と前記検査端子の間に備え、
前記接続配線は、前記検査スイッチング素子と前記検査端子の間に備えられ、
前記接続配線を形成する導電材料は、アルミニウムを含有せず、前記実装端子及び前記検査端子を形成する導電材料は、アルミニウムを含有することを特徴とする電気光学装置。 - 前記基板の一方は、他方の基板の外縁から外側へ張り出す張り出し部を有し、
前記実装端子と前記検査端子は、前記張り出し部に配置されることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記検査端子上に配置され、前記実装端子に電気的に接続される駆動用ICを備えてなることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の電気光学装置。
- 請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008139036A JP5164669B2 (ja) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008139036A JP5164669B2 (ja) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009288371A JP2009288371A (ja) | 2009-12-10 |
JP5164669B2 true JP5164669B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=41457667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008139036A Active JP5164669B2 (ja) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | 電気光学パネル、電気光学装置およびこれを搭載した電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5164669B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015088576A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4141696B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-08-27 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 画像表示パネルとその製造方法、画像表示装置 |
JP2006078764A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
JP5127124B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 表示装置 |
JP2007108470A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Nec Lcd Technologies Ltd | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
JP4890100B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2012-03-07 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 画像表示装置 |
-
2008
- 2008-05-28 JP JP2008139036A patent/JP5164669B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009288371A (ja) | 2009-12-10 |
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