JP5164363B2 - Manufacturing method of semiconductor wafer - Google Patents

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Description

本発明は、シリコン等の半導体基板の表面にＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって形成されているウエーハであって、そのウエーハを分割予定ラインに沿って裏面側から分割加工ができるようにした半導体ウエーハおよび該半導体ウエーハの製造方法に関するものである。   The present invention is a wafer in which a plurality of devices such as IC and LSI are formed on a surface of a semiconductor substrate such as silicon by a planned dividing line, and the wafer can be divided from the back side along the planned dividing line. The present invention relates to a semiconductor wafer and a method for manufacturing the semiconductor wafer.

従来この種の半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する手段としては、ブレードを装備した切削装置（ダイシング装置）またはレーザー光線を照射するレーザー加工装置によって分割予定ラインが切削加工またはレーザー加工されて個々のデバイスに分割される技術が公知になっている。そして、分割された個々のデバイスは種々の電気器機に使用されるものである。   Conventionally, as a means for dividing this type of semiconductor wafer along the planned dividing line, the dividing planned line is cut or laser processed individually by a cutting device (dicing device) equipped with a blade or a laser processing device that irradiates a laser beam. A technique for dividing the device into a plurality of devices is known. The divided individual devices are used for various electric appliances.

ダイシング装置は半導体ウエーハの表面側から撮像装置を用いて分割予定ラインを検出し、適正に分割できるようにアライメントした後に分割の加工するものであるが、半導体ウエーハの表面側から加工すると、ダイシング装置においては切削水を供給しながら切削加工を行っても、切削屑または発塵粉体等がデバイスの表面に多少付着する。   The dicing apparatus detects the planned division line from the surface side of the semiconductor wafer using an imaging device, aligns it so that it can be properly divided, and then processes the division. In, even if cutting is performed while supplying cutting water, cutting waste or dusting powder or the like slightly adheres to the surface of the device.

レーザー加工装置においては、半導体ウエーハの表面側から変質領域形成加工ができないので、ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って半導体ウエーハの内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射し、内部に変質領域を形成する必要がある。
（特許文献１参照）。 In the laser processing equipment, the altered region formation processing cannot be performed from the front side of the semiconductor wafer. Therefore, the laser beam is irradiated to the inside of the semiconductor wafer by aligning the condensing point along the division line from the back side of the wafer. A region needs to be formed.
(See Patent Document 1).

ところで、レーザー加工装置による変質領域形成加工において、半導体ウエーハの内部に集光点を合わせて変質領域を形成するので、半導体ウエーハの裏面側から変質領域を形成するためには、半導体ウエーハの裏面側から分割予定ラインを検出してアライメントを行う必要がある。   By the way, in the altered region forming processing by the laser processing apparatus, the altered region is formed by aligning the condensing point inside the semiconductor wafer. Therefore, it is necessary to perform alignment by detecting the division line.

しかし、半導体ウエーハの厚みが厚い場合や、アライメントするためのキーパターンとなる特徴的なパターンが存在しない場合や、赤外線を遮蔽する層が形成されているような場合などにおいては、裏面側から赤外線カメラによって分割予定ラインを検出できない場合があって、裏面側からの加工ができないという問題点を有している。
特開２００２ー１９２３７０号公報 However, when the thickness of the semiconductor wafer is thick, when there is no characteristic pattern that serves as a key pattern for alignment, or when a layer that shields infrared rays is formed, infrared rays from the back side are used. There is a case where the division division line cannot be detected by the camera, and there is a problem that processing from the back side cannot be performed.
JP 2002-192370 A

本発明が解決しようとする問題点は、どのような状況にあっても裏面側から分割予定ラインをアライメントできるようにすること、並びに、裏面側から分割作業等の加工ができるようにした半導体ウエーハの製造方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is that a semiconductor wafer that allows alignment of the division line from the back side and processing such as division work from the back side in any situation. It is to provide a manufacturing method.

本発明に係る半導体ウエーハの製造方法においては、撮像カメラを備えたチャックテーブルにおいてウェーハの表面側を保持し、撮像カメラによりウエーハの表面を撮像して分割予定ラインを検出し、検出された領域に対応するウエーハの裏面から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部にアライメントマークを形成することを主要な特徴とする。 In the method for manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention, the surface of the wafer is held by a chuck table provided with an imaging camera, the surface of the wafer is imaged by the imaging camera to detect a division line, and the detected area is detected. The main feature is that an alignment mark is formed inside the substrate by irradiating a focused point of a laser beam having a wavelength transmissive to the substrate from the back surface of the corresponding wafer.

そして、製造方法の発明において、基板は、シリコン基板でありレーザー光線の波長は１０６４ｎｍであり、ピークパワー密度は１０８Ｗ／ｃｍ２以上であることを付加的な要件として含むものである。 In the invention of the manufacturing method, the substrate includes a silicon substrate, the wavelength of the laser beam is 1064 nm, and the peak power density is 10 8 W / cm 2 or more as additional requirements.

本発明に係る半導体ウエーハの製造方法においては、撮像カメラを備えたチャックテーブルにおいてウェーハの表面側を保持し、撮像カメラにより半導体ウエーハの表面側のデバイスや分割予定ラインのパターン画像を撮影し、その画像に基づき決められた位置に正確に且つ速やかにアライメントマークを形成することができるという利点がある。 In the semiconductor wafer manufacturing method according to the present invention , the wafer surface is held on the chuck table provided with the imaging camera, and the device on the surface side of the semiconductor wafer and the pattern image of the planned division line are photographed by the imaging camera. There is an advantage that the alignment mark can be formed accurately and promptly at a position determined based on the image.

本発明に係る裏面側からアライメントして分割ができるシリコン基板で形成された半導体ウエーハと、その半導体ウエーハを製造する装置の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、製造される半導体ウエーハを示すもので、（Ａ）図は表面側を（Ｂ）図は裏面側を示す斜視図であり、図２は、その半導体ウエーハを製造するための装置を示す斜視図である。   Embodiments of a semiconductor wafer formed of a silicon substrate that can be aligned and divided from the back side according to the present invention and an apparatus for manufacturing the semiconductor wafer will be described with reference to the drawings. 1A and 1B show a semiconductor wafer to be manufactured. FIG. 1A is a perspective view showing a front surface side and FIG. 1B is a perspective view showing a back surface side. FIG. 2 shows an apparatus for manufacturing the semiconductor wafer. It is a perspective view shown.

まず、図１において、裏面側からアライメントして分割ができる半導体ウエーハ１は、所要大きさのシリコン基板で形成されたもので、その基板表面に予めＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイス２が、分割予定ライン３によって整然と区画された状態で形成されたものであり、一つの側面に方向性を確立させるオリフラ４を有するものである。そして、このような半導体ウエーハ１の基板内部には、裏面側から分割予定ラインを検出するためのアライメントマーク５が複数形成されたものである。   First, in FIG. 1, a semiconductor wafer 1 that can be aligned and divided from the back side is formed of a silicon substrate of a required size, and a plurality of devices 2 such as ICs, LSIs, etc. are divided in advance on the substrate surface. It is formed in a state where it is neatly partitioned by the planned line 3 and has an orientation flat 4 that establishes directionality on one side surface. In addition, a plurality of alignment marks 5 for detecting the division lines from the back side are formed inside the substrate of the semiconductor wafer 1.

図２は、裏面側からアライメントして分割ができる半導体ウエーハ１の製造装置１０を示すものであって、該製造装置１０の作業台１１上には、半導体ウエーハ１を表裏反転させて載置して保持するチャックテーブル１２が回転自在に、且つＸ軸とＹ軸方向とに移動可能な手段を介して設けられている。そして、このチャックテーブル１２には、載置した半導体ウエーハ１の表面を撮像するための第１の撮像カメラ１３と第２の撮像カメラ１４とが、少なくとも、Ｘ軸方向において対象位置に設けられている。また、Ｙ軸方向に設けることもできる。   FIG. 2 shows a semiconductor wafer 1 manufacturing apparatus 10 that can be aligned and divided from the back side. The semiconductor wafer 1 is placed upside down on a work table 11 of the manufacturing apparatus 10. The chuck table 12 is held via a means that can rotate and move in the X-axis and Y-axis directions. The chuck table 12 is provided with a first imaging camera 13 and a second imaging camera 14 for imaging the surface of the mounted semiconductor wafer 1 at least at the target position in the X-axis direction. Yes. It can also be provided in the Y-axis direction.

Ｘ軸とＹ軸方向に移動可能な手段としては、作業台１１上においてＸ軸方向に一対のレール状部材１５を配設し、該レール状部材１５に沿ってＸ軸方向に往復移動する板状の架台１６を配設し、該架台１６上に一対のガイドレール１７を介してＹ軸方向に往復移動するベース板１８を配設し、該ベース板１８上に起立させた筒体部１９を介してチャックテーブル１２が回転自在に配設されている。   As means capable of moving in the X-axis and Y-axis directions, a pair of rail-like members 15 are arranged on the work table 11 in the X-axis direction and reciprocated along the rail-like members 15 in the X-axis direction. A base plate 18 that is reciprocated in the Y-axis direction via a pair of guide rails 17 is disposed on the base 16 and a cylindrical body portion 19 that is erected on the base plate 18 is disposed. The chuck table 12 is rotatably arranged via the.

この場合に、架台１６はモータ２０によって駆動され、且つ一対のレール状部材１５間に配設したねじ桿２１によってＸ軸方向に往復移動させられ、ベース板１８はモータ２２によって駆動され、且つ一対のガイドレール１７間に配設したねじ桿２３によってＹ軸方向に往復移動させられる構成になっている。   In this case, the gantry 16 is driven by the motor 20 and reciprocated in the X-axis direction by a screw rod 21 disposed between the pair of rail-like members 15, the base plate 18 is driven by the motor 22, and the pair The screw rods 23 disposed between the guide rails 17 are reciprocated in the Y-axis direction.

また、作業台１１上には、レーザー光発生装置２５が配設されている。このレーザー光発生装置２５は、前記チャックテーブル１２がＸ軸方向に移動するためのレール状部材１５と直交する方向、即ちＹ軸方向に移動可能な手段と上下方向に移動可能な手段とを介して配設されており、チャックテーブル１２側に位置する端部にレーザー光線照射部２６が下方に向けて設けられている。   Further, a laser beam generator 25 is disposed on the work table 11. This laser beam generator 25 is provided via a means that is movable in the direction perpendicular to the rail-like member 15 for moving the chuck table 12 in the X-axis direction, that is, in the Y-axis direction, and a means that is movable in the vertical direction. A laser beam irradiating unit 26 is provided downward at an end located on the chuck table 12 side.

Ｙ軸方向に移動可能な手段としては、一対のＴ字状を呈するガイドレール部材２７が配設され、該ガイドレール部材２７に対して、そのガイドレール部材２７を両側から抱えるようにして嵌合し摺動する溝部を備えたＬ字状の支持プレート２８が配設され、該支持プレート２８における起立部２８ａにレーザー光発生装置２５を支持させてある。そして、支持プレート２８は、モータ２９によって駆動され且つ一対のガイドレール部材２７間に配設されたねじ桿３０に係合してＹ軸方向に往復移動させられる構成になっている。   As a means movable in the Y-axis direction, a pair of T-shaped guide rail members 27 are disposed, and the guide rail members 27 are fitted so as to hold the guide rail members 27 from both sides. Then, an L-shaped support plate 28 having a sliding groove portion is disposed, and the laser beam generator 25 is supported on the standing portion 28a of the support plate 28. The support plate 28 is driven by a motor 29 and is engaged with a screw rod 30 disposed between the pair of guide rail members 27 so as to reciprocate in the Y-axis direction.

また、上下方向に移動可能な手段としては、支持プレート２８の起立部２８ａに対するレーザー光発生装置２５の取り付け構造に特徴がある。この取り付け構造として、上記Ｙ軸方向に移動可能な手段と略同じ構造を採用している。即ち、起立部２８ａにおける取付面に一対のＴ字状を呈するガイドレール部材３１が垂直方向に形成されると共に、モータ３２によって駆動されるねじ桿（図示せず）が配設されており、それらガイドレール部材とねじ桿とに係合してレーザー光発生装置２５が上下方向に移動できるように取り付けられた構成になっている。   Further, the means that can be moved in the vertical direction is characterized by the structure for attaching the laser beam generator 25 to the upright portion 28 a of the support plate 28. As this mounting structure, a structure substantially the same as the means movable in the Y-axis direction is employed. That is, a guide rail member 31 having a pair of T-shapes is formed in a vertical direction on the mounting surface of the standing portion 28a, and screw rods (not shown) driven by a motor 32 are disposed. The laser beam generator 25 is mounted so as to be movable in the vertical direction by engaging with the guide rail member and the screw rod.

このような構成の製造装置１０を用い、裏面側からアライメントして分割ができる半導体ウエーハ１の製造方法について説明する。
一般的に半導体ウエーハ１は、オリフラ４を有するシリコン基板の表面にＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイス２が、分割予定ライン３によって整然と区画された状態で形成されたものであって、図２に示したように、その半導体ウエーハ１を裏返しにし表面側を下に向け、オリフラ４で設定された位置に方向付けをしてチャックテーブル１２上に載置し、従来から行われているように吸着固定する。 A manufacturing method of the semiconductor wafer 1 that can be divided and aligned from the back surface side using the manufacturing apparatus 10 having such a configuration will be described.
In general, a semiconductor wafer 1 is formed by forming a plurality of devices 2 such as ICs and LSIs on a surface of a silicon substrate having an orientation flat 4 in a state where the devices are orderly partitioned by dividing lines 3. As shown, the semiconductor wafer 1 is turned upside down and the surface side is directed downward, oriented to the position set by the orientation flat 4, and placed on the chuck table 12, and suctioned as is conventionally done. Fix it.

載置された半導体ウエーハ１の表面側は、図３に示したように、第１の撮像カメラ１３と第２の撮像カメラ１４とによって対称位置のデバイス２および分割予定ライン３の一部が映し出され、図４に示したように、それぞれ拡大した画像１３ａ、１４ａがディスプレイ４０の画面上に隣接表示される。   On the surface side of the semiconductor wafer 1 placed, as shown in FIG. 3, the first imaging camera 13 and the second imaging camera 14 project the device 2 at a symmetrical position and a part of the planned division line 3. As shown in FIG. 4, the enlarged images 13 a and 14 a are displayed adjacently on the screen of the display 40.

この隣接表示された拡大画像に基づき、決められた位置または領域、例えば、分割予定ライン３の交点位置やデバイス２におけるキーパターン２ａとなる特徴的な形状部分等の領域を検出し、その領域（位置や部分）に対してレーザー光線照射部２６を正確に位置合わせし、図５に示したように、レーザー光線２６ａの集光点を基板内部の略中央部に位置付けて照射し、基板内部にアライメントマーク５を形成するのである。   Based on the enlarged image displayed adjacently, a predetermined position or region, for example, an intersection position of the planned division line 3 or a region such as a characteristic shape portion that becomes the key pattern 2a in the device 2 is detected, and the region ( The laser beam irradiating unit 26 is accurately aligned with respect to the position and portion), and as shown in FIG. 5, the condensing point of the laser beam 26a is positioned at the substantially central portion inside the substrate and irradiated, and the alignment mark is formed inside the substrate. 5 is formed.

アライメントマーク５を形成するための決められた領域が、例えば、分割予定ライン３の交点位置であれば、隣接表示された画像１３ａ、１４ａにおいて、対応する交点位置にのみアライメントマーク５を形成するのであり、決められた領域が特徴的な形状部分のキーパターン２ａであれば、仮想線で示したように、その対応する部分にのみアライメントマーク５をピンポイントで形成するのである。   For example, if the determined region for forming the alignment mark 5 is an intersection position of the planned division line 3, the alignment mark 5 is formed only at the corresponding intersection position in the adjacent images 13a and 14a. If the determined area is a key pattern 2a having a characteristic shape portion, the alignment mark 5 is pinpointed only in the corresponding portion as shown by the phantom line.

この場合に、アライメントマーク５の形成は、裏面側から赤外線カメラで分割予定ライン３を検出してアライメントするための基準点となるものであって、分割予定ライン３の交点位置に形成するのが好ましいが、検出し易い特徴的なパターンがデバイス２の中にあれば、それをキーパターン２ａ（基準点）として選択することは構わないのである。そして、デバイス２の中のキーパターン２ａは、分割予定ライン３からどれだけの位置関係にあるかが正確に算出できているので、アライメント作業の時に、そのアライメントマーク５に基づいて正確な分割予定ライン３を検出（算出）することができるのである。   In this case, the alignment mark 5 is formed as a reference point for detecting and aligning the division line 3 with the infrared camera from the back side, and is formed at the intersection point of the division line 3. Although it is preferable, if there is a characteristic pattern that is easy to detect in the device 2, it can be selected as the key pattern 2a (reference point). Since the key pattern 2a in the device 2 can accurately calculate how much the positional relationship is from the planned dividing line 3, it can be accurately divided based on the alignment mark 5 at the time of alignment work. The line 3 can be detected (calculated).

レーザー光線２６ａの照射で基板内部に形成されたアライメントマーク５は、スポット状に変質された部分、つまり、スポット状の溶解変質部分であって、赤外線カメラで検出することができるものである。このようなアライメントマーク５を形成するためのレーザー光線２６ａの出力は、その波長が１０６４ｎｍであり、ピークパワー密度が１０８Ｗ／ｃｍ２以上のものである。 The alignment mark 5 formed inside the substrate by the irradiation of the laser beam 26a is a spot-modified part, that is, a spot-like dissolved and altered part, which can be detected by an infrared camera. The output of the laser beam 26a for forming such an alignment mark 5 has a wavelength of 1064 nm and a peak power density of 10 8 W / cm 2 or more.

このようにして一方向、即ち、Ｘ軸方向についてのアライメントマーク５を形成した後に、チャックテーブル１２の吸着固定を解除し、半導体ウエーハ１を持ち上げ９０度回転させ、オリフラ４で位置合わせして再度チャックテーブル１２上に載置し吸着固定して、前記と同様の工程を経てＹ軸方向について対称位置にアライメントマーク５を形成し、Ｘ軸方向とＹ軸方向のアライメントができるように、クロスする方向にアライメントマーク５を形成するのである。   After forming the alignment mark 5 in one direction, that is, in the X-axis direction in this way, the chuck table 12 is released from suction, the semiconductor wafer 1 is lifted and rotated 90 degrees, aligned with the orientation flat 4, and again. It is placed on the chuck table 12 and sucked and fixed, and the alignment mark 5 is formed at a symmetrical position in the Y-axis direction through the same process as described above, and crossed so that alignment in the X-axis direction and the Y-axis direction can be performed. The alignment mark 5 is formed in the direction.

いずれにしても、半導体ウエーハ１の裏面側から赤外線カメラで検出できるアライメントマーク５を基板の内部に形成したことによって、裏面側から分割予定ライン３を正確に検出して分割のためのアライメントを行って、半導体ウエーハ１の表面側に形成されているデバイス２に不都合を生じさせないで、裏面側から全ての分割作業ができるのであり、その分割作業はレーザー光による分割またはブレードによる分割のいずれにも利用することができるものである。   In any case, the alignment mark 5 that can be detected by the infrared camera from the back side of the semiconductor wafer 1 is formed inside the substrate, so that the division line 3 is accurately detected from the back side and alignment for division is performed. Thus, all the dividing operations can be performed from the back side without causing any inconvenience in the device 2 formed on the front surface side of the semiconductor wafer 1, and the dividing operation can be performed by either laser beam division or blade division. It can be used.

（Ａ）は本発明に係る半導体ウエーハの表面側の斜視図であり、（Ｂ）は裏面側の斜視図である。(A) is a perspective view of the front side of the semiconductor wafer according to the present invention, and (B) is a perspective view of the back side. 本発明に係る半導体ウエーハの製造方法を実施する装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the apparatus which enforces the manufacturing method of the semiconductor wafer which concerns on this invention. 同製造方法を説明するために装置の要部のみを略示した説明図である。It is explanatory drawing which simplified only the principal part of the apparatus in order to demonstrate the manufacturing method. 同製造方法を説明するために第１および第２の撮像カメラによる画像のディスプレーを略示した正面図である。FIG. 6 is a front view schematically showing an image display by first and second imaging cameras for explaining the manufacturing method. 同製造方法を説明するために装置の要部のみを拡大して示した説明図である。It is explanatory drawing which expanded and showed only the principal part of the apparatus in order to demonstrate the manufacturing method.

１ 半導体ウエーハ
２ デバイス
２ａ キーパターン
３ 分割予定ライン
４ オリフラ
５ アライメントマーク
１０ 製造装置
１１ 作業台
１２ チャックテーブル
１３ 第１の撮像カメラ
１４ 第２の撮像カメラ
１３ａ、１４ａ 画像
１５ 一対のレール状部材
１６ 架台
１７ 一対のガイドレール
１８ ベース板
１９ 筒体部
２０、２２、２９、３２ モータ
２１、２３、３０ ねじ桿
２５ レーザー光線発生装置
２６ レーザー光線照射部
２６ａ レーザー光線
２７、３１ 一対のガイドレール部材
２８ 支持プレート
２８ａ 起立部
４０ ディスプレイ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 Device 2a Key pattern 3 Planned division line 4 Orientation flat 5 Alignment mark 10 Manufacturing apparatus 11 Work table 12 Chuck table 13 First imaging camera 14 Second imaging camera 13a, 14a Image 15 A pair of rail-like members 16 Mounting base 17 A pair of guide rails 18 A base plate 19 A cylindrical portion 20, 22, 29, 32 A motor 21, 23, 30 A screw rod 25 A laser beam generator 26 A laser beam irradiation unit 26a A laser beam 27, 31 A pair of guide rail members 28 A support plate 28a Part 40 display

Claims (2)

撮像カメラを備えたチャックテーブルにおいてウエーハの表面側を保持し、該撮像カメラによりウエーハの表面を撮像して分割予定ラインを検出し、検出された領域に対応するウエーハの裏面から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を基板の内部に位置付けて照射し、基板の内部にアライメントマークを形成すること
を特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 A chuck table equipped with an imaging camera holds the front side of the wafer, images the surface of the wafer by the imaging camera, detects the division lines, and transmits to the substrate from the back side of the wafer corresponding to the detected area. A method for producing a semiconductor wafer, comprising: irradiating a condensing point of a laser beam having a characteristic wavelength inside a substrate, and forming an alignment mark inside the substrate. 基板は、シリコン基板でありレーザー光線の波長は１０６４ｎｍであり、ピークパワー密度は１０８Ｗ／ｃｍ２以上であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの製造方法。 2. The method of manufacturing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the substrate is a silicon substrate, the wavelength of the laser beam is 1064 nm, and the peak power density is 10 8 W / cm 2 or more.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5906103B2 (en) * 2012-03-02 2016-04-20 株式会社ディスコ Package substrate processing method and positional relationship detection apparatus
JP6004761B2 (en) * 2012-06-12 2016-10-12 株式会社ディスコ Dicing method
JP6220165B2 (en) * 2013-06-20 2017-10-25 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6791584B2 (en) * 2017-02-01 2020-11-25 株式会社ディスコ Processing method
JP7345970B2 (en) * 2019-07-11 2023-09-19 株式会社ディスコ Workpiece inspection method and laser processing equipment
CN114758969B (en) * 2022-04-18 2023-09-12 无锡九霄科技有限公司 Wafer back vision detection structure, detection method and related equipment

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003076118A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JP4539057B2 (en) * 2003-08-22 2010-09-08 富士電機システムズ株式会社 Manufacturing method of semiconductor substrate
JP2005109324A (en) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Laser beam dicing device
JP4354262B2 (en) * 2003-12-08 2009-10-28 株式会社ディスコ Confirmation method of laser-processed altered layer
JP2005177763A (en) * 2003-12-16 2005-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd Verifying apparatus for affected layer machined by laser beam

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