JP5144133B2 - Line sensor and image forming apparatus - Google Patents

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JP5144133B2 JP2007145888A JP2007145888A JP5144133B2 JP 5144133 B2 JP5144133 B2 JP 5144133B2 JP 2007145888 A JP2007145888 A JP 2007145888A JP 2007145888 A JP2007145888 A JP 2007145888A JP 5144133 B2 JP5144133 B2 JP 5144133B2
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Description

本発明は、シート体の大きさおよび傾きなどの検出に用いられるラインセンサと、それを備える画像形成装置に関するものである。   The present invention relates to a line sensor used for detecting the size and inclination of a sheet body and an image forming apparatus including the line sensor.

プリンタ、スキャナ、ファクシミリ、複写機および複合機などの分野においては、用紙を搬送する際に、用紙の端部を検出して印字の開始点および終了点を検出したり、用紙の大きさおよび搬送方向に対する用紙の傾斜を検出したりされている。このような検出を行う第１従来の技術として、一対の発光部と受光部とが間隔をおいて配置されて成るフォトセンサを構成し、このフォトセンサが、発光部と受光部との間に用紙の端部が通過するように搬送路の近傍に設けることが開示されている（たとえば特許文献１参照）。第１の従来の技術では、用紙の端部が発光部と受光部との間を通過するときに、用紙が発光部から投光された光を遮るか否かによって、その光を受光部で受光するか否かで用紙の有無を検出することができる。   In the fields of printers, scanners, facsimiles, copiers, and multifunction machines, when transporting paper, the edges of the paper are detected to detect the start and end points of printing, and the size and transport of the paper The inclination of the paper with respect to the direction is detected. As a first conventional technique for performing such detection, a photosensor is configured in which a pair of light emitting units and a light receiving unit are arranged at an interval, and the photosensor is disposed between the light emitting unit and the light receiving unit. It is disclosed that it is provided in the vicinity of the conveyance path so that the end of the sheet passes (see, for example, Patent Document 1). In the first conventional technique, when the edge of the sheet passes between the light emitting unit and the light receiving unit, the light is received by the light receiving unit depending on whether the sheet blocks the light projected from the light emitting unit. The presence or absence of a sheet can be detected based on whether light is received.

また第２の従来の技術では、プリンタヘッダのホルダの複数の異なる位置に、それぞれ検出部を設け、ホルダが設けられるキャリッジをステップモータによって移動させて、それぞれの検出部が用紙の端を検出する間にカウントされるステップモータの駆動パルス数に基づいて、用紙の傾きを検出している（たとえば特許文献２参照）。   In the second conventional technique, detection units are provided at a plurality of different positions of the holder of the printer header, the carriage on which the holder is provided is moved by a step motor, and each detection unit detects the end of the paper. The inclination of the paper is detected based on the number of drive pulses of the step motor counted in between (see, for example, Patent Document 2).

特開平５−８５６５０号公報JP-A-5-85650 特開平５−３１８８８９号公報JP-A-5-318889

しかしながら、第１の従来の技術では、用紙の有無を検出するのみで用紙の傾きまでは検出できないという問題点がある。また第１の従来の技術では、用紙の表裏面側のそれぞれに発光部および受光部を配置する必要があり、搬送路において検出器を設ける場所の制約を受けるため、検出器が設けられる装置全体が複雑化するという問題点がある。   However, the first conventional technique has a problem that it cannot detect the inclination of the sheet only by detecting the presence or absence of the sheet. Further, in the first conventional technique, it is necessary to arrange a light emitting unit and a light receiving unit on each of the front and back sides of the paper, and since there is a restriction on the place where the detector is provided in the conveyance path, the entire apparatus in which the detector is provided There is a problem that becomes complicated.

また、第２の従来の技術では、複数の検出部を設ける必要があるので、これらの検出器が設けられる装置全体が複雑化するという問題点がある。また２つ以上の検出部によって用紙の通過が検出されるまで、用紙の傾きを検出することができないので、たとえば用紙が通過し始める初期にすぐに用紙の傾きを検出することができないという問題がある。   Further, in the second conventional technique, since it is necessary to provide a plurality of detection units, there is a problem that the entire apparatus in which these detectors are provided becomes complicated. Further, since the inclination of the sheet cannot be detected until the passage of the sheet is detected by two or more detection units, there is a problem that the inclination of the sheet cannot be detected immediately at the beginning of the passage of the sheet, for example. is there.

したがって本発明の目的は、簡単な構成で用紙などの被検出物の端部の位置を適切に検出し、また被検出物の傾きの検出に用いることができるラインセンサおよびそれを備える画像形成装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to detect a position of an end of an object to be detected such as a sheet with a simple configuration and to use it for detecting an inclination of the object to be detected, and an image forming apparatus including the line sensor. Is to provide.

本発明のラインセンサは、基板の一主面上に列状に設けられ、前記一主面の一方側に光を放射可能な複数の発光部と、
前記一主面上で、複数の前記発光部のそれぞれに隣接して設けられ、前記一主面の一方側から到来する光を受光可能な複数の受光部と、
外部から前記発光部の発光状態を制御する信号が与えられる第１部位、および外部に前記受光部の受光状態に応じた信号が出力される第２部位を有し、前記第１および第２部位が、複数の前記発光部および前記受光部のうち、端部に設けられる前記発光部および前記受光部よりも列の延在方向の外方に設けられて、前記発光部および前記受光部に選択的に接続される配線部とを含み、
前記発光部は、発光サイリスタを含み、
前記受光部は、フォトトランジスタと、前記フォトトランジスタの受光状態に応じた出力がゲートに与えられ、前記第２部位にアノードまたはカソードが接続される検出用サイリスタとを含み、
複数の前記受光部の各フォトトランジスタは、前記発光部の列の延在方向および前記基板の厚み方向に相互に垂直な方向に関して、前記発光部の前記発光サイリスタに所定の間隔をあけて隣接して設けられ、
前記配線部は、複数の前記受光部の各検出用サイリスタによる検出信号を伝送する信号伝送路を複数有し、該複数の信号伝送路が、前記発光部の列の延在方向の一方から他方に向かって交互に前記受光部の前記検出用サイリスタに接続されることを特徴とする。 The line sensor of the present invention is provided in a row on one main surface of the substrate, and a plurality of light emitting units capable of emitting light to one side of the one main surface;
A plurality of light receiving units provided adjacent to each of the plurality of light emitting units on the one main surface and capable of receiving light arriving from one side of the one main surface;
A first part to which a signal for controlling the light emission state of the light emitting part is given from the outside; and a second part to which a signal corresponding to the light receiving state of the light receiving part is output to the outside. However, among the plurality of light emitting units and the light receiving unit, the light emitting unit and the light receiving unit provided at the end are provided outside the light emitting unit and the light receiving unit in the column extending direction, and are selected as the light emitting unit and the light receiving unit. look including a wiring portion that is connected,
The light emitting unit includes a light emitting thyristor,
The light receiving unit includes a phototransistor, and a detection thyristor in which an output corresponding to a light receiving state of the phototransistor is given to a gate, and an anode or a cathode is connected to the second part,
Each phototransistor of the plurality of light receiving units is adjacent to the light emitting thyristor of the light emitting unit with a predetermined interval in the direction perpendicular to the extending direction of the row of light emitting units and the thickness direction of the substrate. Provided,
The wiring section includes a plurality of signal transmission paths that transmit detection signals from the detection thyristors of the plurality of light receiving sections, and the plurality of signal transmission paths extends from one to the other in the extending direction of the rows of the light emitting sections. Are alternately connected to the detection thyristor of the light receiving section .

本発明の画像形成装置は、発光装置と、
感光体ドラムと、
前記感光体ドラムを帯電する帯電手段と、
前記感光体ドラムに前記発光装置からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって集光されて露光された前記感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を、記録シート体に転写する転写手段と、
前記記録シート体に転写された現像剤を定着させる定着手段と、
前記記録シート体の移動経路に、複数の前記発光部および受光部が臨むように設けられる前記ラインセンサとを含むことを特徴とする。 An image forming apparatus of the present invention includes a light emitting device,
A photosensitive drum;
Charging means for charging the photosensitive drum;
Condensing means for condensing the light from the light emitting device on the photosensitive drum;
Developer supply means for supplying a developer to the photosensitive drum exposed by the light from the light emitting device being condensed by the light collecting means;
Transfer means for transferring an image formed by a developer on the photosensitive drum to a recording sheet;
Fixing means for fixing the developer transferred to the recording sheet member;
And a line sensor provided so that a plurality of the light emitting units and the light receiving units face the moving path of the recording sheet body.

本発明のラインセンサによれば、発光部が発光すると、その光は、基板の一主面の一方側に放射される。発光部が臨む領域に被検出物が存在すると、発光部からの光は反射されて、基板の一主面に向かうこととなる。基板の一主面には、受光部が設けられている。受光部は、複数の発光部のそれぞれに隣接して設けられており、これによって隣接する発光部から放射され、この発光部が臨む領域で反射された光を受光することができる。発光部および受光部は、列状に設けられており、外部から前記発光部の発光状態を制御する信号が与えて発光させて、受光部から出力される受光状態に応じた信号を得ることによって、列に並んだ発光部および受光部のうち、どの位置に対向する領域に被検出物が存在するのかを検出することができる。発光部および受光部の一部が被検出物に臨むように配置しておくことによって、前述のような簡単な構成で被検出物の端部の位置を適切に検出することができる。また被検出物の端部の位置を適切に検出することができるので、被検出物が所定一端部から傾いていた場合には、この被検出物の傾きの検出に用いることができる。   According to the line sensor of the present invention, when the light emitting unit emits light, the light is emitted to one side of one main surface of the substrate. When an object to be detected is present in a region where the light emitting unit faces, light from the light emitting unit is reflected and travels toward one main surface of the substrate. A light receiving portion is provided on one main surface of the substrate. The light receiving unit is provided adjacent to each of the plurality of light emitting units, and can thereby receive the light emitted from the adjacent light emitting units and reflected by the region facing the light emitting unit. The light emitting part and the light receiving part are provided in a row, and a signal for controlling the light emitting state of the light emitting part is given from the outside to emit light, and a signal corresponding to the light receiving state output from the light receiving part is obtained. It is possible to detect in which region of the light emitting unit and the light receiving unit arranged in a row the region facing the object is present. By arranging the light emitting unit and the light receiving unit so that a part of the light receiving unit faces the detected object, the position of the end of the detected object can be appropriately detected with the simple configuration as described above. Moreover, since the position of the edge part of a to-be-detected object can be detected appropriately, when the to-be-detected object inclines from the predetermined one end part, it can be used for the detection of the inclination of this to-be-detected object.

配線部は、発光部および受光部に選択的に接続されている。配線部の第１部位に、外部から発光部の発光状態を制御する信号を与えることによって、発光部を発光させることができる。また配線部の第２部位からは、外部に受光部の受光状態に応じた信号が出力される。第１および第２部位は、外部の装置との接続ポイントである。この第１および第２部位が、複数の前記発光部および前記受光部のうち、端部に設けられる前記発光部および前記受光部よりも列の延在方向の外方に設けられる。これによって第１および第２部位と、外部の装置とを接続する配線（以下、外部配線という）が、発光部および受光部に臨む領域に存在する被検出物に対して障害となることを抑制することができる。また外部配線を、受光部から遠ざけることができ、外部配線をボンディングワイヤなどによって実現しても、この外部配線からの不要な反射光の受光部による受光を抑制することができる。以上により、列状に配置された複数の発光部および受光部が臨む領域を、被検出物の端部にまたがって設ければ、被検出物の端部の位置を、精度よく適切に検出することができる。したがって、簡単な構成で被検出物の端部等の位置を適切に検出することができるラインセンサが実現される。
また、複数の受光部の各フォトトランジスタは、発光部の列の延在方向および基板の厚み方向に相互に垂直な方向に関して、発光部の発光サイリスタに所定の間隔をあけて隣接して設けられる。そして、配線部は、複数の受光部の各検出用サイリスタによる検出信号を伝送する信号伝送路を複数有し、該複数の信号伝送路が、発光部の列の延在方向の一方から他方に向かって交互に受光部の検出用サイリスタに接続される。これによって検出すべきフォトトランジスタに相互に隣接するフォトトランジスタによる検出を休止することができるので、誤検出を抑制することができ、検出精度を向上させることができる。 The wiring part is selectively connected to the light emitting part and the light receiving part. By giving a signal for controlling the light emission state of the light emitting unit to the first part of the wiring unit from the outside, the light emitting unit can emit light. A signal corresponding to the light receiving state of the light receiving unit is output from the second portion of the wiring unit to the outside. The first and second parts are connection points with external devices. The first and second portions are provided outside the light emitting unit and the light receiving unit provided at the end of the plurality of the light emitting units and the light receiving unit in the extending direction of the column. As a result, the wiring connecting the first and second parts and an external device (hereinafter referred to as external wiring) is prevented from becoming an obstacle to the object to be detected existing in the region facing the light emitting unit and the light receiving unit. can do. Further, the external wiring can be kept away from the light receiving portion, and even if the external wiring is realized by a bonding wire or the like, it is possible to suppress reception of unnecessary reflected light from the external wiring by the light receiving portion. As described above, if the region where the plurality of light emitting units and light receiving units arranged in a row are provided across the end of the detected object, the position of the end of the detected object can be detected accurately and appropriately. be able to. Therefore, a line sensor that can appropriately detect the position of the end of the detected object with a simple configuration is realized.
Each phototransistor of the plurality of light receiving portions is provided adjacent to the light emitting thyristor of the light emitting portion with a predetermined interval in the direction perpendicular to the extending direction of the row of light emitting portions and the thickness direction of the substrate. . The wiring section includes a plurality of signal transmission paths that transmit detection signals from the detection thyristors of the plurality of light receiving sections, and the plurality of signal transmission paths extend from one to the other in the extending direction of the rows of light emitting sections. Are alternately connected to the detection thyristors of the light receiving section. As a result, detection by phototransistors adjacent to the phototransistor to be detected can be suspended, so that erroneous detection can be suppressed and detection accuracy can be improved.

本発明の画像形成装置によれば、画像情報に基づいて発光装置を駆動して、前記発光装置からの光を、帯電手段によって帯電させた感光体ドラムに集光手段によって集光する。これによって感光体ドラムは露光され、その表面に静電潜像が形成される。次に、静電潜像が形成された感光体ドラムに、現像剤供給手段によって現像剤を供給すると、感光体ドラムに現像剤が付着して画像が形成される。最後に、転写手段によって、感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シート体に転写して、定着手段によって記録シート体に転写された現像剤を定着させることによって、記録シート体に画像が形成される。   According to the image forming apparatus of the present invention, the light emitting device is driven based on the image information, and the light from the light emitting device is condensed by the condensing unit onto the photosensitive drum charged by the charging unit. As a result, the photosensitive drum is exposed and an electrostatic latent image is formed on the surface thereof. Next, when the developer is supplied to the photosensitive drum on which the electrostatic latent image is formed by the developer supplying means, the developer adheres to the photosensitive drum and an image is formed. Finally, an image formed by the developer on the photosensitive drum is transferred to the recording sheet member by the transfer unit, and the developer transferred to the recording sheet member by the fixing unit is fixed, thereby fixing the image on the recording sheet member. Is formed.

複数の前記発光部および前記受光部のそれぞれの一部が臨む領域を、記録シート体の端部が通過するように配置される。これによって、ラインセンサが臨む領域を記録シート体が通過する最中に、記録シート体の位置を検出し、また前記記録シート体の位置から記録シート体の傾きも検出することができる。シート体が傾いていることが検出されれば、たとえば、同じ画像をもう一度形成するなどの処理を行うことができ、記録シート体に対して適切な位置に形成された画像を得ることができる。   It arrange | positions so that the edge part of a recording sheet | seat body may pass through the area | region which each one part of the said several light emission part and the said light-receiving part faces. Thus, the position of the recording sheet body can be detected while the recording sheet body passes through the area facing the line sensor, and the inclination of the recording sheet body can also be detected from the position of the recording sheet body. If it is detected that the sheet member is tilted, for example, the same image can be formed again, and an image formed at an appropriate position with respect to the recording sheet member can be obtained.

図１は、本発明の実施の一形態のラインセンサＬ１の要部を模式的に示す平面図である。なお、図１では理解を容易にするために、ラインセンサＬ１の長手方向の端部のみを示し、また第１および第２絶縁層４１，４２を省略して示している。図２は、図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。図３は、図１の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見た断面図である。図４は、ラインセンサＬ１の概略的な回路構成を示す等価回路図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing a main part of a line sensor L1 according to an embodiment of the present invention. For ease of understanding, FIG. 1 shows only the end portion of the line sensor L1 in the longitudinal direction, and omits the first and second insulating layers 41 and 42. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the section line II-II in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along section line III-III in FIG. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a schematic circuit configuration of the line sensor L1.

ラインセンサＬ１は、基板１と、複数の発光部２と、複数の受光部３と、配線部４と、スタート用発光部５とを含んで構成される。発光部２は、発光用のサイリスタである発光サイリスタＴａと、受光用のサイリスタである受光サイリスタＴｂとを含んで構成される。複数の発光部２は、基板１の一主面１ａ上に列状に設けられ、かつ前記一主面１ａの一方側（図１の紙面手前）に光を放射可能に設けられる。発光部２の列の延在方向をＸ方向とする。また基板１の厚み方向をＺ方向とし、Ｘ方向およびＺ方向に相互に垂直な方向をＹ方向とする。発光サイリスタＴａと受光サイリスタＴｂとはＸ方向に並び、隣接する発光部２では、発光サイリスタＴａと受光サイリスタＴｂとが相互に臨む。発光部２では、発光サイリスタＴａのゲートと受光サイリスタＴｂのゲートとが、相互に接続される。   The line sensor L <b> 1 includes a substrate 1, a plurality of light emitting units 2, a plurality of light receiving units 3, a wiring unit 4, and a start light emitting unit 5. The light emitting unit 2 includes a light emitting thyristor Ta that is a light emitting thyristor and a light receiving thyristor Tb that is a light receiving thyristor. The plurality of light emitting units 2 are provided in a row on one main surface 1a of the substrate 1, and are provided on one side of the one main surface 1a (before the drawing in FIG. 1) so as to be able to emit light. The extending direction of the rows of the light emitting units 2 is defined as the X direction. The thickness direction of the substrate 1 is defined as the Z direction, and the X direction and the direction perpendicular to the Z direction are defined as the Y direction. The light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb are arranged in the X direction, and the light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb face each other in the adjacent light emitting units 2. In the light emitting unit 2, the gate of the light emitting thyristor Ta and the gate of the light receiving thyristor Tb are connected to each other.

発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂは、それぞれ基板１側から順番に、第１の一方導電型半導体層２１ａ，２１ｂ、第１の他方導電型半導体層２２ａ，２２ｂ、第２の一方導電型半導体層２３ａ，２３ｂ、第２の他方導電型半導体層２４ａ，２４ｂ、オーミックコンタクト層２５ａ，２５ｂが積層されて形成され、ＰＮＰＮ構造を有する。第１の一方導電型半導体層２１ａ，２１ｂ、第１の他方導電型半導体層２２ａ，２２ｂ、第２の一方導電型半導体層２３ａ，２３ｂは、発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂにおいて一体に形成される。これによって、発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂのゲート同士が相互に接続されている。本実施の形態では、一方導電型はＮ型であり、他方導電型はＰ型である。   The light-emitting thyristor Ta and the light-receiving thyristor Tb are respectively arranged in order from the substrate 1 side, the first one-conductivity-type semiconductor layers 21a and 21b, the first other-conductivity-type semiconductor layers 22a and 22b, and the second one-conductivity-type semiconductor layer 23a. , 23b, second other conductivity type semiconductor layers 24a, 24b, and ohmic contact layers 25a, 25b are stacked and have a PNPN structure. The first one-conductivity-type semiconductor layers 21a and 21b, the first other-conductivity-type semiconductor layers 22a and 22b, and the second one-conductivity-type semiconductor layers 23a and 23b are integrally formed in the light-emitting thyristor Ta and the light-receiving thyristor Tb. . Thereby, the gates of the light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb are connected to each other. In the present embodiment, one conductivity type is N-type, and the other conductivity type is P-type.

ラインセンサＬ１では、各発光サイリスタＴａの間に受光サイリスタＴｂがそれぞれ設けられることになり、各発光サイリスタＴａはＸ方向の一方に隣接する受光サイリスタＴｂと一体に形成される。各発光サイリスタＴａはＸ方向に等間隔に配置される。したがって、異なる発光部２に含まれ、隣接する発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂ間の距離は、隣接する発光サイリスタＴａ間の距離よりも短くなる。受光サイリスタＴｂは、この受光サイリスタＴｂとゲートが接続される発光サイリスタＴａが発光したときに、この光が、Ｘ方向の一方に隣接する発光サイリスタＴａに光が照射されてしまうのを抑制する。各発光サイリスタＴａの間隔は、１つの発光サイリスタＴａが発光しているときに、この発光している発光サイリスタＴａのＸ方向の一方に隣接する発光サイリスタＴａが光を受光しても、後述する発光制御信号に応じて発光しないように選ばれる。   In the line sensor L1, a light receiving thyristor Tb is provided between each light emitting thyristor Ta, and each light emitting thyristor Ta is formed integrally with a light receiving thyristor Tb adjacent to one side in the X direction. The light emitting thyristors Ta are arranged at equal intervals in the X direction. Therefore, the distance between adjacent light emitting thyristors Ta and light receiving thyristors Tb that are included in different light emitting units 2 is shorter than the distance between adjacent light emitting thyristors Ta. The light receiving thyristor Tb suppresses the light from being irradiated to the light emitting thyristor Ta adjacent to one side in the X direction when the light emitting thyristor Ta connected to the gate of the light receiving thyristor Tb emits light. The interval between the light emitting thyristors Ta will be described later even when one light emitting thyristor Ta emits light, even if the light emitting thyristor Ta adjacent to one of the light emitting thyristors Ta in the X direction receives light. It is selected not to emit light according to the light emission control signal.

基板１は、一方導電型の半導体によって形成され、導電性を有する。基板１の他主面１ｂには、各発光部２で共用される共通電極１２が形成される。共通電極１２には、基準電位が与えられ、これによって各発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂのカソードには基準電位が与えられることになる。本実施の形態では共通電極１２は、接地される。   The substrate 1 is formed of a one-conductivity type semiconductor and has conductivity. On the other main surface 1 b of the substrate 1, a common electrode 12 shared by the light emitting units 2 is formed. The common electrode 12 is supplied with a reference potential, whereby the reference potential is supplied to the cathodes of the light emitting thyristors Ta and the light receiving thyristors Tb. In the present embodiment, the common electrode 12 is grounded.

受光部３は、前記一主面１ａ上で、複数の発光部２のそれぞれに隣接して設けられ、かつ前記一主面１ａの一方側から到来する光を受光可能に設けられる。受光部３は、フォトトランジスタＴｒと、検出用のサイリスタである検出サイリスタＴｃとを含んで構成される。各フォトトランジスタＴｒは、発光サイリスタＴａのＹ方向の一方に、発光サイリスタＴａに所定の間隔をあけて隣接して設けられる。Ｙ方向に相互に隣接する発光サイリスタＴａと、フォトトランジスタＴｒとは、フォトインタラプタを構成する。フォトトランジスタＴｒは、基板１側から順番に、第１の一方導電型半導体層２１ｃ、第１の他方導電型半導体層２２ｃ、第の一方導電型半導体層２３ｃが積層されて形成され、ＮＰＮ構造を有する。検出用のサイリスタは、基板１側から順番に、第１の一方導電型半導体層２１ｄ、第１の他方導電型半導体層２２ｄ、第２の一方導電型半導体層２３ｄ、第２の他方導電型半導体層２４ｄ、オーミックコンタクト層２５ｄが積層されて形成される。第１の一方導電型半導体層２１ｃ，２１ｄ、第１の他方導電型半導体層２２ｃ，２２ｄ、第２の一方導電型半導体層２３ｃ，２３ｄは、フォトトランジスタＴｒおよび検出サイリスタＴｃにおいて一体に形成される。これによってフォトトランジスタＴｒの出力端（コレクタ）と、検出サイリスタＴｃのゲートと相互に接続される。したがってフォトトランジスタＴｒの受光状態に応じた出力が検出サイリスタＴｃのゲートに与えられる。各フォトトランジスタおよび検出サイリスタＴｃについても前記共通電極１２を共用され、各フォトトランジスタのエミッタと、各検出サイリスタＴｃのカソードにも基準電位が与えられる。   The light receiving unit 3 is provided adjacent to each of the plurality of light emitting units 2 on the one main surface 1a, and is provided so as to receive light coming from one side of the one main surface 1a. The light receiving unit 3 includes a phototransistor Tr and a detection thyristor Tc that is a detection thyristor. Each phototransistor Tr is provided adjacent to the light emitting thyristor Ta at a predetermined interval on one side in the Y direction of the light emitting thyristor Ta. The light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr adjacent to each other in the Y direction constitute a photointerrupter. The phototransistor Tr is formed by stacking a first one-conductivity-type semiconductor layer 21c, a first other-conductivity-type semiconductor layer 22c, and a first one-conductivity-type semiconductor layer 23c in order from the substrate 1 side, and has an NPN structure. Have. The detection thyristor includes, in order from the substrate 1, the first one-conductivity-type semiconductor layer 21d, the first other-conductivity-type semiconductor layer 22d, the second one-conductivity-type semiconductor layer 23d, and the second other-conductivity-type semiconductor. The layer 24d and the ohmic contact layer 25d are stacked. The first one-conductivity-type semiconductor layers 21c and 21d, the first other-conductivity-type semiconductor layers 22c and 22d, and the second one-conductivity-type semiconductor layers 23c and 23d are integrally formed in the phototransistor Tr and the detection thyristor Tc. . As a result, the output terminal (collector) of the phototransistor Tr and the gate of the detection thyristor Tc are connected to each other. Therefore, an output corresponding to the light receiving state of the phototransistor Tr is given to the gate of the detection thyristor Tc. Each phototransistor and detection thyristor Tc also share the common electrode 12, and a reference potential is applied to the emitter of each phototransistor and the cathode of each detection thyristor Tc.

フォトトランジスタＴｒの基板１から最も離反する部位の受光面１３は、発光サイリスタＴａの基板１から最も離反する部位の発光面１４よりも基板１側に設けられる。これによって、発光サイリスタＴａの発光面１４から直接到来する光が、フォトトランジスタＴｒによって受光されることを抑制することができる。検出サイリスタＴｃは、フォトトランジスタＴｒのＹ方向の一方に設けられる。これによって発光部２の間隔を決定するときに、検出サイリスタＴｃを考慮する必要がなくなるので、発光部２の間隔の自由度が向上される。   The light receiving surface 13 of the part farthest from the substrate 1 of the phototransistor Tr is provided closer to the substrate 1 than the light emitting surface 14 of the part of the light emitting thyristor Ta farthest from the substrate 1. As a result, it is possible to suppress the light directly coming from the light emitting surface 14 of the light emitting thyristor Ta from being received by the phototransistor Tr. The detection thyristor Tc is provided on one side of the phototransistor Tr in the Y direction. This eliminates the need to consider the detection thyristor Tc when determining the interval between the light emitting units 2, thereby improving the degree of freedom of the interval between the light emitting units 2.

スタート用発光部５は、発光サイリスタＴａと同様な構造を有する発光サイリスタＴ０によって形成されるので、同様の部分には同様の参照符号を付してその説明を省略する。発光サイリスタＴ０は、複数の発光部２のうちＸ方向の一方の端部の発光部２ａのＸ方向の一方に隣接して設けられる。発光サイリスタＴ０は、発光部２ａの受光サイリスタＴｂに臨んで設けられる。発光サイリスタＴ０のゲートは、接続配線３０によって基板１に接続される。これによって、発光サイリスタＴ０を発光ダイオードとして機能させることができる。   Since the start light-emitting portion 5 is formed by the light-emitting thyristor T0 having the same structure as the light-emitting thyristor Ta, the same portions are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted. The light emitting thyristor T0 is provided adjacent to one of the light emitting units 2a at one end in the X direction among the plurality of light emitting units 2 in the X direction. The light emitting thyristor T0 is provided facing the light receiving thyristor Tb of the light emitting unit 2a. The gate of the light emitting thyristor T0 is connected to the substrate 1 by the connection wiring 30. Thereby, the light emitting thyristor T0 can function as a light emitting diode.

配線部４は、第１〜第３電極４ａ，４ｂ，４ｃと、第４および第５電極４ｄ，４ｅとを有する。第１および第２電極４ａ，４ｂは、第１部位であり、第４および第５電極４ｄ，４ｅは、第２部位である。配線部４は、発光部２および受光部３に選択的に接続される。第１〜第３電極４ａ，４ｂ，４ｃには、外部から発光サイリスタＴの発光状態を制御する信号（以下、発光制御信号という）が与えられる。また第４および第５電極４ｄ，４ｅから、外部に受光部３の受光状態に応じた信号（以下、検出信号という）が出力される。第１〜第５電極４ａ〜４ｅは、ボンディングパッドによって実現される。   The wiring part 4 includes first to third electrodes 4a, 4b, 4c and fourth and fifth electrodes 4d, 4e. The first and second electrodes 4a and 4b are first parts, and the fourth and fifth electrodes 4d and 4e are second parts. The wiring unit 4 is selectively connected to the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3. A signal for controlling the light emission state of the light emitting thyristor T (hereinafter referred to as a light emission control signal) is applied to the first to third electrodes 4a, 4b, and 4c from the outside. Further, a signal (hereinafter referred to as a detection signal) corresponding to the light receiving state of the light receiving unit 3 is output from the fourth and fifth electrodes 4d and 4e to the outside. The first to fifth electrodes 4a to 4e are realized by bonding pads.

第１〜第５電極４ａ〜４ｅは、外部の装置を接続する配線がされる部位である。第１〜第５電極４ａ〜４ｅは、複数の発光部２および受光部３のうち、端部に設けられる発光部２および受光部３よりも列の延在方向（Ｘ方向）の外方に設けられる。本実施の形態では、第１〜第５電極４ａ〜４ｅは、Ｘ方向の一方の発光部２ａおよび受光部３ａよりも、前記Ｘ方向の一方にのみ配置され、すなわち基板１の一端部１１のみに配置される。   The first to fifth electrodes 4a to 4e are portions where wiring for connecting external devices is provided. The 1st-5th electrodes 4a-4e are outside the extending direction (X direction) of a row | line | column rather than the light emission part 2 and the light reception part 3 which are provided in an edge part among the some light emission parts 2 and the light reception parts 3. Provided. In the present embodiment, the first to fifth electrodes 4a to 4e are arranged only in one of the X directions rather than the one light emitting part 2a and the light receiving part 3a in the X direction, that is, only one end part 11 of the substrate 1. Placed in.

配線部４は、第１電極４ａと発光サイリスタＴ０とを接続する第１信号伝送路３１と、第２および第３電極４ｂ，４ｃを、それぞれ異なる複数の発光サイリスタＴａに接続する第２および第３信号伝送路３２，３３を含む。第２および第３信号伝送路３２，３３は、Ｙ方向において発光部２を挟んで受光部３とは反対側に配置される。第４および第５信号伝送路３４，３５は、Ｙ方向において受光部３を挟んで発光部２とは反対側に配置される。第２および第３信号伝送路３２，３３は、第２および第３電極４ｂ，４ｃに、発光制御信号を与えたときに、発光サイリスタＴａが、相互に隣接する発光サイリスタＴａの発光状態と、発光制御信号とに応じて選択的に発光可能となるように各発光サイリスタＴａに接続される。本実施の形態では、隣接する発光部２は、第２および第３電極４ｂ，４ｃのうち互いに異なる電極に接続される。ここでは、第２信号伝送路３２は、Ｘ方向の一方から奇数番目に配置される発光サイリスタＴａのオーミックコンタクト層２５ａにそれぞれ接続される。また第３信号伝送路３３は、Ｘ方向の一方から偶数番目に配置される発光サイリスタＴａのオーミックコンタクト層２５ａにそれぞれ接続される。   The wiring portion 4 includes a first signal transmission path 31 that connects the first electrode 4a and the light emitting thyristor T0, and second and third electrodes that connect the second and third electrodes 4b and 4c to different light emitting thyristors Ta, respectively. 3 signal transmission paths 32 and 33 are included. The second and third signal transmission paths 32 and 33 are arranged on the opposite side of the light receiving unit 3 with the light emitting unit 2 interposed therebetween in the Y direction. The fourth and fifth signal transmission paths 34 and 35 are disposed on the opposite side of the light emitting unit 2 with the light receiving unit 3 interposed therebetween in the Y direction. When the second and third signal transmission paths 32 and 33 give a light emission control signal to the second and third electrodes 4b and 4c, the light-emitting thyristor Ta has a light-emitting state of the light-emitting thyristor Ta adjacent to each other, and It is connected to each light emitting thyristor Ta so that it can selectively emit light according to the light emission control signal. In the present embodiment, adjacent light emitting units 2 are connected to different electrodes among the second and third electrodes 4b and 4c. Here, the second signal transmission paths 32 are respectively connected to the ohmic contact layers 25a of the light emitting thyristors Ta arranged oddly from one side in the X direction. The third signal transmission path 33 is connected to the ohmic contact layer 25a of the light-emitting thyristor Ta arranged evenly from one side in the X direction.

配線部４は、第４および第５電極４ｄ，４ｅを、それぞれ異なる複数の受光部３に接続する第４および第５信号伝送路３４，３５をさらに含む。隣接する受光部３は、第４および第５電極４ｄ，４ｅのうち互いに異なる電極に接続される。ここでは、第４信号伝送路３４は、Ｘ方向の一方から奇数番目に配置される受光部３の検出サイリスタＴｃのオーミックコンタクト層２５ｄにそれぞれ接続される。また第５信号伝送路３５は、Ｘ方向の一方から奇数番目に配置される受光部３の検出サイリスタＴｃのオーミックコンタクト層２５ｄにそれぞれ接続される。配線部４および共通電極１２は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの金属によって形成される。   The wiring unit 4 further includes fourth and fifth signal transmission paths 34 and 35 that connect the fourth and fifth electrodes 4d and 4e to a plurality of different light receiving units 3, respectively. The adjacent light receiving portions 3 are connected to different electrodes among the fourth and fifth electrodes 4d and 4e. Here, the fourth signal transmission path 34 is connected to the ohmic contact layer 25d of the detection thyristor Tc of the light receiving unit 3 arranged odd from one side in the X direction. Further, the fifth signal transmission path 35 is connected to the ohmic contact layer 25d of the detection thyristor Tc of the light receiving unit 3 arranged oddly from one side in the X direction. The wiring part 4 and the common electrode 12 are formed of a metal such as gold (Au), copper (Cu), or aluminum (Al).

第４および第５電極４ｄ，４ｅは、プルアップ抵抗ＰＲを介して図示しない電圧供給源に接続される。受光部３の受光状態を検出するときは、検出サイリスタＴｃが、アノードおよびカソード間に電流が流れないオフ状態のときに、第４または第５電極４ｄ，４ｅを介して、検出サイリスタＴｃのアノードに予め定める電圧が与えた状態にしておく。この状態で、フォトトランジスタＴｒが所定の光量を受光すると、フォトトランジスタＴｒの出力に応じて検出サイリスタＴｃのしきい電圧を低下させることができ、検出サイリスタＴｃがオフ状態から、オン状態に遷移する。検出サイリスタＴｃがオフ状態からオン状態に切り換わることによって、第４および第５電極４ｄ，４ｅの電位および第４および第５電極４ｄ，４ｅに流れる電流が大きく変化する。この電位の変化または電流を検出信号として、受光部３が受光しているか否かを調べることができる。このように検出サイリスタＴｃを用いることによって、フォトトランジスタＴｒの出力を増幅することができ、増幅回路を別途も受ける必要がない。また検出サイリスタＴｃは基板１に形成されるので、増幅素回路を別体で設けるよりも小型化が可能である。   The fourth and fifth electrodes 4d and 4e are connected to a voltage supply source (not shown) via a pull-up resistor PR. When detecting the light receiving state of the light receiving unit 3, when the detection thyristor Tc is in an off state where no current flows between the anode and the cathode, the anode of the detection thyristor Tc is connected via the fourth or fifth electrode 4d, 4e. To a state where a predetermined voltage is applied. In this state, when the phototransistor Tr receives a predetermined amount of light, the threshold voltage of the detection thyristor Tc can be lowered according to the output of the phototransistor Tr, and the detection thyristor Tc transitions from the off state to the on state. . When the detection thyristor Tc is switched from the off state to the on state, the potentials of the fourth and fifth electrodes 4d and 4e and the current flowing through the fourth and fifth electrodes 4d and 4e are greatly changed. It is possible to check whether or not the light receiving unit 3 is receiving light by using this potential change or current as a detection signal. By using the detection thyristor Tc in this way, the output of the phototransistor Tr can be amplified, and it is not necessary to receive an amplifier circuit separately. Further, since the detection thyristor Tc is formed on the substrate 1, it is possible to reduce the size as compared with the case where the amplification element circuit is provided separately.

発光サイリスタＴａ，受光サイリスタＴｂ，フォトトランジスタＴｒおよび検出サイリスタＴｃは、単結晶半導体から成る基板１上にエピタキシャル成長によって形成される。第１の一方導電型半導体層２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは、同一の材料によって形成される。また、第１の他方導電型半導体層２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは、同一の材料によって形成される。また第２の一方導電型半導体層２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、同一の材料によって形成される。また第２の他方導電型半導体層２４ａ，２４ｂ，２４ｄは、同一の材料によって形成される。またオーミックコンタクト層２５ａ，２５ｂ，２５ｄは、同一の材料によって形成される。   The light emitting thyristor Ta, the light receiving thyristor Tb, the phototransistor Tr, and the detection thyristor Tc are formed by epitaxial growth on the substrate 1 made of a single crystal semiconductor. The first one-conductivity-type semiconductor layers 21a, 21b, 21c, and 21d are formed of the same material. The first other conductivity type semiconductor layers 22a, 22b, 22c, and 22d are formed of the same material. The second one-conductivity type semiconductor layers 23a, 23b, 23c, and 23d are formed of the same material. The second other conductivity type semiconductor layers 24a, 24b, and 24d are formed of the same material. The ohmic contact layers 25a, 25b, and 25d are formed of the same material.

第１の一方導電型半導体層２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ、第１の他方導電型半導体層２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ、第２の一方導電型半導体層２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ、第２の他方導電型半導体層２４ａ，２４ｂ，２４ｄ、およびオーミックコンタクト層２５ａ，２５ｂ，２５ｄを形成する半導体材料としては、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）系、ガリウム燐（ＧａＰ）系および窒化ガリウム（ＧａＮ）系などの化合物半導体が好適である。基板１の材質としては、前記第１の一方導電型半導体層２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄを形成する化合物半導体の材質に応じて、たとえば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）または硼化ジルコニウム（ＺｒＢ２）などを用いることができる。 1st one conductivity type semiconductor layer 21a, 21b, 21c, 21d, 1st other conductivity type semiconductor layer 22a, 22b, 22c, 22d, 2nd one conductivity type semiconductor layer 23a, 23b, 23c, 23d, 2nd Semiconductor materials for forming the other conductive type semiconductor layers 24a, 24b, 24d and the ohmic contact layers 25a, 25b, 25d are gallium arsenide (GaAs), gallium phosphide (GaP), gallium nitride (GaN), and the like. The compound semiconductor is preferable. Examples of the material of the substrate 1 include gallium arsenide (GaAs), gallium phosphide (GaP), and gallium nitride depending on the material of the compound semiconductor forming the first one-conductivity type semiconductor layers 21a, 21b, 21c, and 21d. (GaN), silicon (Si), sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), zirconium boride (ZrB 2 ), or the like can be used.

前記発光部２および受光部３は、電気絶縁性および透光性を有する第１絶縁層４１によって一体的に覆われる。第１絶縁層４１は、たとえばポリイミドなどによって形成される。第１絶縁層４１のうち、オーミックコンタクト層２５ａ，２５ｄにそれぞれ積層される部位には、貫通孔が形成される。第２〜第５信号伝送路３２〜３５は、これら貫通孔を介してオーミックコンタクト層２５ａ，２５ｄに接続される。また第１絶縁層４１は、配線部４と基板１とを絶縁する。また第２〜第５信号伝送路３２〜３５は、Ｘ方向に沿って延びる部分と、Ｙ方向に沿って延びる部分とをそれぞれ有する。第２〜第５信号伝送路３２〜３５のうち、Ｘ方向に沿って延びる部分は、前記第１絶縁層４１に積層して設けられる、また電気絶縁性を有する第２絶縁層４２によって覆われる。第２〜第５信号伝送路３２〜３５のうち、Ｙ方向に沿って延びる部分は、前記第１および第２絶縁層４１，４２にそれぞれ積層して設けられ、第２絶縁層４２に形成される貫通孔を介して、接続されるべき第１部分に接続される。   The light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 are integrally covered with a first insulating layer 41 having electrical insulation and translucency. The first insulating layer 41 is formed of, for example, polyimide. In the first insulating layer 41, through-holes are formed in the portions stacked on the ohmic contact layers 25a and 25d, respectively. The second to fifth signal transmission lines 32 to 35 are connected to the ohmic contact layers 25a and 25d through these through holes. The first insulating layer 41 insulates the wiring part 4 and the substrate 1. The second to fifth signal transmission paths 32 to 35 each have a portion extending along the X direction and a portion extending along the Y direction. Of the second to fifth signal transmission lines 32 to 35, a portion extending along the X direction is provided by being laminated on the first insulating layer 41 and covered with a second insulating layer 42 having electrical insulation. . Of the second to fifth signal transmission lines 32 to 35, portions extending along the Y direction are provided to be stacked on the first and second insulating layers 41 and 42, respectively, and are formed on the second insulating layer 42. The first portion to be connected is connected through the through hole.

ラインセンサＬ１は、隣接する発光部２のうち一方の発光部２の発光サイリスタＴａと他方の発光部２の受光サイリスタＴｂとにまたがって、これらを覆う遮光膜４４をさらに有する。遮光膜４４は、発光サイリスタＴａからの光がフォトトランジスタＴｒに直接受光されてしまわないように設けられる。また遮光膜４４は、隣接する発光部２のうち一方の発光部２からの光を反射して、他方の発光部２の受光サイリスタＴｂに照射させることができる位置に設けられる。遮光膜４４は、発光面１４のうち周縁部を除く位置には設けられず、したがって、発光サイリスタＴａからＺ方向の一方に放射される光を遮らない。遮光膜４４は、配線部４と同様の材料によって形成され、本実施の形態では、第２〜第５信号伝送路３２〜３５のうちの第２部分と一体に形成される。   The line sensor L1 further includes a light shielding film 44 that covers the light emitting thyristor Ta of one light emitting unit 2 and the light receiving thyristor Tb of the other light emitting unit 2 among the adjacent light emitting units 2. The light shielding film 44 is provided so that light from the light emitting thyristor Ta is not directly received by the phototransistor Tr. Further, the light shielding film 44 is provided at a position where the light from one of the light emitting units 2 of the adjacent light emitting units 2 can be reflected and irradiated to the light receiving thyristor Tb of the other light emitting unit 2. The light shielding film 44 is not provided at a position other than the peripheral portion of the light emitting surface 14, and therefore does not block light emitted from the light emitting thyristor Ta in one of the Z directions. The light shielding film 44 is formed of the same material as that of the wiring portion 4 and is integrally formed with the second portion of the second to fifth signal transmission paths 32 to 35 in the present embodiment.

また発光サイリスタＴ０とこの発光サイリスタＴ０に相互に隣接する受光トランジスタＴｂとにまたがって、これらを覆う遮光膜４５をさらに有する。遮光膜４５は、発光サイリスタＴ０からの光がフォトトランジスタＴｒに受光されてしまわないように設けられる。また遮光膜４５は、発光サイリスタＴ０からの光を反射して、受光サイリスタＴｂに照射させることができる位置に設けられる。遮光膜４５は、配線部４と同様の材料によって形成され、本実施の形態では、第１信号伝送路３１と一体に形成される。   Further, a light shielding film 45 is further provided to cover the light emitting thyristor T0 and the light receiving transistor Tb adjacent to the light emitting thyristor T0. The light shielding film 45 is provided so that the light from the light emitting thyristor T0 is not received by the phototransistor Tr. The light shielding film 45 is provided at a position where the light from the light emitting thyristor T0 can be reflected and irradiated to the light receiving thyristor Tb. The light shielding film 45 is formed of the same material as that of the wiring portion 4 and is formed integrally with the first signal transmission path 31 in the present embodiment.

第１〜第３電極４ａ〜４ｃについても、プルアップ抵抗ＰＲを介して、発光制御用信号を出力する駆動用回路に接続される。プルアップ抵抗ＰＲを介して電圧を印加することによって、発光サイリスタＴａが発光したときに発光サイリスタＴａに不所望な大電流が流れてしまうことを抑制することができ、サイリスタアレイＬを安定して動作させることができる。   The first to third electrodes 4a to 4c are also connected to a driving circuit that outputs a light emission control signal via a pull-up resistor PR. By applying a voltage via the pull-up resistor PR, it is possible to suppress an undesired large current from flowing through the light emitting thyristor Ta when the light emitting thyristor Ta emits light, and to stabilize the thyristor array L. It can be operated.

次に、ラインセンサＬ１の動作について説明する。図５は、ラインセンサＬ１の動作を示すタイミングチャートである。駆動用回路が第１電極４ａに与える発光制御信号をφＳとし、第２および第３電極４ｂ，４ｃに与える発光制御信号をそれぞれ、φ１およびφ２とする。また駆動用回路が第２および第３電極４ｂ，４ｃに接続されるプルアップ抵抗にそれぞれ与える駆動信号をＶ１，Ｖ２で表し、第２および第３電極４ｂ，４ｃから出力される検出信号をＯｕｔｐｕｔ１、Ｏｕｔｐｕｔ２でそれぞれ表す。前記発光制御信号、駆動信号および検出信号は、電圧で表され、この電圧は基準電位である接地電位との電位差である。各発光制御信号φＳ，φ１およびφ２、ならびに駆動信号Ｖ１，Ｖ２は、それぞれの信号レベルが、ハイ（Ｈ）レベルのときには、予め定める電位を与えることができ、信号レベルがロー（Ｌ）レベルのときには、接地電位を与えることができるとする。ここでは、複数の発光部２のうち、Ｘ方向の一方から３つの発光部２が臨む領域には、検出対象物が存在せず、残りの発光部２が臨む領域に検出対象物が存在するとする。   Next, the operation of the line sensor L1 will be described. FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the line sensor L1. The light emission control signal given to the first electrode 4a by the driving circuit is φS, and the light emission control signals given to the second and third electrodes 4b and 4c are φ1 and φ2, respectively. In addition, drive signals given to the pull-up resistors connected to the second and third electrodes 4b and 4c by the drive circuit are represented by V1 and V2, respectively, and detection signals output from the second and third electrodes 4b and 4c are output1. , Output2 respectively. The light emission control signal, the drive signal, and the detection signal are expressed by voltage, and this voltage is a potential difference from a ground potential that is a reference potential. Each light emission control signal φS, φ1, and φ2 and drive signals V1, V2 can be applied with a predetermined potential when the signal level is high (H) level, and the signal level is low (L) level. In some cases, a ground potential can be applied. Here, among the plurality of light emitting units 2, if there is no detection target in the region where the three light emitting units 2 face from one side in the X direction, and there is a detection target in the region where the remaining light emitting units 2 face. To do.

発光制御信号φ１，φ２がハイレベルのときの予め定める電圧は、ゲートが接続される受光サイリスタＴｂが相互に隣接する他の発光部２の発光サイリスタＴａからの光を受光していないときの発光サイリスタＴａのしきい電圧未満に選ばれる。また発光制御信号φ１およびφ２のハイレベルのときの予め定める電圧は、ゲートが接続される受光サイリスタＴｂが受光することによってしきい電圧が低下したときの、発光サイリスタＴａのしきい電圧を超えるように選ばれる。   The predetermined voltage when the light emission control signals φ1 and φ2 are at the high level is the light emission when the light receiving thyristor Tb to which the gate is connected does not receive the light from the light emitting thyristors Ta of the other light emitting units 2 adjacent to each other. It is selected to be less than the threshold voltage of thyristor Ta. Further, the predetermined voltage when the light emission control signals φ1 and φ2 are at the high level exceeds the threshold voltage of the light emitting thyristor Ta when the threshold voltage is lowered by receiving the light receiving thyristor Tb to which the gate is connected. Chosen.

駆動信号Ｖ１，Ｖ２がハイレベルのときの予め定める電圧は、接続されるフォトトランジスタＴｒが、相互に隣接する発光サイリスタＴａから放射され検出対象物によって反射された光を受光していないときの検出サイリスタＴｃのしきい電圧未満に選ばれる。また駆動信号Ｖ１，Ｖ２がハイレベルのときの予め定める電圧は、接続されるフォトトランジスタＴｒが、相互に隣接する発光サイリスタＴａから放射され検出対象物によって反射された光を受光することによってしきい電圧が低下したときの、検出サイリスタＴｃのしきい電圧を超えるように選ばれる。   The predetermined voltage when the drive signals V1 and V2 are at the high level is detected when the connected phototransistor Tr does not receive the light emitted from the light emitting thyristors Ta adjacent to each other and reflected by the detection target. It is selected to be less than the threshold voltage of the thyristor Tc. The predetermined voltage when the drive signals V1 and V2 are at the high level is set such that the connected phototransistor Tr receives light emitted from the light emitting thyristors Ta adjacent to each other and reflected by the detection target. It is selected to exceed the threshold voltage of the detection thyristor Tc when the voltage drops.

はじめに、発光制御信号φＳ，φ１，φ２および駆動信号Ｖ１，Ｖ２の信号レベルはローレベルであるとする。また駆動用回路は、発光制御信号φＳ，φ１，φ２および駆動信号Ｖ１，Ｖ２の信号レベルについて、信号レベルを切換えるまでは、一定に維持する。   First, it is assumed that the signal levels of the light emission control signals φS, φ1, φ2 and the drive signals V1, V2 are low. The driving circuit keeps the light emission control signals φS, φ1, φ2 and the drive signals V1, V2 constant until the signal level is switched.

時刻ｔ１で、発光サイリスタＴ０に入力される発光制御信号φＳの信号レベルをハイ（Ｈ）レベルにすると、発光サイリスタＴ０が発光して、その光が隣接する発光部２の受光サイリスタＴｂに入射する。   At time t1, when the signal level of the light emission control signal φS input to the light emitting thyristor T0 is set to a high (H) level, the light emitting thyristor T0 emits light, and the light enters the light receiving thyristor Tb of the adjacent light emitting unit 2. .

次に受光サイリスタＴｂが発光サイリスタＴ０からの光を受けている状態で、時刻ｔ２において発光制御信号φ１の信号レベルをハイレベルに切換える。これによって、受光している受光サイリスタＴｂとゲートが接続されている発光サイリスタＴａが励起状態となって、発光制御信号φ１が与えられる発光サイリスタＴａのうち、受光している受光サイリスタＴｂとゲートが接続されている発光サイリスタＴａのみが発光する。発光した発光サイリスタＴａからの光は、この発光サイリスタＴａに隣接する他の発光部２の受光サイリスタＴｂに入射する。この発光サイリスタＴａからの光が入射する受光サイリスタＴｂにゲートが接続される発光サイリスタＴａは、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルにまでは励起状態とはならず、発光しない。   Next, in a state where the light-receiving thyristor Tb receives light from the light-emitting thyristor T0, the signal level of the light-emission control signal φ1 is switched to a high level at time t2. As a result, the light receiving thyristor Tb connected to the gate and the light emitting thyristor Ta to which the gate is connected are excited, and the light receiving thyristor Tb and the gate receiving the light emitting thyristor Ta to which the light emission control signal φ1 is applied. Only the connected light emitting thyristor Ta emits light. The emitted light from the light emitting thyristor Ta enters the light receiving thyristor Tb of another light emitting unit 2 adjacent to the light emitting thyristor Ta. The light-emitting thyristor Ta whose gate is connected to the light-receiving thyristor Tb into which light from the light-emitting thyristor Ta enters does not enter an excited state and does not emit light until the signal level of the light-emission control signal φ2 is high.

発光サイリスタＴａが発光すると、この光は基板１の一主面１ａの一方に照射される。この光が照射される領域に検出対象物が存在する場合では、発光サイリスタＴａからの光は、検出対象物によって反射されて、発光している発光サイリスタＴａに隣接するフォトトランジスタＴｒにおいて受光される。また光が照射される前記領域に検出対象物が存在しない場合では、発光サイリスタＴａからの光は、検出対象物によって反射されないので、フォトトランジスタＴｒに発光サイリスタＴａからの光は照射されない。   When the light emitting thyristor Ta emits light, this light is irradiated to one of the main surfaces 1a of the substrate 1. In the case where the detection target exists in the region irradiated with this light, the light from the light emitting thyristor Ta is reflected by the detection target and received by the phototransistor Tr adjacent to the light emitting thyristor Ta emitting light. . Further, in the case where there is no detection target in the region irradiated with light, the light from the light emitting thyristor Ta is not reflected by the detection target, so that the light from the light emitting thyristor Ta is not irradiated onto the phototransistor Tr.

時刻ｔ３で、駆動用回路が、発光制御信号φＳの信号レベルをローレベルに切換える。これによって、発光サイリスタＴ０の発光が停止する。次に時刻ｔ４で、発光制御信号φ２の信号レベルをハイレベルに切換える。Ｘ方向の一方から２つ目の受光部３の受光サイリスタＴｂは、隣接する発光サイリスタＴａから光が照射されているので、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルに切換わるとオフ状態からオン状態に遷移して発光する。このとき発光制御信号φ２が与えられる残余の発光サイリスタＴａは、ゲートが接続される受光サイリスタＴｂに隣接する発光サイリスタＴａから光が照射されていないので、発光しない。   At time t3, the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φS to the low level. As a result, the light emission of the light emitting thyristor T0 is stopped. Next, at time t4, the signal level of the light emission control signal φ2 is switched to a high level. The light receiving thyristor Tb of the second light receiving unit 3 from the X direction is irradiated with light from the adjacent light emitting thyristor Ta. Therefore, when the signal level of the light emission control signal φ2 is switched to the high level, the light receiving thyristor Tb is turned on. It changes to the state and emits light. At this time, the remaining light-emitting thyristors Ta to which the light-emission control signal φ2 is applied do not emit light because the light-emitting thyristors Ta adjacent to the light-receiving thyristor Tb to which the gate is connected are not irradiated.

次に時刻ｔ５で、駆動用回路が、発光制御信号φ１の信号レベルをローレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から１つ目の発光部２の発光サイリスタＴａは、オン状態からオフ状態に遷移して、発光を停止する。次に時刻ｔ６で、駆動用回路が、発光制御信号φ１の信号レベルをハイレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から３つ目の発光部２の発光サイリスタＴａが発光し、時刻ｔ７で発光制御信号φ２の信号レベルをローレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から２つ目の発光部２の発光サイリスタＴａの発光が停止する。また時刻ｔ８で、発光制御信号φ２の信号レベルをハイレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から４つ目の発光部２の発光サイリスタＴａが発光する。   Next, at time t5, when the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φ1 to the low level, the light emitting thyristor Ta of the first light emitting unit 2 from the X direction changes from the on state to the off state. Then, the light emission is stopped. Next, when the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φ1 to a high level at time t6, the light emitting thyristor Ta of the third light emitting unit 2 from the X direction emits light, and the light emission control is performed at time t7. When the signal level of the signal φ2 is switched to the low level, the light emission of the light emitting thyristor Ta of the second light emitting unit 2 from one side in the X direction stops. At time t8, when the signal level of the light emission control signal φ2 is switched to the high level, the light emitting thyristor Ta of the fourth light emitting unit 2 from one side in the X direction emits light.

以後同様にして、発光制御信号φ１，φ２の信号レベルを予め定める周期で交互に切換えることによって、発光サイリスタＴａをＸ方向の一方から他方に向かって順番に発光させることができる。発光制御信号φ１，φ２が切換わるときに、発光制御信号φ１，φ２を共にハイレベルにすることによって、発光している発光サイリスタＴａの次に発光させるべき発光サイリスタＴａのしきい電圧を確実に低下させた状態で、発光させるべき発光サイリスタＴａにハイレベルの発光制御信号を与えることができる。これによって、Ｘ方向の一方から他方に向かって順番に発光サイリスタＴａを確実に発光させることができる。   Thereafter, similarly, by alternately switching the signal levels of the light emission control signals φ1 and φ2 at predetermined intervals, the light emitting thyristor Ta can be made to emit light sequentially from one side to the other side in the X direction. When the light emission control signals φ1 and φ2 are switched, the light emission control signals φ1 and φ2 are both set to a high level, thereby ensuring the threshold voltage of the light emitting thyristor Ta to be emitted next to the light emitting thyristor Ta emitting light. In the lowered state, a high level light emission control signal can be given to the light emitting thyristor Ta to emit light. Thus, the light emitting thyristor Ta can be made to emit light in order from one side to the other side in the X direction.

駆動用回路は、発光制御信号φ１の信号レベルがハイレベルとなっている間で、かつ、発光制御信号φ２の信号レベルがローレベルとなっている間に、予め定める時間だけ駆動信号Ｖ１をハイレベルに切換える。発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在する場合には、発光している発光サイリスタＴａに隣接するフォトトランジスタＴｒが反射光を受光するので、このフォトトランジスタＴｒにゲートが接続される検出サイリスタＴｃに与えられる駆動信号の信号レベルがハイレベルになると、この検出サイリスタＴｃは、オン状態になる。これによって、オン状態になった検出サイリスタＴｃのアノードに接続される電極の電位は低下して、接地電位から拡散電位分だけ高い電位となり、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１の信号レベルがほぼローレベルとなる。また発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在しない場合には、発光している発光サイリスタＴａに隣接するフォトトランジスタＴｒが反射光を受光しないので、このフォトトランジスタＴｒにゲートが接続される検出サイリスタＴｃに与えられる駆動信号の信号レベルがハイレベルになっても、この検出サイリスタＴｃは、オフ状態のままとなる。これによって、検出サイリスタＴｃのアノードに接続される電極の電位は、駆動信号の信号レベルとなる。これによって、発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在する場合には、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１の信号レベルがハイレベルとなり、発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在しない場合には、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１の信号レベルがローレベルとなる。   The drive circuit keeps the drive signal V1 high for a predetermined time while the signal level of the light emission control signal φ1 is high and while the signal level of the light emission control signal φ2 is low. Switch to level. When the detection target is present in the region where the light emitting thyristor Ta faces, the phototransistor Tr adjacent to the light emitting thyristor Ta receives the reflected light, so that the gate is connected to the phototransistor Tr. When the signal level of the drive signal applied to the detected thyristor Tc becomes a high level, the detection thyristor Tc is turned on. As a result, the potential of the electrode connected to the anode of the detection thyristor Tc that has been turned on decreases, becomes a potential that is higher than the ground potential by the diffusion potential, and the signal level of the detection signal Output1 becomes substantially low. In addition, when there is no detection target in the region where the light emitting thyristor Ta faces, the phototransistor Tr adjacent to the light emitting thyristor Ta does not receive the reflected light. Even when the signal level of the drive signal applied to the connected detection thyristor Tc becomes high level, the detection thyristor Tc remains off. As a result, the potential of the electrode connected to the anode of the detection thyristor Tc becomes the signal level of the drive signal. As a result, when the detection target exists in the region where the light emitting thyristor Ta emits light, the signal level of the detection signal Output1 becomes high, and the detection target exists in the region where the light emitting thyristor Ta emits light. When it does not exist, the signal level of the detection signal Output1 becomes a low level.

また駆動用回路は、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルとなっている間で、かつ、発光制御信号φ１の信号レベルがローレベルとなっている間に、予め定める時間だけ駆動信号Ｖ２をハイレベルに切換える。これによって、同様に、発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在する場合には、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルがハイレベルとなり、発光している発光サイリスタＴａが臨む領域に検出対象物が存在しない場合には、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルがローレベルとなる。   Further, the drive circuit outputs the drive signal V2 for a predetermined time while the signal level of the light emission control signal φ2 is high and while the signal level of the light emission control signal φ1 is low. Switch to high level. As a result, similarly, when the detection target is present in the region where the light emitting thyristor Ta emits light, the signal level of the detection signal Output2 becomes high, and the detection is performed in the region where the light emitting thyristor Ta emits light. When there is no object, the signal level of the detection signal Output2 is low.

本実施の形態では、第４および第５信号伝送路３４，３５が、Ｘ方向の一方から他方に向かって交互に検出サイリスタＴｃに接続されている。本実施の形態のように複数本の信号伝送路（第４および第５信号伝送路３４，３５）を用いると、と、Ｘ方向に並ぶ発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒのピッチにもよるが、Ｘ方向における検出精度を向上させることができる。たとえば発光サイリスタＴａ間に披検出物がある場合、所定の発光サイリスタＴａから斜めに照射された光が、この発光サイリスタＴａのＹ方向に隣接するフォトトランジスタＴｒだけでなく、このフォトトランジスタＴｒに隣接するフォトトランジスタＴｒにおいても受光される。このような場合において、全ての検出サイリスタＴｃのアノードに共通の信号伝送路を接続しておくと、実際には披検出物がない領域にフォトトランジスタＴｒが臨んでいても、このフォトトランジスタＴｒが受光するので、１素子分余分に披検出物があると誤検出されるおそれがある。本実施の形態のように、検出サイリスタＴｃのアノードに複数本の信号伝送路を交互に接続すると、検出すべきフォトトランジスタＴｒに相互に隣接するフォトトランジスタＴｒによる検出を休止することができるので、前述のような誤検出を抑制することができ、これによって検出精度を向上させることができる。   In the present embodiment, the fourth and fifth signal transmission lines 34 and 35 are alternately connected to the detection thyristor Tc from one side to the other side in the X direction. When a plurality of signal transmission paths (fourth and fifth signal transmission paths 34 and 35) are used as in the present embodiment, depending on the pitch of the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr arranged in the X direction, The detection accuracy in the X direction can be improved. For example, when there is an object to be detected between the light emitting thyristors Ta, light obliquely irradiated from a predetermined light emitting thyristor Ta is adjacent not only to the phototransistor Tr adjacent to the Y direction of the light emitting thyristor Ta but also to the phototransistor Tr. Also received by the phototransistor Tr. In such a case, if a common signal transmission line is connected to the anodes of all the detection thyristors Tc, even if the phototransistor Tr actually faces a region where there is no detection object, the phototransistor Tr Since the light is received, there is a risk of erroneous detection if there is an extra detection object for one element. Since a plurality of signal transmission paths are alternately connected to the anode of the detection thyristor Tc as in the present embodiment, detection by the phototransistors Tr adjacent to the phototransistors Tr to be detected can be stopped. The erroneous detection as described above can be suppressed, and thereby the detection accuracy can be improved.

また本実施の形態では、第４および第５信号伝送路３４，３５の２本を用いているが、Ｘ方向に並ぶ発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒのピッチがさらに小さくなれば、検出信号を伝送する信号伝送路をさらに増やしてもよい。たとえば検出信号を伝送する信号伝送路のＫ（Ｋは３以上の自然数）本とすると、各受光サイリスタＴｃがいずれか一つの信号伝送路にのみ接続され、かつ各信号伝送路がＸ方向において接続される受光サイリスタＴｃの間の受光サイリスタＴｃの数がＫ−１個となるように、検出サイリスタＴｃのアノードに接続する。そして各信号伝送路に与える駆動信号を、１つずつ順番にハイレベルに切換える構成とすればよい。   In the present embodiment, the fourth and fifth signal transmission lines 34 and 35 are used. However, if the pitch between the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr arranged in the X direction is further reduced, the detection signal is transmitted. The number of signal transmission paths to be used may be further increased. For example, if there are K signal transmission paths for transmitting detection signals (K is a natural number of 3 or more), each light receiving thyristor Tc is connected to only one signal transmission path, and each signal transmission path is connected in the X direction. The light receiving thyristors Tc are connected to the anode of the detection thyristor Tc so that the number of the light receiving thyristors Tc is K−1. Then, the drive signal applied to each signal transmission path may be switched to the high level one by one.

また、Ｘ方向に並ぶ発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒのピッチが大きい場合、検出精度を特別に必要としない場合などでは、もちろん、全ての検出サイリスタＴｃのアノードに共通の信号伝送路を接続する構成としてもよい。   In addition, when the pitch between the light emitting thyristors Ta and the phototransistors Tr arranged in the X direction is large, a configuration in which a common signal transmission path is connected to the anodes of all the detection thyristors Tc, of course, when detection accuracy is not particularly required. It is good.

図６は、ラインセンサＬ１の使用状態を示す図である。ラインセンサＬ１は、記録シート体などの検出対象物５０の端部の検出、および検出対象物５０の傾きの検出などに用いられる。ここでは、ラインセンサＬ１の発光部２が臨む領域からラインセンサＬ１のＸ方向の他方側にわたって検出対象物５０が設けられることが予め定められているときについて説明する。ラインセンサＬ１の各発光部２が臨む領域に検出対象物５０が存在するときに、駆動用回路は、Ｘ方向の一方から他方に向かって順番に発光サイリスタＴａを発光させ、前述したように駆動信号Ｖ１，Ｖ２を予め定める周期で切換える。たとえば駆動用回路には、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１，Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルが、予め定めるしきい値よりも高くなる回数を計数するカウンタが設けられる。この予め定めるしきい値は、前述した拡散電位よりも大きくなるように選ばれる。駆動用回路は、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１，Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルがローレベルからハイレベルに切換わる回数を計数する。検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１，Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルがローレベルからハイレベルに切換わる回数は、複数の発光部２および受光部３のうち、Ｘ方向の一方からの順番に対応する。したがって、検出信号Ｏｕｔｐｕｔ１，Ｏｕｔｐｕｔ２の信号レベルがローレベルからハイレベルに切換わる回数を計数することによって、検出対象物５０が複数の発光部２および受光部３のうち、Ｘ方向の一方からＮ（Ｎは自然数）個目の発光部２および受光部３が臨む領域には存在せずに、Ｘ方向の一方からＮ＋１個目の発光部２および受光部３が臨む領域には存在することを検出することができる。したがって、検出対象物５０の端部５１が、Ｘ方向においてどの位置にあるのかを検出することができる。   FIG. 6 is a diagram illustrating a usage state of the line sensor L1. The line sensor L1 is used for detection of an end portion of the detection target object 50 such as a recording sheet body, and detection of an inclination of the detection target object 50. Here, a description will be given of a case in which it is predetermined that the detection target 50 is provided from the region facing the light emitting unit 2 of the line sensor L1 to the other side in the X direction of the line sensor L1. When the detection target 50 is present in the area where each light emitting unit 2 of the line sensor L1 faces, the driving circuit causes the light emitting thyristor Ta to emit light sequentially from one side to the other side in the X direction, and is driven as described above. The signals V1 and V2 are switched at a predetermined cycle. For example, the drive circuit is provided with a counter that counts the number of times that the signal levels of the detection signals Output1 and Output2 are higher than a predetermined threshold value. This predetermined threshold value is selected to be larger than the above-described diffusion potential. The driving circuit counts the number of times that the signal levels of the detection signals Output1 and Output2 are switched from the low level to the high level. The number of times that the signal levels of the detection signals Output1 and Output2 are switched from the low level to the high level corresponds to the order from one of the plurality of light emitting units 2 and light receiving units 3 in the X direction. Therefore, by counting the number of times that the signal levels of the detection signals Output1 and Output2 are switched from the low level to the high level, the detection target object 50 is detected from one of the plurality of light emitting units 2 and light receiving units 3 in the X direction by N ( N is a natural number) It is detected that it is not present in the region where the first light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 face but is present in the region where the N + 1th light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 face from one side in the X direction. can do. Therefore, it is possible to detect where the end portion 51 of the detection target object 50 is located in the X direction.

検出対象物５０が搬送物であるときには、Ｙ方向を検出対象物５０の搬送方向に沿って配置し、被搬送物である検出対象物５０のうち、搬送方向に間隔をあけた少なくとも２箇所をラインセンサＬ１によって検出する。被搬送物５０のうち、搬送方向に間隔をあけた少なくとも２箇所で、ラインセンサＬ１によって検出された被搬送物５０の端部５１の位置に基づいて、被搬送物５０が搬送方向に対して傾斜しているか否かを検出することができる。すなわち、被搬送物５０が画像形成装置に用いられる矩形状の記録シート体であれば、被搬送物５０のうち、搬送方向に間隔をあけた少なくとも２箇所で、ラインセンサＬ１によって検出された被搬送物５０の端部５１の位置が同じであれば、被搬送物５０が搬送方向に対して傾斜していないことがわかる。ラインセンサＬ１は、好ましくは、被搬送物５０のうち、搬送方向上流側の端部と、搬送方向下流側の端部とを検出する。被搬送物５０が搬送方向に対してＸ方向に傾いているときには、Ｘ方向においては被搬送物５０のうち、搬送方向上流側の端部と、搬送方向下流側の端部とが最も離反する。したがって、ラインセンサＬ１によって、被搬送物５０のうち、搬送方向上流側の端部と、搬送方向下流側の端部とを検出すると、被搬送物５０の傾きを検出しやすくすることができる。   When the detection target 50 is a transported object, the Y direction is arranged along the transport direction of the detection target 50, and among the detection target 50 that is a transported object, at least two places spaced in the transport direction are arranged. Detected by the line sensor L1. Based on the positions of the end portions 51 of the object 50 detected by the line sensor L1 at at least two points in the conveying direction among the objects 50 to be conveyed, the object 50 is conveyed in the conveying direction. It is possible to detect whether or not the vehicle is inclined. In other words, if the transported object 50 is a rectangular recording sheet used in the image forming apparatus, the transported object 50 detected by the line sensor L1 at at least two locations spaced apart in the transporting direction among the transported object 50. If the position of the end part 51 of the conveyed product 50 is the same, it will be understood that the conveyed product 50 is not inclined with respect to the conveying direction. The line sensor L1 preferably detects an end portion on the upstream side in the transport direction and an end portion on the downstream side in the transport direction in the transported object 50. When the object to be conveyed 50 is inclined in the X direction with respect to the conveying direction, the end on the upstream side in the conveying direction and the end on the downstream side in the conveying direction of the object to be conveyed 50 are farthest apart in the X direction. . Therefore, when the line sensor L1 detects the end portion on the upstream side in the transport direction and the end portion on the downstream side in the transport direction in the transport target object 50, the inclination of the transport target object 50 can be easily detected.

以上のようにラインセンサＬ１では、第１〜第４電極４ａ〜４ｅが、いずれも発光部２および受光部３のうちＸ方向の端部に設けられる発光部２および受光部３よりも、Ｘ方向の外方に設けられる。これによって第１〜第４電極４ａ〜４ｅと、外部の装置である駆動用回路とを接続する外部配線が、発光部２および受光部３に臨む領域に存在する検出対象物５０に対して障害となることを抑制することができ、検出対象物５０を良好に検知することができる。また外部配線を、受光部３から遠ざけることができ、外部配線をボンディングワイヤなどによって実現しても、この外部配線からの不要な反射光の受光部３による受光を抑制することができる。したがって、図６に示すように列状に配置された複数の発光部２および受光部３が臨む領域を、検出対象物５０の端部５１にまたがって設ければ、検出対象物５０の端部５１の位置を、精度よく適切に検出することができる。このようにラインセンサＬ１は、前述したような簡単な構成で検出対象物５０の端部５１の位置を適切に検出することができる。   As described above, in the line sensor L <b> 1, the first to fourth electrodes 4 a to 4 e are more X than the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 provided at the ends in the X direction among the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3. Provided outside the direction. As a result, the external wiring that connects the first to fourth electrodes 4a to 4e and a driving circuit that is an external device obstructs the detection target 50 that exists in the region facing the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3. And the detection object 50 can be detected satisfactorily. Further, the external wiring can be kept away from the light receiving unit 3, and even if the external wiring is realized by a bonding wire or the like, reception of unnecessary reflected light from the external wiring by the light receiving unit 3 can be suppressed. Therefore, as shown in FIG. 6, if a region facing the plurality of light emitting units 2 and light receiving units 3 arranged in a row is provided across the end 51 of the detection target 50, the end of the detection target 50 is detected. The position 51 can be detected accurately and appropriately. As described above, the line sensor L1 can appropriately detect the position of the end portion 51 of the detection target object 50 with the simple configuration as described above.

またラインセンサＬ１では、発光部２は、発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂで構成され、受光部３はフォトトランジスタＴｒおよび検出サイリスタＴｃで構成し、スタート用発光部５は発光サイリスタＴ０で構成される。発光サイリスタＴａ、受光サイリスタＴｂ、検出サイリスタＴｃおよび発光サイリスタＴ０は、同様の構成であり、同様の半導体層を積層して形成される。またフォトトランジスタＴｒは、発光サイリスタＴａ、受光サイリスタＴｂ、検出サイリスタＴｃおよび発光サイリスタＴ０の一部の半導体層と同様の半導体層を積層して形成される。したがって、光サイリスタＴａ、受光サイリスタＴｂ、検出サイリスタＴｃおよび発光サイリスタＴ０、ならびにフォトトランジスタＴｒは、一連の半導体プロセスによって一括して形成することができ、構造的に製造しやすく、生産性を向上させることができる。   Further, in the line sensor L1, the light emitting unit 2 includes a light emitting thyristor Ta and a light receiving thyristor Tb, the light receiving unit 3 includes a phototransistor Tr and a detection thyristor Tc, and the start light emitting unit 5 includes a light emitting thyristor T0. . The light-emitting thyristor Ta, the light-receiving thyristor Tb, the detection thyristor Tc, and the light-emitting thyristor T0 have the same configuration, and are formed by stacking similar semiconductor layers. The phototransistor Tr is formed by stacking semiconductor layers similar to the light emitting thyristor Ta, the light receiving thyristor Tb, the detection thyristor Tc, and a part of the semiconductor layers of the light emitting thyristor T0. Therefore, the optical thyristor Ta, the light-receiving thyristor Tb, the detection thyristor Tc, the light-emitting thyristor T0, and the phototransistor Tr can be collectively formed by a series of semiconductor processes, which is easy to manufacture structurally and improves productivity. be able to.

またラインセンサＬ１によれば、発光サイリスタＴａおよび受光サイリスタＴｂと、第２および第３信号伝送路３２，３３とを組み合わせて、隣接する発光サイリスタＴａからの光を発光サイリスタＴａが発光するための制御信号として用いている。隣接する発光サイリスタＴａからの光を、制御信号を用いて、発光サイリスタＴａをＸ方向で順番に発光させることによって、発光サイリスタＴａの数を多くして分解能を高めても、発光サイリスタＴａの数よりも格段に少ない数の信号伝送路で、発光制御信号を伝送させることができる。本実施の形態では、２本の信号伝送路で、各発光サイリスタＴａを発光させることができる。したがって、発光制御信号を伝送するための配線、および電極を少なくすることができ、基板１の短辺方向、すなわちＹ方向の幅を小さくすることができるので、検出の分解能を高くしても実現可能な寸法で小型にラインセンサを構成することができる。また、ラインセンサＬ１は、高分解能であっても小型であるからウェハプロセスにおいて量産性に有利、すなわち生産効率が向上する。   Further, according to the line sensor L1, the light emitting thyristor Ta emits light from the adjacent light emitting thyristor Ta by combining the light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb and the second and third signal transmission paths 32 and 33. Used as a control signal. Even if the number of light emitting thyristors Ta is increased by increasing the number of light emitting thyristors Ta by sequentially emitting light from adjacent light emitting thyristors Ta in the X direction using a control signal, the number of light emitting thyristors Ta is increased. The light emission control signal can be transmitted by a significantly smaller number of signal transmission paths. In the present embodiment, each light-emitting thyristor Ta can emit light through two signal transmission paths. Therefore, the wiring and electrodes for transmitting the light emission control signal can be reduced, and the width in the short side direction, that is, the Y direction of the substrate 1 can be reduced. The line sensor can be configured in a small size with possible dimensions. Further, since the line sensor L1 is small even with high resolution, it is advantageous for mass production in the wafer process, that is, the production efficiency is improved.

図７は、本発明の実施の他の形態のラインセンサＬ２の概略的な回路構成を示す等価回路図である。ラインセンサＬ２は、前述した実施の形態のラインセンサＬ１に類似し、発光部２および配線部４の構成が異なるのみであるので、同様な構成には同様の参照符号を付して、異なる部分についてのみ説明する。前述した実施の形態では、発光部２は、発光サイリスタＴａと、受光サイリスタＴｂとを含む構成であるが、本発明の実施の他の形態では、発光部２は、前述した発光サイリスタＴａのみを含んで構成される。発光サイリスタＴａは、光を受光するとしきい電圧が低下する。したがって、隣接する発光サイリスタＴａから光が照射された状態で、発光制御信号の信号レベルがハイレベルにすることによって発光サイリスタＴａを発光させることができる。   FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing a schematic circuit configuration of a line sensor L2 according to another embodiment of the present invention. The line sensor L2 is similar to the line sensor L1 of the above-described embodiment, and only the configurations of the light emitting unit 2 and the wiring unit 4 are different. Only will be described. In the embodiment described above, the light emitting unit 2 includes the light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb. However, in another embodiment of the present invention, the light emitting unit 2 includes only the light emitting thyristor Ta described above. Consists of including. When the light-emitting thyristor Ta receives light, the threshold voltage decreases. Therefore, the light-emitting thyristor Ta can emit light by setting the signal level of the light-emission control signal to a high level in a state where light is emitted from the adjacent light-emitting thyristor Ta.

本実施の形態では、発光サイリスタＴａの光が、Ｘ方向の両側に隣接する発光サイリスタＴａにそれぞれ入射し、これらの隣接する各発光サイリスタＴａの受光量が等しいので、前述の実施の形態のように２本の信号伝送路によって、発光制御信号を与えると、同じ発光制御信号が与えられる複数の発光サイリスタＴａが同時に点灯してしまうことになってしまう。そこで、ラインセンサＬ２では、配線部４は、さらに第６電極４ｆと、第６電極４ｆを、第２および第３電極４ｂ，４ｃが接続される発光サイリスタＴａとは異なる発光サイリスタＴａに接続する第６信号伝送路３６をさらに有する。第６電極４ｆは、第１〜第５電極４ａ〜４ｅと同様に、複数の発光部２および受光部３のうち、端部に設けられる発光部２および受光部３よりもＸ方向の外方に設けられる。第６電極４ｆには、外部から発光制御信号が与えられる。第６信号伝送路３６は、第２および第３信号伝送路３２，３３と同様にＹ方向において発光部２を挟んで受光部３とは反対側に配置される。   In the present embodiment, the light from the light emitting thyristor Ta is incident on the light emitting thyristors Ta adjacent on both sides in the X direction, and the light receiving amounts of these adjacent light emitting thyristors Ta are equal. If a light emission control signal is given through two signal transmission paths, a plurality of light emitting thyristors Ta to which the same light emission control signal is given are turned on at the same time. Therefore, in the line sensor L2, the wiring unit 4 further connects the sixth electrode 4f and the sixth electrode 4f to a light emitting thyristor Ta different from the light emitting thyristor Ta to which the second and third electrodes 4b and 4c are connected. A sixth signal transmission path 36 is further provided. Similarly to the first to fifth electrodes 4a to 4e, the sixth electrode 4f is more outward in the X direction than the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 provided at the end of the plurality of light emitting units 2 and light receiving units 3. Provided. A light emission control signal is given to the sixth electrode 4f from the outside. Similar to the second and third signal transmission paths 32 and 33, the sixth signal transmission path 36 is disposed on the opposite side of the light receiving section 3 with the light emitting section 2 interposed therebetween in the Y direction.

第２、第３および第６信号伝送路３２，３３，３６は、第２，第３および第６電極４ｂ，４ｃ，４ｆに、発光制御信号を与えたときに、発光サイリスタＴａが、相互に隣接する発光サイリスタＴａの発光状態と、発光制御信号とに応じて選択的に発光可能となるように各発光サイリスタＴａに接続される。本実施の形態では、Ｘ方向に相互に隣接する３つの発光部２の発光サイリスタＴａは、それぞれ異なる信号伝送路に接続される。たとえば、Ｘ方向の一方からＪ１（Ｊ１＝３×ｋ−２（ｋは自然数））番目の発光サイリスタＴａは、第２信号伝送路３２に接続され、Ｘ方向の一方からＪ２（Ｊ２＝３×ｋ−１）番目の発光サイリスタＴａは、第３信号伝送路３３に接続され、Ｘ方向の一方からＪ３（Ｊ３＝３×ｋ）番目の発光サイリスタＴａは、第６信号伝送路３６に接続される。   The second, third, and sixth signal transmission paths 32, 33, and 36 allow the light-emitting thyristor Ta to be mutually connected when a light-emission control signal is given to the second, third, and sixth electrodes 4b, 4c, and 4f. Each light emitting thyristor Ta is connected to each light emitting thyristor Ta so that the light emitting state of the adjacent light emitting thyristor Ta and the light emission control signal can selectively emit light. In the present embodiment, the light emitting thyristors Ta of the three light emitting units 2 adjacent to each other in the X direction are connected to different signal transmission paths. For example, the J1 (J1 = 3 × k−2 (k is a natural number)) th light-emitting thyristor Ta from one side in the X direction is connected to the second signal transmission path 32, and J2 (J2 = 3 ×) from one side in the X direction. The (k−1) th light emitting thyristor Ta is connected to the third signal transmission path 33, and the J3 (J3 = 3 × k) th light emitting thyristor Ta from one side in the X direction is connected to the sixth signal transmission path 36. The

ラインセンサＬ２では、駆動用回路が第２，第３および第６電極４ｂ，４ｃ，４ｆに、それぞれ与える発光制御信号を、順番にハイレベルにすることによって、発光サイリスタＴａをＸ方向の一方から順番に発光させることができる。第６電極４ｆは、プルアップ抵抗を介して駆動用回路に接続される。   In the line sensor L2, the light emission thyristor Ta is moved from one side in the X direction by sequentially setting the light emission control signals supplied to the second, third and sixth electrodes 4b, 4c and 4f by the driving circuit to the high level. Light can be emitted in order. The sixth electrode 4f is connected to the drive circuit via a pull-up resistor.

図８は、ラインセンサＬ２の動作を示すタイミングチャートである。駆動用回路が第１電極４ａに与える発光制御信号をφＳとし、第２、第３および第６電極４ｂ，４ｃ，４ｆに与える発光制御信号をそれぞれ、φ１，φ２およびφ３とする。前記発光制御信号は、電圧で表され、この電圧は基準電位である接地電位との電位差である。各発光制御信号φＳ，φ１，φ２，φ３の信号レベルが、ハイ（Ｈ）レベルのときには、予め定める電位を与えることができ、信号レベルがロー（Ｌ）レベルのときには、接地電位を与えることができるとする。ここでは、複数の発光部２のうち、Ｘ方向の一方から３つの発光部２が臨む領域には、検出対象物が存在せず、残りの発光部２が臨む領域に検出対象物が存在するとする。   FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the line sensor L2. The light emission control signal given to the first electrode 4a by the driving circuit is φS, and the light emission control signals given to the second, third and sixth electrodes 4b, 4c and 4f are φ1, φ2 and φ3, respectively. The light emission control signal is represented by a voltage, and this voltage is a potential difference from a ground potential which is a reference potential. A predetermined potential can be applied when the signal level of each light emission control signal φS, φ1, φ2, φ3 is high (H) level, and a ground potential can be applied when the signal level is low (L) level. Suppose you can. Here, among the plurality of light emitting units 2, if there is no detection target in the region where the three light emitting units 2 face from one side in the X direction, and there is a detection target in the region where the remaining light emitting units 2 face. To do.

発光制御信号φ１，φ２，φ３がハイレベルのときの予め定める電圧は、相互に隣接する発光サイリスタＴａからの光を受光していないときの発光サイリスタＴａのしきい電圧未満に選ばれる。また発光制御信号φ１，φ２，φ３のハイレベルのときの予め定める電圧は、相互に隣接する発光サイリスタＴａからの光を受光することによってしきい電圧が低下したときの、発光サイリスタＴａのしきい電圧を超えるように選ばれる。   The predetermined voltage when the light emission control signals φ1, φ2, and φ3 are at the high level is selected to be less than the threshold voltage of the light emitting thyristor Ta when the light from the light emitting thyristors Ta adjacent to each other is not received. The predetermined voltage when the light emission control signals φ1, φ2, and φ3 are at the high level is the threshold of the light emitting thyristor Ta when the threshold voltage is lowered by receiving light from the light emitting thyristors Ta adjacent to each other. Selected to exceed the voltage.

はじめに、発光制御信号φＳ，φ１，φ２，φ３および駆動信号Ｖ１，Ｖ２の信号レベルはローレベルであるとする。また駆動用回路は、発光制御信号φＳ，φ１，φ２，φ３および駆動信号Ｖ１，Ｖ２の信号レベルについて、信号レベルを切換えるまでは、一定に維持する。   First, it is assumed that the signal levels of the light emission control signals φS, φ1, φ2, and φ3 and the drive signals V1 and V2 are low. The driving circuit keeps the light emission control signals φS, φ1, φ2, φ3 and the drive signals V1, V2 constant until the signal level is switched.

時刻ｔ１で、発光サイリスタＴ０に入力される発光制御信号φＳの信号レベルをハイ（Ｈ）レベルにすると、発光サイリスタＴ０が発光して、その光が隣接する発光部２の受光サイリスタＴｂに入射する。   At time t1, when the signal level of the light emission control signal φS input to the light emitting thyristor T0 is set to a high (H) level, the light emitting thyristor T0 emits light, and the light enters the light receiving thyristor Tb of the adjacent light emitting unit 2. .

次に発光サイリスタＴａが発光サイリスタＴ０からの光を受けている状態で、時刻ｔ２において発光制御信号φ１の信号レベルをハイレベルに切換える。これによって、受光している発光サイリスタＴａが励起状態となって、発光制御信号φ１が与えられる発光サイリスタＴａのうち、受光している発光サイリスタＴａのみが発光する。発光した発光サイリスタＴａからの光は、この発光サイリスタＴａに隣接する発光サイリスタＴａに入射する。発光サイリスタＴａは、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルにまでは励起状態とはならず、発光しない。   Next, in a state where the light emitting thyristor Ta receives light from the light emitting thyristor T0, the signal level of the light emission control signal φ1 is switched to a high level at time t2. As a result, the light-emitting thyristor Ta that is receiving light is in an excited state, and only the light-emitting thyristor Ta that receives light is emitted from the light-emitting thyristor Ta to which the light emission control signal φ1 is applied. The emitted light from the light emitting thyristor Ta enters the light emitting thyristor Ta adjacent to the light emitting thyristor Ta. The light emitting thyristor Ta does not enter an excited state and does not emit light until the signal level of the light emission control signal φ2 is high.

時刻ｔ３で、駆動用回路が、発光制御信号φＳの信号レベルをローレベルに切換える。これによって、発光サイリスタＴ０の発光が停止する。次に時刻ｔ４で、発光制御信号φ２の信号レベルをハイレベルに切換える。Ｘ方向の一方から２つ目の発光サイリスタＴａは、隣接する発光サイリスタＴａから光が照射されているので、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルに切換わるとオフ状態からオン状態に遷移して発光する。このとき発光制御信号φ２が与えられる残余の発光サイリスタＴａは、相互に隣接する発光サイリスタＴａから光が照射されていないので、発光しない。   At time t3, the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φS to the low level. As a result, the light emission of the light emitting thyristor T0 is stopped. Next, at time t4, the signal level of the light emission control signal φ2 is switched to a high level. Since the second light emitting thyristor Ta from the X direction is irradiated with light from the adjacent light emitting thyristor Ta, when the signal level of the light emission control signal φ2 is switched to the high level, the light emitting thyristor Ta changes from the off state to the on state. Flashes. At this time, the remaining light-emitting thyristors Ta to which the light-emission control signal φ2 is applied are not irradiated with light from the light-emitting thyristors Ta adjacent to each other, and thus do not emit light.

次に時刻ｔ５で、駆動用回路が、発光制御信号φ１の信号レベルをローレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から１つ目の発光サイリスタＴａは、オン状態からオフ状態に遷移して、発光を停止する。次に時刻ｔ６で、駆動用回路が、発光制御信号φ３の信号レベルをハイレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から３つ目の発光サイリスタＴａが発光し、時刻ｔ７で発光制御信号φ３の信号レベルをローレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から２つ目の発光サイリスタＴａの発光が停止する。また時刻ｔ８で、発光制御信号φ１の信号レベルをハイレベルに切換えると、Ｘ方向の一方から４つ目の発光サイリスタＴａが発光する。   Next, at time t5, when the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φ1 to the low level, the first light emitting thyristor Ta from one side in the X direction shifts from the on state to the off state to emit light. To stop. Next, when the driving circuit switches the signal level of the light emission control signal φ3 to a high level at time t6, the third light emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light, and the signal of the light emission control signal φ3 is emitted at time t7. When the level is switched to the low level, the light emission of the second light-emitting thyristor Ta from one side in the X direction stops. At time t8, when the signal level of the light emission control signal φ1 is switched to the high level, the fourth light emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light.

以後同様にして、発光制御信号φ１，φ２，φ３の信号レベルを予め定める周期で順番に切換えることによって、発光サイリスタＴａをＸ方向の一方から他方に向かって順番に発光させることができる。発光制御信号φ１，φ２，φ３のそれぞれが切換わるときに、発光制御信号φ１，φ２，φ３のうちの、発光している発光サイリスタＴａと、発光させるべき発光サイリスタＴａとに与えられものを共にハイレベルにする。これによって発光している発光サイリスタＴａの次に発光させるべき発光サイリスタＴａのしきい電圧を確実に低下させた状態で、発光させるべき発光サイリスタＴａにハイレベルの発光制御信号を与えることができる。これによって、Ｘ方向の一方から他方に向かって順番に発光サイリスタＴａを確実に発光させることができる。   Thereafter, similarly, by sequentially switching the signal levels of the light emission control signals φ1, φ2, and φ3 in a predetermined cycle, the light emitting thyristor Ta can emit light sequentially from one side to the other side in the X direction. When each of the light emission control signals φ1, φ2, and φ3 is switched, both of the light emission control signals φ1, φ2, and φ3 that are given to the light emitting thyristor Ta that emits light and the light emitting thyristor Ta that should emit light are both used. Set to high level. As a result, a high-level light emission control signal can be given to the light emitting thyristor Ta to emit light while the threshold voltage of the light emitting thyristor Ta to emit light next to the light emitting thyristor Ta emitting light is reliably lowered. Thus, the light emitting thyristor Ta can be made to emit light in order from one side to the other side in the X direction.

駆動用回路は、発光制御信号φ１の信号レベルがハイレベルとなり、かつ発光制御信号φ２，φ３の信号レベルがローレベルとなっているとき、発光制御信号φ２の信号レベルがハイレベルとなり、かつ発光制御信号φ１，φ３の信号レベルがローレベルとなっているとき、発光制御信号φ３の信号レベルがハイレベルとなり、かつ発光制御信号φ１，φ２の信号レベルがローレベルとなっている間に、予め定める時間だけ駆動信号Ｖ１またはＶ２をハイレベルに切換える。駆動信号Ｖ１，Ｖ２の信号レベルは、前述の実施の形態と同様に、交互にハイレベルに切換えられる。   In the driving circuit, when the signal level of the light emission control signal φ1 is high and the signal levels of the light emission control signals φ2 and φ3 are low, the signal level of the light emission control signal φ2 is high and the light emission is performed. When the signal levels of the control signals φ1 and φ3 are low, the signal level of the light emission control signal φ3 is high and the signal levels of the light emission control signals φ1 and φ2 are low. The drive signal V1 or V2 is switched to a high level for a predetermined time. The signal levels of the drive signals V1 and V2 are alternately switched to a high level as in the above-described embodiment.

本実施の形態では、発光サイリスタＴａからの光が、この発光サイリスタＴａに相互に隣接する発光サイリスタＴａに入射するが、第２，第３および第６信号伝送路３２，３３，３６によって、発光制御信号φ１〜φ３を伝送することによって、Ｘ方向の他方に隣接する発光サイリスタＴａのみを発光させることができる。   In the present embodiment, light from the light-emitting thyristor Ta is incident on the light-emitting thyristor Ta adjacent to the light-emitting thyristor Ta, and light is emitted by the second, third, and sixth signal transmission paths 32, 33, and 36. By transmitting the control signals φ1 to φ3, only the light emitting thyristor Ta adjacent to the other in the X direction can be caused to emit light.

以上のような構成によって、ラインセンサＬ２は、前述したラインセンサＬ１と同様の効果を達成することができる。ラインセンサＬ２は、ラインセンサＬ１よりも電極および信号伝送路が１つずつ多く必要にはなるが、受光サイリスタＴｂを形成する必要がない。またラインセンサＬ２では、受光サイリスタＴｂがないので、発光サイリスタＴａの間隔をラインセンサＬ１よりも近接して設けることができるようになり、さらに分解能を向上させることができる。   With the configuration as described above, the line sensor L2 can achieve the same effect as the line sensor L1 described above. The line sensor L2 needs more electrodes and one signal transmission path than the line sensor L1, but it is not necessary to form the light receiving thyristor Tb. Further, since the line sensor L2 does not have the light receiving thyristor Tb, the interval between the light emitting thyristors Ta can be provided closer to that of the line sensor L1, and the resolution can be further improved.

図９は、本発明の実施の他の形態のラインセンサＬ３の概略的な回路構成を示す等価回路図である。ラインセンサＬ３は、前述した実施の形態のラインセンサＬ１に類似し、発光部２および配線部４の構成が異なるのみであるので、同様な構成には同様の参照符号を付して、異なる部分についてのみ説明する。前述した実施の形態では、発光部２は、発光サイリスタＴａと、受光サイリスタＴｂとを含む構成であるが、本発明の実施の他の形態では、発光部２は、前述した発光サイリスタＴａのみを含んで構成される。またラインセンサＬ３は、スタート用発光部５を備えない。発光サイリスタＴａは、光を受光するとしきい電圧が低下する。したがって、隣接する発光サイリスタＴａから光が照射された状態で、発光制御信号の信号レベルがハイレベルにすることによって発光サイリスタＴａを発光させることができる。   FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing a schematic circuit configuration of a line sensor L3 according to another embodiment of the present invention. The line sensor L3 is similar to the line sensor L1 of the above-described embodiment, and only the configurations of the light emitting unit 2 and the wiring unit 4 are different. Only will be described. In the embodiment described above, the light emitting unit 2 includes the light emitting thyristor Ta and the light receiving thyristor Tb. However, in another embodiment of the present invention, the light emitting unit 2 includes only the light emitting thyristor Ta described above. Consists of including. Further, the line sensor L3 does not include the start light emitting unit 5. When the light-emitting thyristor Ta receives light, the threshold voltage decreases. Therefore, the light-emitting thyristor Ta can emit light by setting the signal level of the light-emission control signal to a high level in a state where light is emitted from the adjacent light-emitting thyristor Ta.

ラインセンサＬ３の配線部４は、予め定める電圧が印加される電圧供給線６１と、電圧供給線６１と各発光サイリスタＴａのゲートとをそれぞれ接続する抵抗素子ＲＬと、相互に隣接する発光サイリスタＴａのゲートに接続されるダイオードＤとを含む。ダイオードＤは、相互に隣接する発光サイリスタＴａのうち、Ｘ方向の一方の発光サイリスタＴａのゲートにカソードが接続され、Ｘ方向の他方の発光サイリスタＴａのゲートにアノードが接続される。また各ダイオードＤのアノードおよびカソードは、抵抗素子ＲＬを介して、電圧供給線６１に接続される。また第１信号伝送路３１は、Ｘ方向の一方の端部の発光サイリスタＴａのゲートに接続される。   The wiring section 4 of the line sensor L3 includes a voltage supply line 61 to which a predetermined voltage is applied, a resistance element RL that connects the voltage supply line 61 and the gate of each light emitting thyristor Ta, and light emitting thyristors Ta adjacent to each other. And a diode D connected to the gate. Among the light emitting thyristors Ta adjacent to each other, the diode D has a cathode connected to the gate of one light emitting thyristor Ta in the X direction and an anode connected to the gate of the other light emitting thyristor Ta in the X direction. The anode and cathode of each diode D are connected to a voltage supply line 61 via a resistance element RL. The first signal transmission path 31 is connected to the gate of the light emitting thyristor Ta at one end in the X direction.

電圧供給線６１には、予め定める電圧が与えられる。電圧供給線６１が電源と接続される部位は、複数の発光部２および受光部３のうち、端部に設けられる発光部２および受光部３よりもＸ方向の外方に設けられる。駆動用回路は、はじめに発光制御信号φＳ，φ１，φ２の信号レベルをともにローレベルとしておく。そして駆動用回路が、第２電極４ｂに与える発光制御信号φ１の信号レベルをハイレベルにすることによって、Ｘ方向の一方から１番目の発光サイリスタＴａを発光させることができる。Ｘ方向の一方から１番目の発光サイリスタＴａが発光すると、駆動用回路が、発光制御信号φＳの信号レベルをハイレベルにする。以後駆動用回路は、発光制御信号φＳの信号レベルをハイレベルとしたままにする。発光制御信号φＳのハイレベルのときの電位は、電圧供給線６１の電位と等しく選ばれる。   A predetermined voltage is applied to the voltage supply line 61. The site where the voltage supply line 61 is connected to the power source is provided outside the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 at the end of the plurality of light emitting units 2 and the light receiving unit 3 in the X direction. First, the drive circuit sets the signal levels of the light emission control signals φS, φ1, and φ2 to a low level. The drive circuit sets the signal level of the light emission control signal φ1 applied to the second electrode 4b to a high level, whereby the first light emitting thyristor Ta from one side in the X direction can emit light. When the first light-emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light, the driving circuit sets the signal level of the light-emission control signal φS to a high level. Thereafter, the drive circuit keeps the signal level of the light emission control signal φS at a high level. The potential when the light emission control signal φS is at the high level is selected to be equal to the potential of the voltage supply line 61.

Ｘ方向の一方から１番目の発光サイリスタＴａが発光すると、Ｘ方向の一方から２番目の発光サイリスタＴａのゲートの電位が低下する。Ｘ方向の一方から３番目以降の発光サイリスタＴａのゲートの電位も低下するが、発光サイリスタＴａのゲート間には、ダイオードＤが接続されているので、Ｘ方向の他方に向かうほど、ダイオードＤの拡散電位分だけ電位が高くなり、ゲート電位の低下が少ない。この状態で駆動用回路が、発光制御信号φ２の信号レベルをハイレベルにすると、Ｘ方向の一方から２番目の発光サイリスタＴａが発光する。Ｘ方向の一方から２番目の発光サイリスタＴａが発光すると、駆動用回路が、発光制御信号φ１の信号レベルをローレベルにする。駆動用回路は、以後、前述の実施の形態と同様に、予め定める周期で、図５のタイミングチャートに示すように、発光制御信号φ１，φ２の信号レベルを交互に切換える。これによって、Ｘ方向の一方から順番に発光サイリスタＴａを発光させることができる。   When the first light emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light, the potential of the gate of the second light emitting thyristor Ta from one side in the X direction decreases. The potential of the gate of the third and subsequent light emitting thyristors Ta from one side in the X direction also decreases. However, since the diode D is connected between the gates of the light emitting thyristors Ta, the diode D increases toward the other side in the X direction. The potential is increased by the diffusion potential, and the gate potential is hardly lowered. In this state, when the driving circuit sets the signal level of the light emission control signal φ2 to the high level, the second light emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light. When the second light emitting thyristor Ta from one side in the X direction emits light, the driving circuit sets the signal level of the light emission control signal φ1 to a low level. Thereafter, the driving circuit alternately switches the signal levels of the light emission control signals φ1 and φ2 at predetermined intervals as shown in the timing chart of FIG. Thereby, the light emitting thyristor Ta can be made to emit light sequentially from one side in the X direction.

駆動用回路は、前述の実施の形態と同様に駆動信号Ｖ１，Ｖ２を切換えることによって、前述した実施の形態と同様の効果を達成することができる。ラインセンサＬ３では、ダイオードＤおよび抵抗素子ＲＬを基板１に形成する必要があるが、スタート用発光部５を備える必要がない。   The drive circuit can achieve the same effect as the above-described embodiment by switching the drive signals V1 and V2 as in the above-described embodiment. In the line sensor L3, it is necessary to form the diode D and the resistance element RL on the substrate 1, but it is not necessary to include the start light emitting unit 5.

図１０は、ラインセンサＬ１を使用した画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。画像形成装置８７は、電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置８７は、Ｙ（イエロ）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ（ブラック）の４色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、４つの発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋ、集光手段であるレンズアレイ８８Ｙ，８８Ｍ，８８Ｃ，８８Ｋ、発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋおよび各駆動ＩＣが実装された回路基板およびレンズアレイ８８を保持する第１ホルダ８９Ｙ，８９Ｍ，８９Ｃ，８９Ｋ、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋ、４つの現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段である転写ベルト９２、４つのクリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、４つの帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋ、定着手段９５および制御手段９６を含んで構成される。   FIG. 10 is a side view showing a basic configuration of an image forming apparatus 87 using the line sensor L1. The image forming apparatus 87 is an electrophotographic image forming apparatus. The image forming apparatus 87 is an apparatus that employs a tandem system that forms four color images of Y (yellow), M (magenta), C (cyan), and K (black), and is roughly divided into four light emitting elements. The devices 10Y, 10M, 10C, and 10K, the lens arrays 88Y, 88M, 88C, and 88K that are the light condensing means, the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K, and the circuit board on which each driving IC is mounted and the lens array 88 are held. First holders 89Y, 89M, 89C, 89K, four photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, 90K, four developer supply means 91Y, 91M, 91C, 91K, a transfer belt 92 as transfer means, and four cleaners 93Y. , 93M, 93C, 93K, four chargers 94Y, 94M, 94C, 94K, a fixing means 95 and a control means 96. It is.

各発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋは、制御手段９６からの制御指令が与えられて動作し、駆動用回路によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。各発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋの発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋからの光は、レンズアレイ８８を介して各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに集光して照射される。レンズアレイ８８は、たとえば発光素子の光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に形成して構成される。   Each of the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K operates in response to a control command from the control unit 96, and is driven based on the color image information of each color by a driving circuit. Light from the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K of the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K is condensed and irradiated onto the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K via the lens array 88. . The lens array 88 includes, for example, a plurality of lenses disposed on the optical axis of the light emitting element, and is configured by integrally forming these lenses.

発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋが実装される回路基板およびレンズアレイ８８は、第１ホルダ８９によって保持される。第１ホルダ８９によって、発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋの光照射方向と、レンズアレイ８８のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、たとえば円筒状の基体表面に感光体層を被着して成り、その外周面には各発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。   The circuit board on which the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K are mounted and the lens array 88 are held by the first holder 89. By the first holder 89, the light irradiation directions of the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K and the optical axis direction of the lenses of the lens array 88 are aligned so as to be substantially aligned. Each of the photoconductive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K is formed, for example, by adhering a photoconductive layer on the surface of a cylindrical substrate, and the outer peripheral surface receives light from the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K. Then, an electrostatic latent image forming position where the electrostatic latent image is formed is set.

各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの周辺部には、各静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに現像剤を供給する現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写ベルト９２、クリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、および帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋがそれぞれ配置される。感光体ドラム９０に現像剤によって形成された画像を記録シート体７１に転写する転写ベルト９２は、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに対して共通に設けられる。   The exposed photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are sequentially exposed at the periphery of the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K toward the downstream side in the rotational direction with respect to the electrostatic latent image forming positions. Developer supplying means 91Y, 91M, 91C, 91K for supplying developer to the transfer belt 92, cleaners 93Y, 93M, 93C, 93K, and chargers 94Y, 94M, 94C, 94K are arranged, respectively. A transfer belt 92 for transferring an image formed on the photosensitive drum 90 with the developer to the recording sheet 71 is provided in common to the four photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K.

前記感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、第２ホルダ（図示省略）によって保持され、この第２ホルダと第１ホルダ８９とは、相対的に固定される。各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの回転軸方向と、各発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋの前記配列方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。転写ベルト９２によって、記録シート体７１を搬送し、現像剤によって画像が形成された記録シート体７１は、定着手段９５に搬送される。定着手段９５は、記録シート体７１に転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、回転駆動手段によって回転される。   The photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are held by a second holder (not shown), and the second holder and the first holder 89 are relatively fixed. The photoconductor drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are aligned so that the rotation axis directions of the photoconductor drums 90Y, 90M, 90C, and 90K substantially coincide with the arrangement directions of the light emitting devices 10Y, 10M, 10C, and 10K. The recording sheet 71 is conveyed by the transfer belt 92, and the recording sheet 71 on which an image is formed by the developer is conveyed to the fixing unit 95. The fixing unit 95 fixes the developer transferred to the recording sheet 71. The photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K are rotated by a rotation driving unit.

制御手段９６は、前述した各駆動用回路に画像情報を与えるとともに、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写ベルト９２、帯電器９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋおよび定着手段９５の各部を制御する。   The control unit 96 gives image information to each of the driving circuits described above, and also includes a rotation driving unit that rotates the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K, a developer supply unit 91Y, 91M, 91C, and 91K, and a transfer belt. 92, each part of the chargers 94Y, 94M, 94C, 94K and the fixing means 95 is controlled.

ラインセンサＬ１は、たとえば感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋのうち、記録シート体７１の搬送方向の上流側に配置される感光体ドラム９０Ｙの近傍に設けられる。ラインセンサＬ１は、感光体ドラム９０Ｙよりも記録シート体７１の搬送方向の上流側に設けられ、記録シート体７１の搬送経路のうち、記録シート体７１の幅方向の端部が通過する領域に発光部２および受光部３が臨むように固定される。ラインセンサＬ１によって、記録シート体７１の搬送中に、その幅方向の端部の位置を検出する。記録シート体７１の幅方向の端部の位置が変化すれば、その位置変化をラインセンサＬ１が検出することができ、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに向かって搬送される記録シート体７１が傾いているか否かがわかる。ラインセンサＬ１は、制御手段９６と接続されて、ラインセンサＬ１によって、記録シート体７１が傾いていると制御手段９６が判断すると、制御手段９６は、たとえば、装置の各部を制御してもう一度同じ画像を形成させる。   The line sensor L1 is provided, for example, in the vicinity of the photosensitive drum 90Y arranged on the upstream side in the conveyance direction of the recording sheet 71 among the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, and 90K. The line sensor L1 is provided upstream of the photosensitive drum 90Y in the conveyance direction of the recording sheet body 71, and in a conveyance path of the recording sheet body 71 in an area through which an end in the width direction of the recording sheet body 71 passes. The light emitting unit 2 and the light receiving unit 3 are fixed so as to face each other. The position of the end in the width direction is detected by the line sensor L1 while the recording sheet 71 is being conveyed. If the position of the end in the width direction of the recording sheet 71 changes, the change in position can be detected by the line sensor L1, and the recording sheet is conveyed toward the photosensitive drums 90Y, 90M, 90C, 90K. It can be seen whether 71 is inclined. When the line sensor L1 is connected to the control unit 96 and the control unit 96 determines that the recording sheet 71 is tilted by the line sensor L1, the control unit 96 controls each part of the apparatus, for example. An image is formed.

本実施の形態では、画像形成装置８７はラインセンサＬ１を備えるが、ラインセンサＬ２，Ｌ３を用いてもよく、前述したいずれの実施の形態のラインセンサを用いてもよい。また画像形成装置８７において、ラインセンサを設ける位置は、前述した位置に限らず、記録シート体７１の搬送経路に臨む位置であればよい。またラインセンサは、記録シート体７１の幅方向の両端部を検出するように、搬送経路に臨む複数の位置に設けられてもよい。   In the present embodiment, the image forming apparatus 87 includes the line sensor L1, but the line sensors L2 and L3 may be used, and the line sensor of any of the above-described embodiments may be used. In the image forming apparatus 87, the position where the line sensor is provided is not limited to the position described above, and may be a position facing the conveyance path of the recording sheet 71. The line sensor may be provided at a plurality of positions facing the conveyance path so as to detect both ends of the recording sheet 71 in the width direction.

なお、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。たとえば、前述した実施の形態では、発光部２として発光サイリスタＴａを用いているが、発光サイリスタＴａの替わりに発光ダイオードを用いてもよい。また、前述した実施の形態において、フォトトランジスタＴｒの替わりにフォトダイオードを用いてもよい。またたとえば、本発明の実施のさらに他の形態では、前述の各実施の形態において、各電極は、発光部２および受光部３のうちＸ方向の端部に設けられる発光部２および受光部３よりも、Ｘ方向の外方のうちのいずれか一方だけではなく、両方に設けられてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the embodiment described above, the light emitting thyristor Ta is used as the light emitting unit 2, but a light emitting diode may be used instead of the light emitting thyristor Ta. In the embodiment described above, a photodiode may be used instead of the phototransistor Tr. Further, for example, in still another embodiment of the present invention, in each of the above-described embodiments, each of the electrodes is a light emitting unit 2 and a light receiving unit 3 provided at an end portion in the X direction of the light emitting unit 2 and the light receiving unit 3. Instead, it may be provided not only in one of the outer sides in the X direction but in both.

また前述した発光サイリスタＴ０のＹ方向の一方に隣接して、受光部３を設けてもよい。この場合、発光サイリスタＴ０のオーミックコンタクト層２５ａが露出するように絶縁層４１および遮光膜４５が形成される。   Further, the light receiving unit 3 may be provided adjacent to one side of the light emitting thyristor T0 in the Y direction. In this case, the insulating layer 41 and the light shielding film 45 are formed so that the ohmic contact layer 25a of the light emitting thyristor T0 is exposed.

前述したラインセンサを作製し、特性を測定した結果について説明する。本実施例では、発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒのみを作製して、フォトトランジスタＴｒの受光特性を測定した。図１１は、作製したラインセンサの要部の平面図であり、図１２は、図１１の切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩから見た断面図である。図１２では、フォトトランジスタＴｒを簡略化して示している。   The result of manufacturing the above-described line sensor and measuring the characteristics will be described. In this example, only the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr were produced, and the light receiving characteristics of the phototransistor Tr were measured. FIG. 11 is a plan view of the main part of the produced line sensor, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the section line XII-XII of FIG. In FIG. 12, the phototransistor Tr is shown in a simplified manner.

本実施例では、ラインセンサを構成する発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒを基板１上に、図１１に示すような形状として作製した。発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒは、円柱形状に形成した。この円柱直径Ｄ１は、６００μｍに形成した。発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒの、発光面お１４よび受光面１３が露出する部分の直径Ｄ２は、それぞれ４００μｍに形成した。また発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒの間隔Ｗ１は、４００μｍに形成した。また発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒの側部と、発光面１４および受光面１３の周縁部と、基板１とを絶縁層４１によって覆った。絶縁層４１が発光面１４および受光面１３の周縁から中心に向かって覆う距離Ｗ２は、１５０μｍとした。また遮光膜および信号伝送路を兼ねる金属膜７７を、前記発光面１４および受光面１３のうち、絶縁層４１から露出する部位の周縁から中心に向かって覆う距離Ｗ３は、５０μｍとした。また金属膜７７の、前記発光面１４および受光面１３の半径方向に沿う幅Ｗ４は、１５０μｍとした。また基板１の裏面に形成される共通電極１２は、接地した。   In this example, the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr constituting the line sensor were formed on the substrate 1 in the shape as shown in FIG. The light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr were formed in a cylindrical shape. The cylinder diameter D1 was 600 μm. The diameters D2 of the portions where the light emitting surface 14 and the light receiving surface 13 of the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr are exposed are each 400 μm. The interval W1 between the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr was formed to be 400 μm. Further, the side portions of the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr, the peripheral portions of the light emitting surface 14 and the light receiving surface 13, and the substrate 1 were covered with an insulating layer 41. The distance W2 that the insulating layer 41 covers from the periphery of the light emitting surface 14 and the light receiving surface 13 toward the center is 150 μm. A distance W3 covering the metal film 77 serving also as a light shielding film and a signal transmission path from the periphery of the portion exposed from the insulating layer 41 toward the center of the light emitting surface 14 and the light receiving surface 13 was set to 50 μm. The width W4 of the metal film 77 along the radial direction of the light emitting surface 14 and the light receiving surface 13 was 150 μm. The common electrode 12 formed on the back surface of the substrate 1 was grounded.

基板１の材質としてはＧａＡｓを用い、その上にＧａＡｓから成る半導体層をＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によってエピタキシャル成長して、発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒを形成した。   As the material of the substrate 1, GaAs was used, and a semiconductor layer made of GaAs was epitaxially grown thereon by MO-CVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method to form a light emitting thyristor Ta and a phototransistor Tr.

図１１に示すようにフォトトランジスタＴｒにバイアス電圧５Ｖを印加した状態で、発光サイリスタＴａに５００ｍＡの電流を流して発光させ、図１２に示すように基板１の表面からの距離Ｈ２を３ｍｍとして、発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒの臨む領域に用紙を置いた場合と、用紙を置かなかった場合とについてフォトトランジスタＴｒの光電流ＩＬの変化を実測した。   In a state where a bias voltage of 5 V is applied to the phototransistor Tr as shown in FIG. 11, a current of 500 mA is passed through the light emitting thyristor Ta to emit light, and the distance H2 from the surface of the substrate 1 is set to 3 mm as shown in FIG. The change in the photocurrent IL of the phototransistor Tr was measured when the paper was placed in the area where the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr faced and when the paper was not placed.

図１３は、フォトトランジスタＴｒの光電流ＩＬの実測結果を示したグラフであり、横軸はフォトトランジスタＴｒに印加するバイアス電圧（単位；ボルト）であり、縦軸はフォトトランジスタＴｒの光電流ＩＬ（単位；アンペア）である。本実施例においては、光電流ＩＬは、発光サイリスタＴａの発光面１４およびフォトトランジスタＴｒの受光面１３が臨む領域に用紙が置かれたときと、置かれていないときとで約６０倍変化した。この結果から、発光サイリスタＴａおよびフォトトランジスタＴｒによって、用紙の位置検出を十分に行うことが可能であることがわかった。   FIG. 13 is a graph showing an actual measurement result of the photocurrent IL of the phototransistor Tr. The horizontal axis represents a bias voltage (unit: volts) applied to the phototransistor Tr, and the vertical axis represents the photocurrent IL of the phototransistor Tr. (Unit: ampere). In this embodiment, the photocurrent IL changed by about 60 times between when the paper was placed in the region where the light emitting surface 14 of the light emitting thyristor Ta and the light receiving surface 13 of the phototransistor Tr faced and when the paper was not placed. . From this result, it was found that the position of the paper can be sufficiently detected by the light emitting thyristor Ta and the phototransistor Tr.

本発明の実施の一形態のラインセンサＬ１の要部を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the principal part of line sensor L1 of one Embodiment of this invention. 図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the cut surface line II-II of FIG. 図１の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the cut surface line III-III of FIG. ラインセンサＬ１の概略的な回路構成を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the schematic circuit structure of the line sensor L1. ラインセンサＬ１の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation of line sensor L1. ラインセンサＬ１の使用状態を示す図である。It is a figure which shows the use condition of the line sensor L1. 本発明の実施の他の形態のラインセンサＬ２の概略的な回路構成を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the schematic circuit structure of the line sensor L2 of other embodiment of this invention. ラインセンサＬ２の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation of line sensor L2. 本発明の実施の他の形態のラインセンサＬ３の概略的な回路構成を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the schematic circuit structure of the line sensor L3 of other embodiment of this invention. ラインセンサＬ１を使用した画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a basic configuration of an image forming apparatus 87 using a line sensor L1. 作製したラインセンサの要部の平面図である。It is a top view of the principal part of the produced line sensor. 図１１の切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩから見た断面図である。It is sectional drawing seen from the cut surface line XII-XII of FIG. フォトトランジスタＴｒの光電流ＩＬの実測結果を示したグラフである。It is the graph which showed the measurement result of photocurrent IL of phototransistor Tr.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
１ａ 一主面
２ 発光部
３ 受光部
４ 配線部
４ａ 第１電極
４ｂ 第２電極
４ｃ 第３電極
４ｄ 第４電極
４ｅ 第５電極
４ｆ 第６電極
１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋ 発光装置
８７ 画像形成装置
８８Ｙ，８８Ｍ，８８Ｃ，８８Ｋ レンズアレイ
９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋ 感光体ドラム
９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ 現像剤供給手段
９２ 転写ベルト
９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ クリーナ
９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋ 帯電器
９５ 定着手段
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ ラインセンサ
Ｔ０ 発光サイリスタ
Ｔａ 発光サイリスタ
Ｔｂ 受光サイリスタ
Ｔｃ 検出サイリスタ
Ｔｒ フォトトランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 1a One main surface 2 Light-emitting part 3 Light-receiving part 4 Wiring part 4a 1st electrode 4b 2nd electrode 4c 3rd electrode 4d 4th electrode 4e 5th electrode 4f 6th electrode 10Y, 10M, 10C, 10K Light-emitting device 87 Image Forming device 88Y, 88M, 88C, 88K Lens array 90Y, 90M, 90C, 90K Photosensitive drum 91Y, 91M, 91C, 91K Developer supply means 92 Transfer belt 93Y, 93M, 93C, 93K Cleaner 94Y, 94M, 94C, 94K Charger 95 Fixing means L1, L2, L3 Line sensor T0 Light emitting thyristor Ta Light emitting thyristor Tb Light receiving thyristor Tc Detection thyristor Tr Phototransistor

Claims (3)

基板の一主面上に列状に設けられ、前記一主面の一方側に光を放射可能な複数の発光部と、
前記一主面上で、複数の前記発光部のそれぞれに隣接して設けられ、前記一主面の一方側から到来する光を受光可能な複数の受光部と、
外部から前記発光部の発光状態を制御する信号が与えられる第１部位、および外部に前記受光部の受光状態に応じた信号が出力される第２部位を有し、前記第１および第２部位が、複数の前記発光部および前記受光部のうち、端部に設けられる前記発光部および前記受光部よりも列の延在方向の外方に設けられて、前記発光部および前記受光部に選択的に接続される配線部とを含み、
前記発光部は、発光サイリスタを含み、
前記受光部は、フォトトランジスタと、前記フォトトランジスタの受光状態に応じた出力がゲートに与えられ、前記第２部位にアノードまたはカソードが接続される検出用サイリスタとを含み、
複数の前記受光部の各フォトトランジスタは、前記発光部の列の延在方向および前記基板の厚み方向に相互に垂直な方向に関して、前記発光部の前記発光サイリスタに所定の間隔をあけて隣接して設けられ、
前記配線部は、複数の前記受光部の各検出用サイリスタによる検出信号を伝送する信号伝送路を複数有し、該複数の信号伝送路が、前記発光部の列の延在方向の一方から他方に向かって交互に前記受光部の前記検出用サイリスタに接続されることを特徴とするラインセンサ。 A plurality of light emitting units provided in a row on one main surface of the substrate and capable of emitting light to one side of the one main surface;
A plurality of light receiving units provided adjacent to each of the plurality of light emitting units on the one main surface and capable of receiving light arriving from one side of the one main surface;
A first part to which a signal for controlling the light emission state of the light emitting part is given from the outside; and a second part to which a signal corresponding to the light receiving state of the light receiving part is output to the outside. However, among the plurality of light emitting units and the light receiving unit, the light emitting unit and the light receiving unit provided at the end are provided outside the light emitting unit and the light receiving unit in the column extending direction, and are selected as the light emitting unit and the light receiving unit. look including a wiring portion that is connected,
The light emitting unit includes a light emitting thyristor,
The light receiving unit includes a phototransistor, and a detection thyristor in which an output corresponding to a light receiving state of the phototransistor is given to a gate, and an anode or a cathode is connected to the second part,
Each phototransistor of the plurality of light receiving units is adjacent to the light emitting thyristor of the light emitting unit with a predetermined interval in the direction perpendicular to the extending direction of the row of light emitting units and the thickness direction of the substrate. Provided,
The wiring section includes a plurality of signal transmission paths that transmit detection signals from the detection thyristors of the plurality of light receiving sections, and the plurality of signal transmission paths extends from one to the other in the extending direction of the rows of the light emitting sections. A line sensor, wherein the line sensor is alternately connected to the detection thyristor of the light receiving portion toward the surface. 前記配線部は、
複数の前記第１部位と、
各第１部位をそれぞれ異なる複数の前記発光サイリスタに接続し、かつ各第１部位に発光状態を制御する信号を与えたときに、前記発光サイリスタが、相互に隣接する発光サイリスタの発光状態と、前記発光状態を制御する信号とに応じて選択的に発光可能に接続する信号伝送路とを含むことを特徴とする請求項１に記載のラインセンサ。 The wiring part is
A plurality of the first portions;
When each first part is connected to a plurality of different light-emitting thyristors and a signal for controlling the light-emission state is given to each first part, the light-emitting thyristor has a light-emitting state of light-emitting thyristors adjacent to each other; The line sensor according to claim 1, further comprising a signal transmission path that is selectively connected to emit light according to a signal that controls the light emission state. 発光装置と、
感光体ドラムと、
前記感光体ドラムを帯電する帯電手段と、
前記感光体ドラムに前記発光装置からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって集光されて露光された前記感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
前記感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を、記録シート体に転写する転写手段と、
前記記録シート体に転写された現像剤を定着させる定着手段と、
複数の前記発光部および前記受光部のそれぞれの一部が臨む領域を、記録シート体の端部が通過するように配置される請求項１または２に記載のラインセンサとを含むことを特徴とする画像形成装置。 A light emitting device;
A photosensitive drum;
Charging means for charging the photosensitive drum;
Condensing means for condensing the light from the light emitting device on the photosensitive drum;
Developer supply means for supplying a developer to the photosensitive drum exposed by the light from the light emitting device being condensed by the light collecting means;
Transfer means for transferring an image formed by a developer on the photosensitive drum to a recording sheet;
Fixing means for fixing the developer transferred to the recording sheet member;
3. The line sensor according to claim 1 , wherein the line sensor is disposed so that an end portion of the recording sheet passes through a region where each of the plurality of the light emitting units and the light receiving unit faces. Image forming apparatus.
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