JP5143124B2 - 電気装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
9,9−ジアルキルフルオレン−2,7−ジイルのホモポリマーのような第1の繰り返し単位のホモポリマーが電子輸送を提供するために利用されてよい。
第1の繰り返し単位及びトリアリールアミン繰り返し単位、特に、式1〜6から選択される繰り返し単位から構成されるコポリマーが正孔輸送及び/又は発光を提供するために利用されてよい。
ML1 qL2 rL3 s (V)
上記式において、Mは金属であり、各L1、L2及びL3は配位基である。qは整数であり、r及びsはそれぞれ独立して0又は整数であり、(a.q)+(b.r)+(c.s)の合計はM上で有効な配位部位の数に等しく、aはL1上の配位部位の数であり、bはL2上の配位部位の数であり、cはL3上の配位部位の数である。
セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスポジウム、ツリウム、エルビウム及びネオジムのようなランタニド金属、及び
d−ブロック金属、特に、第2及び3周期、すなわち、元素39〜48及び72〜80のもの、特に、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金。
以下に本発明の実施態様を、添付図面を参照して例示のためだけに記載する。
Si<100>及びガラススライドが、使用前にそれぞれ5分間アセトン、エタノール及びMili−Q水により連続的に超音波洗浄された。Cr10nm+金140nmのSi<100>への熱蒸着により金基板が製造された。蒸発速度は0.1nm/sであり、チャンバー真空は10-6Paに蒸着の間保持された。次いで金薄膜は、エタノール溶液に4時間浸漬し、続いて新しいエタノールで十分に洗浄し、N 2 で乾燥することにより、11−メルカプト−1−1ドデカノール(MDO)単層が施された。蛍光溶液はOregon Green 488をPH10の基礎溶液に溶解することによって製造された。PDMSスタンプは次のように製造された。プレポリマーSylgard 184及びその硬化剤が10:1の割合で混合され、次いで、フォトリソグラフィーによりパターニングされたフォトレジストマスターに注入された。65℃で24時間硬化した後、PDMSスタンプはマスターから剥がされた。SU8(2015)パターンがフォトリソグラフィー、及びこれに続く供給者の推奨工程により形成された。ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)(PNIPAM)ブラシ及びポリ([2−{メタクリロイルオキシ}エチル]トリメチルアンモニウムクロライド)(PMATEC)ブラシの製造はJones et al., Adv. Mater. 2002, 14, 1130及びOsborne et al., Chem. Commum. 2002, 17, 1838に記載される文献の方法に従う。
我々の手法は、PDMSと基板との不可逆的な結合を容易にするNaOHを利用する。NaOHの存在下でのPDMSの膨張は、下記のSiO2含有材料(O2プラズマの後PDMS表面上にSiO2の薄い層が載る)の公知のアルカリ融合反応に似ていると考える。
SiO2+2NaOH→Na2SiO3+H2O
Si(OH)4+HO−Si(OH)3→(OH)3 Si−O−Si(OH)3+H2O
4 バンク構造
6 ウェル
8 スタンプ
10 材料層
12 突起
14 バンク構造
16 ざらついた表面
18 基板
20 突起
100 OLED
102 基板
106 アノード層
108a 正孔輸送層
108b 電子発光層
110 カソード層
112 バンク
114 ウェル
200 OLEDディスプレイ
300 基板
302 セパレータ
304 領域
306 アノード層
308 ウェル
310 バンク
400 断面図
402 溶液
402a 接触角
404 固体薄膜
404a 領域
500 ウェル
502a 液滴
502b 液滴
502c 液滴
510 ウェル
512 液滴
514 大きな液滴
Claims (47)
- 電気装置を製造するための方法であって、基板を供給する工程、ポリジメチルシロキサン(PDMS)から構成されるスタンプをNaOHまたはKOHにて活性化させる工程と、前記基板に活性化された前記スタンプを接触させることにより、活性化された前記スタンプに接触した前記基板の領域の濡れ性を低下させる工程、及び濡れ性が低下された前記領域の間に位置する前記基板の領域上に電気的活性材料から構成される液体を堆積させる工程を含む方法。
- 濡れ性が低下された前記領域の間に位置する前記基板の前記領域が画素の2次元アレイを規定する請求項1に記載の方法。
- 前記基板は1又は2以上のウェルを規定するバンク構造を有し、前記基板に活性化された前記スタンプを接触させる前記工程は、前記バンク構造の末端の表面に活性化された前記スタンプを接触させることにより前記バンク構造の前記末端の表面の濡れ性を低下させる工程を含み、前記電気的活性材料から構成される前記液体は前記1又は2以上のウェルの中に堆積させられる請求項1又は2に記載の方法。
- 前記スタンプは1又は2以上のウェルを規定するバンク構造を有し、前記基板に活性化された前記スタンプを接触させる前記工程は、前記バンク構造の末端の表面を前記基板に接触させることにより前記バンク構造の前記末端の表面に接触した前記基板の領域の濡れ性を低下させる工程を含み、前記電気的活性材料から構成される前記液体は濡れ性が低下した前記領域の間の前記基板上に堆積させられる請求項1又は2に記載の方法。
- 前記バンク構造はリソグラフィープロセスによって形成される請求項3又は4に記載の方法。
- 前記バンク構造は0.1〜5μmの範囲の高さを有する請求項3ないし5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ウェルの間の距離は20〜100μmの範囲である請求項3ないし6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ウェルは約100〜500μmの幅である請求項3ないし7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は第1の電極層を有する請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電気的活性材料の上に第2の電極層を堆積させる工程をさらに含む請求項1ないし9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電気的活性材料が有機物である請求項1ないし10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機材料はポリマー、オリゴマー、デンドリマー及び低分子量材料の1又は2以上から構成される請求項11に記載の方法。
- 前記電気的活性材料は発光材料から構成される請求項1ないし12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電気的活性材料は半導体材料から構成される請求項1ないし13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電気的活性材料は導電性材料から構成される請求項1ないし13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記堆積工程は、電気的活性材料の第1の層を堆積する工程及びその上に電気的活性材料の第2の層を堆積する工程を含む請求項1ないし15のいずれか一項に記載の方法。
- 電気的活性材料の前記第1の層は電荷輸送材料から構成され、電気的活性材料の前記第2の層は発光材料から構成される請求項16に記載の方法。
- 前記電荷輸送材料の堆積の前に電荷注入材料層が堆積される請求項17に記載の方法。
- 前記電気的活性材料はインクジェット印刷により堆積される請求項1ないし18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電気的活性材料から構成される前記液体は濡れ性の低下した前記基板の前記領域を超えるように堆積され、乾燥時に前記電気的活性材料が前記領域の低い濡れ性のために前記領域から流れ落ちる請求項1ないし19のいずれか一項に記載の方法。
- 活性化された前記スタンプにより接触された前記基板の前記領域の化学的組成は前記接触工程中に変化する請求項1ないし20のいずれか一項に記載の方法。
- 材料の薄膜が活性化された前記スタンプから、前記スタンプにより接触された前記基板の前記領域に転写される請求項21に記載の方法。
- 前記基板を活性化された前記スタンプに接触させる前記工程により、前記スタンプにより接触された前記基板の前記領域が10〜500nmの範囲の高さの複数の突出部を有するざらついた表面を有する請求項1ないし22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ざらついた表面は活性化された前記スタンプから、前記スタンプにより接触された前記基板の前記領域に材料を転写させることによって形成される請求項23に記載の方法。
- 前記突出部の間の間隔は好ましくは0.1〜10μmの範囲である請求項23または24に記載の方法。
- 前記電気的活性材料から構成される前記液体と濡れ性が低下した前記領域の間の接触角が120°超である請求項1ないし25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記NaOHまたはKOHの濃度は1mM〜100mMの範囲である請求項1ないし26のいずれか一項に記載の方法。
- 活性化された前記スタンプを前記基板に接触させた後、前記スタンプの除去前に焼成工程が行われる請求項1ないし27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記焼成工程は40〜90℃の範囲の温度で行われる請求項28に記載の方法。
- 前記スタンプはO2プラズマで処理される請求項1ないし29のいずれか一項に記載の方法。
- NaOHまたはKOHにて活性化されたポリジメチルシロキサン(PDMS)を有するスタンプを接触させることにより形成された、濡れ性の低下した10〜500nmの範囲の高さの複数の突出部を有するざらついた表面であってパターンを規定する表面を有する基板と、濡れ性の低下した前記ざらついた表面の間の領域における前記基板上に配置された電気的活性材料層とを有する電気装置。
- 濡れ性が低下された前記ざらついた表面の間の前記領域が画素の2次元アレイを規定する請求項31に記載の電気装置。
- 前記基板は1又は2以上のウェルを規定するバンク構造を有し、前記バンク構造の末端表面は濡れ性が低下した前記ざらついた表面を有し、前記電気的活性材料層は前記1又は2以上のウェル中に配置される請求項31または32に記載の電気装置。
- 前記バンク構造は0.1〜5μmの範囲の高さを有する請求項33に記載の電気装置。
- 前記ウェルの間の距離は20〜100μmの範囲である請求項33または34に記載の電気装置。
- 前記ウェルは約100〜500μmの幅である請求項33ないし35のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記基板は第1の電極層を有する請求項31ないし36のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記電気的活性材料の上に第2の電極層をさらに有する請求項31ないし37のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記電気的活性材料が有機物である請求項31ないし38のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記有機材料はポリマー、オリゴマー、デンドリマー及び低分子量材料の1又は2以上から構成される請求項39に記載の電気装置。
- 前記電気的活性材料は発光材料から構成される請求項31ないし40のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記電気的活性材料は半導体材料から構成される請求項31ないし41のいずれか一項に記載の電気装置。
- 前記電気的活性材料は導電性材料から構成される請求項31ないし42のいずれか一項に記載の電気装置。
- 電気的活性材料の第1の層及びその上に電気的活性材料の第2の層が供給されている請求項31ないし43のいずれか一項に記載の電気装置。
- 電気的活性材料の前記第1の層は電荷輸送材料から構成され、電気的活性材料の前記第2の層は発光材料から構成される請求項44に記載の電気装置。
- 前記電荷輸送材料の下に電荷注入材料層が配置されている請求項45に記載の電気装置。
- 前記突出部の間の間隔は好ましくは0.1〜10μmの範囲である請求項31ないし46のいずれか一項に記載の電気装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0607193A GB2437328A (en) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | Electric devices and methods of manufacture |
GB0607193.0 | 2006-04-10 | ||
PCT/GB2007/001245 WO2007128965A1 (en) | 2006-04-10 | 2007-04-04 | Electric devices and methods of manufacturing the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009533809A JP2009533809A (ja) | 2009-09-17 |
JP2009533809A5 JP2009533809A5 (ja) | 2011-05-26 |
JP5143124B2 true JP5143124B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=36539675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009504803A Expired - Fee Related JP5143124B2 (ja) | 2006-04-10 | 2007-04-04 | 電気装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8067265B2 (ja) |
EP (1) | EP2011175B1 (ja) |
JP (1) | JP5143124B2 (ja) |
GB (1) | GB2437328A (ja) |
WO (1) | WO2007128965A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-04-10 GB GB0607193A patent/GB2437328A/en not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-04-04 US US12/296,931 patent/US8067265B2/en active Active
- 2007-04-04 EP EP07732293.1A patent/EP2011175B1/en not_active Not-in-force
- 2007-04-04 WO PCT/GB2007/001245 patent/WO2007128965A1/en active Application Filing
- 2007-04-04 JP JP2009504803A patent/JP5143124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090321752A1 (en) | 2009-12-31 |
GB0607193D0 (en) | 2006-05-17 |
US8067265B2 (en) | 2011-11-29 |
JP2009533809A (ja) | 2009-09-17 |
WO2007128965A1 (en) | 2007-11-15 |
EP2011175A1 (en) | 2009-01-07 |
GB2437328A (en) | 2007-10-24 |
EP2011175B1 (en) | 2019-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100304 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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