JP5141393B2 - レベルアップ変換回路 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1実施形態を示す回路図である。本発明の第1実施形態は、レベルアップ変換部として、図11に示す従来のレベルアップ変換部LUC1とは回路構成の異なるLUC2を設け、その他については、図11に示す従来のレベルアップ変換回路と同様に構成したものである。
図6は本発明の第2実施形態を示す回路図である。本発明の第2実施形態は、レベルアップ変換部として、本発明の第1実施形態が設けるレベルアップ変換部LUC2と構成の異なるレベルアップ変換部LUC3設け、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
図10は本発明の第3実施形態を示す回路図である。本発明の第3実施形態は、高電圧側の電源電圧VDDHがインバータINV1を構成するPMOSトランジスタPM1及びNMOSトランジスタNM1の耐圧以下であることを前提としたものである。
P1…入力端子
SOUT…出力デジタル信号
P2…出力端子
INV1、INV2…インバータ
LUC1〜LUC3…レベルアップ変換部
INPUT1…入力回路
LT1…ラッチ回路
CM1、CM2…カレントミラー回路
PM1〜PM8…PMOSトランジスタ
NM1〜NM4…NMOSトランジスタ
Claims (4)
- 第1導電型の第1及び第2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタのゲートに入力デジタル信号が与えられ、前記第2のトランジスタのゲートに前記入力デジタル信号を反転した反転入力デジタル信号が与えられる入力回路と、
第2導電型の第3及び第4のトランジスタを有し、前記第3のトランジスタのドレインを前記第1のトランジスタのドレインに接続し、前記第4のトランジスタのドレインを前記第2のトランジスタのドレインに接続し、前記第3のトランジスタのゲートを前記第4のトランジスタのドレインに接続し、前記第4のトランジスタのゲートを前記第3のトランジスタのドレインに接続し、前記第3のトランジスタのドレインに第1の出力デジタル信号を得るようにされたラッチ回路と、
第2導電型の第5及び第6のトランジスタを有し、前記第5及び前記第6のトランジスタのソースを前記入力デジタル信号の高レベル電圧よりも高い高電圧側の電源電圧を供給する第1の電源線に接続し、前記第5のトランジスタのドレインを前記第3のトランジスタのソースに接続し、前記第6のトランジスタのドレインを前記第4のトランジスタのソースに接続し、前記第5のトランジスタのゲートを前記第5のトランジスタのドレインに接続するか又は前記第6のトランジスタのゲートを前記第6のトランジスタのドレインに接続したカレントミラー回路と、
第2導電型の第7及び第8のトランジスタを有し、前記第7のトランジスタのソース、ドレイン及びゲートをそれぞれ前記第1の電源線、前記第5のトランジスタのドレイン及び前記第3のトランジスタのドレインに接続し、前記第8のトランジスタのソース、ドレイン及びゲートをそれぞれ前記第1の電源線、前記第6のトランジスタのドレイン及び前記第4のトランジスタのドレインに接続した電位引き上げ回路と、
を有することを特徴とするレベルアップ変換回路。 - 前記入力デジタル信号の高レベル電圧と同一電圧の電源電圧が供給され、前記入力デジタル信号を反転して前記反転入力デジタル信号を出力する第2のインバータを有し、
前記第1乃至第8のトランジスタのゲート酸化膜は、前記インバータを構成するトランジスタのゲート酸化膜よりも厚くされていること
を特徴とする請求項1に記載のレベルアップ変換回路。 - 前記入力デジタル信号の高レベル電圧と同一電圧の電源電圧が供給され、前記入力デジタル信号を反転して前記反転入力デジタル信号を出力する第2のインバータを有し、
前記第1乃至第8のトランジスタのゲート酸化膜は、前記インバータを構成するトランジスタのゲート酸化膜と同一の厚さとされていること
を特徴とする請求項1に記載のレベルアップ変換回路。 - 前記高電圧側の電源電圧が供給され、入力端子に前記第1の出力デジタル信号を入力し、出力端子に第2の出力デジタル信号を得るようにされた第3のインバータを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のレベルアップ変換回路。
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